电路板及其制作方法与流程

本发明涉及电路板制作领域，尤其涉及一种防止腐蚀气体腐蚀的电路板及其制作方法。

背景技术：

在电路板的形成过程中，铜导电线路层形成之后通常还需对铜导电线路层进行表面处理以防止所述铜导电线路层的氧化。最常用的表面处理方式之一是在铜导电线路层表面形成镀镍层及在镀镍层表面再形成一层镀金层。镀镍层包覆所述铜导电线路层的表面及侧面、镀金层包覆所述镀镍层的表面及侧面，由于形成在所述铜导电线路层侧面的镀镍层是依靠铜导电线路层侧面的铜层而生长，所述镀镍层侧面的镀金层是依靠铜导电线路层侧面的镀镍层而生长，如此，铜导电线路层侧面的镀镍层及镀金层与绝缘层之间会存在微小的、肉眼不可见的空隙。所述电路板在潮湿高温的环境中工作时，腐蚀性气体会通过所述微小的空隙进入，在所述镀镍层与镀金层的结合处极易发生原电池效应而腐蚀所述镀镍层，最终导致的结果是镍层逐渐被腐蚀，金层脱落剥离，当镍层出现空洞后，继而发生镍层和铜导电线路层间的原电池腐蚀，于是镍层可能被完全腐蚀掉。

技术实现要素：

因此，有必要提供一种能解决上述技术问题的电路板及其制作方法。

一种电路板，其包括绝缘层、形成在所述绝缘层表面的导电结构、形成在所述导电结构上表面及侧面的镀镍层及形成在所述镀镍层上表面及侧面的金层，所述导电结构包括多个导电图形，其特征在于，所述导电图形包括上底长度与下底长度相等的四边形及至少位于所述四边形一个侧面的突沿，所述突沿的高度小于或者等于所述四边形的高度。

在一个优选实施例中，所述突沿的截面形状为长方形或正方形或直角梯形。

在一个优选实施例中，所述突沿包括承靠所述四边形的第一承靠面、形成在所述绝缘层表面的第二承靠面以及连接第一承靠面及第二承靠面的连接面，所述第一承靠面垂直于所述第二承靠面，所述连接面为弧面或者平面，所述第一承靠面的高度小于或者等于所述四边形的高度。

在一个优选实施例中，当所述突沿的截面形状为长方形或正方形或直角梯形时，所述突沿的高度小于所述四边形的高度。

在一个优选实施例中，定义所述导电结构的厚度为t，所述突沿的截面长度d与所述导电结构的厚度t之间满足关系式：d≦t/2，且d≧2um。

本发明还涉及一种电路板的制作方法。

一种电路板的制作方法，其包括如下步骤：

提供一覆铜基板，所述覆铜基板包括绝缘层及形成在所述绝缘层表面的铜箔层；

将所述铜箔层形成为导电结构，所述导电结构包括多个导电图形，所述导电图形包括上底长度与下底长度相等的四边形及至少位于所述四边形一个侧面的突沿，所述突沿的高度小于或者等于所述四边形的高度；

在所述导电结构的上表面及侧面形成镍层；及

在所述镀镍层上表面及侧面形成金层。

在一个优选实施例中，所述导电结构通过蚀刻制程形成。

在一个优选实施例中，所述突沿的截面形状为长方形或正方形或直角梯形。

在一个优选实施例中，所述突沿包括承靠所述四边形的第一承靠面、形成在所述绝缘层表面的第二承靠面以及连接第一承靠面及第二承靠面的连接面或者平面，所述第一承靠面垂直于所述第二承靠面，所述连接面为弧面，所述第一承靠面的高度小于或者等于所述四边形的高度。

在一个优选实施例中，当所述突沿的截面形状为长方形或正方形或直角梯形时，所述突沿的高度小于所述四边形的高度。

在一个优选实施例中，定义所述导电结构的厚度为t，所述突沿的截面长度d与所述导电结构的厚度t之间满足关系式：d≦t/2，且d≧2um

与现有技术相比，本发明提供的电路板制作方法及由此方法制作形成的电路板，所述电路板包括多个导电图形，所述导电图形的至少一侧形成有突沿，由于所述突沿的厚度是小于或者等于所述导电线路的厚度的，且使所述镍层覆盖所述导电结构，所述金层完全覆盖所述镍层，相当于是缩减了镍层、金层与绝缘层形成的间隙，如此，在一定程度上减少了腐蚀性气体与所述镍层及金层的接触面积，从而延缓了所述镀镍层与腐蚀性气体的反应时间，一定程度上防止了所述镀金层从所述电路板上剥离脱落。

附图说明

图1是发明第一实施例提供的覆铜基板的剖面示意图。

图2是在覆铜基板的表面形成干膜的剖面示意图。

图3是对图2所示的干膜曝光后的剖面图。

图4是对图3所示的干膜显影后的剖面图。

图5是对覆铜基板蚀刻后的剖面图。

图6是剥除干膜后形成的导电结构的剖面图。

图7是在导电结构的表面及侧面形成镍层的剖面图。

图8是在镍层的表面及侧面形成金层后得到电路板的剖面图。

图9是第二实施例提供的导电结构的剖面图。

图10是第三实施例提供的导电结构的剖面图。

图11是第四实施例提供的导电结构的剖面图。

主要元件符号说明

电路板100,200,300,400

覆铜基板10

绝缘层12

第一铜箔层14

干膜16

蚀刻阻挡层160

导电图形140

导电结构14

四边形142

突沿144、244、344、444

第一承靠面1440

第二承靠面1442

连接面1444

镀镍层20

镀金层30

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

第一实施例

下面以制作单层电路板为例，来说明本技术方案提供的电路板100的制作方法，所述电路板100的制作方法包括如下步骤：

第一步s1，请参阅图1，提供一个覆铜基板10，所述覆铜基板10为单面覆铜基板。覆铜基板10可以为软性的覆铜基板，也可以为硬性的覆铜基板。所述覆铜基板10包括绝缘层12以及形成在所述绝缘层12表面的铜箔层14，所述铜箔层14的厚度可以为2um。

在其它实施方式中，所述覆铜基板10还可以为双层覆铜基板。

第二步s2，请参阅图2～6，将所述铜箔层14形成为导电结构。所述导电结构14包括多个导电图形140，所述导电图形140包括上底长度与下底长度相等的四边形142及至少位于所述四边形一个侧面的突沿144。所述突沿144的高度小于或者等于所述四边形142的高度；且定义所述导电结构14的厚度为t，所述突沿144的截面长度d与所述导电结构的厚度t之间满足关系式：d≦t/2。这个是根据蚀刻因子计算所得，蚀刻因子的控制范围在2～4，四边形的长度定义为l，根据蚀刻因子的概念，我们可以得到关系式t÷(2d+l-l)/2≧2，即可推出d≦t/2，且d≧2um，所述突沿144的截面长度d满足上述关系才能保证所述突沿能阻挡腐蚀性气体进入所述绝缘层与所述镀镍层、镀金层形成的间隙。

在本实施方式中，请参阅图6，所述突沿144包括承靠所述四边形142的第一承靠面1440、形成在所述绝缘层表面的第二承靠面1442以及连接第一承靠面1440及第二承靠面1442的连接面1444，所述第一承靠面1440垂直于所述第二承靠面1442，所述连接面1444为弧面，所述第一承靠面1440的高度等于所述四边形142的高度。

当然，可以理解，所述第一承靠面1440的高度还可以小于所述四边形142的高度。

在本实施方式中，将所述铜箔层14形成导电结构140的方法包括：

s21：请参阅图2，在所述铜箔层14的表面形成一层干膜16(dryfilm)。

s22：请参阅图3，对所述干膜16进行曝光以将所述干膜形成蚀刻阻挡层160。

s23：请参阅图4，对所述干膜16进行显影，未被曝光的位置被显影掉。

s24：请参阅图5，对所述铜箔层14进行蚀刻，未被蚀刻阻挡层160覆盖的铜箔层14会被蚀刻，从而形成导电结构140。控制所述干膜的厚度、曝光的精度、蚀刻的时间及压力，可以将所述导电图形形成四边形及位于四边形侧面的突沿。所述突沿可以形成在所述四边形的其中一个侧面或者是相对的两个侧面。

s25：请参阅图6，移除所述蚀刻阻挡层160，从而在所述绝缘层表面形成导电结构140。所述导电结构140可以作为导电垫、或者导电线路或者为导电垫及导电线路的结合。

第三步s3，请参阅图7，在所述导电结构140的上表面及侧面形成镀镍层20，所述镀镍层20完全覆盖所述导电结构140的上表面及侧面。

第四步s4，请参阅图8，在所述镀镍层20的上表面及侧面形成镀金层30，所述镀金层30完全覆盖所述镀镍层20的上表面及侧面。

请再次参阅图8，图8还提供一种由上述电路板制作方法制作形成的电路板。

所述电路板100包括绝缘层12、形成在所述绝缘层12表面的导电结构140、形成在所述导电结构140上表面及侧面的镀镀镍层20及形成在所述镀镀镍层20上表面及侧面的镀金层30。

所述导电结构14包括多个导电图形140，所述导电图形140包括上底长度与下底长度相等的四边形142及至少位于所述四边形一个侧面的突沿144。所述突沿144的高度小于或者等于所述四边形142的高度；且定义所述导电结构14的厚度为t，所述突沿144的截面长度d与所述导电结构的厚度t之间满足关系式：d≦t/2，且d≧2um，所述突沿144的截面长度d满足上述关系时才能保证所述突沿能阻挡腐蚀性气体进入所述绝缘层与所述镀镍层、镀金层形成的间隙。

在本实施方式中，所述突沿144包括承靠所述四边形142的第一承靠面1440、形成在所述绝缘层表面的第二承靠面1442以及连接第一承靠面1440及第二承靠面1442的连接面1444，所述第一承靠面1440垂直于所述第二承靠面1442，所述连接面1444为弧面，所述第一承靠面1440的高度等于所述四边形142的高度。

当然，可以理解，所述第一承靠面1440的高度还可以小于所述四边形142的高度。

所述导电结构140可以作为焊垫、导电线路或者焊垫与导电线路的结合。

第二实施例

请参阅图9，第二实施例提供的电路板200与第一实施例提供的电路板100基本相同，其不同之处在于电路板200的所述突沿244的截面形状为长方形，且所述突沿244的高度小于所述四边形142的高度。

可以理解，所述电路板200的导电结构14可以利用两次蚀刻制程来形成。

第三实施例

请参阅图10，第三实施例提供的电路板300与第一实施例提供的电路板100基本相同，其不同之处在于电路板300所述突沿344的截面形状为梯形，且所述突沿344的高度小于所述四边形142的高度。

可以理解，所述电路板300的导电结构14可以利用两次蚀刻制程来形成。

第四实施例

请参阅图11，第四实施例提供的电路板400与第一实施例提供的电路板100的结构基本相同，其不同之处在于电路板400的所述突沿444的截面形状为三角形，且所述突沿444的高度小于所述四边形的高度。

可以理解，所述电路板400的导电结构14可以利用两次蚀刻制程来形成。

综上所述，所述电路板包括多个导电图形，所述导电图形的至少一侧形成有突沿，由于所述突沿的厚度是小于或者等于所述导电线路的厚度的，且使所述镍层覆盖所述导电结构，所述金层完全覆盖所述镍层，相当于是缩减了镍层、金层与绝缘层形成的间隙，如此，在一定程度上减少了腐蚀性气体与所述镍层及金层的接触面积，从而延缓了所述镀镍层与腐蚀性气体反应时间，一定程度上防止了所述镀金层从所述电路板上剥离脱落。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。