.2 ;当X为20 ?30mil 时，c 为 0.4 ;当乂为 30 ?40mil 时，c 为 0.6 ;当乂为 40 ?50mil 时，c 为 0.8 ;当X为50?60mil时，c为0.8 ;当X为60?70mil时，c为0.6 ;当X为70?80mil时，c为0.4 ;当X为80?90mil时，c为0.2 ;当X为大于90mil时，c为O。
[0031]实施例二，当X为O?20mil时，c为O ;当X为20?50mil时，c为0.6 ;当X为50?10mil时，c为0.2 ;当X为大于10mil时，c为O。
[0032]实施例三，当X为O?1mil时，c为O ;当X为10?20mil时，c为0.2 ;当X为20 ?30mil 时，c 为 0.4 ;当乂为 30 ?40mil 时，c 为 0.6 ;当乂为 40 ?50mil 时，c 为 0.8 ;当X为50?10mil时，c为0.4 ;当X为大于10mil时，c为O。
[0033]对所述基板10进行镀铜处理时，对所述基板10所采用的电流密度为3?6ASF，电镀时间为150?250min。在另一个实施例中，对所述基板10所采用的电流密度为4?5ASF，电镀时间为170?210min。如此在对基板10进行电镀铜时，采用低电流密度以及较长电镀时间的方式，使得降低孤立与非孤立位置的电流密度分布极差，使得能够保证传输线的铜面均匀性，避免出现传输线表面夹膜现象，如此使得能够孤立与非孤立位置的传输线的阻抗更加接近传输线的理论设计阻抗。
[0034]相邻所述超细分流线13之间以及所述孤立线12与最靠近所述孤立线12的超细分流线13之间的距离d为15?30mil。所述孤立线12两侧的所述超细分流线13等间距布置。所述超细分流线13的设计线宽b应满足b < a。
[0035]为了突显本发明所取得较好的效果，图2示意出了本发明实验一中的阻抗随着传输线与导体11之间间距变化的曲线图，图3示意出了本发明实验二中的阻抗随着传输线与导体11之间间距变化的曲线图。图2及3中，X轴表示传输线到导体11之间的距离，Y轴表不传输线的阻抗。
[0036]其中，基板10的材料为常规的FR4材料，基板的介质层厚度5mil。根据阻抗软件设计差分线S1、S2、S3、S4、S5及S6。差分线S1、S2、S3、S4、S5及S6的线宽/间距分别为4/4mil、4/5mil、4/6mil、4/8mil 及 4/10mil，对应的理论设计阻抗分别为 88、94、99、105 及108ohm。对各差分线S1、S2、S3、S4、S5及S6在相同的设计线宽与设计阻抗下，通过调整各差分线到导体11的间距，且使得间距分别为20?40、……、200?lOOOmil，进行实验一与实验二，获取各差分线S1、S2、S3、S4、S5及S6的实际阻抗与到导体11的间距的变化曲线图。
[0037]实验一
[0038]制作菲林图形文件过程中，传输线为在传输线的理论设计线宽的基础上采用基本补偿Imil与动态补偿得到。其中，基本补偿为现有技术中克服药水蚀刻所采用的正常补偿值，为现有技术，本发明不再赘述。而动态补偿具体为:传输线与导体11的间距为6?1mil时加补0.2mil ;传输线与导体11的间距10?15mil加补0.3mil ;传输线与导体11的间距15?20mil加补0.4mil ;传输线与导体11的间距大于20mil加补0.6mil。
[0039]在基板10上贴干膜，根据所述菲林图形文件对贴设有干膜的所述基板10进行曝光与显影处理。对显影处理后的所述基板10进行镀铜处理，其中进行镀铜处理时，对所述基板10所采用的镀铜电流密度为7.5ASF、电镀时间为130min。在镀铜处理后的所述基板10表面上进行镀锡处理，将镀锡处理后的所述基板10上的退掉干膜退掉，再对退掉干膜的所述基板10表面上铜层进行蚀刻处理。
[0040]实验二
[0041]实验二与实验一不同的步骤是:传输线为在传输线的理论设计线宽的基础上采用基本补偿Imil与动态补偿得到。且动态补偿具体为:传输线与导体11的间距为20?50mil时加补0.6mil ;传输线与导体11的间距为50?10mil时加补0.2mil ;传输线与导体11的间距为10mil以上时加补Omil。同时，在孤立线12的两侧增加5条Imil的超细分流线13。5条Imil的超细分流线13等间距布置。并在对所述基板10进行镀铜处理时，对所述基板10所采用的镀铜电流密度为4ASF、电镀时间为200min。
[0042]由图2与图3可知，实验一中的孤立线12的阻抗随着孤立线12与导体11的间距逐渐增大的情况下的变化幅度较大。实验二中的孤立线12的阻抗随着孤立线12与导体11的间距逐渐增大的情况下的变化幅度较小，且孤立线12的阻抗变化幅度能控制在2%以内。如此可知，本发明所述线路板的孤立线的阻抗控制方法，能够较好的控制孤立线的实际阻抗与理论设计阻抗相接近。
[0043]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0044]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，包括如下步骤: 制作菲林图形文件过程中，对传输线的理论设计线宽加宽补偿得到所述传输线的设计线宽，根据所述传输线的设计线宽得到传输线，并在孤立线的两侧设置若干超细分流线； 在基板上贴干膜，根据所述菲林图形文件对贴设有干膜的所述基板进行曝光与显影处理；对显影处理后的所述基板进行镀铜处理，在镀铜处理后的所述基板表面上进行镀锡处理，将镀锡处理后的所述基板上的干膜退掉，再对退掉干膜的所述基板表面上的铜层进行蚀刻处理。2.根据权利要求1所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，所述加宽补偿包括基本补偿a与动态补偿C，所述动态补偿根据所述传输线与最靠近所述传输线的导体间的距离确定，当所述传输线与所述导体间的距离X小于X1时，所述动态补偿随着X增大而逐渐增大，当所述传输线与所述导体间的距离X大于XJt，所述动态补偿随着X增大而逐渐减小，其中\为50?10miI。3.根据权利要求2所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，所述超细分流线的设计线宽b应满足b ( a。4.根据权利要求2所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，当X为O?1mil时，c为O ;当X为10?20mil时，c为0.2 ;当X为20?30mil时，c为0.4 ;当X为30 ?40mil 时，c 为 0.6 ;当乂 为 40 ?50mil 时，c 为 0.8 ;当乂 为 50 ?60mil 时，c 为 0.8 ;当X为60?70mil时，c为0.6 ;当X为70?80mil时，c为0.4 ;当X为80?90mil时，c为0.2 ;当X为大于90mil时，c为O。5.根据权利要求2所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，当X为O?20mil时，c为O ;当X为20?50mil时，c为0.6 ;当X为50?10mil时，c为0.2 ;当X为大于10mil时，c为O。6.根据权利要求2所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，当X为O?1mil时，c为O ;当X为10?20mil时，c为0.2 ;当X为20?30mil时，c为0.4 ;当X为30 ?40mil 时，c 为 0.6 ;当 X 为 40 ?50mil 时，c 为 0.8 ;当 X 为 50 ?10mil 时，c 为 0.4 ;当X为大于10mil时，c为O。7.根据权利要求1所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，对所述基板进行镀铜处理时，对所述基板所采用的电流密度为3?6ASF，电镀时间为150?250min。8.根据权利要求7所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，对所述基板所采用的电流密度为4?5ASF，电镀时间为170?210min。9.根据权利要求1所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，相邻所述超细分流线之间以及所述孤立线与最靠近所述孤立线的超细分流线之间的距离d为15?30mil ο10.根据权利要求9所述的线路板的孤立线的阻抗控制方法，其特征在于，所述孤立线两侧的所述超细分流线等间距布置。
【专利摘要】本发明公开了一种线路板的孤立线的阻抗控制方法，包括如下步骤：制作菲林图形文件过程中，对传输线的理论设计线宽加宽补偿得到传输线的设计线宽，根据所述传输线的设计线宽得到传输线，并在孤立线的两侧设置若干超细分流线；在基板上贴干膜，根据菲林图形文件对贴设有干膜的基板进行曝光与显影处理；对显影处理后的基板进行镀铜处理，在镀铜处理后的基板表面上进行镀锡处理，将镀锡处理后的基板上的干膜退掉，再对退掉干膜的基板表面上铜层进行蚀刻处理，在对基板表面蚀刻处理过程中能够将基板上的超细分流线蚀刻掉。如此可见，本发明能够控制孤立线的阻抗与具有相同设计的非孤立位置传输线的阻抗保持一致，使得能相应提高线路板的产品品质。
【IPC分类】H05K3/06
【公开号】CN105120599
【申请号】CN201510568363
【发明人】范红, 陈蓓, 王红飞
【申请人】广州兴森快捷电路科技有限公司, 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司, 宜兴硅谷电子科技有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年9月8日