1发光单元25a经由连续掩模60L而被照射。由此，在将有机功能层成膜时进 行了的构图中产生了的有机功能层(空穴注入层)的边缘的塌边部不发光，可W使没有模糊 的清晰的图案发光。
[0187] (2)线曝光
[0188] 图12A是表示进行线曝光的第2构图部化的一例的概略构成图。
[0189] 在图12A中所示的第2构图部化中，设置紫外线照射装置L2及图11中所示的连续掩 模 60L。
[0190] 就从紫外线照射装置L2被照射的光而言，在连续掩模60L上，W在与连续掩模60L 的环方向正交的方向拉伸的、长度Wl W上的直线的形状被聚光。
[0191] 运样，通过将从紫外线照射装置L2照射了的光聚集在一方向而聚光为直线状，可 W提高福射照度的密度，可W缩短构图所需要的时间。另外，由于将聚光为直线状的光进行 照射，因此，可W对于具有与背面冷却漉56相同的曲率的面大致垂直地照射光，可W进一步 缩短构图所需要的时间。
[0192] (3)点描绘
[0193] 图12B是表示进行点描绘的第2构图部化的一例的概略构成图。
[0194] 在图12B中所示的第2构图部化中，设置对发光单元照射通过将从光源射出了的光 进行聚光而形成的聚光点的聚光点照射装置L3。
[0195] 该聚光点照射装置L3在内部具备检流镜，可W在与环方向正交的方向使聚光点扫 描。
[0196] 进而第2构图部化在内部具备照相机及发光控制装置。可W通过该照相机取得进 行照射的区域的支承基板21的第1导向孔211的位置信息。另外，发光控制装置W该第1导向 孔211的位置信息为基础来控制利用聚光点照射装置L3的照射，进行发光图案的修调。
[0197] 予W说明，发光控制装置既可W如上所述装入聚光点照射装置L3的内部，也可W 设置于第2构图部化的外部。另外，作为光源，优选指向性高的激光光源。进而，作为激光光 源，也可W使用波长为400~420nm的青紫带的光源。
[0198] 根据该聚光点照射装置L3,例如可W W通用功能键按钮的标记的形状描绘发光图 案。该情况下，不需要连续掩模等的掩模，可W降低掩模的费用、设备的保养所花费的成本。
[0199] 第4成膜室R24进行中间电极层27的成膜。第4成膜室R24将金属、金属氧化物等作 为导电性材料、例如通过真空蒸锻法、瓣射法、离子锻敷法等的成膜方法进行中间电极层27 的成膜。第4成膜室R24内的成膜压力优选设定为1 X 1(T6~10化的范围内。
[0200] 第5成膜室R25进行阴极26的成膜。第5成膜室R25将金属、金属氧化物等作为导电 性材料、例如通过真空蒸锻法、瓣射法、离子锻敷法等成膜方法进行阴极26的成膜。第5成膜 室R25内的成膜压力优选设定为1 X 10一6~10化的范围内。
[0201] 运样，在本实施方式中，在一个面上层叠形成有阳极23、取出配线24、第1发光单元 25曰、中间电极层27、第2发光单元25b及阴极26的支承基板21，在第1构图部及第2构图部(成 膜室R20)中，每制作发光单元时进行了第1构图工序及第2构图工序后，连续地传输至第6成 膜室R30。
[0202] 由此，在中间电极层27不吸收照射光的一部分，进行光照射引起的构图，因此可W 缩短构图所需要的时间，可W提高生产效率。
[0203] 予W说明，在本实施方式中，对通过具有2室第3成膜室R23的构成来形成二个发光 单元的方式进行了说明，但本发明并不限定于此，可W形成为具有2室W上的第3成膜室R23 的构成、形成为形成=个W上发光单元。予W说明，该情况下，可W设置仅重复的数的第3成 膜室R23、在各第3成膜室R23之间设置第2构图部化、第4成膜室R24。
[0204] 第6成膜室R30进行对于传输中的支承基板21的成膜面形成密封层28(参照图1。） 的成膜工序。
[0205] 第6成膜室R30例如通过真空蒸锻法、瓣射法、离子锻敷法、等离子体CV的去等的成 膜方法进行由无机化合物构成的密封层28的成膜。特别是密封层28被覆支承基板21上的各 构成层间的台阶高差、凹凸，因此优选用良好的方法形成台阶覆盖性。作为运样的成膜方 法，可列举成膜压力比较高、原料气体容易环绕的瓣射法、离子锻敷法或CV的去。通过采用运 些成膜方法，可W进行台阶覆盖性良好、且致密、气体阻隔性能高的密封。
[0206] 就第6成膜室R30内的成膜压力而言，考虑台阶覆盖性和膜密度的平衡，设定为0.1 ~200Pa的范围内的比较低的真空状态。在运样的成膜压力下，台阶覆盖性良好，但另一方 面，在进行掩模成膜的情况下，使掩模不与支承基板21充分地密合时，因成膜材料的环绕而 容易引起成膜图案精度的降低。在本发明中，对与玻璃基板相比晓性大的支承基板21进行 成膜，因此可W防止掩模隆起。予W说明，在通过真空蒸锻法将密封层28进行成膜的情况 下，即使掩模隆起一些，成膜材料的环绕也降低，因此在提高图案精度方面是有效的。
[0207] 接着，支承基板21从第6成膜室R30向累积室R40连续地被传输。在累积室R40调整 了压力和传输速度的支承基板21在保持为减压状态下直接向层合室R50内连续地被传输。
[0208] 在本发明的制造方法中，优选进行:通过层合室R50对传输中的支承基板21的成膜 面经由树脂粘接层3(参照图1。）来贴合连续地被传输的带状的背面膜4(参照图1。）的层合 工序。
[0209] 对于层合室R50,参照图13在W下进行说明。图13是层合室R50内的概略构成图。层 合室R50内优选设定为真空或减压状态。
[0210] 层合室R50具备W下而构成：W规定的传输路径将支承基板21进行传输的多个传 输漉90~93、将漉状的背面膜4进行支承的第2卷出部94、将背面膜4传输至可W与支承基板 21进行贴合的位置的传输漉95、在传输漉91、92之间夹持支承基板21和背面膜4的托漉96、 97、及将被密合了的支承基板21和背面膜4进行加热及加压的加热漉98及加压漉99。予W说 明，在背面膜4的与支承基板21对置的面预先形成树脂粘接层3。
[0211] 多个传输漉90~93与上述的传输漉71同样地构成，突起部(未图示)插通于支承基 板21的第1导向孔211内，由此可W顺利地传输支承基板21。运些传输漉90~93中，传输漉 91、92^与托漉96、97抵接的方式配置。
[0212] 第2卷出部94支承卷绕为漉状的背面膜4、依次将背面膜4送出。就背面膜4而言，如 图14中所示，在与支承基板21对置的面的规定区域预先形成树脂粘接层3。予W说明，在本 实施方式的制造装置100中，通过利用加热漉98及加压漉99的加热压接将背面膜4相对于支 承基板21的成膜面而贴合，因此，树脂粘接层3由热固性树脂构成。
[0213] 另外，就背面膜4而言，在其宽度方向两端部在传输方向（移动方向）具有W与支承 基板21的第1导向孔211的间隔相同的间隔开口了的多个第3导向孔41。
[0214] 传输漉95与上述的传输漉71同样地构成，突起部(未图示)插通于背面膜4的第3导 向孔41内，由此可W将背面膜4顺利地传输。
[0215] 托漉96、97与上述的托漉53同样地构成。
[0216] 由此，传输漉91、92的突起部W收容于托漉96、97的凹部(未图示）内的方式构成， 因此传输漉9U92W相对于托漉96、97几乎没有间隙的状态抵接。由此，在支承基板21，背面 膜4进行重叠、密合。
[0217] 另外，传输漉91、92的突起部插通于支承基板21的第1导向孔211，且也插通于背面 膜4的第3导向孔41。由于预先第1导向孔211和第3导向孔41在相互对应的位置形成，因此可 W -边将支承基板21和背面膜4进行位置调节，一边进行重合。由此，在将支承基板21进行 传输的状态下直接不使用复杂的位置调节机构地可W进行背面膜4的高精度的位置调节。 通过运样将背面膜4 一边进行位置调节一边进行重合，可W防止树脂粘接层3及背面膜4覆 盖设于支承基板21上的取出配线24,可W使成品率提高。
[0218] 就加热漉98及加压漉99而言，在通过传输漉91、托漉96所重叠了的支承基板21和 背面膜4从厚度方向两侧密合，进行加热及加压，由此对于支承基板21的成膜面经由树脂粘 接层3而贴合背面膜4。
[0219] 予W说明，在层合室R50内，可W进一步设置对于在与加热漉98及加压漉99相比的 传输方向下游侧贴合了背面膜4的支承基板21进行利用光或热的固化处理的机构。
[0220] 最后，支承基板21从层合室R50连续地被传输至卷绕室R60内，在该卷绕室R60被卷 绕。
[0221] 如上述那样制作了的有机化元件1成为取出配线24W外的部分由密封层28及背面 膜4被覆了的结构。而且，就有机化元件1而言，虽然没有图示，但取出配线24与由设有电流 量调整用IC等的印刷基板、柔性基板构成的电源单元(给电部)连接，进而，形成通过壳体、 框架部件、固定用基板等而被增强了的结构，作为照明设备、发光设备被使用。
[0222] 予W说明，在上述的制造方法及制造装置100中，连续掩模60设置于各成膜室R21 ~R25、R30的全部，但可W设为设置于各成膜室R21~R25、R30的任一个中。
[0223] 另外，在上述的制造方法及制造装置100中，对于有机化元件1主体连续地进行层 合工序，但也可W设为层合工序通过其它装置等来进行。
[0224] 另外，对于在光取出面侧没有层叠中间电极层27的发光单元，即使没有通过第2构 图部化进行光照射，也可W在密封后进行光照射。例如，在光取出面为支承基板21侧的情况 下，对于第1发光单元25a，可W不通过第2构图部化进行光照射地在密封后从支承基板21侧 进行光照射。
[0225] W下，对通过上述的制造方法及制造装置100制造的有机元件1的各层的构成更 具体地进行说明。
[0226] <中间电极层>
[0227] 本发明设及的中间电极层(也称为中间金属层。）配置在二个发光单元间。
[0228] 就中间电极层而言，可W形成在其一部分微细区域几乎不将金属材料进行成膜的 状态、所谓的针孔，也可W在面内方向形成为网状。或者，中间电极层形成部分可W形成为 岛状(斑状）。
[0229] 作为本发明的中间电极层，可使用金属。
[0230] 作为可W在中间电极层中使用的材料，可列举:侣（功函数4.28eV、烙点933.5K)、 银(功函数4.26eV、烙点1235.9K)、巧(功函数2.87eV、烙点1112.2K)、裡(功函数2.9eV、烙点 453.71〇、钢(功函数2.756￥、烙点37化）、巧(功函数2.36￥、烙点336.91〇、飽(功函数2.146￥、 烙点301.服）、钢（功函数2.16eV、烙点312.化）、领（功函数2.7eV、烙点998.2K)、锁（功函数 2.59eV、烙点1042.2K)，其中，优选常压下的烙点为400KW上、损害有机化元件的高溫环境 下的性能的可能性小的侣、银、裡、巧、领、锁。
[0231] 予W说明，在作为中间电极层使用侣、银的情况下，与电子注入层邻接而使用。
[0232] 中间电极层的层厚优选为0.6~5nm的范围内，更优选为0.8~3nm的范围内，进一 步优选为0.8~2nm的范围内。
[0233] 在中间电极层的层厚小于5nm的情况下，抑制由使用的金属材料的可见光吸收所 导致的有机化元件的效率降低，保存稳定性、驱动稳定性不劣化。
[0234] 另一方面，在中间导电层的层厚大于0.6nm的情况下，有机化元件的性能稳定性、 特别是元件制作后，比较初期阶段的性能变动小。
[0235] 予W说明，本发明中的所谓"中间电极层的层厚"，作为中间电极层的每单位面积 的成膜质量除W材料的密度除而求出的"平均层厚"而被定义。因此，中间电极层的任意的 部分的层厚可W比"平均层厚"厚，或者也可W相反比其薄。
[0236] 予W说明，中间电极层可W使用与在后述的阳极及阴极中所使用的金属同样的金 属而形成。
[0237] 在本发明中，从不损害中间电极层的电压施加方向的导电性、抑制面内方向的导 电性方面考虑，优选与中间电极层的发光单元侧两面具有完全平坦面相比、至少其一个面 作为非平坦面来形成。所谓中间电极层具有非平坦面，是指中间电极层的面内方向的形状 成为网状或岛状。
[0238] 另外，优选与中间电极层的阳极侧邻接的层为通过将单一的有机化合物进行成膜 而形成了的层。在该情况下，生产工艺变得简便、工序管理变得容易，可W避免因使用多种 材料所导致的性能变动危险运样的方面自不必说、而且可得到更优异的长期或者高溫保存 稳定性、长期驱动稳定性，因此优选。
[0239] 与中间电极层邻接的层优选具有在位于阴极侧的发光单元和位于阳极侧的发光 单元间经由中间电极层可W容易地进行来自各发光单元的电荷的授受、向各发光单元的电 荷的注入的功能。
[0240] 作为具有运样的功能的层，为了提高电荷传输性，例如优选作为渗杂了电荷传输 性有机材料和可W氧化或还原该有机材料的、或可与该有机材料形成电荷移动络合物运样 的无机材料、有机金属络合物的混合层而形成。
[0241] <发光层>
[0242] 在发光层中，优选含有主体化合物及发光渗杂剂。
[0243] 发光层中所含的发光渗杂剂，相对于发光层的层厚方向，可W W均匀的浓度含有， 另外也可W具有浓度分布。
[0244] 各发光单元中所包含的各个发光层的层厚没有特别限制，从形成的膜的均质性、 防止在发光时施加不需要的高电压、且发光色对于驱动电流的稳定性提高的观点出发，优 选调整为5~200nm的范围内，进一步优选调整为10~IOOnm的范围内。
[0245] W下，对发光层中所含的主体化合物及憐光发光渗杂剂进行说明。
[0246] (1)主体化合物
[0247] 作为本发明中使用的主体化合物，结构上没有特别限制，代表而言，可列举:具有 巧挫衍生物、=芳基胺衍生物、芳香族棚烧衍生物、含氮杂环化合物、嚷吩衍生物、巧喃衍生 物、低聚亚芳基化合物等的基本骨架的化合物、巧嘟衍生物、二氮杂巧挫衍生物(在此，所谓 二氮杂巧挫衍生物表示巧嘟衍生物的构成巧嘟环的控环的至少一个碳原子被氮原子替换 的物质。）等。
[0248] 主体化合物既可W单独使用，也可W并用多种。
[0249] 作为本发明设及的发光层中使用的主体化合物，优选为由下述通式(a)表示的化 合物。
[0250] [化学式。
[0251] 通式(a)
[0253] 通式(a)中，"X"表示NR/、0、S、CR/R"或SiR/R"DR/及R"分别独立地表示氨原子或取 代基。"Ar"表示芳香族环。n表示0~8的整数。
[0254]通式(a)中的X中，作为由R/和R"表示的取代基，可列举:烷基(例如，甲基、乙基、 丙基、异丙基、叔下基、戊基、己基、辛基、十二烷基、十=烷基、十四烷基、十五烷基等）、环烧 基(例如，环戊基、环己基等）、締基(例如，乙締基、締丙基、1-丙締基、2-下締基、1,3-下二締 基、2-戊締基、异丙締基等）、烘基(例如，乙烘基、烘丙基等）、芳香族控基(也称为芳香族碳 环基、芳基等，例如，苯基、对氯苯基、莱基、甲苯基、二甲苯基、糞基、蔥基、奧基、起基、巧 基、菲基、巧基、巧基、联苯基等）、芳香族杂环基(例如，巧喃基、嚷吩基、化晚基、化嗦基、喀 晚基、化嗦基、=嗦基、咪挫基、化挫基、嚷挫基、哇挫嘟基、巧挫基、巧嘟基、二氮杂巧挫基 (表示巧嘟基的构成巧嘟环的任意的碳原子的一个被氮原子替换了的产物。）、献嗦基等）、 杂环基（例如，化咯烷基、咪挫烷基、吗嘟基、口恶挫烷基等）、烷氧基（例如，甲氧基、乙氧基、 丙氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、十^烷氧基等）、环烷氧基(例如，环戊氧基、环己氧基等）、 芳氧基（例如，苯氧基、奈氧基等）、烧硫基（例如，甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、 辛硫基、十^烧硫基等）、环烧硫基(例如，环戊硫基、环己硫基等）、芳硫基(例如，苯硫基、奈 硫基等）、烷氧基幾基(例如，甲氧基幾基、乙氧基幾基、下氧基幾基、辛氧基幾基、十二烧氧 基幾基等）、芳氧基幾基（例如，苯氧基幾基、糞氧基幾基等）、氨横酷基类(例如，氨基横酷 基、甲基氨基横酷基、二甲基氨基横酷基、下基氨基横酷基、己基氨基横酷基、环己基氨基横 酷基、辛基氨基横酷基、十二烷基氨基横酷基、苯基氨基横酷基、糞基氨基横酷基、2-化晚基 氨基横酷基等）、酷基（例如，乙酷基、乙基幾基、丙基幾基、戊基幾基、环己基幾基、辛基幾 基、2-乙基己基幾基、十二烷基幾基、苯基幾基、糞基幾基、化晚基幾基等）、酷氧基(例如，乙 酷氧基、乙基幾氧基、下基幾氧基、辛基幾氧基、十二烷基幾氧基、苯基幾氧基等）、酷氨基 (例如，甲基幾基氨基、乙基幾基氨基、二甲基幾基氨基、丙基幾基氨基、戊基幾基氨基、环己 基幾基氨基、2-乙基己基幾基氨基、辛基幾基氨基、十二烷基幾基氨基、苯基幾基氨基、糞基 幾基氨基等）、氨基甲酯基类(例如，氨基幾基、甲基氨基幾基、二甲基氨基幾基、丙基氨基幾 基、戊基氨基幾基、环己基氨基幾基、辛基氨基幾基、2-乙基己基氨基幾基、十二烷基氨基幾 基、苯基氨基幾基、糞基氨基幾基、2-化晚基氨基幾基等）、脈基(例如，甲基脈基、乙基脈基、 戊基脈基、环己基脈基、辛基脈基、十二烷基脈基、苯基脈基糞基脈基、2-化晚基氨基脈基 等）、亚硫酷基（例如，甲基亚硫酷基、乙基亚硫酷基、下基亚硫酷基、环己基亚硫酷基、2-乙 基己基亚硫酷基、十二烷基亚硫酷基、苯基亚硫酷基、糞基亚硫酷基、2-化晚基亚硫酷基 等）、烷基横酷基（例如，甲基横酷基、乙基横酷基、下基横酷基、环己基横酷基、2-乙基己基 横酷基、十二烷基横酷基等）、芳基横酷基或杂芳基横酷基(例如，苯基横酷基、糞基横酷基、 2-化晚基横酷基等）、氨基类(例如，氨基、乙基氨基、二甲基氨基、下基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、糞基氨基、2-化晚基氨基等）、面素原子(例如，氣原 子、氯原子、漠原子等）、氣代控基(例如，氣甲基、=氣甲基、五氣乙基、五氣苯基等）、氯基、 硝基、径基、琉基、甲娃烷基类（例如，二甲基甲娃烷基、二异丙基甲娃烷基、二苯基甲硅烷 基、苯基二乙基甲娃烷基等）、麟酷基等。
[02W]运些取代基可W被上述的取代基进一步取代。另外，运些取代基可W多个相互键 合而形成环。
[0256] 在通式(a)中，优选的"X"为NR/或0,作为R/，特别优选芳香族控基、芳香族杂环基。
[0257] 在通式(a)中，作为由"Ar"表示的芳香族环，可列举芳香族控环或芳香族杂环。
[0258] 由"Ar"表示的芳香族环也可W为单环、稠环的任一种，进而，可W为未取代，也可 W具有由上述的R/及R"表示的取代基。
[0259] 通式(a)中，作为由"Ar"表示的芳香族控环，可列举例如苯环、联苯环、糞环、奧环、 蔥环、菲环、巧环、濃环、下省环、苯并[9,10]菲环、邻=联苯环、间=联苯环、对=联苯环、 起环、晕苯环、巧环、巧蔥环、下省环、并五苯环、巧环、戊芬环、畦环、巧环、皮蔥环、蔥嵌蔥环 等。
[0260] 通式(a)中，作为由"Ar"表示的芳香族杂环，可列举例如巧喃环、二苯并巧喃环、嚷 吩环、碟挫环、邮咯环、邮晚环、惦嗦环、喀晚环、邮嗦环、立嗦环、苯并咪挫环、囉二挫环、立 挫环、咪挫环、化挫环、嚷挫环、吗I噪环、吗I挫环、苯并咪挫环、苯并嚷挫环、苯并5恶挫环、哇 喔嘟环、哇挫嘟环、增嘟环、哇嘟环、异哇嘟环、献嗦环、糞晚环、巧挫环、巧嘟环、二氮杂巧挫 环(表示构成巧嘟环的控环的碳原子的一个被氮原子替换了的环。）等。
[0261] 上述中，在通式(a)中，作为由"Ar"表示的芳香族环而优选使用的是巧挫环、巧嘟 环、二苯并巧喃环、苯环，更优选使用的是巧挫环、巧嘟环、苯环。进而，特别优选具有取代基 的苯环，最优选具有巧挫基的苯环。
[0262] 另外，通式(a)中，作为由"Ar"表示的芳香族环，为下述所示的、各自3环W上的稠 环是优选的一方式，作为运样的3环W上稠合了的芳香族控稠环，具体地，可列举下省环、蔥 环、并四苯环、并五苯环、并六苯环、菲环、巧环、苯并