胶态二氧化娃3.0质量％
[0154] 氨水(作为氨）0.56质量％
[0155] 甘氨酸5.0质量％
[0156] 消泡剂0.01质量％
[0157] 去离子水残余量
[015 引 pH 值：9.36
[0159] 另外，使用的各成分的原料如下所述。
[0160] 胶态二氧化娃:Pk3，扶桑化学工业公司制(虽型）
[0161] 氨水:29%，关东化学公司制
[0162 ]甘氨酸:甘氨酸M，扶桑化学工业公司制
[0163] 十二烷基苯横酸S乙醇胺:Lutensit A-LBA，己斯夫(BASF)公司制
[0164] 烷基苯横酸钢:十二烷基苯横酸钢，东京化成工业公司制
[0165] 苯横酸一水合物:苯横酸一水合物，和光纯药工业公司制
[0166] 消泡剂:娃酬乳液:服-06，沈NKA公司制
[0167] 所述实施例1、比较例1和2中，将各成分及离子交换水加入容器中，在25°C下混合 10分钟进行调制。
[016引[试验基板1]
[0169] 试验用的各基板按W下方法制备。
[0170] 在厚0.2mm、长200nm、宽200mm的玻璃环氧树脂基板的一面侧的表面上通过激光加 工形成L/S = 20皿/20皿、深10皿的沟槽。对该沟槽使用无电解锻覆法形成种子层后，通过电 锻法埋入铜。
[0171] [试验基板2]
[0172] 直径8英寸的铜配线TEG图形晶片(Philtech公司制:PT012，Cu/TaAaN/TE0S/Si结 构，Cu厚10皿，忍片尺寸2皿，L/S = 8-100皿，孔= 8-100皿）
[0173] 《试验1:与苯并S挫的比较》
[0174] 使用实施例1和比较例1的抛光组合物，对试验基板1分别根据W下的条件进行抛 光，抛光后的试验基板1的表面在激光显微镜下进行观察。
[0175] (抛光条件）
[0176] 抛光设备：SH-24( SpeedFam公司制）
[0177] 抛光垫：IC1400(Nitta 化as公司制）
[0178] 压盘速度：90巧m
[0179] 抛光负荷面压:5psi
[0180] 抛光组合物的流量:200ml/min
[0181] 抛光时间：180s
[0182] (抛光速度的测定方法）
[0183] 另外，同时对抛光速度进行测定。
[0184] 抛光速度为，用抛光厚度除W抛光时间而求得每单位时间的抛光速度。
[0185] 抛光厚度为，在抛光前及抛光后，对作为所述被抛光物的试验基板的铜层的厚度 进行测定，用抛光前的铜层厚度减去抛光后的铜层厚度而求得。
[0186] 此外，抛光厚度的测定使用薄层电阻测定仪设备（设备名：RT-80,化pson公司制） 进行测定。测定点为在直径方向上对49个点进行，取其平均值为抛光速率。
[0187] 在用实施例1的抛光组合物进行抛光后的试验基板上，于线路间未见铜残渣。然 而，在用比较例1的抛光组合物进行抛光后的试验基板上，于线路间发现铜残渣。
[0188] 另外，用实施例1的抛光组合物进行抛光时的抛光速度为化m/分，用比较例1的抛 光组合物进行抛光时的抛光速度为3.5]im/分。
[0189] 根据W上，实施例1与比较例1的抛光组合物的抛光速度虽然相当，但显然实施例1 能不残留铜而均匀地进行抛光。
[0190] 《试验2:与各皮膜形成成分的比较》
[0191] 对于用实施例1与比较例2的抛光组合物对试验基板2进行抛光时的抛光均匀性进 行评价。抛光条件如下所述。
[0192] (抛光条件）
[0193] 抛光设备：SH-24( SpeedFam公司制）
[0194] 抛光垫：IC1400(Nitta 化as公司制）
[01巧]压盘速度：90巧m
[0196] 抛光负荷面压:5psi
[0197] 抛光组合物的流量:200ml/min
[0198] 另外，对于抛光时间，W相对于按W下方法测定的各抛光组合物的准确时间A，设 为20 %过抛光时间的1.2A为抛光时间。
[0199] 准确时间A为，首先，在所述抛光条件下对粗膜铜板(八夕膜铜板)进行抛光1分钟 而算出各抛光组合物的抛光速度，利用此抛光速度的值算出将TEG晶片的铜膜IOwii除去所 需的准确时间A。
[0200] (铜残留的有无）
[0201] 将抛光后的基板表面转为图像数据输入电脑，在图面上观察，对W下部分的面积 进行测定。另外，使用测定面积的解析软件Winroof V5.6(S谷商事公司制），面积的计算方 法为，将照片图像输入所述解析软件中，将红色的成分的深淡程度进行图表化。在该图表中 对明显地出现差异的部分的直径进行测定，假定为正圆算出面积。
[0202] 第一区域:残留有铜的皮膜的区域
[0203] 第二区域:在线路部分W外未残留铜的皮膜的区域
[0204] 测定的结果如下所示。
[02化]实施例1:第一区域0%，第二区域100%
[0206] 比较例2:第一区域12.6%，第二区域87.4%
[0207] 根据W上，相比于使用实施例1的抛光组合物时未发生铜残留的情形，比较例2产 生较多铜残留。
[0208] (凹坑的测定）
[0209] 对使用所述实施例1、比较例2至5的抛光组合物对所述试验基板2进行各抛光后的 凹坑进行测定。
[0210] 测定方法如下所述。凹坑使用Tencor P-12disk prof ileHTencor公司制），W化 m/sec的速度进行扫描而测定。
[0211]巧憶的结果如表1所示。
[0212][表 1]
[0214] (抛光速度）
[0215] 所述试验基板2的各抛光时的抛光速度进行测定的结果如表1所示。（皮膜对铜的 吸附速度/吸附量）
[0216] 对实施例1、比较例2的抛光组合物对铜的吸附速度及皮膜的吸附量进行测定，结 果如表1所不。
[0217] 吸附速度及吸附量的测定方法如下所述。
[0218] 在QCM(石英振子微天平）中，使用涂敷有铜的金电极传感器（电极面积Icm2),通过 MeiwafOSiS公司制的QCM-D系统(Q-sense QCM El)对频率变化进行测定，换算为吸附量。按 浆料Wo. 07ml/min的速度流入传感器部而实施。
[0219] 如表1所示，实施例1的抛光速度比比较例2、3及5慢，凹坑量比比较例3、4及5少。
[0220] 关于皮膜的吸附速度与吸附量，吸附速度最快吸附量也很多的比较例2产生铜残 留。另外，吸附速度慢吸附量少的比较例4凹坑量也多，如上所述铜残留也多。
[022。 并且，比较例巧5不形成皮膜，凹坑量也极多。
[0222] 根据W上结果，显然地，皮膜W适当的速度吸附于铜表面、吸附量也适当的实施例 1能不降低抛光速度且抑制凹坑，并能均匀地进行抛光。
[0223] 《试验3:烷基苯横酸=乙醇胺浓度与凹坑的关系》
[0224] 在下述调配的抛光组合物中使用将烷基苯横酸=乙醇胺的浓度W3阶段（0.3质 量％，0.6质量％，1.2质量％)变化的抛光组合物，对凹坑进行测定。所抛光的试验基板使用 与所述试验基板2-样的TEG晶片。
[0225] 使用的各成分与所述实施例、比较例相同，抛光条件、凹坑量的测定与所述实验2 相同。
[0。6][抛光组合物的调配]
[0227] 胶态二氧化娃:1.5质量％
[022引氨水(作为氨）：0.5质量％
[0229] 甘氨酸:5.0质量％
[0230] 烷基苯横酸S乙醇胺:0.3/0.6/1.2质量％
[0231] 消泡剂:0.005质量％
[0232] 去离子水残余量
[0233] 凹坑与烷基苯横酸=乙醇胺浓度的关系示于图1。
[0234] 如图1的表所示，浓度越高凹坑抑制效果越好。特别是若超过0.5质量％则凹坑抑 制效果急剧增强。
【主权项】
1. 一种抛光组合物，其用于对具有绝缘层和含铜导电层的印刷线路板进行抛光，所述 抛光组合物包含磨粒、铜络合剂、烷基苯磺酸三乙醇胺和水。2. 根据权利要求1所述的抛光组合物，其中包含0.3质量％以上且5质量％以下的所述 烷基苯磺酸三乙醇胺。3. 根据权利要求1或2所述的抛光组合物，其pH值为9.0以上且10.5以下。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的抛光组合物，其中所述磨粒为胶态二氧化硅。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的抛光组合物，其进一步含有消泡剂。6. -种印刷线路板的制造方法，其使用包含磨粒、铜络合剂、烷基苯磺酸三乙醇胺和水 的抛光组合物对具有绝缘层和含铜导电层的印刷线路板进行抛光。
【专利摘要】本发明的目的在于提供对印刷线路板进行抛光时，能充分抑制凹坑并将抛光面均匀地抛光，且能以高抛光速度进行抛光的抛光组合物及印刷线路板的制造方法。本发明的抛光组合物为对具有绝缘层和含铜导电层的印刷线路板进行抛光的抛光组合物，其包含磨粒、铜络合剂、烷基苯磺酸三乙醇胺和水。可以包含0.3质量％以上5质量％以下的烷基苯磺酸三乙醇胺。pH值可以为9.0以上10.5以下。磨粒可以为胶态二氧化硅。可以进一步含有消泡剂。
【IPC分类】H05K3/26, B24B37/00, C09G1/02
【公开号】CN105637986
【申请号】CN201480056204
【发明人】西泽秀明, 森山和树
【申请人】霓达哈斯股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年11月5日
【公告号】WO2015068707A1