一种方波生成电路的制作方法

文档序号:17954785发布日期:2019-06-19 00:21阅读:402来源:国知局
一种方波生成电路的制作方法

本申请涉及一种方波生成电路。



背景技术:

现有的方波生成电路通常成本较高,且不能灵活调节脉冲宽度。



技术实现要素:

本申请提供一种成本低,可灵活调节脉冲宽度的方波生成电路。

根据第一方面,一种实施例中提供一种方波生成电路,包括信号触发端、电源端、方波输出端、第一开关管、第二开关管、第一电容、第二电容、第三电容、周边电阻以及施密特触发器,信号触发端与所述第一开关管的控制极连接,第一开关管的控制极还通过一第一电阻与电源端连接,第一开关管的控制极还通过第一电容与方波输出端连接,第一开关管的第二极与电源端连接,第一开关管的第三极通过一第二电阻接地,第二电容与所述第二电阻并联;第二开关管的控制极与第一开关管的第三极连接,第二开关管的第二极与电源端连接,第二开关管的第三极通过一第三电阻接地,所述第三电容与所述第三电阻并联,所述第二开关管的第三极还通过所述施密特触发器与方波输出端连接。

优选地,所述第一开关管为PMOS管,第一开关管的控制极为栅极,第一开关管的第二极为源极,第一开关管的第三极为漏极;或第一开关管为PNP三极管,第一开关管的控制极为基极,第一开关管的第二极为发射极,第一开关管的第三极为集电极。

优选地,所述第二开关管为PMOS管,第二开关管的控制极为栅极,第二开关管的第二极为源极,第二开关管的第三极为漏极;或第二开关管为PNP三极管,第二开关管的控制极为基极,第二开关管的第二极为发射极,第二开关管的第三极为集电极。

优选地,还包括第一二极管,第一二极管的正极与第一开关管的控制极连接,第一二极管的负极与电源端连接。

优选地,还包括第二二极管,第二二极管的正极与地连接,第二二极管的负极与第一开关管的控制极连接。

优选地,所述施密特触发器的型号为74HC14。

优选地,所述第一开关管和第二开关管为型号是MMSF4205的PMOS管。

依据上述实施例的方波生成电路,由于通过调整第二电阻或第二电容的参数,可以调整高电平脉冲的宽度,通过调整第三电阻或第三电容的参数,可以调整低电平的脉冲宽度,具有应用灵活的优点。另外上述实施例由电阻、电容、开关管等普通元器件构成,使得电路具有成本低的优点。

附图说明

图1为本申请一实施例方波生成电路的电路图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中,很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而,本领域技术人员可以毫不费力的认识到,其中部分特征在不同情况下是可以省略的,或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下,本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述,这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没,而对于本领域技术人员而言,详细描述这些相关操作并不是必要的,他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

本文中为部件所编序号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”,如无特别说明,均包括直接和间接连接(联接)。

请参考图1,方波生成电路,包括信号触发端TRI、电源端VCC、方波输出端CLK、第一开关管M1、第二开关管M2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、周边电阻以及施密特触发器U1。

信号触发端TRI用于接入触发信号和停止信号,触发信号可以为低电平脉冲,停止信号可以为高电平脉冲。

信号触发端TRI与第一开关管M1的栅极连接,第一开关管M1的栅极还通过第一电阻R1与电源端VCC连接,第一开关管M1的栅极还通过第一电容C1与方波输出端CLK连接,第一开关管M1的源极与电源端VCC连接,第一开关管的漏极通过第二电阻R2接地,第二电容C2与第二电阻R2并联连接;第二开关管M2的栅极与第一开关管M1的漏极连接,第二开关管M2的源极与电源端VCC连接,第二开关管M2的漏极通过第三电阻R3接地,第三电容C3与第三电阻R2并联,第二开关管M2的漏极还通过施密特触发器U1与方波输出端CLK连接。

还包括第一二极管D1,第一二极管D1的正极与第一开关管M1的栅极连接,第一二极管D1的负极与电源端VCC连接,第一二极管D1用于防止电路工作期间在第一开关管M1的栅极产生高电压而烧坏第一开关管M1。

还包括第二二极管D2,第二二极管D2的正极与地连接,第二二极管D2的负极与第一开关管M1的栅极连接,第一二极管D1用于防止电路工作期间在第一开关管M1的栅极产生负电压而影响第一开关管M1的导通。

在本实施例中,施密特触发器U1采用的型号为74HC14。

在本实施例中,第一开关管M1和第二开关管M2采用型号为MMSF4205的MOS管。

下面对上述电路的工作原理说明。

当信号触发端TRI接收到低电平脉冲时,第一开关管M1导通,电源端VCC给第二电容C2迅速充电,同时第二开关管M2迅速截止,第三电容C3通过第三电阻R3逐渐放电,在第三电容C3存储的电量下降到一定值之前这段时间,施密特触发器U1的输入端1为高电平,施密特触发器U1输出端2则反相为低电平,即方波输出端CLK输出低电平脉冲,第一电容C1导通,第一开关管M1的栅极为低电平,第一开关管M1导通,使第二开关管M2维持截止状态;由此可见第三电容C3的电容值越大或第三电阻的阻值越大,则放电到一定值的时间越久,即维持方波输出端CLK输出低电平的时间越久,从而可以通过调节第三电容C3或第三电阻可以调节低电平脉冲宽度。

当第三电容C3存储的电量下降到一定值之后,施密特触发器U1的输入端1为低电平,施密特触发器U1输出端2则反相为高电平,第一开关管M1的栅极为高电平,第一开关管M1截止,第二电容C2通过第二电阻R2逐渐放电,在第二电容C2存储的电量下降到一定值之前的这段时间,第一开关管M1维持截止状态,施密特触发器U1的输入端1为低电平,施密特触发器U1输出端2则反相为高电平,即方波输出端CLK输出低电平脉冲;由此可见第二电容C2的电容值越大或第二电阻R2的阻值越大,则放电到一定值的时间越久,即维持方波输出端CLK输出低高平的时间越久,从而可以通过调节第二电容C2或第二电阻可以调节高电平脉冲宽度。

在第二电容C2存储的电量下降到一定值之后,第二开关管M2栅极为低电平,第二开关管M2导通,电源端VCC迅速给第三电容C3充电同时使施密特触发器U1的输入端1为高电平,施密特触发器U1的输出端2为低电平,如此循环往复产生方波。

另外,应该说明信号触发端TRI接收到的低电平脉冲宽度应该大于方波周期,使得电路有足够的时间起振。

当信号触发端TRI接收到高电平脉冲时,使第一开关管M1一直维持截止状态,使电路停止震荡产生方波。这里也应该说明,信号触发端TRI接收到高电平脉冲宽度也应该大于方波周期,使得电路不会由于方波输出端CLK的低电平引起电路再次起振。

以上应用了具体个例对本发明进行阐述,只是用于帮助理解本发明,并不用以限制本发明。对于本发明所属技术领域的技术人员,依据本发明的思想,还可以做出若干简单推演、变形或替换。

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