203和柔性基板300挤压时，连接端子203和连接端子301间的树脂从端子间被挤出，导电性颗粒残留。在该状态下，将刚性基板200和柔性基板300相互挤压时，导电性颗粒被压碎，两端子间电连接。挤出的树脂填充到相邻的端子之间，将相邻的端子间绝缘。
[0127]另外,接合层400也可以由ACF(Anisotropic Conductive Film:各向异性导电性膜)构成。ACF为ACP形成为膜状的材料，与ACP同样将连接端子203和连接端子301电连接。
[0128]在接合层400为ACP或ACF的情况下，被连接的端子都需要具有Au表面。因此，可形成为连接端子203的镀覆层M为Au。另外，也能够对连接端子301实施Au镀覆。此夕卜，也可以代替Au对连接端子203实施Cu镀覆。
[0129]如上所述，刚性基板200和柔性基板300通过接合层400被接合，构成复合基板100。
[0130][关于刚性基板和柔性基板的厚度]
[0131]对刚性基板200和柔性基板300的厚度进行说明。图14是刚性基板200和柔性基板300的示意性的剖面图。如该图所示，将刚性基板200的厚度形成为第一厚度D1，将柔性基板300的厚度形成为第二厚度D2。另外，将空缺部201的深度形成为空缺部深度D3。
[0132]在此，第二厚度D2为比第一厚度Dl小的厚度，并且第二厚度D2为比空缺部深度D3小的厚度。由此，柔性基板300不从空缺部201突出，复合基板100的最大的厚度止于刚性基板200的厚度。
[0133]图15和图16是表示比较例的复合基板的构造的剖面图。图15所示的复合基板500和图16所示的复合基板600为刚性基板510和柔性基板520通过接合层530接合而构成。刚性基板510包括连接端子511、连接焊垫512、芯层513、配线层514、绝缘层515和焊剂抗蚀剂层516。柔性基板520包括连接端子521、基材522、配线层523、覆盖层524和粘接材料层525。
[0134]图15和图16所示的构造均是通过刚性基板510和柔性基板520的接合，两基板的厚度的合计为复合基板的最大的厚度。与此不同，在本实施方式的复合基板100中，如上所述，最大的厚度为刚性基板200的厚度，不会产生将刚性基板200和柔性基板300接合而导致的复合基板100的厚度的增加。即，复合基板100与具有图15和图16所示的构造的复合基板相比较，能够减小其厚度。
[0135][关于表层部件的安装]
[0136]在复合基板100安装有表层部件。图17是表示安装有表层部件900的复合基板100的剖面图。该图所示，表层部件900通过焊锡H与连接焊垫204接合，与连接焊垫204电连接。第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209防止熔融的焊锡H从连接焊垫204流出。
[0137][关于复合基板的制造方法]
[0138]对复合基板100的制造方法进行说明。图18?图25是表示复合基板100的制造工序的不意图。
[0139]如图18(a)所示准备芯层205，如图18(b)所示在芯层205中形成贯通孔205b。贯通孔205b是用蚀刻掩模将芯层205的要形成贯通孔205b的区域以外的区域覆盖，通过蚀刻而形成。
[0140]接着,如图18(c)所示,在贯通孔205b内形成由绝缘性材料构成的绝缘部210。首先，在芯层205的一表面粘贴临时固定膜221。接着，向贯通孔205b填充绝缘性材料的固化前剂(半固化材料、prepreg)，通过加热使固化前剂固化，由此能够形成绝缘部210。绝缘性材料可以使用环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂等。另外，也可以使用在这些树脂中含有由二氧化硅等构成的增强填充物的材料。绝缘部210的厚度可以形成为例如30 μ m ?200 μ m 程度。
[0141]接着，如图19(a)所示，除去临时固定膜221。
[0142]接着,如图19(b)所示,在芯层205的上表面和下表面形成由绝缘性材料构成的绝缘层212。绝缘性材料可以使用环氧树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂等。另外，也可以使用在这些树脂中含有由二氧化硅等构成的增强填充物的材料。此外，绝缘性材料与绝缘部210的绝缘性材料可以相同，也可以不同。绝缘层212的厚度可以形成为例如ΙΟμπι?30 μ m程度。绝缘层212能够通过在芯层205的上下两面粘贴由绝缘性材料的固化前剂(半固化材料)构成的片材，通过加热处理使之固化而形成。
[0143]接着，如图19(c)所示，在芯层205的上表面和下表面形成配线层211。配线层211可以由铜或铜合金等导电性材料构成。具体而言，配线层211可以通过激光加工等将绝缘层212穿孔之后将芯层205作为基材进行电解电镀，将其镀覆层进行图案化而形成。图案化可通过蚀刻进行，例如可以通过使用了对铜或铜合金的蚀刻剂(氯化铁等)的光刻进行。这种蚀刻剂不与绝缘层212发生反应，因此，在光刻时，绝缘层212不会发生变质或粗糙化等。配线层211中与芯层205连接的配线作为接地配线发挥作用，未与芯层205连接的配线作为信号线发挥作用。
[0144]接着，如图20(a)所示，在配线层211上进一步形成绝缘层212。绝缘层212如上所述可以通过粘贴由绝缘性材料构成的片材并进行加热而形成。此外，如该图所示，在绝缘层212上形成配线层211。配线层211可以在将绝缘层212穿孔之后进行电解电镀，对其镀覆层进行图案化而形成。以下，同样地，交替地层叠配线层211和绝缘层212，可以将配线层211和绝缘层212层叠任意的层数。配线层211中层叠于最表层侧的层构成连接焊垫204。
[0145]接着，如图20(b)所示，在绝缘层212和连接焊垫204上形成第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209。第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂等。另外，也可以使用在这些树脂中含有由二氧化硅等构成的增强填充物的材料。
[0146]第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209的厚度可形成为例如5 μ m以上70 μ m以下。第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209可通过在绝缘层212和连接焊垫204上层叠材料，并且以在连接焊垫204上产生开口的方式进行图案化而形成。材料的层叠可通过例如真空层压加工进行，图案化可通过例如光刻进行。
[0147]接着，如图21 (a)所示，在第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209上形成保护抗蚀剂层222。保护抗蚀剂层222可以由环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、双马来酰亚胺三嗪树脂等构成。另外，也可以使用在这些树脂中含有由二氧化硅等构成的增强填充物的材料。保护抗蚀剂层222的厚度可形成为例如5 μ m以上75 μ m以下。
[0148]保护抗蚀剂层222可通过在第一焊剂抗蚀剂层208和第二焊剂抗蚀剂层209上层叠材料并进行图案化而形成。材料的层叠可通过例如真空层压加工进行，图案化可通过例如光刻而进行。
[0149]接着，如图21(b)所示，部分地除去绝缘层212，使芯层205露出。绝缘层212可通过利用刳刨工具(router、切削工具)进行的切削加工除去。如该图所示，优选以切削至芯层205的表层部的程度的深度，对绝缘层212进行切削。
[0150]接着，如图22(a)所示，形成空缺部201。空缺部201可通过利用蚀刻除去芯层205而形成。三氯化铁(ferric chloride)等的蚀刻剂不与绝缘部210、绝缘层212和保护抗蚀剂层222发生反应。另外，连接焊垫204由保护抗蚀剂层222保护而不被蚀刻剂腐蚀。由此，能够仅除去绝缘部210之间的芯层205。
[0151]接着，如图22(b)所示，除去保护抗蚀剂层222。保护抗蚀剂层222可以使用抗蚀剂剥离液除去。抗蚀剂剥离液可使用例如氢氧化钠、胺类溶液。
[0152]接着，如图23(a)所示，将位于空缺部201的底面的绝缘层212除去，使位于其下层的配线层211露出。绝缘层212可通过向绝缘层212照射激光而除去。从绝缘层212露出的配线层211构成连接端子203。
[0153]接着，如图23(b)所示，在构成连接焊垫204和连接端子203的配线层211的表面形成镀覆层M。镀覆层M可以由Au构成。
[0154]接着，如图24(a)所示，在绝缘部210和连接端子203之间，将绝缘层212和第二焊剂抗蚀剂层209切断。该切断可通过切片机(Dicer)进行。由此，形成图10所示的刚性基板200。
[0155]接着，如图24(b)所示，在连接端子203及其周围的绝缘层212上配置接合层400。接合层400可以通过用分配器涂敷ACP、或通过载置ACF来配置。
[0156]接着，在接合层400上配置柔性基板300，通过加热将刚性基板200和柔性基板300接合，将连接端子203和连接端子301电连接。由此，形成图13所示的复合基板100。
[0157]复合基板100可以按照以上操作进行制造。
[0158](第二实施方式)
[0159]对本发明第二实施方式的复合基板进行说明。此外，对本实施方式中与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的符号，省略其说明。
[0160]本实施方式的复合基板与第一实施方式相同，接合刚性基板和柔性基板而构成。
[0161][关于复合基板]
[0162]图25是本实施方式的刚性基板700的放大剖面图。刚性基板700与第一实施方式的刚性基板20