1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管，所述至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管以共源共栅方式连接，且其中一个所述第一晶体管的源极作为射频功率放大器的接地端，其中一个所述第二晶体管的漏极作为所述射频功率放大器的射频信号输出端；
所述第一晶体管为基于CMOS工艺或SOI工艺的晶体管，包括衬底以及位于所述衬底表面的功能结构，所述衬底表面分布有至少一个凹槽；
所述第二晶体管为基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的晶体管，每个所述第二晶体管固定于所述凹槽中，且通过所述第一晶体管的再布线层与所述第一晶体管连接。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述凹槽顶部与所述第二晶体管的顶部在水平方向上的距离差小于预设距离。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述预设距离的取值范围为20μm-30μm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一晶体管的数量为1个，所述第二晶体管的数量为1个，所述凹槽的数量为1个；
所述衬底表面具有多个第一类焊盘和多个第二类焊盘；
所述第一晶体管和第二晶体管通过所述第一类焊盘采用键合线方式或倒扣方式引出；
所述第一晶体管和第二晶体管通过所述第二类焊盘采用所述再布线层连接。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二晶体管的数量为多个；
所述凹槽的数量小于或等于所述第二晶体管的数量。
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述凹槽中固定有至少一个所述第二晶体管。
7.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述凹槽的数量为1个；
所有的所述第二晶体管固定于同一个所述凹槽中。
8.根据权利要求5-7任一项所述的射频功率放大器，其特征在于，所述衬底表面具有多个第一类焊盘和多个第二类焊盘；
所述第一晶体管和第二晶体管通过所述第一类焊盘采用键合线方式或倒扣方式引出；
所述第一晶体管和第二晶体管通过所述第二类焊盘采用所述再布线层连接。
9.根据权利要求1-7任一项所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第二晶体管通过粘合剂固定于所述凹槽中。
10.一种射频前端模块，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-9任一项所述的射频功率放大器。