g/sec/cm2~0.08ng/sec/cm 2左右。抛光组合物的皮膜的吸附速度在所 述范围时，由于能形成适当的厚度的皮膜，因此能均匀地进行抛光。
[0066] 另外，本实施方案的抛光组合物的吸附量在后述吸附量的测定方法中，例如为 1.50ng/cm2 ~6.00ng/cm2 左右。
[0067] (D)水
[0068] 本实施方案的抛光组合物的所述A~C成分溶解或悬浮于水。
[0069] 关于所述水，为了抑制对所述成分A~C的各种作用的阻碍，优选使用离子交换水 等尽可能少含杂质的水。
[0070] 化)消泡剂
[0071 ]本实施方案的抛光组合物可W进一步含有消泡剂。
[0072] 通过含有消泡剂抑制抛光组合物的起泡，能更均匀地对印刷线路板进行抛光。
[0073] 作为消泡剂并无特别限定，例如可W列举娃酬乳液、非离子型表面活性剂等。
[0074] 其中，由于娃酬乳液分散稳定性及消泡效果好，因此优选。
[0075] 本实施方案的抛光组合物中化)成分(消泡剂)的含量并无特别限定，例如为0.005 质量％ ^上〇.3质量％ ^下，优选为0.1质量％ 1^上0.3质量％ ^下，更优选为0.21质量％ W 上0.3质量％ W下左右。抛光组合物中（C)成分的含量在所述范围时，能更均匀地进行抛光， 因此优选。
[0076] 消泡剂化成分)与所述烷基苯横酸=乙醇胺(C成分）的含量间的关系为，可W按照 W重量比计C成分/E成分=4W上240W下进行调配。
[0077] 烷基苯横酸=乙醇胺与消泡剂的重量比在所述范围时，能充分抑制发泡，并更均 匀地进行抛光，因此优选。
[007引本实施方案的抛光组合物优选pH值9. OW上10.5 W下。
[0079]在此pH值范围时，对含铜导电层的化学抛光性变高，能W更高的抛光速度进行抛 光。
[0080] 本实施方案的抛光组合物可W含有pH值调节剂W达到所述pH值范围。
[0081] 作为抑值调节剂，可W列举有机酸、无机酸等酸，氨或KOH等无机碱，四甲基氨氧化 锭(TMH)等有机碱等。
[0082] 或通过所述铜络合剂、所述消泡剂等成分将抛光组合物调节至变为所述pH值亦 可。
[0083] (其他成分）
[0084] 本实施方案的抛光组合物可W含有除上述各成分外的各种成分，例如憐酸等无机 酸等。
[0085] 所述各种成分的含量例如为0.05质量％ 1^上0.5质量％ ^下，优选为0.1质量％ W 上0.3质量％ W下左右。
[0086] 本实施方案的抛光组合物为对具有绝缘层和含铜导电层的印刷线路板进行抛光 的抛光组合物。
[0087] W下，对使用如上所述的本实施方案的抛光组合物，对具有绝缘层和含铜导电层 的印刷线路板进行抛光的印刷线路板的制造方法进行说明。
[0088] 作为绝缘层，可W列举例如:绝缘基材、抗蚀剂等，包含导电层W外的构件的层等。
[0089] 所述绝缘基材可W列举例如:玻璃环氧树脂、纸环氧树脂、纸酪醒树脂、复合材料、 聚酷亚胺薄膜、聚醋薄膜等。
[0090] 所述抗蚀剂可W列举液状阻焊剂（solder resist)、干膜抗蚀剂等公知的印刷线 路板用的抗蚀剂。
[0091] 作为导电层，可W列举铜、锡铜合金、儀铜合金等含铜导电层。
[0092] 导电层为例如在绝缘基材等上通过电锻或瓣射而形成的导电层，也可W是铜锥等 金属锥层叠而成的导电层。
[0093] 作为本实施方案的抛光组合物所抛光的对象的印刷线路板可W是，例如通过减成 (subtractive)施用方法、半加成（semiadditive)施用方法等运样的蚀刻法形成导电层的 印刷线路板、通过加成(additive)法等运样的锻覆而形成线路的印刷线路板中的任一种。
[0094] W本实施方案的抛光组合物进行抛光的步骤并无特别限定，可W列举例如:加成 施用方法等运样的对导体层和绝缘层混合存在的表面进行抛光至平滑的平整化步骤、除去 在累积的忍材表面上过量附着的填埋树脂的步骤、涂敷阻焊剂前的表面抛光步骤等。
[00%]或者可W列举:在绝缘基材的表面上直接形成沟槽，对该沟槽通过锻覆等方式埋 入铜等，将绝缘基材表面上过量隆起的铜等变平滑的平整化步骤等。
[0096] 本实施方案的抛光组合物特别适用于将绝缘基材表面上过量隆起的铜等变平滑 的平整化步骤中。
[0097] 该平整化步骤中，若导电层间的绝缘层表面上残留铜等，则会成为短路的原因，因 此有必要W不产生抛光残留的方式进行抛光。然而，通常，印刷线路板是在比娃晶片等柔软 的绝缘基材中埋入铜等，因此容易产生凹凸。另外，绝缘层的表面粗糖度与娃晶片的表面粗 糖度相比相当大。例如，娃晶片基板的表面粗糖度Ra = O.化m左右，绝缘层(含有二氧化娃填 料的环氧树脂）的表面粗糖度Ra = O. 5~1.6WI1左右。即，会产生凹凸，导致表面粗糖度大的 绝缘基板与娃晶片等相比，容易产生抛光残留而难W均匀地抛光至平滑。并且，如要抑制抛 光残留，则包含柔软的铜等的导电层上变得容易产生凹坑。
[0098] 通过使用本实施方案的抛光组合物，在此种印刷线路板的表面上，能够抑制凹坑， 且抑制抛光残留而均匀地抛光至平滑，从而制造印刷线路板。
[0099] 作为本实施方案的抛光组合物所抛光的印刷线路板，可W列举配线宽度不到50y m，优选4.0皿W上不到20皿、L/S = 4/4W上不到20/20运样有极细的微细配线宽度的导电层 的印刷线路板。
[0100] 通过使用本实施方案的抛光组合物，对含有微细的配线宽度的导电层的印刷线路 板，也能均匀地且W高抛光速度使之变平滑。因此，能W低成本生产含有微细配线宽度的导 电层的印刷线路板。
[0101] 另外，本实施方案的抛光组合物及印刷线路板的制造方法如上所述，但应当认为 在此公开的实施方案的所有点均为例示而非限制性的。本发明的范围并非前述说明而是由 权利要求书示明，意在包含与权利要求书等同的意义及范围内的所有的变化。
[0102] 如上所述，本发明在对印刷线路板进行抛光时，能充分抑制凹坑并能将抛光面均 匀地抛光，且能W高抛光速度进行抛光。
[0103] 目P，是一种对具有绝缘层和含铜导电层的印刷线路板进行抛光的抛光组合物，其 包含磨粒、铜络合剂、烷基苯横酸=乙醇胺和水，由此可W在导电层上由烷基苯横酸=乙醇 胺形成皮膜并进行抛光。因此，能抑制凹坑并均匀地且W高抛光速度将印刷线路板抛光至 平滑。
[0104] 抛光组合物包含0.3质量％ ^上5质量％ W下的所述烷基苯横酸=乙醇胺时，更能 抑制凹坑。因此，能更充分地抑制凹坑并均匀地且W高抛光速度将印刷线路板抛光至平滑。
[0105] 通过使pH值为9.OW上~10.5W下，对含铜导电层的化学抛光性变高，因而能W更 高的抛光速度进行抛光。因此，能充分地抑制凹坑并均匀地且W更高的抛光速度将印刷线 路板抛光至平滑。
[0106] 所述磨粒为胶态二氧化娃时，能保持抛光速度并更好地抑制凹坑。因此，能更充分 地抑制凹坑并均匀地且W高抛光速度将印刷线路板抛光至平滑。
[0107] 抛光组合物中进一步含有消泡剂时，通过抑制抛光组合物的起泡，能更均匀地对 印刷线路板进行抛光。因此，能充分地抑制凹坑并更均匀地且W更高的抛光速度将印刷线 路板抛光至平滑。
[010引实施例
[0109] W下，对本发明的实施例进行说明，但本发明并不限于此。
[0110] 制作如下所示配合的实施例1、比较例1至5的各抛光组合物。
[0111] 另外，也示出对制备的抛光组合物的pH值进行测定的结果。此外，抑值用P的十(设 备名：pH/cond meter D-54，Ho;riba公司制）进行测定。
[0112] [实施例1]
[0113] 胶态二氧化娃3.0质量％
[0114] 氨水(作为氨）0.56质量％
[011引甘氨酸5.0质量％
[0116] 烷基苯横酸S乙醇胺1.20质量％
[0117] 消泡剂0.01质量％
[011引去离子水残余量
[0119] pH 值:9.37
[0120] [比较例1]
[0121] 胶态二氧化娃0.5质量％
[0122] 甘氨酸3.0质量％
[0123] 苯并S挫0.100质量％
[0124] 有机憐酸0.195质量％
[0125] 丙二酸 1.000 质量 ％
[0126] 去离子水残余量
[0127] pH值:3.01
[0128] [比较例2]
[01巧]胶态二氧化娃3.0质量％ [0130]氨水(作为氨）0.56质量％ [013。甘氨酸5.0质量％
[0132] 烷基苯横酸钢1.2质量％
[0133] 消泡剂0.01质量％
[0134] 去离子水残余量
[0135] pH 值:9.39
[0136] [比较例3]
[0137] 胶态二氧化娃3.0质量％ [013引氨水(作为氨）0.56质量％
[0139] 甘氨酸5.0质量％
[0140] 苯横酸一水合物1.20质量％
[0141] 消泡剂0.01质量％
[0142] 去离子水残余量
[0143] pH值:9.2
[0144] [比较例4]
[0145] 胶态二氧化娃3.0质量％
[0146] 氨水(作为氨）0.56质量％
[0147] 甘氨酸5.0质量％
[014引聚丙S醇1.2质量％
[0149] 消泡剂0.01质量％
[0150] 去离子水残余量
[0151] pH值：9.36
[0152] [比较例引
[0153] ...