显示或照明装置及绝缘膜的形成方法

显示或照明装置及绝缘膜的形成方法
【专利摘要】本发明提供一种显示或照明装置，其使用薄膜晶体管作为驱动用元件，所述薄膜晶体管含有包含光劣化大的物质的半导体层，并且伴随着这些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。本发明的显示或照明装置具有：TFT基板；第1电极，设置于TFT基板上且与所述TFT连接；绝缘膜，以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上，且全光线透射率在波长300nm～400nm下在0％～15％的范围内；以及第2电极，与第1电极相对向而设置；并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜，所述感放射线性材料含有(A)聚合物、(B)感光剂及(C)酚醛清漆树脂等树脂，且相对于聚合物(A)100质量份，所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份～200质量份。
【专利说明】
显示或照明装置及绝缘膜的形成方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种显示或照明装置及绝缘膜的形成方法。更详细而言，本发明设及 一种具有基板、设置于基板上的第1电极、W使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上 的绝缘膜、及与第1电极相对向而设置的第2电极的显示或照明装置W及所述绝缘膜的形成 方法。
【背景技术】
[0002] 作为平板显示器（flat panel display),非发光型的液晶显示器化iquid 灯ystal Display, LCD)不断普及。另外，近年来作为自发光型显示器的电致发光显示器 化lectroluminescent 01391曰7，化0)为人所知。特别是利用有机化合物的电场发光的有机 电致发光化lectroluminescence，化)元件，除了作为设置于显示器中的发光元件而受到期 待W外，也作为设置于下一代的照明装置中的发光元件而受到期待。
[0003] 例如，有机化显示或照明装置具有平坦化膜、将像素(发光元件)分隔的隔离壁等 绝缘膜。此种绝缘膜通常是使用感放射线性树脂组合物而形成(例如参照专利文献1及专利 文献2)。
[0004] 运些平板显示器通过在相对向的第1电极与第2电极之间施加电压、或流通电流而 动作。然而，此时电场容易集中于曲率半径小的电极的边缘(edge)部，故在边缘部容易引起 绝缘破坏或泄露电流的产生等不理想的现象。
[0005] 为了解决该问题，掲示有W下技术:将绝缘膜使第1电极露出的边界部分的绝缘膜 的膜厚设定为自第1电极的中屯、部朝向边缘部的方向逐渐变厚，所谓将剖面设定为正圆锥 状的技术(例如参照专利文献3)。
[0006] 另外，近年来，正在活跃地进行使用氧化物半导体层的薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT)的研究。在专利文献4中提出有将包含In、Ga、Zn的氧化物（W下也简称为 "氧化铜嫁锋（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZ〇r)的多晶薄膜用于TFT的半导体层的例 子，在专利文献4及专利文献5中提出有将IGZ0的非晶质薄膜用于TFT的半导体层的例子。
[0007] 然而，对于IGZ0而言，由自然光、点亮、制造步骤等所致的光劣化为人所知。因此， 在将含有包含IGZ0等光劣化大的物质的半导体层的TFT用作显示或照明装置的驱动用元 件、特别是有机化元件的驱动用元件的情形时，就防止IGZ0的光劣化的观点，要求赋予对紫 外至可见光的遮光性作为所述绝缘膜的特性。然而，目前所使用的绝缘膜例如大多在300nm ~400nm的波长区域内为透明，要求赋予遮光性的功能。
[000引[现有技术文献]
[0009] [专利文献]
[0010] [专利文献1]日本专利特开2011-107476号公报
[0011] [专利文献2]日本专利特开2010-237310号公报
[0012] [专利文献3]日本专利第4982927号公报
[0013] [专利文献4]日本专利特开2004-103957号公报
[0014] [专利文献引国际公开第2005/088726号手册

【发明内容】

[0015] 发明要解决的课题
[0016] 本发明的课题在于提供一种显示或照明装置，其具有薄膜晶体管作为驱动用元 件，所述薄膜晶体管含有包含例如IGZ0等光劣化大的物质的半导体层，并且所述显示或照 明装置中，伴随着运些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。
[0017] 解决问题的技术手段
[0018] 本发明人为了解决所述课题而进行了努力研究。结果发现，通过采用W下的构成 可解决所述课题，从而完成了本发明。本发明设及例如W下的[1 ]~[19 ]。
[0019] [1] 一种显示或照明装置，具有:TFT基板，构成TFT的半导体层含有氧化物半导体， 所述氧化物半导体含有选自111、6曰、511、1'1、师、56及211中的一种^上的元素；第1电极，设置 于TFT基板上，且与所述TFT连接；绝缘膜，W使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极 上，且全光线透射率在波长300皿~400皿下在0%~15%的范围内；W及第2电极，与第1电 极相对向而设置;并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜，所述感放射线性 材料含有(A)下述树脂(C)W外的聚合物、（B)感光剂W及(C)选自酪醒清漆树脂、可溶酪醒 树脂及可溶酪醒树脂的缩合物中的至少一种树脂，且相对于聚合物(A)IOO质量份，所述感 放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份~200质量份。
[0020] [2]根据所述[1]所记载的显示或照明装置，其中聚合物(A)为选自聚酷亚胺(A1)、 所述聚酷亚胺的前体(A2)、丙締酸系树脂(A3)、聚硅氧烷(A4)、聚苯并恶挫(A5-1)、所述聚 苯并恶挫的前体(A5-2)、聚締控(A6)及卡多树脂(cardo resin)(A7)中的至少一种。
[0021] [3]根据所述[1]所记载的显示或照明装置，其中聚合物(A)为选自聚硅氧烷(A4)、 聚苯并恶挫(A5-1)、所述聚苯并恶挫的前体(A5-2)、聚締控(A6)及卡多树脂(A7)中的至少 一种。
[0022] [4]根据所述[2]所记载的显示或照明装置，其中聚酷亚胺(A1)含有式(A1)所表示 的结构单元，
[0023] [化1]
[0024]
[0025] [式(A1)中，Ri为具有径基的二价基，X为四价有机基]。
[0026] [5]根据所述[2]或[3]所记载的显示或照明装置，其中聚硅氧烷(A4)为使式(a4) 所表示的有机硅烷反应所得的聚硅氧烷，
[0027] 「化2?
[002引
[0029][式(a4)中，Ri为氨原子、碳数1~10的烷基、碳数2~10的締基、碳数6~15的含芳 基的基团、碳数2~15的含环氧环的基团或将所述烷基所含的1个或2个W上的氨原子取代 为取代基而成的基团，在Ri存在多个的情形时可分别相同也可不同；R2为氨原子、碳数1~6 的烷基、碳数1~6的酷基或碳数6~15的芳基，在R2存在多个的情形时可分别相同也可不 同；η为0~3的整数]。
[0030] [6]根据所述[2]或[3]所记载的显示或照明装置，其中聚苯并恶挫(Α5-1)含有式 (a5-l)所表示的结构单元，
[003。[化引
[0032]
[0033] [式(a5-l)中，χ?为具有芳香族环的四价有机基，Υ?为二价有机基]。
[0034] [7]根据所述[2]或[3]所记载的显示或照明装置，其中聚苯并恶挫的前体(Α5-2) 含有式(a5-2)所表示的结构单元，
[0035] [化4]
[0036]
[0037] [式(a5-2)中，χ?为具有芳香族环的四价有机基，Υ?为二价有机基]。
[00測[引根据所述[1]至[7]中任一项所记载的显示或照明装置，其中感光剂(Β)为光酸 产生剂或光自由基聚合引发剂。
[0039] [9]根据所述[1]至[引中任一项所记载的显示或照明装置，其中树脂(C)为酪醒清 漆树脂。
[0040] [10]根据所述[1]至[9]中任一项所记载的显示或照明装置，其中所述绝缘膜使第 1电极露出的所述绝缘膜的边界部分的剖面形状为正圆锥状。
[0041] [11]根据所述[1]至[10]中任一项所记载的显示或照明装置，其中所述绝缘膜的 膜厚为0.3皿~15.0皿。
[0042] [12]根据所述[1]至[11]中任一项所记载的显示或照明装置，其中所述绝缘膜是 W被覆第1电极的至少边缘部的方式而形成，且所述绝缘膜的边界部分的剖面形状为正圆 锥状。
[0043] [13]根据所述[1]至[12]中任一项所记载的显示或照明装置，其中所述绝缘膜为 将所述TFT基板的面上分隔成多个区域的隔离壁，且所述显示或照明装置具有在所述多个 区域中分别形成的像素。
[0044] [14]根据所述[13]所记载的显示或照明装置，具有有机化元件，所述有机化元件 含有设置于所述TFT基板上且与所述TFT连接的第1电极、形成于经所述隔离壁分隔的区域 中且形成于第1电极上的有机发光层、W及设置于有机发光层上的第2电极。
[0045] [15]根据所述[14]所记载的显示或照明装置，其中所述TFT基板具有支撑基板、在 所述支撑基板上与所述有机化元件相对应而设置的TFT、及被覆所述TFT的平坦化层，并且 所述隔离壁被覆第1电极的至少边缘部，且所述隔离壁是W至少配置于所述TFT所具有的半 导体层的上方的方式而形成于所述平坦化层上。
[0046] [16]根据所述[15]所记载的显示或照明装置，其中所述第1电极是形成于所述平 坦化层上，所述第1电极经由贯穿所述平坦化层的通孔中形成的配线而与所述TFT连接。
[0047] [17]根据所述[1]至[16]中任一项所记载的显示或照明装置，其中所述绝缘膜是 W至少配置于所述半导体层的上方的方式而形成于TFT基板上，在自TFT基板的上方投影观 察的情形时，半导体层的面积的50% W上与所述绝缘膜重复。
[0048] [1引一种绝缘膜的形成方法，形成根据所述[1]所记载的显示或照明装置所具有 的绝缘膜，并且所述绝缘膜的形成方法包括W下步骤:步骤1，使用根据权利要求1所记载的 感放射线性材料在TFT基板上形成涂膜;步骤2，对所述涂膜的至少一部分照射放射线;步骤 3,对所述经放射线照射的涂膜进行显影；W及步骤4,对所述经显影的涂膜进行加热，形成 全光线透射率在波长300nm~400nm下在0 %~15 %的范围内的绝缘膜。
[0049] [19]根据所述[1引所记载的绝缘膜的形成方法，其中步骤1中的加热溫度为60°C ~130°C，步骤4中的加热溫度超过130°C且为300°C W下。
[0050] 发明的效果
[0051] 根据本发明，可提供一种显示或照明装置，其具有薄膜晶体管作为驱动用元件，所 述薄膜晶体管含有包含例如IGZ0等光劣化大的物质的半导体层，并且所述显示或照明装置 中，伴随着运些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。
【附图说明】
[0052] 图1为表示绝缘膜的形状的例子的平面图。
[0053] 图2为作为绝缘膜的剖面形状而对正圆锥状加 W说明的剖面图。
[0054] 图3为表示有机化装置的主要部分的结构的概略的剖面图。
[0化5] 附图标记：
【具体实施方式】
[0056] 本发明的显示或照明装置具有:TFT基板，构成TFT的半导体层为含有氧化物半导 体的层，所述氧化物半导体含有选自111、6曰、511、1'1、师、56及211中的一种^上的元素；第1电 极，设置于TFT基板上，且与所述TFT连接;绝缘膜，W使第1电极局部地露出的方式而形成于 第1电极上；W及第2电极，与第1电极相对向而设置。此处，所述绝缘膜的全光线透射率在波 长300nm~400nm下为0 % ~15 %。
[0057] W下，将显示或照明装置总称而也简称为"装置"。
[0化引本发明的显示装置例如可列举：液晶显示器（LCD)、电致变色显示器 化lectrochromic Display，ECD)、电致发光显示器化LD)、特别是有机化显示器。本发明的 照明装置例如可列举有机化照明。
[0059] 在本发明的装置中，TFT基板、第1电极及第2电极例如可分别例示后述的[有机化 显示装置及有机化照明装置]的栏中记载的具体例(支撑基板及TFT、阳极、阴极）。
[0060] 在本发明的装置中，绝缘膜是W至少覆盖第1电极的一部分、且使第1电极局部地 露出的方式而形成。绝缘膜尤其优选为W覆盖第1电极的边缘部的方式而形成。
[0061] 将绝缘膜的形状的例子示于图1中。在TFT基板100上形成有W条纹状而形成的第1 电极110,绝缘膜120是w使第1电极110局部地露出的方式形成于TFT基板100上及第1电极 110上，将该第1电极110的露出部也称为"开口部11Γ。此处，绝缘膜120是W覆盖第1电极 110的边缘部112的方式而形成。开口部111例如在有机化装置中可与1个发光区域、即像素 相对应。
[0062] 绝缘膜的剖面形状优选为在使第1电极露出的边界部分中为正圆锥状。此处所谓 "正圆锥状"对应于W下情况:在绝缘膜120中使第1电极110露出的边界部分的斜面121与第 1电极面113所成的角度Θ、例如图2中的角度Θ小于90°下，将角度Θ也称为"圆锥角度Θ"。 圆锥角度Θ优选为80° W下，进而优选为5°~60°，更优选为10°~45°。
[0063] 例如有机化装置的情况下，若所述边界部分的绝缘膜的剖面形状为正圆锥状，贝U 即便在形成绝缘膜后将有机发光层及第2电极成膜的情形时，也在边界部分中平滑地形成 运些膜，可减少由阶差所引起的膜厚不均等，可获得具有稳定的特性的发光装置。
[0064] 绝缘膜的膜厚并无特别限定，若考虑到遮光性及成膜或图案化的容易性，则优选 为0.3皿~15.0皿，更优选为0.5皿~10.0皿，进而优选为1.0皿~5.0皿。
[0065] 绝缘膜例如是W横跨相邻的第1电极的方式而形成。因此，对绝缘膜要求良好的电 气绝缘性。绝缘膜的体积电阻率优选为1〇iVQ .cmW上，更优选为1〇?2μΩ .cmW上。
[0066] 绝缘膜在波长300nm~400nm下的全光线透射率为0 %~15 %，优选为0%~10%， 尤其优选为0%~6%。即，波长300nm~400nm下的全光线透射率的最大值为15% W下，优选 为10% W下，尤其优选为6% W下。全光线透射率例如可使用分光光度计（日立制作所(股） 制造的"150-20型双射束(Double Beam)")来测定。
[0067] 绝缘膜例如为将TFT基板的面上分隔成多个区域的隔离壁，在所述多个区域中形 成有像素。就对TFT所含的半导体层的遮光性的观点而言，所述绝缘膜(隔离壁)优选为W至 少配置于所述半导体层的上方的方式而形成于TFT基板上。此处所谓"上方'，是指自TFT基 板朝向第2电极的方向。作为一例，在自TFT基板的上方投影观察的情形时，可列举半导体层 的面积的50% W上与绝缘膜（隔离壁）重复的态样，尤其可列举半导体层的面积的80% W 上、进而90% W上、特别是100%与绝缘膜(隔离壁)重复的态样。
[0068] 如此，在本发明的装置中，使第1电极露出的绝缘膜在所述波长下具有遮光性。通 过设置此种绝缘膜，即便为具有含有半导体层的薄膜晶体管作为驱动用元件的装置，所述 半导体层包含例如IGZ0等光劣化大的物质，所述绝缘膜也作为遮光膜而发挥作用，可抑制 伴随着该装置的使用等的所述半导体层的光劣化。
[0069] 例如，构成TFT的半导体层为含有氧化物半导体的层，所述氧化物半导体含有选自 In、Ga、Sn、Ti、Nb、Sb及化中的一种W上的元素。该情形的氧化物例如可列举:单晶氧化物、 多晶氧化物、非晶氧化物、运些氧化物的混合物。
[0070] 含有选自111、6曰、511、11、抓、訊及211中的一种^上的元素的氧化物半导体例如可列 举;In-Sn-Ga-化-0系氧化物半导体等四元系金属氧化物；In-Ga-化-0系氧化物半导体、In- Sn-Zn-〇系氧化物半导体、In-Al-Zn-〇系氧化物半导体、Sn-Ga-Zn-〇系氧化物半导体、A1- Ga-Zn-0系氧化物半导体、Sn-Al-Zn-0系氧化物半导体等Ξ元系金属氧化物；In-Zn-0系氧 化物半导体、Sn-Zn-0系氧化物半导体、A^^-O系氧化物半导体、Zn-Mg-0系氧化物半导体、 Sn-Mg-0系氧化物半导体、In-Mg-0系氧化物半导体或In-Ga-0系材料等二元系金属氧化物； In-0系氧化物半导体、Sn-0系氧化物半导体、Zn-0系氧化物半导体等一元系金属氧化物。
[0071] 本发明中，即便在构成TFT的半导体层为所述氧化物半导体层的情形、尤其为包含 In-Ga-Zn-0系氧化物半导体（IGZ0半导体）的氧化物半导体层的情形时，也可防止其光劣 化。
[0072] 本发明的装置优选为具有有机化元件的有机化装置，所述有机化元件具有设置于 所述TFT基板上且与所述TFT连接的第1电极、形成于经所述隔离壁所分隔的区域中且形成 于第1电极上的有机发光层、W及设置于有机发光层上的第2电极。
[0073] 所述TFT基板例如具有支撑基板、在所述支撑基板上与所述有机化元件相对应而 设置的TFT、W及被覆所述TFT的平坦化层。例如，第1电极是形成于所述平坦化层上，经由在 贯穿所述平坦化层的通孔中形成的配线而与所述TFT连接。另外，具有遮光性的绝缘膜(隔 离壁)优选为W使第1电极局部地露出的方式而形成于第1电极及平坦化层上。
[0074] 使第1电极露出的绝缘膜例如可使用感放射线性材料来形成。感放射线性材料中， 有通过曝光而在显影液中的溶解性增大、将曝光部分去除的正型，与通过曝光而进行硬化、 将非曝光部分去除的负型。在对由感放射线性材料所形成的涂膜进行曝光的情形时，通常 在涂膜的表面部分强烈地吸收光，随着朝向涂膜的内部而有吸收量变少的倾向。因此，正型 的情况下涂膜的表面部分的溶解性大于内部的溶解性，负型的情况下为其相反倾向。本发 明中，优选为将绝缘膜的边界部分的剖面形状设定为正圆锥状，故优选为使用正型感放射 线性材料来进行图案形成。
[0075] [感放射线性材料]
[0076] 感放射线性材料可用于形成本发明的显示或照明装置中的所述绝缘膜。所述感放 射线性材料优选为含有聚合物(A)、感光剂(B)W及选自酪醒清漆树脂、可溶酪醒树脂及可 溶酪醒树脂的缩合物中的至少一种的树脂(C)。
[0077] 所述感放射线性材料也可含有交联剂(D)作为优选成分，另外也可含有溶剂化)作 为优选成分。另外，所述感放射线性材料也可在不损及本发明的效果的范围内含有其他任 意成分。
[0078] 所述感放射线性剂材料的放射线灵敏度高，通过使用所述材料，可形成图案形状 优异的绝缘膜，在图案的狭间距化方面可应对要求。进而，通过使用所述材料，也可形成具 有低吸水性的绝缘膜。
[0079] W下，对各成分加 W详述。
[0080] [聚合物(A)]
[0081] 聚合物(A)优选为树脂(C)W外的碱可溶性聚合物。聚合物(A)中，所谓碱可溶性， 是指可溶解于碱溶液、例如2.38质量％的氨氧化四甲基锭水溶液中。
[0082] 聚合物(A)例如可列举选自聚酷亚胺(A1)、所述聚酷亚胺的前体(A2)、丙締酸系树 月旨(A3)、聚硅氧烷(A4)、聚苯并恶挫(A5-1)、所述聚苯并恶挫的前体(A5-2)、聚締控(A6)及 卡多树脂(A7)中的至少一种聚合物。
[0083] 聚合物（A)的聚苯乙締换算的重量平均分子量(Mw)W利用凝胶渗透色谱（Gel 化rmeation Chromatogra地y，GPC)法所测定的值计，优选为2,000~500,000，更优选为3, 000~100，000，进而优选为4，000~50，000。若Mw为所述范围的下限值W上，则有可获得具 有充分的机械特性的绝缘膜的倾向。若Mw为所述范围的上限值W下，则有聚合物(A)在溶剂 或显影液中的溶解性优异的倾向。
[0084]相对于感放射线性材料中的总固体成分100质量％，聚合物(A)的含量优选为10质 量％~80质量％，更优选为20质量％~70质量％，进而优选为30质量％~60质量％。
[00化]《聚酷亚胺(A1)》
[0086] 聚酷亚胺(A1)优选为含有式(A1)所表示的结构单元。
[0087] [化5]
[008引
[0089] 式(A1)中，Ri为具有径基的二价基，X为四价有机基。
[0090] Ri例如可列举式(al)所表示的二价基。
[0091] [化6]
[0092]
[0093] 式（al)中，R2为单键、氧原子、硫原子、横酷基、幾基、亚甲基、二甲基亚甲基或双 (Ξ氣甲基）亚甲基;R3分别独立地为氨原子、甲酯基、酷基或烷基。其中，R3的至少一个为氨 原子。nl及n2分别独立地为0~2的整数。其中，nl及n2的至少一个为1或2。在nl与n2合计为2 W上的情形时，多个R3可相同也可不同。
[0094] R3中，酷基例如可列举：乙酷基、丙酷基、下酷基、异下酷基等碳数2~20的基团；烧 基例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、正戊基、正己基、正辛基、正癸基、正十 二烷基等碳数1~20的基团。
[00M]式(al)所表示的二价基优选为具有1个~4个径基的二价基，进而优选为具有2个 径基的二价基。式(al)所表示的具有1个~4个径基的二价基例如可列举下述式所表示的二 价基。再者，下述式中，自芳香环伸出的2根表示结合键。
[0096] [化7]
[0097]
[009引[化8]
[0104] X所表示的四价有机基例如可列举：四价脂肪族控基、四价芳香族控基、下述式（1) 所表示的基团。X优选为来源于四簇酸二酢的四价有机基。运些基团中，优选为下述式（1)所 表示的基团。
[0105] [化 11]
[0106]
[0107] 所述式（1)中，Ar分别独立地为Ξ价芳香族控基，A为直接键结或二价基。所述二价 基例如可列举:氧原子、硫原子、横酷基、幾基、亚甲基、二甲基亚甲基、双（Ξ氣甲基）亚甲 基。
[0108] 四价脂肪族控基的碳数通常为4~30,优选为8~24。四价芳香族控基及所述式（1) 中的Ξ价芳香族控基的碳数通常为6~30,优选为6~24。
[0109] 四价脂肪族控基例如可列举:链状控基、脂环式控基、在分子结构中的至少一部中 含有芳香族环的脂肪族控基。
[0110] 四价链状控基例如可列举:来源于正下烧、正戊烧、正己烧、正辛烧、正癸烧、正十 二烧等链状控的四价基。
[0111] 四价脂环式控基例如可列举来源于W下控的四价基:环下烧、环戊烧、环戊締、甲 基环戊烧、环己烧、环己締、环辛烧等单环式控;双环[2.2.1]庚烧、双环[3.1.1]庚烧、双环 [3.1.1]庚-2-締、双环[2.2.2]辛烧、双环[2.2.2]辛-5-締等二环式控;Ξ环[5.2.1.02'6]癸 烧、；环[5.2.1.02'6]癸-4-締、金刚烧、四环[6.2.1.13' 6.02'7]十二烧等；环式W上的控等。
[0112] 在分子结构中的至少一部分中含有芳香族环的脂肪族控基例如优选为该基团中 所含的苯核的个数为3W下的基团，尤其优选为苯核的个数为1个的基团。更具体可列举:来 源于1-乙基-6-甲基-1，2,3,4-四氨糞、1-乙基-1，2,3,4-四氨糞等的四价基。
[0113] 所述说明中，来源于所述控的四价基为自所述控中去除4个氨原子而形成的四价 基。4个氨原子的去除部位为在将该4个氨原子取代为4个簇基的情形时可形成四簇酸二酢 结构的部位。
[0114] 四价脂肪族控基优选为下述式所表示的四价基。再者，下述式中，自链状控基及脂 环伸出的4根表示结合键。
[0115] [化 12]
[0116]
[0117]四价芳香族控基及所述式（1)所表示的基团例如可列举下述式所表示的四价基。 下述式中，自芳香环伸出的4根表示结合键。
[011 引[化 13]
[0119]
[0120] 聚酷亚胺(Al)可通过W下将说明的聚酷亚胺前体(A2)的酷亚胺化而获得。此处的 酷亚胺化可完全进行，也可局部地进行。即，酷亚胺化率也可不为100%。因此，聚酷亚胺 (A1)也可还含有选自W下将说明的式(A2-1)所表示的结构单元及式(A2-2)所表示的结构 单元中的至少一种。
[0121] 聚酷亚胺(A1)中，酷亚胺化率优选为5 % W上，更优选为7.5 % W上，进而优选为 10% W上。酷亚胺化率的上限值优选为50%，更优选为30%。若酷亚胺化率在所述范围内， 则就耐热性及曝光部分在显影液中的溶解性的方面而言优选。
[0122] 酷亚胺化率例如可如W下般测定。首先，测定聚酷亚胺的红外吸收光谱，确认由聚 酷亚胺引起的酷亚胺结构的吸收峰值（nSOcnfi附近、1377cnfi附近）的存在。继而，对该聚 酷亚胺在350°C下进行1小时热处理后，再次测定红外吸收光谱。比较热处理前与热处理后 的1377cnfi附近的峰值强度。将热处理后的聚酷亚胺的酷亚胺化率设定为100%，求出热处 理前的聚酷亚胺的酷亚胺化率={热处理前的1377cnfi附近的峰值强度/热处理后的 1377cnf 1附近的峰值强度} X 100( % )。红外吸收光谱的测定时，例如使用"NIC0LET6700傅里 叶变换红外光谱（Fourier Transform Infrared，FT-IR)"(热电子（Thermoelectron)公司 制造）。
[0123] 聚酷亚胺(A1)中，式(A1)、式(A2-1)、式(A2-2)所表示的结构单元的合计含量通常 为50质量％ ^上，优选为60质量％ ^上，更优选为70质量％ ^上，尤其优选为80质量％ W 上。
[0124] 《聚酷亚胺前体(A2)》
[0125] 聚酷亚胺前体(A2)为可通过脱水、环化(酷亚胺化)而生成聚酷亚胺(A1)、优选为 含有式(A1)所表示的结构单元的聚酷亚胺(A1)的化合物。聚酷亚胺前体(A2)例如可列举聚 酷胺酸及聚酷胺酸衍生物。
[0126] (聚酷胺酸）
[0127] 聚酷胺酸含有式(A2-1)所表示的结构单元。
[012 引[化 14]
[0129]
[0130] 式(A2-1)中，Ri为具有径基的二价基，X为四价有机基。Ri所表示的具有径基的二价 基及X所表示的四价有机基分别可列举与作为式(A1)中的Ri及X而例示的基团相同的基团。
[0131] 在聚酷胺酸中，式(A2-1)所表示的结构单元的含量通常为50质量％ ^上，优选为 60质量％ ^上，更优选为70质量％ ^上，尤其优选为80质量％ W上。
[0132] (聚酷胺酸衍生物）
[0133] 聚酷胺酸衍生物为利用聚酷胺酸的醋化等而合成的衍生物。聚酷胺酸衍生物例如 可列举将聚酷胺酸所含有的式(A2-1)所表示的结构单元中的簇基的氨原子取代为其他基 团而成的聚合物，优选为聚酷胺酸醋。
[0134] 聚酷胺酸醋为聚酷胺酸所具有的簇基的至少一部分经醋化的聚合物。聚酷胺酸醋 可列举:可生成含有式(A1)所表示的结构单元的聚酷亚胺(A1)的含有式(A2-2)所表示的结 构单元的聚合物。
[0135] [化 15]
[0136]
[0137] 式(A2-2)中，Ri为具有径基的二价基，X为四价有机基，R4分别独立地为碳数1~5的 烷基。Ri所表示的具有径基的二价基及X所表示的四价有机基分别可列举与作为式(A1)中 的Ri及X而例示的基团相同的基团。R4所表示的碳数1~5的烷基例如可列举甲基、乙基、丙 基。
[0138] 聚酷胺酸醋中，式(A2-2)所表示的结构单元的含量通常为50质量％ ^上，优选为 60质量％ ^上，更优选为70质量％ ^上，尤其优选为80质量％ W上。
[0139] 《聚酷亚胺(A1)及聚酷亚胺前体(A2)的合成方法》
[0140] 作为聚酷亚胺前体(A2)的聚酷胺酸例如可通过W下方式而获得:使四簇酸二酢、 与包括具有径基的二胺及视需要的其他二胺的二胺进行聚合。关于运些化合物的使用比 例，例如相对于所述四簇酸二酢1摩尔而使所述所有二胺为0.3摩尔~4摩尔、优选为大致等 摩尔。所述聚合中，优选为将所述四簇酸二酢及所述所有二胺的混合溶液在50°C~200°C下 加热1小时~24小时。
[0141] W下，将所述四簇酸二酢及所述具有径基的二胺也分别称为"酸二酢(A1-1)及"二 胺(Α1-2Γ，将所述其他二胺也称为"二胺(A1-2/ r。
[0142] 聚酷胺酸的合成可通过使二胺(A1-2)溶解于聚合溶剂中后，使二胺(A1-2)与酸二 酢(A1-1)反应而进行，也可通过使酸二酢(A1-1)溶解于聚合溶剂中后，使酸二酢(A1-1)与 二胺(A1-2)反应而进行。
[0143] 关于作为聚酷亚胺前体(A2)的聚酷胺酸衍生物，可将所述聚酷胺酸的簇基加 W醋 化等而合成。醋化的方法并无特别限定，可应用公知的方法。
[0144] 聚酷亚胺(A1)例如可通过W下方式合成：利用所述方法合成聚酷胺酸后，使该聚 酷胺酸进行脱水、环化(酷亚胺化）；另外也可通过W下方式合成:利用所述方法合成聚酷胺 酸衍生物后，将该聚酷胺酸衍生物加 W酷亚胺化。
[0145] 聚酷胺酸及聚酷胺酸衍生物的酷亚胺化反应可应用加热酷亚胺化反应或化学酷 亚胺化反应等公知的方法。加热酷亚胺化反应的情况下，优选为将含有聚酷胺酸和/或聚酷 胺酸衍生物的溶液在120°C~210°C下加热1小时~16小时。酷亚胺化反应视需要也可一面 使用甲苯、二甲苯、均Ξ甲苯(mesitylene)等共沸溶剂将体系内的水去除一面进行。
[0146] 另外，在相对于四簇酸二酢而过剩地使用二胺的情形时，也可使用例如马来酸酢 等二簇酸酢作为将聚酷亚胺、聚酷胺酸及聚酷胺酸衍生物的末端基封端的封端剂。
[0147] 酸二酢(A1-1)例如为式(曰2)所表示的酸二酢。
[0148] [化 16]
[0149]
[0150] 式(a2)中，X为四价有机基。X所表示的四价有机基可列举与作为式(Al)中的X而例 不的基团相同的基团。
[0151] 二胺(A1-2)例如为式(a3)所表示的二胺。
[0152] [化 17]
[0153] 出 N-r1-N 出（曰3)
[0154] 式(曰3)中，Ri为具有径基的二价基。Ri所表示的具有径基的二价基可列举与作为式 (A1)中的r1而例示的基团相同的基团。
[01W]也可与二胺(A1-2)-起而使用该(A1-2)W外的其他二胺(A1-2/ )。其他二胺(A1- 2/)例如可列举:不具有径基的选自芳香族二胺及脂肪族二胺中的至少一种二胺。
[0156] 聚酷亚胺(A1)也可还具有将式(A1)、式(A2-1)及式(A2-2)中的Ri变更为所述其他 二胺(A1-2/)的残基的结构单元。同样地，聚酷亚胺前体(A2)也可还具有将式(A2-1)及式 (A2-2)中的Ri变更为所述其他二胺(A1-20的残基的结构单元。
[0157] 用于合成聚酷亚胺(A1)及聚酷亚胺前体(A2)的聚合溶剂优选为可使运些合成用 的原料或所述(A1)及(A2)溶解的低吸水性的溶剂。聚合溶剂可使用与作为后述的溶剂化） 而例示的溶剂相同的溶剂。
[0158] 通过使用与溶剂化)相同的溶剂作为聚合溶剂，可不需要在合成聚酷亚胺(A1)或 聚酷亚胺前体(A2)之后分离运些聚合物的步骤、及分离后再溶解于其他溶剂中的步骤。由 此，可提高本发明的装置的生产性。
[0159] 聚酷亚胺(A1)及聚酷亚胺前体(A2)优选为含有具有径基的所述特定结构，由此， 具有在后述的溶剂化）中的优异溶解性。因此，运些聚合物也溶解于N-甲基化咯烧酬(N- methy 1 pyrro 1 idone，NMP) W外的低吸水性的溶剂、例如后述的溶剂巧）中。结果，例如通过 使用NMPW外的溶剂作为用W获得聚合物(A)的聚合溶剂，可使由感放射线性材料所形成的 绝缘膜更低吸水化。
[0160] 《丙締酸系树脂(A3)》
[0161] 构成丙締酸系树脂(A3)的单体例如可列举:选自（甲基)丙締酸烷基醋、（甲基)丙 締酸的含脂环式基醋、及（甲基)丙締酸的含芳基醋中的至少一种单体A。
[0162] 另外，构成所述(A3)的单体也可列举:选自不饱和单簇酸、不饱和二簇酸及不饱和 二簇酸酢中的至少一种含酸基的单体B。
[0163] 另外，构成所述(A3)的单体也可列举：（甲基)丙締酸的径基烷基醋、（甲基)丙締酸 的含环氧基醋、及（甲基)丙締酸的含氧杂环下基醋中的至少一种含官能基的单体C。
[0164] (甲基)丙締酸烷基醋例如可列举：（甲基)丙締酸甲醋、（甲基)丙締酸乙醋、（甲基） 丙締酸正下醋、（甲基)丙締酸仲下醋、（甲基）丙締酸异丙醋、（甲基）丙締酸叔下醋；（甲基） 丙締酸的含脂环式基醋例如可列举：（甲基)丙締酸环己醋、（甲基)丙締酸-2-甲基环己醋等 含单环式控基醋，（甲基)丙締酸二环戊醋、（甲基)丙締酸二环戊氧基乙醋、（甲基)丙締酸异 冰片醋等含多环式基醋；（甲基)丙締酸的含芳基醋例如可列举：（甲基)丙締酸苯醋、（甲基） 丙締酸节醋。
[0165] 不饱和单簇酸例如可列举：（甲基)丙締酸、下締酸、2-(甲基)丙締酷氧基乙基班巧 酸;不饱和二簇酸例如可列举:马来酸、富马酸、巧康酸、中康酸、衣康酸;不饱和二簇酸酢例 如可列举马来酸酢、衣康酸酢。
[0166] (甲基)丙締酸的径基烷基醋例如可列举甲基丙締酸-2-径基乙醋、甲基丙締酸-2- 径基丙醋；（甲基)丙締酸的含环氧基醋例如可列举：（甲基)丙締酸缩水甘油醋、曰-乙基丙締 酸缩水甘油醋、α-正丙基丙締酸缩水甘油醋、α-正下基丙締酸缩水甘油醋、（甲基)丙締酸- 3,4-环氧下醋、（甲基）丙締酸-6,7-环氧庚醋、α-乙基丙締酸-6,7-环氧庚醋、（甲基）丙締 酸-3,4-环氧环己基甲醋；（甲基）丙締酸的含氧杂环下基醋例如可列举:3-甲基-3-(甲基） 丙締酷氧基甲基氧杂环下烧、3-乙基-3-(甲基)丙締酷氧基甲基氧杂环下烧、3-甲基-3-(甲 基)丙締酷氧基乙基氧杂环下烧、3-乙基-3-(甲基)丙締酷氧基乙基氧杂环下烧。
[0167] 丙締酸系树脂(A3)中，来源于所述单体A的结构单元的含量通常为5质量％ W上， 优选为10质量％~85质量％，进而优选为15质量％~75质量％，来源于所述含酸基的单体B 的结构单元的含量通常为5质量％~70质量％，优选为10质量％~60质量％，进而优选为15 质量％~50质量％，来源于所述含官能基的单体C的结构单元的含量通常为90质量％ W下， 优选为5质量％~80质量％，进而优选为10质量％~70质量％。
[0168] 尤其在丙締酸系树脂(A3)中，来源于（甲基)丙締酸的含环氧基醋及（甲基)丙締酸 的含氧杂环下基醋的结构单元的合计含量优选为10质量％~70质量％，更优选为20质量％ ~50质量％。若该结构单元在所述范围内，则在由感放射线性材料所形成的涂膜的加热时 硬化反应充分进行，有所得的图案的耐热性及表面硬度变充分的倾向，并且也有感放射线 性材料的保存稳定性也优异的倾向。
[0169] 此外，构成丙締酸系树脂(A3)的单体也可使用：马来酸二乙醋、富马酸二乙醋、衣 康酸二乙醋等不饱和二簇酸的二醋;苯乙締、曰-甲基苯乙締、邻甲基苯乙締、间甲基苯乙締、 对甲基苯乙締、乙締基甲苯、对甲氧基苯乙締等苯乙締系单体。
[0170] 合成丙締酸系树脂(A3)时所用的溶剂例如可列举：甲醇、乙醇等醇类；四氨巧喃等 酸类；乙二醇单甲酸、丙二醇单甲酸等二醇酸类；乙二醇单甲酸乙酸醋、丙二醇单甲酸乙酸 醋等二醇酸乙酸醋类;此外可列举芳香族控类、酬类、醋类。
[0171] 丙締酸系树脂(A3)例如可利用所述单体的自由基聚合来合成。自由基聚合时的聚 合催化剂可使用通常的自由基聚合引发剂，例如可列举偶氮双异下腊、2,2/-偶氮 双-(2,4-二甲基戊腊）、2,2/-偶氮双-(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腊)等偶氮化合物;过氧化 苯甲酯、过氧化月桂酷、过氧化Ξ甲基乙酸叔下醋、1,1-双-(叔下基过氧基)环己烧等有机 过氧化物及过氧化氨。在将过氧化物用于自由基聚合引发剂的情形时，也可将过氧化物与 还原剂组合而制成氧化还原(Redox)型的引发剂。
[0172] 《聚硅氧烷(A4)》
[0173] 聚硅氧烷(A4)例如可列举:使式(a4)所表示的有机硅烷进行反应所得的聚娃氧 烧。
[0174] [化 18]
[0175]
[0176] 式(a4)中，r1为氨原子、碳数1~10的烷基、碳数2~10的締基、碳数6~15的含芳基 的基团、碳数2~15的含环氧环的基团或将所述烷基所含的1个或2个W上的氨原子取代为 取代基而成的基团（取代体），在Ri存在多个的情形时可分别相同也可不同；R2为氨原子、碳 数1~6的烷基、碳数1~6的酷基或碳数6~15的芳基，在R2存在多个的情形时可分别相同也 可不同；η为0~3的整数。
[0177] 所述取代基例如为选自面素原子、氨基、径基、琉基、异氯酸醋基、（甲基)丙締酷氧 基中的至少一种。
[0178] 烷基及其取代体例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、叔下基、正己 基、正癸基、二氣甲基、2，2，2-二氣乙基、3，3，3-二氣丙基、3-氨基丙基、3-琉基丙基、3-异氛 酸醋基丙基、3-(甲基)丙締酷氧基丙基。
[0179] 締基例如可列举乙締基。
[0180] 含芳基的基团例如可列举:苯基、甲苯基、糞基等芳基;对径基苯基等径基芳基;节 基、苯乙基等芳烷基；1-(对径基苯基）乙基、2-(对径基苯基）乙基等径基芳烷基;4-径基-5- (对径基苯基幾氧基)戊基。
[0181] 含环氧环的基团例如可列举3-缩水甘油氧基丙基、2-(3,4-环氧环己基）乙基。
[0182] 酷基例如可列举乙酷基。
[0183] 芳基例如可列举苯基。
[0184] 式(a4)中的η为0~3的整数。n = 0的情形为四官能性硅烷，n=l的情形为；官能性 硅烷，n = 2的情形为二官能性硅烷，n = 3的情形为单官能性硅烷。
[01化]有机硅烷例如可列举：四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四乙酷氧基硅烷、四苯氧基 硅烷等四官能性硅烷；甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、甲基二异丙氧基硅烷、甲基 Ξ正下氧基硅烷、乙基Ξ甲氧基硅烷、乙基Ξ乙氧基硅烷、乙基Ξ异丙氧基硅烷、乙基Ξ正 下氧基硅烷、正丙基Ξ甲氧基硅烷、正丙基Ξ乙氧基硅烷、正下基Ξ甲氧基硅烷、正下基Ξ 乙氧基硅烷、正己基Ξ甲氧基硅烷、正己基Ξ乙氧基硅烷、癸基Ξ甲氧基硅烷、乙締基Ξ甲 氧基硅烷、乙締基Ξ乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基 丙基二乙氧基硅烷、3-丙締酷氧基丙基二甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基娃 烧、对径基苯基Ξ甲氧基硅烷、1-(对径基苯基）乙基Ξ甲氧基硅烷、2-(对径基苯基）乙基Ξ 甲氧基硅烷、4-径基-5-(对径基苯基幾氧基)戊基Ξ甲氧基硅烷、Ξ氣甲基Ξ甲氧基硅烷、 二氣甲基二乙氧基硅烷、3，3，3-二氣丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基 丙基Ξ乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基Ξ乙氧基娃 烧、2-( 3，4-环氧环己基）乙基二甲氧基硅烷、3-琉基丙基二甲氧基硅烷等二官能性硅烷;二 甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二乙酷氧基硅烷、二正下基二甲氧基娃 烧、二苯基二甲氧基硅烷等二官能性硅烷;Ξ甲基甲氧基硅烷、Ξ正下基乙氧基硅烷等单官 能性硅烷。运些有机硅烷中，就绝缘膜的抗龟裂性及硬度的方面而言，优选为Ξ官能性娃 烧。
[01化]有机硅烷可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[0187] 就兼具绝缘膜的抗龟裂性与硬度的方面而言，相对于Si原子100摩尔，聚硅氧烷 (A4)中所含的苯基的含量优选为20摩尔~70摩尔，进而优选为35摩尔~55摩尔。若苯基的 含量为所述上限值W下，则有可获得硬度高的绝缘膜的倾向，若苯基的含量为所述下限值 W上，则有可获得抗龟裂性高的绝缘膜的倾向。苯基的含量例如是测定聚硅氧烷(A4)的 29Si-核磁共振光谱，根据键结有该苯基的Si的峰值面积与未键结苯基的Si的峰值面积的比 而求出。
[0188] 聚硅氧烷(A4)例如可通过使所述有机硅烷进行水解及部分缩合而获得。水解及部 分缩合时可使用通常的方法。例如在有机硅烷中添加溶剂、水及视需要的催化剂，进行加热 揽拌。揽拌中，视需要也可通过蒸馈将醇等水解副产物或水等缩合副产物蒸馈去除。反应溫 度并无特别限定，通常为〇°C~150°C的范围。反应时间也无特别限定，通常为1小时~10小 时的范围。
[0189] 溶剂例如可列举:丙酬醇(acetol)、3-^基-3-甲基-2-下酬、4-径基-3-甲基-2-下 酬、5-径基-2-戊酬、4-径基-4-甲基-2-戊酬(二丙酬醇）等含径基的酬;乳酸乙醋、乳酸下 醋、丙二醇单甲酸、丙二醇单乙酸、丙二醇单正丙酸、丙二醇单正下酸、丙二醇单叔下酸、3- 甲氧基-1-下醇、3-甲基-3-甲氧基-1-下醇。运些溶剂中，尤其可优选地使用二丙酬醇。溶剂 可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[0190] 相对于有机硅烷100质量份，溶剂的添加量优选为10质量份~1000质量份。另外， 相对于水解性基1摩尔，用于水解反应的水的添加量优选为0.5摩尔~2摩尔。
[0191] 催化剂例如可列举酸催化剂、碱催化剂。酸催化剂可列举:盐酸、硝酸、硫酸、氨氣 酸、憐酸、乙酸、Ξ氣乙酸、甲酸、多元簇酸或其酸酢、离子交换树脂等。碱催化剂可列举:Ξ 乙胺、Ξ丙胺、Ξ下胺、Ξ戊胺、Ξ己胺、Ξ庚胺、Ξ辛胺、二乙胺、Ξ乙醇胺、二乙醇胺、氨氧 化钢、氨氧化钟、具有氨基的烷氧基硅烷、离子交换树脂等。相对于有机硅烷100质量份，催 化剂的添加量优选为0.01质量份~10质量份。
[0192] 《聚苯并恶挫(A5-1)》
[0193] 聚苯并恶挫(A5-1)优选为含有式(a5-l)所表示的结构单元。W下，将式(a5-l)所 表示的结构单元也称为"结构单元(a5-l Γ。
[0194] [化 19]
[0195]
[0196] 式(a5-l)中，χ?为具有芳香族环的四价有机基，Υ?为二价有机基。
[0197] 式(a5-l)中，χ?优选为含有至少一个芳香族环的四价基，更优选为具有直线结构 的基团，进而优选为具有1个~4个芳香族环的基团，尤其优选为具有2个芳香族环的基团。 具有此种结构的聚苯并恶挫(Α5-1)的刚直性优异。
[0198] 再者，χ?所含的芳香族环可为经取代或未经取代的任一种环。取代基例如可列 举:-OH、-C00H、烷基、烷氧基、脂环式控基。键结于χ?的Ν与0例如键结于χ?中的芳香族环上的 相邻碳原子上，形成苯并恶挫环。
[0199] 在χ?中含有2个W上的芳香族环的情形时，多个芳香族环也可形成连结多环系及 缩合多环系的任一种结构，优选为形成连结多环系结构。具有此种结构的聚苯并恶挫(A5- 1)的遮光性及刚直性两者优异。
[0200] χ?的总碳数优选为6~24,更优选为6~20,进而优选为6~18。由此，可更显著地发 挥所述效果。
[0201] χ?的结构例如可列举:苯环等单环系结构、糞环等缩合多环系结构、式(gl)所表示 的基团等连结多环系结构。运些结构中，优选为式(gl)所表示的基团。
[0202] [化20]
[0203]
[0204] 式(gl)中，Ari分别独立地为Ξ价芳香族控基，Ri为直接键结或二价基。所述Ξ价芳 香族控基例如可列举苯环，也可具有烷基、烷氧基、脂环式控基等取代基，2个Ari中的取代 基也可相互键结而形成将2个Ari交联的幾基等二价基。所述二价基例如可列举:氧原子、硫 原子、横酷基、幾基、亚甲基、二甲基亚甲基、双(Ξ氣甲基)亚甲基、亚苯基。
[0205] χ?的结构的具体例例如可列举下述式所表示的四价基。再者，下述式中，自芳香环 伸出的4根表示结合键。
[0206] [化 21]
[0207]
[0208] 式(a5-l)中，Υ?优选为含有至少一个选自脂环式环及芳香族环中的环的二价基， 更优选为具有1个~4个芳香族环的基团，尤其优选为具有2个芳香族环的基团。具有此种结 构的聚苯并恶挫(Α5-1)的刚直性及耐光性优异。
[0209] 再者，γ?所含的脂环式环及芳香族环可为经取代或未经取代的任一种环。取代基 例如可列举:-OH、-C00H、烷基、烷氧基、烷氧基幾基、脂环式控基。
[0210] 在γ?中含有2个W上的所述环的情形时，多个所述环也可形成连结多环系及缩合 多环系的任一种结构，优选为形成连结多环系结构。具有此种结构的聚苯并恶挫(Α5-1)的 遮光性及刚直性两者优异。
[02川 Υ?的总碳数优选为4~24,更优选为4~15,进而优选为6~12。由此，可更显著地发 挥所述效果。
[0212] γ?的结构例如可列举:苯环等单环系结构、糞环等缩合多环系结构、式(g2)所表示 的基团等连结多环系结构等芳香族系结构;后述例示的脂环式系结构。运些结构中，优选为 式(g2)所表示的基团。
[0213] [化 22]
[0214]
[0215] 式(g2)中，Ar2分别独立地为二价芳香族控基，R2为直接键结或二价基。所述二价芳 香族控基例如可列举苯环，也可具有烷基、烷氧基、脂环式控基等取代基，2个Ar2中的取代 基也可相互键结而形成将2个Ar2交联的幾基等二价基。所述二价基例如可列举:氧原子、硫 原子、横酷基、幾基、亚甲基、二甲基亚甲基、双(S氣甲基)亚甲基、亚苯基。
[0216] γ?的结构的具体例例如可列举下述式所表示的二价基。再者，下述式中，自芳香环 及脂环伸出的2根表示结合键。
[0217] [化測
[0221]聚苯并恶挫(Α5-1)可利用W下将说明的聚苯并恶挫前体(Α5-2)的环化反应而获 得。此处的环化反应可完全进行，也可局部地进行。即，环化率也可不为100%。因此，聚苯并 恶挫(Α5-1)也可还含有W下将说明的式(曰5-2)所表示的结构单元。W下，将式(曰5-2)所表 示的结构单元也称为"结构单元(a5-2)"。
[0222] 聚苯并恶挫（A5-1)中，环化率优选为5 % W上，更优选为7.5 % W上，进而优选为 10% W上。环化率的上限值优选为50%，更优选为30%。若环化率在所述范围内，则就耐热 性及曝光部分在显影液中的溶解性的方面而言优选。
[0223] 环化率例如可如W下般测定。首先，测定聚苯并恶挫的红外吸收光谱，确认苯并恶 挫环的吸收峰值（1557cnfi附近、1574cnfi)的存在。继而，对该聚苯并恶挫在350°C下进行1 小时热处理后，再次测定红外吸收光谱。比较热处理前与热处理后的1554cnfi附近的峰值强 度。将热处理后的聚苯并恶挫的环化率设定为100%，求出热处理前的聚苯并恶挫的环化率 ={热处理前的1554cnfi附近的峰值强度/热处理后的1554cnfi附近的峰值强度} X 100 (% )。红外吸收光谱的测定时，例如使用"NIC0LET6700FT-Iir (热电子(Thermoelectron)公 司制造）。
[0224] 在聚苯并恶挫(A5-1)中，结构单元(曰5-1)及结构单元(曰5-2)的合计含量通常为50 质量％ ^上，优选为60质量％ ^上，更优选为70质量％ ^上，尤其优选为80质量％ W上。
[02巧]《聚苯并恶挫前体(A5-2)》
[0。6]聚苯并恶挫前体(A5-2)为可利用脱水、环化而生成聚苯并恶挫(A5-1)、优选为含 有结构单元(曰5-1)的聚苯并恶挫(A5-1)的化合物。前体(A5-2)例如含有式(曰5-2)所表示的 结构单元。
[0227][化測
[022引
[0229] 式(a5-2)中，χ?为具有芳香族环的四价有机基，优选为含有至少一个芳香族环的 四价基。键结于Χ?的Ν与0Η键结于同一芳香族环上的相邻碳原子上。
[0230] 式(a5-2)中，Υ?为二价有机基，优选为含有至少一个选自脂环式环及芳香族环中 的环的二价基。
[0231] χ?所表示的四价有机基及γ?所表示的二价有机基分别可列举与作为式(a5-l)中的 χ?及γ?而例示的基团相同的基团。
[0232] 聚苯并恶挫前体(Α5-2)中，结构单元(曰5-2)的含量通常为50质量％^上，优选为 60质量％ ^上，更优选为70质量％ ^上，尤其优选为80质量％ W上。
[0233] 《聚苯并恶挫(Α5-1)及其前体(Α5-2)的合成方法》
[0234] 聚苯并恶挫前体(Α5-1)例如可通过W下方式而获得:使选自二簇酸、其二醋体及 其二面化物中的至少一种与具有2个径基的二胺进行聚合。再者，为了提高反应产率，也可 使用预先使二簇酸与1-径基苯并Ξ挫等进行反应而成的活性醋型的二簇酸衍生物作为二 醋。
[0235] 关于所述使用比例，例如相对于所述二簇酸与二醋体与二面化物的合计量1摩尔， 使所述二胺为0.5摩尔~4摩尔、优选为1摩尔~2摩尔。所述聚合中，优选为将所述混合溶液 在50°C~200°C下加热1小时~72小时。
[0236] 聚苯并恶挫(A5-1)例如可通过W下方式合成:利用所述方法合成聚苯并恶挫前体 (A5-2)后，将该聚苯并恶挫前体(A5-2)进行脱水、环化。
[0237] 聚苯并恶挫前体(A5-2)的环化反应可应用公知的方法。加热环化反应的情况下， 优选为将含有聚苯并恶挫前体(A5-2)的溶液于150°C~400°C下加热1小时~16小时。视需 要也可一面使用甲苯、二甲苯、均Ξ甲苯等共沸溶剂将体系内的水去除一面进行加热环化 反应。
[0238] 另外，就保存稳定性的观点而言，优选为将聚苯并恶挫及其前体的末端基封端。封 端剂例如可列举:马来酸酢、5-降冰片締-2,3-二簇酸酢等二簇酸酢。例如优选为合成含有 式(a5-2)所表示的结构单元的聚苯并恶挫前体后，使用封端剂将所述前体中所含的末端氨 基W酷胺的形式封端。
[0239] 《聚締控(A6)》
[0240] 聚締控(A6)例如可列举具有质子性极性基的环状締控聚合物。所谓质子性极性 基，是指氨原子直接键结于属于元素周期表第15族或第16族的原子上的原子团。属于元素 周期表第15族或第16族的原子优选为属于元素周期表第15族或第16族的第2周期或第3周 期的原子，更优选为氧原子、氮原子或硫原子，尤其优选为氧原子。
[0241] 质子性极性基例如可列举:径基、簇基(径基幾基）、横酸基、憐酸基等含氧原子的 极性基;一级氨基、二级氨基、一级酷胺基、二级酷胺基(酷亚胺基)等含氮原子的极性基;硫 醇基等含硫原子的极性基。运些基团中，优选为含氧原子的极性基，更优选为径基、簇基，进 而优选为酪性径基、簇基，尤其优选为簇基。
[0242] 另外，W下的说明中，质子性极性基W外的极性基例如可列举:酷氧基、烷氧基幾 基、芳氧基幾基、面素原子、氯基、烷氧基、Ξ级氨基、（甲基)丙締酷基、幾基、横酷基、N-取代 酷亚胺基、环氧基、幾氧基幾基（二簇酸酸酢结构）。运些基团中，优选为酷氧基、烷氧基幾 基、芳氧基幾基、N-取代酷亚胺基、面素原子及氯基，更优选为酷氧基、烷氧基幾基、芳氧基 幾基及N-取代酷亚胺基，尤其优选为N-取代酷亚胺基。
[0243] 所谓环状締控聚合物，为具有脂环、芳香环等环状结构与碳-碳双键的环状締控的 均聚物或共聚物。环状締控聚合物也可含有由环状締控W外的单体所衍生的结构单元。
[0244] W下，将由单体A所衍生的结构单元也称为"单体A单元"。
[0245] 环状締控聚合物的所有结构单元中，环状締控单元的含有比例通常为30质量％~ 100质量％，优选为50质量％~100质量％，更优选为70质量％~100质量％。
[0246] 具有质子性极性基的环状締控聚合物中，具有质子性极性基的单体单元与除此W 外的单体单元的比率(具有质子性极性基的单体单元/除此W外的单体单元质量比计而 通常为100/0~10/90,优选为90/10~20/80,更优选为80/20~30/70。
[0247] 具有质子性极性基的环状締控聚合物中，质子性极性基可键结于环状締控单元， 也可键结于环状締控W外的单体单元，优选为键结于环状締控单元。
[0248] 形成具有质子性极性基的环状締控聚合物的单体例如可列举:具有质子性极性基 的环状締控(a)、具有质子性极性基W外的极性基的环状締控(b)、不具有极性基的环状締 控(C)、环状締控W外的单体(d)。单体(d)也可具有质子性极性基或除此W外的极性基，也 可完全不具有极性基。将所述环状締控（a)~环状締控（C)也分别称为"单体（a)~单体 (C)"。
[0249] 具有质子性极性基的环状締控聚合物优选为包含单体(a)、选自单体(b)及单体 (C)中的至少一种、w及视需要的单体(d)，进而优选为包含单体(a)、单体(b)及视需要的单 体(d)。
[0250] 单体(a)例如可列举下述式所表示的环状締控。
[0251] [化26]
[0 巧 2]
[0巧引式(曰6-1)中，R31~R34分别独立地为氨原子或-Xn-R35eX为二价有机基。η为0或IcRas 为烷基、芳香族基或所述质子性极性基，烷基及芳香族基也可分别具有取代基。R3i~R34中 至少一个为R3S为质子性极性基的-Xn-Ras基。m为0~2的整数，优选为0或UX的二价有机基例 如可列举:亚甲基、亚乙基等碳数1~18的亚烷基，亚苯基等碳数6~24的亚芳基。
[0254] R3S的烷基例如为直链状或分支状的碳数1~18的烷基，其具体例可列举：甲基、乙 基、正丙基、异丙基。R5的芳香族基例如为碳数6~24的芳香族基，其具体例可列举苯基等芳 基、苄基等芳烷基。
[0255] R31优选为簇基或径基苯基等碳数6~24的径基芳基，更优选为簇基。R32优选为氨 原子、甲基等碳数1~18的烷基、或簇基甲基等碳数2~18的簇基烷基。R33及R34优选为氨原 子。
[0256] 单体(a)例如可列举8-簇基四环[4.4.0.12'5.i7'id]十二-3-締。
[0257] 单体(a)可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[0258] 单体(b)例如可列举下述式所表示的环状締控。
[0 巧9][化 27]
[0260]
[0261] 式(b6-l)中，Rbi为所述质子性极性基W外的极性基，优选为乙酷氧基等碳数2~12 的酷氧基，甲氧基幾基、乙氧基幾基、正丙氧基幾基、异丙氧基幾基、正了氧基幾基、2，2，2- Ξ氣乙氧基幾基等碳数2~12的烷氧基幾基，苯氧基幾基等碳数7~24的芳氧基幾基，氯基 或氯原子等面素原子。护2为氨原子或甲基等碳数1~18的烷基。Rbs及rM为氨原子。m为0~2 的整数，优选为0或1。
[0262] 另外，Rbi~rM也能W任意的组合而与运些所键结的2个碳原子一起形成含有氧原 子或氮原子作为成环原子的3员~5员的杂环结构。
[0263] 3员杂环结构可列举环氧结构等。5员杂环结构可列举:二簇酸酢结构[-C( =0)-0- C( = 0)-]、二簇基酷亚胺结构[-C(=0)-NRb5-C(=0)-]等。Rbs为苯基、糞基、蔥基等等碳数6 ~24的芳基。运些结构中，优选为二簇基酷亚胺结构。
[0264] 单体(b)例如可列举N-苯基-(5-降冰片締 -2,3-二簇基酷亚胺）。
[02化]单体(b)可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[0266] 单体（c)例如可列举：双环[2.2.1]庚-2-締（惯用名：降冰片締）、5-乙基-双环 [2.2.1 ]庚-2-締、5-下基-双环[2.2.1 ]庚-2-締、5-亚乙基-双环[2.2.1 ]庚-2-締、5-次甲 基-双环[2.2.1 ]庚-2-締、5-乙締基-双环[2.2.1 ]庚-2-締、二环[4.3.0. l2'5]癸-3，7-二締 (惯用名：二环戊二締）、四环[8.4.0.111'14.03'7]十五-3,5,7，12，11-五締、四环[4.4.0.12' 5.17'10]癸-3-締(惯用名：四环十二締）、8-甲基-四环[4.4.0.12'5.1 7'10]十二-3-締、8-乙基- 四环[4.4.0.l2'5.l7'lD]十二-3-締、8-次甲基-四环[4.4.0.l2'5.l7'lD]十二-3-締、8-亚乙基- 四环[4.4.0.l2'5.l7'lD]十二-3-締、8-乙締基-四环[4.4.0.l2'5.l7'lD]十二-3-締、8-丙締基- 四环[4.4.0.12'5.17'10]十二-3-締、五环[6.5.1.13'6.02'7.09'13]十五-3，1〇-二締、环戊締、环 戊二締、1,4-甲桥-1，4,4曰，5，10，10曰-六氨蔥、8-苯基-四环[4.4.0.12'5.17'10]十二-3-締、 四环[9.2.1.02'10.03'8]十四-3,5,7，12-四締（也称为 1,4-甲桥-l，4,4a，9a-四氨-9H-巧）、 五环[7.4.0.13'6.11日'13.02'7]十五-4，11-二締、五环[9.2.1.14'7.02'1。.03'8]十五-5，12-二 締。
[0267] 单体(C)可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[026引环状締控W外的单体(d)例如可列举链状締控。链状締控例如可列举:乙締;丙締、 1-下締、1-戊締、1-己締、3-甲基-1-下締、3-甲基-1-戊締、3-乙基-1-戊締、4-甲基-1-戊締、 4-甲基-1-己締、4,4-二甲基-1-己締、4,4-二甲基-1-戊締、4-乙基-1-己締、3-乙基-1-己 締、1-辛締、1-癸締、1-十二締、1-十四締、1-十六締、1-十八締、1-二十締等碳数2~20的α- 締控山4-己二締、4-甲基-1,4-己二締、5-甲基-1,4-己二締、1,5-己二締、1,7-辛二締等非 共辆二締。
[0269] 单体(d)可单独使用一种，也可组合使用两种W上。
[0270] 具有质子性极性基的环状締控聚合物可通过使单体(a)视需要与选自单体(b)~ 单体(d)中的至少一种单体一起进行聚合而获得。也可将通过聚合所得的聚合物进一步氨 化。经氨化的聚合物也包括在具有质子性极性基的环状締控聚合物中。
[0271] 用W使单体(a)与视需要的选自单体(b)~单体(d)中的至少一种单体一起进行聚 合的聚合方法只要依照常法即可，例如可列举开环聚合法及加成聚合法。
[0272] 聚合催化剂例如可优选地使用钢、钉、饿等的金属络合物。运些聚合催化剂可单独 使用一种，也可组合使用两种W上。
[0273] 关于聚合催化剂的量，W聚合催化剂中的金属化合物:环状締控的摩尔比计而通 常为1:100~1:2,000,000、优选为1:500~1:1，000,000、更优选为1:1，000~1:500,000的 范围。
[0274] 将所述单体聚合所得的聚合物的氨化通常是使用氨化催化剂来进行。氨化催化剂 例如可使用在締控化合物的氨化时通常所使用者。具体可列举:齐格勒(Ziegler)型的匀相 系催化剂、贵金属络合物催化剂、承载型贵金属系催化剂。
[0275] 运些氨化催化剂中，就不引起官能基改性等副反应、可将聚合物中的碳-碳不饱和 键选择性地氨化的方面而言，优选为锭、钉等的贵金属络合物催化剂，尤其优选为供电子性 高的含氮杂环式碳締化合物(carbene compound)或麟类配位的钉催化剂。
[0276] 具有质子性极性基的环状締控聚合物也可利用W下方法而获得:对不具有质子性 极性基的环状締控聚合物利用公知的改性剂而导入质子性极性基，视需要进行氨化。氨化 也可对质子性极性基导入前的聚合物进行。另外，也可将具有质子性极性基的环状締控聚 合物进一步改性而导入质子性极性基。
[0277] 不具有质子性极性基的环状締控聚合物例如可通过使选自单体(b)~单体(C)中 的至少一种单体与视需要的单体(d)进行聚合而获得。
[0278] 用W导入质子性极性基的改性剂通常可使用一分子内具有质子性极性基与反应 性的碳-碳不饱和键的化合物。此种化合物例如可列举：丙締酸、甲基丙締酸、白巧酸 (angelic acid)、甘菊花酸（tiglic acid)、油酸、反油酸（elaidic acid)、芥酸（erucic acid)、芸苔酸（brassidic acid)、马来酸、富马酸、巧康酸、中康酸、衣康酸、阿托酸 (atropic acid)、肉桂酸等不饱和簇酸;締丙醇、甲基乙締基甲醇、己豆醇、甲基締丙醇、1- 苯基乙締-1-醇、2-丙締-1-醇、3-下締-1-醇、3-下締-2-醇、3-甲基-3-下締-1-醇、3-甲基- 2-下締-1-醇、2-甲基-3-下締-2-醇、2-甲基-3-下締-1-醇、4-戊締-1-醇、4-甲基-4-戊締- 1-醇、2-己締-1-醇等不饱和醇。
[0279] 使用所述改性剂的环状締控聚合物的改性反应只要依照常法进行即可，通常在自 由基产生剂的存在下进行反应。
[0280] 具有质子性极性基的环状締控聚合物例如优选为含有式(A6-1)所表示的结构单 元的聚合物，更优选为含有式(A6-1)所表示的结构单元及式(A6-2)所表示的结构单元的聚 合物。
[0281] [化28]
[0282]
[0巧引式(A6-1)中，R3i~R34及m与式(曰6-1)中的相同记号为相同含意。式(A6-2)中，Rbi~ RM及m与式化6-1)中的相同记号为相同含意。
[0284] 《卡多树脂(A7)》
[0285] 卡多树脂(A7)为具有卡多结构的树脂。所谓卡多结构，是指在构成环状结构的环 碳原子上键结有2个环状结构的骨架结构。卡多结构的通常的结构可列举:在巧环的9位的 碳原子上键结有2个芳香环(例如苯环)的结构。
[0286] 就碱可溶性的观点而言，卡多树脂优选为使用具有选自簇基及酪性径基中的至少 一种基团的卡多树脂。
[0287] 在构成环状结构的环碳原子上键结有2个环状结构的骨架结构的具体例可列举： 9,9-双(苯基)巧骨架、9,9-双(径基苯基)巧骨架、9,9-双(氯基苯基或氨基烷基苯基)巧骨 架、具有环氧基的9,9-双(苯基)巧骨架、具有（甲基)丙締酸基的9,9-双(苯基)巧骨架。
[0288] 卡多树脂是具有该卡多结构的骨架通过键结于其的官能基间的反应等进行聚合 而形成。卡多树脂例如具有主链与作为大体积侧链的环状结构经1个元素连结的结构(卡多 结构），相对于主链而在大致垂直方向上具有环状结构。
[0289] 卡多树脂例如为将具有卡多结构的单体聚合所得的聚合物，也可为与其他可共聚 合的单体的共聚物。所述单体的聚合方法只要依照常法即可，例如可采用开环聚合法或加 成聚合法等。
[0290] 卡多树脂例如可列举具有卡多结构的单体的聚合物。
[0291] 具有卡多结构的单体例如可列举:9,9-双(4-缩水甘油氧基苯基）巧、9,9-双[4- (2-缩水甘油氧基乙氧基)苯基]巧等含卡多结构的环氧化合物;下述式所表示的化合物等 含卡多结构的（甲基）丙締酸系化合物;9,9-双(4-径基苯基)巧、9,9-双(4-径基-3-甲基苯 基)巧等含卡多结构的双酪类。
[0292] [化 29]
[0293]
[0294] 式中，A为亚乙基、亚丙基等碳数2~6的亚烷基，所述亚烷基也可具有径基，可列举 2-径基-1,3-丙烷二基等，R为氨原子或甲基，p、q为1~30的整数。
[0295] 就碱可溶性的观点而言，W上例示的具有卡多结构的单体也可在巧环上或键结于 巧环的9位的碳原子的芳香环上具有选自簇基及酪性径基中的至少一种基团。
[0296] 卡多树脂也可使用市售品。例如可列举:大阪瓦斯化学(股)制造的奥格索(Ogsol) CR-TR1、奥格索（0gsol)CR-TR2、奥格索（0gsol)CR-TR3、奥格索（0gsol)CR-TR4、奥格索 (0gsol)CR-TR5、奥格索(0gsol)CR-TR6等具有卡多结构的聚醋化合物。
[0297] [感光剂(B)]
[029引感光剂(B)例如可列举光酸产生剂、光自由基聚合引发剂。感放射线性材料通过含 有感光剂(B)，可发挥感放射线特性，且可具有良好的放射线灵敏度。
[0299] 感光剂(B)可单独使用一种，也可并用两种W上。
[0300] 相对于聚合物(A)IOO质量份，感放射线性材料中的感光剂(B)的含量通常为5质量 份~100质量份，优选为10质量份~65质量份，更优选为15质量份~60质量份。通过将感光 剂(B)的含量设定为所述范围，可增大放射线的照射部分与未照射部分在成为显影液的碱 性水溶液等中的溶解度的差，提高图案化性能。
[0301 ]《光酸产生剂》
[0302] 光酸产生剂为通过包括放射线的照射的处理而产生酸的化合物。放射线例如可列 举可见光线、紫外线、远紫外线、X射线、带电粒子束。
[0303] 光酸产生剂例如可列举:酿二叠氮化合物、朽横酸醋化合物、鐵盐、N-横酷氧基酷 亚胺化合物、含面素的化合物、重氮甲烧化合物、讽化合物、横酸醋化合物、簇酸醋化合物。 通过使用运些化合物，可获得发挥正型的感放射线特性的材料。
[0304]光酸产生剂优选为酿二叠氮化合物、朽横酸醋化合物、鐵盐、横酸醋化合物，更优 选为酿二叠氮化合物、朽横酸醋化合物，尤其优选为酿二叠氮化合物。
[03化] < 酿二叠氮化合物〉
[0306] 酿二叠氮化合物通过包括放射线的照射及使用碱性水溶液的显影的处理而产生 簇酸。酿二叠氮化合物例如可列举:酪性化合物或醇性化合物下也称为"母核"）与1,2- 糞酿二叠氮横酷面的缩合物。
[0307] 母核例如可列举:Ξ径基二苯甲酬、四径基二苯甲酬、五径基二苯甲酬、六径基二 苯甲酬、多(径基苯基)烧控、其他母核。
[0308] Ξ径基二苯甲酬例如可列举:2，3，4-Ξ径基二苯甲酬、2，4，6-Ξ径基二苯甲酬。
[0309] 四径基二苯甲酬例如可列举，4，少-四径基二苯甲酬、2,3,4,3/-四径基二苯 甲酬、2,3,4，少-四径基二苯甲酬、2,3,4,2/-四?基-4/-甲基二苯甲酬、2,3,4,4/-四?基- 3/-甲氧基二苯甲酬。
[0310] 五哲基二苯甲酬例如可列举2,3，4,2/瓜-五径基二苯甲酬。
[0311] 六径基二苯甲酬例如可列举：2,4,6,3/，少，5^-六径基二苯甲酬、3,4,5,3/，少， 5/-六径基二苯甲酬。
[0312] 多巧圣基苯基)烧控例如可列举:双(2,4-二径基苯基）甲烧、双(对径基苯基）甲烧、 Ξ(对径基苯基）甲烧、(对径基苯基）乙烧、双（2,3,4-Ξ径基苯基）甲烧、2,2-双 (2,3,4-;径基苯基)丙烷、l，l，3-ミ(2,5-二甲基-4-?基苯基)-3-苯基丙烷、4,4'-[l-{4- α-[4-?基苯基]-1-甲基乙基）苯基}亚乙基]双酪、双(2,5-二甲基-4-?基苯基)-2-?基 苯基甲烧、3,3,3'，3'-四甲基-1,1'-螺二巧-5,6,7,5' ,6'，7'-己醇、2,2,4-Ξ甲基-7,2'， 4'径基黄烧。
[0313] 其他母核例如可列举:2-甲基-2-(2,4-二径基苯基)-4-(4-?基苯基)-7-径基苯 并二氨化喃、1-[1-{3-(1-[4-径基苯基]-1-甲基乙基)-4,6-二径基苯基}-1-甲基乙基]-3- [1-{3-(1-[4-径基苯基]-1-甲基乙基)-4,6-二径基苯基}-1-甲基乙基]苯、4,6-双{1-(4- 径基苯基)-1-甲基乙基}-1,3-二径基苯。
[0314] 运些母核中，优选为2,3,4,4/-四径基二苯甲酬、(对径基苯基）乙烧、4， 4'-[1-{4-(1-[4-径基苯基]-1-甲基乙基)苯基}亚乙基]双酪。
[0315] 1,2-糞酿二叠氮横酷面优选为1,2-糞酿二叠氮横酷氯。1,2-糞酿二叠氮横酷氯例 如可列举1，2-糞酿二叠氮-4-横酷氯、1，2-糞酿二叠氮-5-横酷氯，优选为1，2-糞酿二叠氮- 5-横酷氯。
[0316] 在酪性化合物或醇性化合物(母核)与1,2-糞酿二叠氮横酷面的缩合反应中，相对 于酪性化合物或醇性化合物中的0Η基数，可使用相当于优选为30摩尔％~85摩尔％、更优 选为50摩尔％~70摩尔％的1,2-糞酿二叠氮横酷面。缩合反应可利用公知的方法来实施。
[0317] 酿二叠氮化合物也可优选地使用将所例示的母核的醋键变更为酷胺键的1,2-糞 酿二叠氮横酸酷胺类、例如2,3,4-Ξ氨基二苯甲酬-1,2-糞酿二叠氮-4-横酸酷胺等。
[0；318] <其他例〉
[0319]目亏横酸醋化合物的具体例例如可列举：日本专利特开2011-227106、日本专利特开 2012-234148、日本专利特开2013-054125等的公报中记载的化合物。鐵盐的具体例例如可 列举：日本专利第5208573号、日本专利第5397152号、日本专利第5413124号、日本专利特开 2004-2110525号、日本专利特开2008-129423号、日本专利特开2010-215616号及日本专利 特开2013-228526号等的公报中记载的化合物。
[0320] 其他酸产生剂的具体例例如可列举：日本专利第49242256号、日本专利特开2011- 064770号、日本专利特开2011-232648号、日本专利特开2012-185430号、日本专利特开 2013-242540号等的公报中记载的化合物。
[0321] 《光自由基聚合引发剂》
[0322] 通过使用光自由基聚合引发剂作为感光剂(B)，且使用后述的含聚合性碳-碳双键 的化合物等交联剂(D)，可获得发挥负型的感放射线特性的材料。
[0323] 光自由基聚合引发剂例如可列举双(2,4-二氯苯基)-4,5，少，5^-四苯基- 1，2'-联咪挫、2，2'-双(2-氯苯基)-4，5，4'，5'-四苯基-1，2'-联咪挫、2，2'-双(2，4-二氯苯 基)-4,5,4'，5'-四苯基-1，2'-联咪挫、2,2'-双(2,4-二甲基苯基)-4,5,4'，5'-四苯基-1， 2/ -联咪挫、2，2/ -双（2-甲基苯基）-4，5，少，5/ -四苯基-1，2/ -联咪挫、2，2/ -二苯基-4，5， 少，5/-四苯基-1,2/-联咪挫等联咪挫化合物;二乙氧基苯乙酬、2-(二甲基氨基)-2-[ (4-甲 基苯基）甲基]-1-[4-(4-吗嘟基)苯基]-1-下酬等烷基苯酬化合物;2,4,6-Ξ甲基苯甲酯基 二苯基麟氧化物等酷基麟氧化物化合物;2,4-双(Ξ氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1，3,5-Ξ 嗦、2,4-双(Ξ氯甲基)-6-(4-甲氧基糞基)-1，3,5-Ξ嗦等Ξ嗦化合物；W及安息香等安息 香化合物;二苯甲酬、邻苯甲酯基苯甲酸甲醋、4-苯基二苯甲酬等二苯甲酬化合物。
[0324] [树脂（C)]
[0325] 树脂(C)为选自酪醒清漆树脂、可溶酪醒树脂及可溶酪醒树脂的缩合物中的至少 一种。运些树脂中，就具有良好的碱可溶性(显影性)的方面而言，优选为酪醒清漆树脂。
[0326] 树脂(C)为通过加热而呈色的物质。可推测，在后述绝缘膜的形成方法中，曝光前 由含有树脂(C)的感放射线性材料所形成的涂膜自身在波长300nm~400nm下不具有遮光 性，但通过曝光及显影后的加热而树脂(C)酬化，所得的绝缘膜在所述波长下具有遮光性。 通过使用此种树脂(C)，感放射线性材料可同时实现遮光性的赋予与碱显影性。
[0327] 例如，可在预烘烤时的加热溫度即60°C~130°C左右不赋予所述遮光性，且在后烘 烤时的加热溫度即超过130°C且为300°C W下左右赋予所述遮光性。
[0328] 酪醒清漆树脂例如可列举含有式(C1)所表示的结构单元的酪醒清漆树脂。
[0329] [化 30]
[0330]
[0331] 式(C1)中，A为具有酪性径基的二价芳香族基，Ri为亚甲基、碳数2~30的亚烷基、 碳数4~30的二价脂环式控基、碳数7~30的亚芳烷基或-R2-Ar-R2-所表示的基团(Ar为二价 芳香族基，R2分别独立地为亚甲基或碳数2~20的亚烷基）。另外，所述亚甲基所具有的1个 氨原子也可经环戊二締基、芳香族环、含芳香族环的基团或含有氮原子、硫原子、氧原子等 的杂环取代。
[0332] r1中碳数2~30的亚烷基例如可列举:亚乙基、亚丙基、亚下基、亚戊基、亚己基、亚 辛基、亚壬基、亚癸基、亚^^一烷基、亚十二烷基、亚十四烷基、亚十六烷基、亚十八烷基、亚 十九烷基、亚二十烷基、亚二^^一烷基、亚二十二烷基、亚二十Ξ烷基、亚二十四烷基、亚二 十五烷基、亚二十六烷基、亚二十屯烷基、亚二十八烷基、亚二十九烷基、亚Ξ十烷基。
[0333] Ri中碳数4~30的二价脂环式控基例如可列举:环下烧二基、环戊烧二基、环己烧 二基、环辛烧二基。
[0334] Ri中碳数7~30的亚芳烷基例如可列举:亚苄基、亚苯乙基、苄基亚丙基、亚糞基亚 甲基。
[0335] Ri中-R2-Ar-R2-所表示的基团例如可列举-C此-Ph-C此-所表示的基团（Ph为亚苯 基)。
[0336] A中具有酪性径基的二价芳香族基例如可列举:具有酪性径基的苯环、具有酪性径 基的缩合多环式芳香族基。具有酪性径基的缩合多环式芳香族基例如为将缩合多环式芳香 族控基所含的键结于芳香环碳上的氨原子的一部分或全部取代为径基而成的基团。缩合多 环式芳香族控基例如可列举:糞环、蔥环、菲环。
[0337] 具有酪性径基的二价芳香族基具体而言优选为式(cl-1)、式(cl-2)、式(cl-3)或 式(cl-4)所表示的二价基。
[033引[化 31]
[0339]
[0340] 式(cl-1)~式(cl-4)中的各记号的含意如下。
[0%1] al为1~4的整数。bl为0~3的整数。曰2~曰5及b2~b5分别独立地为0~4的整数。曰6 及b6为0~2的整数。
[0342] 其中，a化日3为1W上、6 W下的整数，b化b3为0W上、5W下的整数，a化a3+b化b3为！ W上、6W下的整数;a4+a5+a6为上、8W下的整数，b4+b5+b6为0W上、7W下的整数，日4+ a5+a6+b4+b5+b6为1W上、8W下的整数。另外，1 < al+bl < 4，a化b2 < 4，a3+b3 < 4，a4+b4 < 4，a5+b5<4，a6+b6<2。
[0343] a 1、a2+a3、a4+a5+a6分别优选为1~3的整数。
[0344] R为碳数1~20、优选为碳数1~10的控基或碳数1~20、优选为碳数1~10的烧氧 基，在R存在多个的情形时可分别相同也可不同。控基例如可列举：甲基、丙基、异丙基、叔下 基等烷基。烷氧基例如可列举甲氧基。
[0345] 式（cl-1)~式(cl-4)中，-OH及-R的键结位置并无特别限定，2个-Ri-的键结位置 也无特别限定。例如，2个-Ri-可键结于不同的苯核(例如下述式（1))，也可键结于相同的苯 核(例如下述式(2))。式中，*为结合键。下述式(1)、式(2)为关于式山1-2)的具体例，式kl- 3)、式(cl-4)也相同。再者，为方便起见，省略苯核上的取代基。
[0346] [化 32]
[0；347]
[0348] 所述A中，与-Ri-的键结位置例如优选为相对于所述A所含的径基而为邻位和/或 对位。
[0349] 就赋予遮光性或耐热性及碱显影性的观点而言，所述A优选为式山1-2)、式山1-3) 或式(cl-4)所表示的基团，更优选为式(cl-2)或式(cl-3)所表示的基团。
[0350] 就具有良好的碱可溶性(显影性)的方面而言，树脂(C)优选为酪醒清漆树脂。通过 使感放射线性材料中含有碱可溶性的酪醒清漆树脂，可获得解析性良好的感放射线性材 料。
[0351] 酪醒清漆树脂例如可通过W下方式获得:使酪类与醒类在酸催化剂的存在下缩 合，视需要将未反应的成分蒸馈去除。关于反应条件，在溶剂中使酪类与醒类通常在60°C~ 200°C下反应1小时~20小时左右。例如可利用日本专利特公昭47-15111号公报、日本专利 特开昭63-238129号公报等中记载的方法来合成。
[0352] 可溶酪醒树脂例如可通过W下方式获得:使酪类与醒类在碱催化剂的存在下缩 合，视需要将未反应的成分蒸馈去除。关于反应条件，在溶剂中使酪类与醒类通常在40°C~ 120°C下反应1小时~20小时左右。如此，例如可获得在酪类所含的芳香环上键结有来源于 醒类的基团（例如-Ri-〇H，Ri与式(C1)中的Ri为相同含意）的可溶酪醒树脂。可溶酪醒树脂的 缩合物可通过W下方式获得:对可溶酪醒树脂加热或添加酸，由此进行脱水缩合反应。该反 应是通过可溶酪醒树脂所含的来源于醒类的基团脱水缩合而进行。在通过加热来进行所述 反应的情形时，使可溶酪醒树脂或其溶液通常在60°C~200°C下反应1小时~20小时左右。 可溶酪醒树脂及其缩合物例如可利用日本专利第3889274号公报、日本专利第4013111号公 报、日本专利特开2010-111013号公报等中记载的方法来合成。
[0353] 酪类例如可列举：
[0354]径基数为1~4、优选为1~：3且苯核数为1的化合物，具体而言苯酪、邻甲酪、间甲 酪、对甲酪、2,3-二甲基苯酪、2,5-二甲基苯酪、3,4-二甲基苯酪、3,5-二甲基苯酪、2,4-二 甲基苯酪、2,6-二甲基苯酪、2,3,5-Ξ甲基苯酪、2,3,6-Ξ甲基苯酪、2-叔下基苯酪、3-叔下 基苯酪、4-叔下基苯酪、2-甲基间苯二酪、4-甲基间苯二酪、5-甲基间苯二酪、4-叔下基邻苯 二酪、2-甲氧基苯酪、3-甲氧基苯酪、2-丙基苯酪、3-丙基苯酪、4-丙基苯酪、2-异丙基苯酪、 2-甲氧基-5-甲基苯酪、2-叔下基-5-甲基苯酪、2-异丙基-5-甲基苯酪、5-异丙基-2-甲基苯 酪；
[03W]径基数为1~6、优选为1~3且苯核数为2的化合物（糞型化合物），具体而言1-糞 酪、2-糞酪等单径基糞，1，2-二径基糞、1，3-二径基糞、1，4-二径基糞、1，5-二径基糞、1，6- 二径基糞、1，7-二径基糞、1，8-二径基糞、2，3-二径基糞、2，6-二径基糞、2，7-二径基糞等二 径基糞；
[0356] 径基数为1~8、优选为1~3且苯核数为3的化合物(蔥型化合物或菲型化合物），具 体而言1-径基蔥、2-径基蔥、9-径基蔥等单径基蔥，1,4-二径基蔥、9,10-二径基蔥等二径基 蔥，1，2，10-Ξ径基蔥、1，8，9-Ξ径基蔥、1，2，7-Ξ径基蔥等Ξ径基蔥，1-径基菲等径基菲。
[0357] 醒类例如可列举：甲醒、多聚甲醒、乙醒、苯甲醒、对苯二甲醒。
[0358] 在树脂(C)的合成时，相对于酪类1摩尔，醒类的使用量通常为0.3摩尔W上，优选 为0.4摩尔~3摩尔，更优选为0.5摩尔~2摩尔。
[0359] 酪醒清漆树脂的合成时的酸催化剂例如可列举:盐酸、对甲苯横酸、Ξ氣甲横酸。 可溶酪醒树脂的合成时的碱催化剂例如可列举氨水、Ξ级胺。
[0360] 树脂(C)的聚苯乙締换算的重量平均分子量(Mw)W利用凝胶渗透色谱(GPC)法所 测定的值计，通常为100~50,000，优选为150~10,000，更优选为500~6,000。1*在所述范 围内的树脂(C)就遮光性及解析性的方面而言优选。例如酪醒清漆树脂的所述Mw优选为500 ~50，000，更优选为700~5，000，进而优选为800~3，000。
[0361] 树脂(C)可单独使用一种也可并用两种W上。
[0362] 感放射线性材料中，相对于聚合物(A)IOO质量份，树脂(C)的含量通常为2质量份 ~200质量份，优选为3质量份~160质量份，更优选为4质量份~140质量份，尤其优选为10 质量份~100质量份。若树脂(C)的含量为所述范围的下限值W上，则容易发挥基于树脂(C) 的遮光性及显影性赋予的效果。若树脂(C)的含量为所述范围的上限值W下，则引起绝缘膜 的低吸水性的劣化及耐热性的降低的可能性小。
[03创巧联剂(D)]
[0364] 交联剂(D)为具有交联性官能基的化合物。交联剂(D)例如可列举一分子中具有2 个W上的交联性官能基的化合物。
[0365] 在使用包含感放射线性材料的绝缘膜作为有机化元件的构成要素的情形时，有机 化元件中，若有机发光层与水分接触则劣化，故优选为使用交联剂(D)来减小绝缘膜的吸水 性。另外，通过使用光自由基聚合引发剂作为感光剂(B)，且使用含聚合性碳-碳双键的化合 物作为交联剂(D)，可获得负型的感放射线性材料。
[0366] 交联性官能基例如可列举:异氯酸醋基及封闭异氯酸醋基、氧杂环下基、缩水甘油 酸基、缩水甘油醋基、缩水甘油氨基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、节氧基甲基、乙酷氧基甲基、 苯甲酯氧基甲基、甲酯基、乙酷基、二甲基氨基甲基、二乙基氨基甲基、二径甲基氨基甲基、 二径乙基氨基甲基、吗嘟基甲基；乙締基、亚乙締基、（甲基)丙締酷基等具有聚合性碳-碳双 键的基团。
[0367]交联剂(D)例如可列举:含氧杂环下基的化合物、双酪A系环氧化合物、双酪F系环 氧化合物、双酪S系环氧化合物、酪醒清漆树脂系环氧化合物、可溶酪醒树脂系环氧化合物、 聚巧圣基苯乙締)系环氧化合物、含甲氧基甲基的酪化合物、含径甲基的Ξ聚氯胺化合物、含 径甲基的苯并脈胺化合物、含径甲基的脈化合物、含径甲基的酪化合物、含烷氧基烷基的Ξ 聚氯胺化合物、含烷氧基烷基的苯并脈胺化合物、含烷氧基烷基的脈化合物、含烷氧基烷基 的酪化合物、含簇基甲基的Ξ聚氯胺树脂、含簇基甲基的苯并脈胺树脂、含簇基甲基的脈树 月旨、含簇基甲基的酪树脂、含簇基甲基的Ξ聚氯胺化合物、含簇基甲基的苯并脈胺化合物、 含簇基甲基的脈化合物、含簇基甲基的酪化合物、含聚合性碳-碳双键的化合物。
[036引含氧杂环下基的化合物例如可列举:4,4-双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]联苯、 3,7-双(3-氧杂环下基)-5-氧杂壬烧、3,3'-[1,3-(2-甲締基)丙烷二基双(氧基亚甲基）]双 (3-乙基氧杂环下烧）、1,4-双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲氧基甲基]苯、1,2-双[(3-乙基- 3-氧杂环下基）甲氧基甲基化烧、1,3-双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲氧基甲基]丙烷、乙二 醇双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、二环戊締基双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、 Ξ乙二醇双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、四乙二醇双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基] 酸、Ξ环癸烧二基二亚甲基双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、Ξ径甲基丙烷Ξ[ (3-乙 基-3-氧杂环下基）甲基]酸、1,4-双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲氧基]下烧、1,6-双[(3-乙 基-3-氧杂环下基）甲氧基]己烧、季戊四醇Ξ[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、季戊四醇 四[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、聚乙二醇双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、二季 戊四醇六[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、二季戊四醇五[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基] 酸、二季戊四醇四[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸。
[0369] 含氧杂环下基的化合物进而可列举：二季戊四醇六[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲 基]酸与己内醋的反应产物、二季戊四醇五[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸与己内醋的反 应产物、二-Ξ径甲基丙烷四[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸、双酪A双[(3-乙基-3-氧杂 环下基）甲基]酸与环氧乙烧的反应产物、双酪A双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸与环氧 丙烷的反应产物、氨化双酪A双[(3-乙基-3-氧杂环下基）甲基]酸与环氧乙烧的反应产物、 氨化双酪A双[(3-乙基-3.-氧杂环下基）甲基]酸与环氧丙烷的反应产物、双酪F双[(3-乙 基-3-氧杂环下基）甲基]酸与环氧乙烧的反应产物。
[0370] 交联剂(D)例如也可列举具有异氯酸醋基经保护基封闭的基团的化合物。将所述 化合物也称为"封闭异氯酸醋化合物"。将异氯酸醋基经保护基封闭的基团也称为"封闭异 氯酸醋基"。
[0371] 封闭异氯酸醋化合物例如可列举：日本专利特开2013-225031号公报、日本专利第 5132096号公报、日本专利第5071686号公报、日本专利特开2013-223859号公报、日本专利 第5199752号公报、日本专利特开2003-41185号公报、日本专利第4879557号公报、日本专利 特开2006-119441号公报中记载的化合物。
[0372] 含聚合性碳-碳双键的化合物例如可列举多官能（甲基)丙締酸醋，具体可列举:乙 二醇二（甲基)丙締酸醋、二乙二醇二（甲基)丙締酸醋、聚乙二醇二（甲基)丙締酸醋、丙二醇 二（甲基)丙締酸醋、下二醇二（甲基)丙締酸醋、己二醇二（甲基)丙締酸醋、环己烧二甲醇二 (甲基)丙締酸醋、双酪A环氧烧二（甲基)丙締酸醋、双酪F环氧烧二（甲基)丙締酸醋、Ξ径甲 基丙烷立（甲基)丙締酸醋、二-立径甲基丙烷四（甲基)丙締酸醋、甘油立（甲基)丙締酸醋、 季戊四醇四（甲基)丙締酸醋、二季戊四醇五（甲基)丙締酸醋、二季戊四醇六（甲基)丙締酸 醋、环氧乙烧加成Ξ径甲基丙烷Ξ(甲基）丙締酸醋、环氧乙烧加成二-Ξ径甲基丙烷四（甲 基）丙締酸醋、环氧乙烧加成季戊四醇四（甲基）丙締酸醋、环氧乙烧加成二季戊四醇六（甲 基）丙締酸醋、环氧丙烷加成Ξ径甲基丙烷Ξ(甲基）丙締酸醋、环氧丙烷加成二-Ξ径甲基 丙烷四（甲基)丙締酸醋、环氧丙烷加成季戊四醇四（甲基)丙締酸醋、环氧丙烷加成二季戊 四醇六（甲基)丙締酸醋、ε-己内醋加成Ξ径甲基丙烷Ξ(甲基)丙締酸醋、ε-己内醋加成二- Ξ径甲基丙烷四（甲基）丙締酸醋、ε-己内醋加成季戊四醇四（甲基）丙締酸醋、ε-己内醋加 成二季戊四醇六（甲基)丙締酸醋。
[0373] 交联剂(D)可单独使用一种也可并用两种W上。
[0374] 感放射线性材料中，相对于聚合物(A)IOO质量份，交联剂(D)的含量通常为1质量 份~210质量份，优选为4质量份~160质量份，更优选为10质量份~150质量份，更优选为15 质量份~100质量份。若交联剂(D)的含量为所述范围的下限值W上，则有绝缘膜的低吸水 性提高的倾向。若交联剂化)的含量为所述范围的上限值W下，则有绝缘膜的耐热性提高的 倾向。
[0375] [溶剂(E)]
[0376] 溶剂化)可用于将感放射线性材料制成液状。
[0377] 溶剂化)优选为二乙二醇单烷基酸、二乙二醇二烷基酸、乙二醇单烷基酸、乙二醇 单烷基酸乙酸醋、二乙二醇单烷基酸乙酸醋、丙二醇单烷基酸乙酸醋、丙二醇单烷基酸、丙 二醇单烷基酸丙酸醋、Ξ乙二醇二烷基酸、含径基的酬、环状酸或环状醋。
[0378] 二乙二醇单烷基酸例如可列举二乙二醇单甲酸、二乙二醇单乙酸。
[03巧]二乙二醇二烷基酸例如可列举:二乙二醇二甲酸、二乙二醇二乙酸、二乙二醇乙基 甲酸。
[0380] 乙二醇单烷基酸例如可列举乙二醇单甲酸、乙二醇单乙酸。
[0381] 乙二醇单烷基酸乙酸醋例如可列举：乙二醇单甲酸乙酸醋、乙二醇单乙酸乙酸醋、 乙二醇单下酸乙酸醋。
[0382] 二乙二醇单烷基酸乙酸醋例如可列举：二乙二醇单甲酸乙酸醋、二乙二醇单乙酸 乙酸醋、二乙二醇单下酸乙酸醋。
[0383] 丙二醇单烷基酸乙酸醋例如可列举:丙二醇单甲酸乙酸醋、丙二醇单乙酸乙酸醋、 丙二醇单丙酸乙酸醋、丙二醇单下酸乙酸醋。
[0384] 丙二醇单烷基酸例如可列举:丙二醇单甲酸、丙二醇单乙酸、丙二醇单丙酸、丙二 醇单下酸。
[0385] 丙二醇单烷基酸丙酸醋例如可列举:丙二醇单甲酸丙酸醋、丙二醇单乙酸丙酸醋、 丙二醇单丙酸丙酸醋、丙二醇单下酸丙酸醋。
[03化]Ξ乙二醇二烷基酸例如可列举Ξ乙二醇二甲酸。
[0387] 含径基的酬例如可列举：丙酬醇、3-径基-3-甲基-2-下酬、4-径基-3-甲基-2-下 酬、5-径基-2-戊酬、4-径基-4-甲基-2-戊酬(二丙酬醇）。
[0388] 环状酸或环状醋例如可列举：丫-下内醋、四氨巧喃、二恶烧。
[0389] 溶剂化)进而也可列举酷胺系溶剂，例如N，N，2-S甲基丙酷胺、3-下氧基-N，N-二 甲基丙烷酷胺、3-甲氧基-N，N-二甲基丙烷酷胺、3-己氧基-N，N-二甲基丙烷酷胺、异丙氧 基-N-异丙基-丙酷胺、正下氧基-N-异丙基-丙酷胺等。
[0390] 溶剂化)尤其优选为丙二醇单甲酸乙酸醋下也称为"PGMEA(Propyleneglycol monomethylether acetate)")、丙二醇单甲酸（W下也称为 "PGME(P;ropyleneglycol monomethylether)")、二乙二醇乙基甲酸（W 下也称为"EDM (Diethyleneglycol ethylmethylether)")、二丙酬醇（W下也称为"DAA(Diacetone alcohol)" )、丫-下内醋（W 下也称为巧L(丫-butyrolactone)")。
[0391] 另外，在一实施态样中，溶剂化)优选为使用丫 -下内醋，优选为含有化的混合溶 剂。关于化的含量，在溶剂化）的合计量100质量％中，优选为70质量％ W下，更优选为20质 量％~60质量％。化优选为与选自PGMEA、PGME、EDM及DAA中的至少一种并用。通过将化的含 量设定为所述范围，有可优选地维持感放射线性材料中的聚合物(A)的溶解状态的倾向。
[0392] 溶剂化)除了所述例示的溶剂W外，视需要也可并用甲醇、乙醇、丙醇、下醇等醇溶 剂；甲苯、二甲苯等芳香族控溶剂等。
[0393] 作为溶剂化)而所述例示的溶剂与NMP相比为低吸水性。因此，所述材料可在不使 用吸水性高的NMP的情况下使用低吸水性的溶剂来制备。结果，所述材料可显示出低吸水 性。作为溶剂化)而例示的所述溶剂的安全性高，故可提高所述材料的安全性。
[0394] 在使用所述例示的溶剂作为溶剂化）的情形时，可使由所述材料形成的绝缘膜成 为低吸水性。因此，所述材料可优选地用于形成有机化元件所具有的绝缘膜。
[03M]溶剂化)可单独使用一种也可并用两种W上。
[0396] 感放射线性材料中，溶剂化)的含量为该材料的固体成分浓度通常成为5质量％~ 60质量％、优选为10质量％~50质量％、更优选为15质量％~40质量％的量。此处所谓固体 成分，是指溶剂化外的所有成分。通过将溶剂化)的含量设定为所述范围，不会损及显影 性，有由所述材料所形成的绝缘膜的低吸水性提高的倾向。
[0397] [其他任意成分]
[0398] 感放射线性材料除了所述必需成分及优选成分W外，也可在不损及本发明的效果 的范围内，视需要而含有密接助剂(F)、表面活性剂(G)等其他任意成分。其他任意成分可单 独使用也可并用两种W上。
[0399] <密接助剂(F)〉
[0400] 密接助剂(F)为使基板等膜形成对象物与绝缘膜的接着性提高的成分。尤其为了 使无机物的基板与绝缘膜的接着性提高，密接助剂(F)有用。无机物例如可列举:娃、氧化 娃、氮化娃等娃化合物;金、铜、侣等金属。
[0401] 密接助剂(F)优选为官能性硅烷偶合剂。官能性硅烷偶合剂例如可列举：具有簇 基、面素原子、乙締基、甲基丙締酷基、异氯酸醋基、环氧基、氧杂环下基、氨基、硫醇基等反 应性取代基的硅烷偶合剂。
[0402] 官能性硅烷偶合剂例如可列举:N-苯基-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、Ξ甲氧基硅烷 基苯甲酸、丫-甲基丙締酷氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、乙締基Ξ乙酷氧基硅烷、乙締基Ξ甲氧 基硅烷、丫 -异氯酸醋基丙基Ξ乙氧基硅烷、丫 -缩水甘油氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、丫 -缩水 甘油氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、丫-氯丙基Ξ烷氧基硅烷、丫-琉基丙基Ξ烷氧基硅烷、β- (3,4-环氧环己基）乙基Ξ甲氧基硅烷。运些化合物中，优选为N-苯基-3-氨基丙基Ξ甲氧基 硅烷、丫-缩水甘油氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、丫-缩水甘油氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、β- (3,4-环氧环己基）乙基Ξ甲氧基硅烷、丫-甲基丙締酷氧基丙基Ξ甲氧基硅烷。
[0403] 相对于聚合物(A)IOO质量份，感放射线性材料中的密接助剂(F)的含量优选为20 质量份W下，更优选为0.01质量份~20质量份。通过将密接助剂(F)的含量设定为所述范 围，所形成的绝缘膜与基板的密接性进一步得到改善。
[0404] <表面活性剂(G)〉
[0405] 表面活性剂(G)为提高感放射线性材料的涂膜形成性的成分。通过感放射线性材 料含有表面活性剂(G)，可提高涂膜的表面平滑性，结果，可进一步提高绝缘膜的膜厚均匀 性。表面活性剂(G)例如可列举氣系表面活性剂、娃酬系表面活性剂。
[0406] 表面活性剂(G)例如可列举日本专利特开2003-015278号公报及日本专利特开 2013-231869号公报中记载的具体例。
[0407] 相对于聚合物(A)IOO质量份，感放射线性材料中的表面活性剂(G)的含量优选为 20质量份W下，更优选为0.01质量份~15质量份，进而优选为0.05质量份~10质量份。通过 将表面活性剂(G)的含量设定为所述范围，可进一步提高所形成的涂膜的膜厚均匀性。
[040引[感放射线性材料的制备方法]
[0409] 感放射线性材料例如可通过在溶剂化）中混合聚合物(A)、感光剂(B)、树脂(C)等 必需成分及其他任意成分而制备。另外，为了去除异物，也可将各成分均匀混合后，利用过 滤器等对所得的混合物进行过滤。
[0410] [使用感放射线性材料的绝缘膜的形成方法]
[0411] 本发明的显示或照明装置所具有的绝缘膜的形成方法包括W下步骤:步骤1，使用 所述感放射线性材料在基板上形成涂膜;步骤2，对所述涂膜的至少一部分照射放射线；步 骤3，对所述经放射线照射的涂膜进行显影；W及步骤4，对所述经显影的涂膜进行加热。
[0412] 根据所述绝缘膜的形成方法，可在TFT基板上形成遮光性优异、边界部分为正圆锥 状的绝缘膜。另外，由于所述材料的感放射线性优异，故通过利用该特性的曝光、显影、加热 来形成图案，由此可容易地形成具有微细且精巧的图案的绝缘膜。
[041；3]《步骤1》
[0414] 步骤1中，将感放射线性材料涂布于基板表面上，优选为通过进行预烘烤而去除溶 剂巧），由此形成涂膜。关于所述涂膜的膜厚，可将预烘烤后的值设定为优选为0.3皿~15.0 皿、更优选为0.5皿~10.0皿、进而优选为1.0皿~5.0皿。
[0415] 基板例如可列举:树脂基板、玻璃基板、娃晶片。基板进而可列举:在制造中途的有 机化元件中例如形成有TFT或其配线的TFT基板。在制造本发明的装置的情形时，尤其在TFT 基板上形成所述涂膜。
[0416] 感放射线性材料的涂布方法例如可列举:喷雾法、漉涂法、旋涂法、狭缝模涂布法、 棒涂布法、喷墨法。运些涂布方法中，优选为旋涂法及狭缝模涂布法。
[0417] 预烘烤的条件也视感放射线性材料的组成等而不同，例如将加热溫度设定为6(TC ~13(TC、加热时间设定为30秒钟~15分钟左右。预烘烤优选为在不对涂膜赋予基于树脂 (C)的遮光性的溫度下进行。
[0418] 《步骤2》
[0419] 步骤2中，对步骤1中形成的涂膜介隔具有既定图案的掩模而照射放射线。此时所 用的放射线例如可列举:可见光线、紫外线、远紫外线、X射线、带电粒子束。可见光线例如可 列举g射线(波长436nm)、h射线(波长405nm)。紫外线例如可列举i射线(波长365nm)。远紫外 线例如可列举KrF准分子激光的激光光。X射线例如可列举同步加速器(synchro化on)放射 线。带电粒子束例如可列举电子束。
[0420] 运些放射线中，优选为可见光线及紫外线，可见光线及紫外线中也尤其优选为含 有g射线和/或i射线的放射线。在使用含有i射线的放射线的情形时，曝光量优选为eooomj/ cm2W下，优选为 20mJ/cm2 ~2000mJ/cm2。
[0421 ]《步骤3》
[0422] 步骤3中，对步骤2中经放射线照射的涂膜进行显影。由此，例如在使用正型的感放 射线性材料的情形时可将放射线的照射部分去除，在使用负型的感放射线性材料的情形时 可将放射线的非照射部分去除，形成所需的图案。显影处理中所用的显影液优选为碱性水 溶液。
[0423] 碱性水溶液所含的碱性化合物例如可列举:氨氧化钢、氨氧化钟、碳酸钢、娃酸钢、 偏娃酸钢、氨、乙胺、正丙胺、二乙胺、二乙基氨基乙醇、二正丙胺、Ξ乙胺、甲基二乙胺、二甲 基乙醇胺、Ξ乙醇胺、氨氧化四甲基锭、氨氧化四乙基锭、化咯、赃晚、1,8-二氮杂双环[5,4， 0]-7-十一締、1,5-二氮杂双环[4,3,0]-5-壬烧。就获得适当的显影性的观点而言，碱性水 溶液中的碱性化合物的浓度优选为0.1质量％ W上、5质量％ W下。
[0424] 显影液也可使用:在碱性水溶液添加有适当量的甲醇、乙醇等水溶性有机溶剂或 表面活性剂的水溶液，或在碱性水溶液中少量添加有溶解感放射线性材料的各种有机溶剂 的水溶液。后一水溶液中的有机溶剂可使用与用W获得聚合物(A)或感放射线性材料的溶 剂化)相同的溶剂。
[0425] 显影方法例如可列举:盛液法、浸溃法、摇晃浸溃法、冲淋法。显影时间视感放射线 性材料的组成而不同，通常为10秒钟~180秒钟左右。继此种显影处理之后，例如进行30秒 钟~90秒钟的流水清洗，然后利用例如压缩空气或压缩氮气进行风干，由此可形成所需的 图案。
[0426] 《步骤4》
[0427] 步骤4中，通过在步骤3之后使用加热板、烘箱等加热装置进行对涂膜的加热处理 (后烘烤处理)而获得绝缘膜。该加热处理中的加热溫度例如超过130°C且为300°CW下，加 热时间视加热设备的种类而不同，例如为5分钟~90分钟。此时，也可使用进行2次W上的加 热步骤的分步烘烤(step bake)法等。加热处理时，例如可使用加热板、烘箱。
[0428] 利用所述溫度范围的加热处理，而对绝缘膜赋予波长300nm~400nm下的全光线透 射率为15% W下、优选为10% W下、尤其优选为6% W下的遮光性。如此可在基板上形成目 标图案的绝缘膜。
[0429] 步骤4中，也可在涂膜的加热前对经图案化的涂膜进行淋洗处理或分解处理。淋洗 处理中，优选为使用作为溶剂化)而列举的低吸水性的溶剂对涂膜进行清洗。分解处理中， 通过对整个面照射高压水银灯等的放射线(后曝光），可将涂膜中残存的感光剂(B)分解。该 后曝光的曝光量优选为lOOOmJ/cm2~5000mJ/cm2左右。
[0430] 如此所得的绝缘膜对波长300nm~400nm的光具有遮光性，并且由于构成材料具备 低吸水结构故为低吸水性，在制造步骤中也可进行使用低吸水性的化合物的处理。此外，所 述绝缘膜在耐热性、图案化性、放射线灵敏度、分辨率等方面显示出良好的特性。因此，所述 绝缘膜除了可优选地用作例如作为有机化元件等所具有的隔离壁的绝缘膜W外，还可优选 地用作作为保护膜或平坦化膜的绝缘膜。
[0431] [有机化显示装置及有机化照明装置]
[0432] W下，作为本发明的显示或照明装置，W有机化显示或照明装置作为具体例，一面 参照图3-面进行说明。图3为示意性地表示本发明的有机化显示或照明装置下也简称 为"有机EL装置"）的主要部分的结构的剖面图。
[0433] 图3的有机化装置1为具有形成为矩阵状的多个像素的有源矩阵型的有机化装置。 该有机化装置1可为顶部发光（top emission)型、底部发光（bottom emission)型的任一 种。构成各构件的材料的性质、例如透明性是根据顶部发光型、底部发光型而适当选择。
[0434] 有机化装置1具备支撑基板2、薄膜晶体管下也称为叮FT" )3、第1绝缘膜4、作为 第1电极的阳极5、通孔6、第2绝缘膜7、有机发光层8、作为第2电极的阴极9、纯化膜10及密封 基板11。使用所述绝缘膜作为第2绝缘膜7。
[0435] 支撑基板2是由绝缘材料所形成。在有机化装置1为底部发光型的情形时，对支撑 基板2要求高透明性。因此，绝缘材料例如优选为透明性高的聚对苯二甲酸乙二醋、聚糞二 甲酸乙二醋、聚酷亚胺等透明树脂，无碱玻璃等玻璃材料。另一方面，在有机化装置1为顶部 发光型的情形时，绝缘材料可使用任意的绝缘体，可使用上文所述的透明树脂、玻璃材料。
[0436] TFT 3为各像素部分的有源元件，是形成于支撑基板2上。该TFT 3具备栅极电极、 栅极绝缘膜、半导体层、源极电极及漏极电极。本发明中，不限于在栅极电极上依序具备栅 极绝缘膜及半导体层的底部栅极型，也可为在半导体层上依序具备栅极绝缘膜及栅极电极 的顶部栅极型。
[0437] 半导体层可使用所述含有选自111、6曰、511、1'1、抓、訊及化中的一种^上的元素的氧 化物半导体而形成。有机EL装置1中，第2绝缘膜7(隔离壁)具有遮光性，故可防止或减少由 有机发光层8所产生的光到达半导体层。因此，可使用包含容易光劣化的IGZ0等的半导体 层。
[0438] 第1绝缘膜4为发挥使由TFT 3所致的表面凹凸平坦化的作用的平坦化膜。第1绝缘 膜4是W被覆TFT 3总体的方式而形成。第1绝缘膜4可使用所述感放射线性材料而形成，也 可使用W前公知的感放射线性材料而形成。第1绝缘膜4的膜厚优选为增大W发挥作为平坦 化膜的优异功能。第1绝缘膜4的膜厚优选为1WI1~扣m。第1绝缘膜4可利用所述绝缘膜的形 成方法中说明的方法等而形成。
[0439] 阳极5形成像素电极。阳极5是利用导电性材料而形成于第1绝缘膜4上。在有机EL 装置1为底部发光型的情形时，对阳极5要求透明。因此，阳极5的材料优选为透明性高的氧 化铜锡（Indium Tin Oxide,IT0)、氧化铜锋（Indium Zinc Oxide, IZ0)、氧化锡。在有机化 装置1为顶部发光型的情形时，对阳极5要求光反射性。因此，阳极5的材料优选为光反射性 高的APC合金(银、钮、铜的合金KARA(银、钢、金的合金）、MoCr(钢与铭的合金）、NiCr(儀与 铭的合金）。
[0440] 通孔6是为了将阳极5与TFT 3的漏极电极连接而形成。通过形成于通孔6中的配线 将阳极5与TFT 3的漏极电极连接。
[0441] 第2绝缘膜7发挥作为隔离壁(岸堤(bank))的作用，所述隔离壁具有规定有机发光 层8的配置区域的凹部70。第2绝缘膜7是W覆盖阳极5的一部分、另一方面使阳极5的一部分 露出的方式形成。另外，第2绝缘膜7的使阳极5露出的边界部分的剖面形状为正圆锥状。第2 绝缘膜7可使用所述感放射线性材料利用绝缘膜的形成方法中说明的方法等而形成。
[0442] 关于第2绝缘膜7,通过涂膜的曝光、显影而进行图案化，由此可形成为俯视时形成 有有机发光层8的多个凹部70配置成矩阵状。
[0443] 另外，第2绝缘膜7优选为W填充通孔6的方式而形成。通过采用此种构成，形成于 第1绝缘膜4上的绝缘膜及形成于通孔6内的绝缘膜成为防止或减少由有机发光层8产生的 光到达TFT 3的半导体层的防御壁。另外，若与一个TFT 3相对应而通孔6为2个W上，则可进 一步防止或减少由有机发光层8所产生的光到达TFT 3的半导体层。
[0444] 第2绝缘膜7优选为W至少配置于TFT 3所具有的半导体层的上方的方式而形成于 第1绝缘膜4上。此处所谓"上方"，是指自支撑基板2朝向密封基板11的方向。第2绝缘膜7具 有遮光性，故可防止或减少由有机发光层8所产生的光到达半导体层。
[0445] 第2绝缘膜7的膜厚(第2绝缘膜7的最上面与有机发光层8的最下面的距离)优选为 0.3皿~15.0皿，更优选为0.5皿~10.0皿，进而优选为1.0皿~5.0皿。
[0446] 有机发光层8被施加电场而发光。有机发光层8为含有进行电场发光的有机发光材 料的层。有机发光层8是在由第2绝缘膜7所规定的区域、即凹部70中形成于阳极5上。如此， 通过在凹部70中形成有机发光层8,有机发光层8的周围被第2绝缘膜7所包围，可将邻接的 多个像素彼此分隔。
[0447] 有机发光层8是在第2绝缘膜7的凹部70中与阳极5接触而形成。有机发光层8的厚 度优选为50nm~lOOnm。此处，所谓有机发光层8的厚度，是指自阳极5上的有机发光层8的底 面起至阳极5上的有机发光层8的上表面为止的距离。
[0448] 进而，也可在阳极5与有机发光层8之间配置空穴注入层和/或空穴传输层，也可在 有机发光层8与阴极9之间配置电子传输层和/或电子注入层。
[0449] 阴极9是共通地覆盖多个像素而形成，形成有机Kig置1的共通电极。阴极9包含导 电性构件。在有机化装置1为顶部发光型的情形时，阴极9优选为可见光透射性的电极，可列 举口 0电极或IZ0电极。在有机化装置1为底部发光型的情形时，阴极9无需为可见光透射性 的电极。在该情形时，阴极9的构成材料例如可列举领(Ba)、氧化领(BaO)、侣(A1)及含A1的 合金。
[0450] 纯化膜10抑制水分或氧向有机EL元件内的渗入。该纯化膜10是设置于阴极9上。
[0451] 密封基板11将配置有有机发光层8的主面(TFT基板中与支撑基板2为相反侧的面） 密封。密封基板11可列举无碱玻璃基板等玻璃基板。配置有有机发光层8的主面优选为使用 涂布于TFT基板的外周端部附近的密封剂，经由密封层12通过密封基板11进行密封。密封层 12例如可设定为经干燥的氮气等惰性气体的层、或接着剂等填充材料的层。
[0452] 本实施形态的有机化装置1中，第2绝缘膜7对波长300皿~40化m的光具有遮光性， 故可抑制伴随着该装置的使用等的半导体层的光劣化。另外，可使用低吸水性的感放射线 性材料来形成第1绝缘膜4及第2绝缘膜7,另外在运些绝缘膜4、绝缘膜7的形成步骤中，可进 行使用低吸水性的材料的清洗等处理。因此，可减少W吸附水等形态而绝缘膜形成材料所 含的微量的水分缓缓地渗入至有机发光层8中的情况，可减少有机发光层8的劣化及发光状 态的劣化。
[0做][实施例]
[0454] W下，根据实施例对本发明加 W更具体说明，但本发明不限定于运些实施例。在W 下的实施例等记载中，只要未特别提及，则"份"为"质量份"。
[0455] [GPC 分析]
[0456] 聚合物(A)及树脂(C)的重量平均分子量(Mw)及分子量分布(Mw/Mn)是利用凝胶渗 透色谱(GPC)法在W下条件下测定。
[0457] ?标准物质:聚苯乙締换算
[045引 ?装置:东曹(Tosoh)(股）制造，商品名:HLC-8020
[0459] ?管柱：将东曹（Tosoh)(股）制造的保护管柱（guard column)HxL-H、TSK gel G7000Hxl、TSK gel GMHxl 2根、TSK gel G2000Hxl依序连结而成
[0460] ?溶剂：四氨巧喃
[0461] ?样品浓度:0.7质量％
[0462] ?注入量:70μΙ
[0463] ?流速：lmL/min
[0464] [NMR 分析]
[0465] 聚硅氧烷(A1)中的苯基的含量是使用醒-ECS400"(日本电子(股）制造)来测定 29Si-核磁共振光谱，根据键结有该苯基的Si的峰值面积与未键结苯基的Si的峰值面积的比 而求出。
[0466] <聚合物(A)的合成〉
[0467] [合成例A1]聚合物(A-1)的合成(聚酷亚胺）
[0468] 在Ξ口烧瓶中添加作为聚合溶剂的丫-下内醋390g后，将作为二胺化合物的2,2/- 双(3-氨基-4-径基苯基)六氣丙烷120g添加至聚合溶剂中。使二胺化合物溶解于聚合溶剂 中后，添加作为酸二酢的4，少-氧基二邻苯二甲酸二酢71g。其后，在60°C下反应1小时后，添 加作为封端剂的马来酸酢19g，在60°C下进一步反应1小时后，升溫并在180°C下反应4小时。 获得含有聚合物(A-1)的固体成分浓度为约35质量％的聚酷亚胺溶液约600g。所得的聚合 物(A-1)的Mw为8000。
[0469] [合成例A2]聚合物(A-2)的合成(丙締酸系聚合物）
[0470] 对烧瓶内进行氮气置换后，添加溶解有2，2/ -偶氮双异下腊5 . Og的丙二醇单甲酸 乙酸醋溶液250.0 g。继而添加甲基丙締酸20.0 g、甲基丙締酸二环戊醋45. Og及3-乙基-3-甲 基丙締酷氧基甲基氧杂环下烧30.Og后，缓缓开始揽拌。使溶液的溫度上升至80°C，将该溫 度保持5小时后，在100°C下加热1小时而完成聚合。其后，将反应生成溶液滴加至大量的甲 醇中而使反应物凝固。对该凝固物进行水洗后，再溶解于四氨巧喃200g中，利用大量的甲醇 使其再次凝固。
[0471] 将该再溶解-凝固操作进行共计3次后，将所得的凝固物在6(TC下真空干燥48小 时，获得目标共聚物。其后W固体成分浓度成为约35质量％的方式使用丙二醇单甲酸乙酸 醋制成共聚物溶液。所得的聚合物(A-2)的重量平均分子量(Mw)为10000。
[0472] [合成例A3]聚合物(A-3)的合成(丙締酸系聚合物）
[0473] 除了使用2-甲基丙締酷氧基乙基班巧酸20.Og、甲基丙締酸二环戊醋45.Og及甲基 丙締酸-3，4-环氧环己基甲醋30.0 g作为单体W外，与合成例A2同样地进行操作。所得的聚 合物(A-3)的重量平均分子量(Mw)为20000。
[0474] [合成例A4]聚合物(A-4)的合成(聚苯并恶挫前体）
[0475] 将使二苯基酸-4，少-二簇酸1摩尔与1-径基苯并Ξ挫2摩尔反应所得的二簇酸衍 生物443.2g(0.90摩尔）、六氣-2，2-双(3-氨基-4-径基苯基)丙烷366.3份（1.00摩尔）加入 至具备溫度计、揽拌机、原料投入口、干燥氮气导入管的四口可分离式烧瓶中，添加 N-甲基- 2-化咯烧酬3000份并使其溶解。其后使用油浴在75°C下反应16小时。
[0476] 继而，添加溶解于N-甲基-2-化咯烧酬100份中的5-降冰片締-2,3-二簇酸酢32.8 份(0.20摩尔），进而揽拌3小时而结束反应。将反应混合物过滤后，将反应混合物投入至水/ 异丙醇= 3/1(质量比）的溶液中，过滤收集沉淀物并利用水加 W充分清洗后，在真空下干 燥，获得聚苯并恶挫前体(A-4)。^聚合物(A-4)浓度成为35质量％的方式添加丫-下内醋， 获得聚合物(A-4)的丫-下内醋溶液。所得的聚合物(A-4)的重量平均分子量(Mw)为15000。
[0477] [合成例A引聚合物(A-5)的合成(聚硅氧烷）
[0478] 在500mL的Ξ 口烧瓶中添加甲基Ξ甲氧基硅烷63.39份(0.55111〇1)、苯基^甲氧基 硅烷69.41份(0.35111〇1)、2-(3,4-环氧环己基）乙基^甲氧基硅烷24.64份(0.1111〇1)、二丙酬 醇150.36份，一面在室溫下揽拌，一面用10分钟添加在水55.8份中溶解有憐酸0.338份(相 对于添加单体而为0.2质量％)的憐酸水溶液。其后，将烧瓶浸溃于70°C的油浴中并揽拌1小 时后，用30分钟将油浴升溫至115°C为止。升溫开始1小时后溶液的内溫达到lOOr，然后进 行2小时加热揽拌（内溫为100°C~110°〇。在反应中将作为副产物的甲醇及水合计115份馈 出。在所得的聚合物(A-5)的二丙酬醇溶液中，W聚合物(A-5)浓度成为35质量％的方式添 加二丙酬醇，获得聚合物(A-5)的二丙酬醇溶液。所得的聚合物(A-5)的重量平均分子量 (Mw)为5000,相对于Si原子100摩尔的苯基含量为35摩尔。
[0479] [合成例A6]聚合物(A-6)的合成(聚締控）
[0480] 在经氮气置换的10001^的高压蓋中，添加8-簇基四环[4.4.0.12' 5.17心]十二-3- 締60份、N-苯基-(5-降冰片締-2，3-二簇基酷亚胺)40份、1，5-己二締2.8份、二氯化（1，3-二 均Ξ甲苯基咪挫烧-2-亚基）（Ξ环己基麟)亚苄基钉0.05份及二乙二醇乙基甲酸400份，在 揽拌下在80°C下进行2小时聚合反应，获得含有聚合物(Α-6/)的聚合物溶液。在该聚合物溶 液中添加作为氨化催化剂的二氯双(Ξ环己基麟）乙氧基亚甲基钉0.1份，使氨W4MI^的压 力溶存5小时，进行氨化反应后，添加活性炭粉末1份，一面揽拌一面在150°C下使氨W4MPa 的压力溶存3小时。继而，取出溶液，利用孔径为0.2皿的氣树脂制过滤器进行过滤而分离活 性炭，获得含有作为聚合物(A-6/)的氨化物的聚合物(A-6)的氨化反应溶液490份。此处所 得的含有聚合物(A-6)的氨化反应溶液的固体成分浓度为21质量％，聚合物(A-6)的产量为 102份。利用旋转蒸发器将所得的聚合物(A-6)的氨化反应溶液浓缩，将固体成分浓度调整 为35质量％，获得聚合物(A-6)的溶液。所得的聚合物(A-6)的重量平均分子量(Mw)为4000。 [0481 ][制备例A7]聚合物(A-7K卡多树脂）
[0482] 卡多树脂的丙二醇单甲酸溶液CR-TR5(大阪瓦斯化学(股）制造)为固体成分52.7 质量％、固体成分酸值1351(0血旨八的产品。将0?-了1?5计量100份，添加丙二醇单甲酸50.57份 并进行揽拌。如此而获得固体成分浓度为35质量％的卡多树脂溶液(A-7)。
[0483] <树脂(C)的合成〉
[0484] [合成例Cl]酪醒清漆树脂(C-1)的合成
[0485] 在安装有溫度计、冷凝管、分馈管、揽拌器的烧瓶中，添加1-糞酪144.2g( 1.0摩 尔）、甲基异下基酬400g、水96g及92质量％多聚甲醒32.6g(W甲醒换算而为1.0摩尔）。继 而，一面揽拌一面添加对甲苯横酸3.4g。其后，在100°C下反应8小时。反应结束后添加纯水 200g，将体系内的溶液移至分液漏斗中，将水层自有机层分离去除。继而进行水洗直至清洗 水显示中性为止后，自有机层中在加热减压下去除溶剂，获得包含下述式所表示的结构单 元的酪醒清漆树脂(C-l)140g。所得的酪醒清漆树脂(C-1)的重量平均分子量(Mw)为2000。
[0486] [化3引
[0487]
[0488] 根据傅里叶变换红外分光光度计（Fourier Transform Infrared,FT-IR)的测定 图谱，与原料相比较可确认到来源于亚甲基键的伸缩的吸收(2800cnfi~3000cnfi)，进而无 法发现来源于芳香族酸的吸收（lOOOcnfi~1200cnfi)。根据运些结果鉴定，本合成例中未发 生径基彼此的脱水酸化反应(径基消失），可获得具有亚甲基键的酪醒清漆树脂。运些鉴定 在W下的合成例C2~合成例巧中也相同。
[0489] [合成例C2 ]酪醒清漆树脂(C-2)的合成
[0490] 在安装有溫度计、冷凝管、分馈管、揽拌器的烧瓶中，装入1-糞酪144.2g( 1.0摩 尔）、对苯二甲醒134.1 g(1.0摩尔）、Ξ氣甲横酸3. Og，一面进行揽拌一面在150°C~160°C下 进行4小时反应。反应结束后添加纯水200g，将体系内的溶液移至分液漏斗中，将水层自有 机层分离去除。继而进行水洗直至清洗水显示中性为止后，自有机层中在加热减压下去除 溶剂，获得包含下述式所表示的结构单元的酪醒清漆树脂(C-2)220g。所得的酪醒清漆树脂 (C-2)的重量平均分子量(Mw)为1500。
[0491 ][化：34]
[0492]
[0493] [合成例C3 ]酪醒清漆树脂(C-3)的合成
[0494] 使用原料成分及作为酸催化剂的对苯二甲醒134. lg(1.0摩尔）及1,6-二径基糞 160.2g(1.0摩尔）三氣甲横酸3.0g，除此W外，与合成例C2同样地进行合成。获得包含下述 式所表示的结构单元的酪醒清漆树脂(C-3)230g。所得的酪醒清漆树脂(C-3)的重量平均分 子量(Mw)为1000。
[04 巧][化 35]
[0496]
[0497] [合成例C4]酪醒清漆树脂(C-4)的合成
[0498] 除了使用作为原料成分的1-径基蔥194.2g(1.0摩尔）、甲基异下基酬400g、水96g 及92质量％多聚甲醒32.6g(W甲醒换算计而为1.0摩尔）W外，与合成例Cl同样地进行合 成。获得包含下述式所表示的结构单元的酪醒清漆树脂(C-4)180g。所得的酪醒清漆树脂 (C-4)的重量平均分子量(Mw)为2000。
[0499] [化 36]
[0如0]
[0501] [合成例巧]酪醒清漆树脂(C-5)的合成
[0502] 除了使用作为原料成分的1,4-二径基蔥210.2g( 1.0摩尔）、甲基异下基酬400g、水 96g及92质量％多聚甲醒32.6g(W甲醒换算计而为1.0摩尔）W外，与合成例C1同样地进行 合成。获得包含下述式所表示的结构单元的酪醒清漆树脂(C-5)190g。所得的酪醒清漆树脂 (C-5)的重量平均分子量(Mw)为3000。
[0如 3] 「化 371
[0如4]
[0505] <感放射线性材料的制备〉
[0506] 用于制备感放射线性材料的聚合物(A)为合成例A1~合成例A6、制备例A7的聚合 物(A-1)~聚合物(A-7)，树脂(C)为合成例C1~合成例C5的酪醒清漆树脂(C-1)~酪醒清漆 树脂(C-5)，感光剂(B)、交联剂(D)、溶剂(E)、密接助剂(巧及表面活性剂(G)如下。
[0507] 感光剂(B)
[0如引 6-1:4,4'-[1-[4-[1-[4-径基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酪（1.0摩尔）与 1,2-糞酿二叠氮-5-横酷氯(2.0摩尔）的缩合物(东洋合成工业(股））
[0509] B-2:2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基）甲基]-1-[4-(4-吗嘟基）苯基]-1-下酬 (己斯夫(BASF)制造的"IRG-37犯护）
[0510]交联剂(D)
[051。 D-1:4，4-双[(3-乙基-3-氧杂环Τ基）甲基]联苯(宇部兴产公司的"OXBP")
[OW] D-2:群荣化学工业公司的乂-357"
[051；3] D-3:东亚合成公司的"M-405"
[0514] 溶剂化）
[051引 E-1: 丫-下内醋邮）、丙二醇单甲酸乙酸醋(PGMEA)及丙二醇单甲酸(PGME)的质量 比为30:20:50的混合溶剂
[0516] DAA:二丙酬醇
[0517] EDM:二乙二醇乙基甲酸 [051引密接助剂化）
[化19] F_1 :N_苯基-3-氨基丙基二甲氧基硅烷
[0520] (信越化学工业(股）制造的"邸M-573")
[0521] 表面活性剂(G)
[0522] G-1:娃酬系表面活性剂
[0523] (东丽道康宁（Toray-Dow corning)公司制造的"S册400")
[0524] [制备例。
[0525] 在含有合成例A1的聚合物(A-1)的聚合物溶液(相当于聚合物(A-l)25份（固体成 分）的量）中，混合(B-l)lO份、（C-l)40份、（D-1H5份、（0-2)5份、（F-l)4份、（G-l)l份及化- 1 )，W固体成分浓度成为25质量％的方式进行设定，并且使用口径为0.2μπι的薄膜过滤器进 行过滤，制备正型材料1。
[0526] [制备例2~制备例33]
[0527] 除了使用表1所示的种类及调配量的各成分W外，与制备例1同样地制备正型材料 2~正型材料23及正型材料30~正型材料31、负型材料24~负型材料29及负型材料32~负 型材料33。
[052引[表1]
[0529]
[0530]
[0531] [实施例及比较例]
[0532] 使用制备例1~制备例33的感放射线性材料1~感放射线性材料33,利用W下将说 明的方法来制作绝缘膜及有机化元件。分别利用下述方法对所得的绝缘膜的图案化性、线 宽粗糖度化ine Width Rou曲tness，LWR)、遮光性、圆锥角度、吸水性及耐热性、W及所得的 有机化元件的元件特性进行评价。
[0533] <图案化性〉
[0534] 使用匀胶显影设备（Clean track)(东京电子（Tokyo Electron)公司制造：马克 (Mark)VZ)，在娃基板上涂布制备例1~制备例23及制备例30~制备例31中所得的正型材料 后，在加热板上在120°C下预烘烤2分钟，形成涂膜。对该涂膜使用曝光机(尼康(Wkon)公司 的i射线步进机"NSR-2005il0护），介隔具有既定图案的图案掩模W波长365nm下的曝光量 lOOmJ/cm2进行曝光。其后，使用2.38质量％的氨氧化四甲基锭水溶液在25°(：下利用盛液法 进行80秒钟显影，利用超纯水进行1分钟流水清洗，使其干燥，在娃基板上形成具有扣m四方 (square)的多个通孔排成列状的图案的涂膜，将该涂膜在加热板上在25(TC下进行60分钟 后烘烤，形成具有所述图案及表2所记载的膜厚的绝缘膜。
[OM日]另外，使用匀胶显影设备（Clean track)(东京电子（Tokyo Electron)公司制造： 马克(Mark)VZ)，在娃基板上涂布制备例24~制备例29及制备例32~制备例33中所得的负 型材料后，在加热板上在120°C下进行2分钟预烘烤，形成涂膜。对该涂膜使用曝光机(尼康 (Nikon)公司的i射线步进机"NSR-2005il0D")，介隔具有既定图案的图案掩模W波长365皿 下的曝光量300mJ/em2进行曝光。其后，使用2.38质量％的氨氧化四甲基锭水溶液在25°(：下 利用盛液法进行120秒钟显影，利用超纯水进行1分钟流水清洗，使其干燥，在娃基板上形成 具有扣m四方的多个通孔排成列状的图案的涂膜。将该涂膜在加热板上在25(TC下进行60分 钟后烘烤，形成具有所述图案及表2所记载的膜厚的绝缘膜。
[0536] 此时，所述涂膜中，正型材料的情况下确认显影后的曝光部是否完全溶解，负型材 料的情况下确认显影后的非曝光部是否完全溶解。将形成扣m四方的图案、且并无绝缘膜剥 离或显影残渣而形成绝缘膜的情形评价为"优良"，将形成扣m四方的图案、且并无绝缘膜剥 离、但稍有显影残渣的情形评价为"良好"，将无法形成扣m四方的图案、或产生绝缘膜剥离 的情形评价为"不良"。
[0537] <LWR>
[053引使用扫描式电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM;日立高新技术 化i化chi-化曲technology)公司的"SU3500")，对所述<图案化性〉中形成的后烘烤前的涂 膜的线宽扣m四方图案自图案上部进行观察，在任意10点测定线宽。将线宽的测定值的3σ值 (偏差)作为LWR(皿)。该LWR的值为0.4皿W下的情形时评价为"优良"，超过0.4皿且为0.祉m W下的情形时评价为"良好"，超过0.祉m的情形时评价为"不良"。
[0539] <遮光性〉
[0540] 使用匀胶显影设备（Clean track)(东京电子（Tokyo Electron)公司制造：马克 (Mark)VZ)，在玻璃基板(康宁（Corning)公司的"康宁（Co;rning)7059")上涂布所述制备例 中所得的感放射线性材料后，在加热板上在120°C下进行2分钟预烘烤后，在加热板上在250 °C下进行60分钟后烘烤，形成具有表2所记载的膜厚的绝缘膜。
[0541] 对该具有绝缘膜的玻璃基板使用分光光度计（日立制作所(股）制造的"150-20型 双射束（Double BeamT)，在300nm~780nm的波长范围内测定全光线透射率，求出波长 300nm~400nm下的全光线透射率。关于遮光性，在波长30化m~400nm下最大的全光线透射 率为6% W下的情形时评价为"优良"，在超过6%且为10% W下的情形时评价为"良妒'，在 超过10%且为15% W下的情形时评价为"稍良贤'，在超过15%的情形时评价为"不良"。
[0542] <圆锥角度及膜厚〉
[05创在所述 < 图案化性〉的绝缘膜中，利用SEM(日立高新技术（Hitachi-High technology)公司的"SU3500")来观察多个通孔的与线正交的方向的垂直剖面形状。根据该 SEM图像来确定绝缘膜的圆锥角度。各评价中，同样地根据SEM图像来确定绝缘膜的膜厚。
[0544] <吸水性〉
[0545] 使用匀胶显影设备（Clean track)(东京电子（Tokyo Electron)公司制造：马克 (Mark)VZ)，在娃基板上涂布所述制备例中所得的感放射线性材料后，在加热板上在12(TC 下进行2分钟预烘烤后，在加热板上在25(TC下进行60分钟后烘烤，形成具有膜厚3.Own的绝 缘膜。
[0546] 对该绝缘膜使用热脱附谱（Thermal Desorption Spechoscopy)(艾斯克化SCO) 公司的叮DS120(n，在真空度1.0 X 1〇-9化下自常溫起W升溫速度30°C/min升溫至200°C。利 用质量分析计(安捷伦科技(Agilent Techno 1 ogy)公司的巧973N" )，W水的峰值(M/z = 18) 的检测值的形式来测定此时自试样表面及试样中脱离的气体。取60°C~20(TC的总峰值强 度的积分值[A · sec]，评价吸水性。关于吸水性，在60°C~200°C的总峰值强度的积分值 [A · sec]为3.0 X 1(Τ8 W下的情形时评价为"优良"，在超过3.0 X 1(Τ8且为5.0 X 1(^8 W下的 情形时评价为"良好"，在超过5.0 X 10-8的情形时评价为"不良"。
[0547] <耐热性〉
[0548] 与<吸水性〉的评价同样地使用感放射线性材料来形成绝缘膜，对该绝缘膜使用热 重量测定装置(ΤΑ仪器(ΤΑ Instrument)公司的叮GA2950")，在100°C~500°C下进行热重分 析(Thermogravimetric Analysis，TGA)测定（空气下，升溫速度10°C/min)，由此求出5%重 量减少溫度。关于耐热性，在5 %重量减少溫度超过350°C的情形时评价为"优良"，在350°C ~330°C的情形时评价为"良好"，在330°C W下的情形时评价为"不良"。
[0549] 《元件特性评价》
[0550] 使用玻璃基板(康宁(Corning)公司的"康宁(Corning)7059")，制作在该玻璃基板 上形成有TFT的TFT基板后，在该TFT基板上形成绝缘膜而制作评价用元件。对该评价用元件 进行元件特性的评价。
[0551] TFT基板是按W下顺序来形成。首先，在玻璃基板上通过瓣锻而形成钢膜，通过使 用抗蚀剂的光刻及蚀刻而形成栅极电极。继而，在玻璃基板整个面及栅极电极的上层上，通 过瓣锻而形成氧化娃膜作为栅极绝缘膜。在该栅极绝缘膜上通过瓣锻而形成InGaZnO系非 晶氧化物膜（InGaZn〇4)，通过使用抗蚀剂的光刻及蚀刻而形成半导体层。在半导体层的上 层通过瓣锻而形成钢膜，通过使用抗蚀剂的光刻及蚀刻而形成源极电极及漏极电极。最后， 在基板整个面、源极电极及漏极电极的上层通过瓣锻而形成氧化娃膜作为纯化膜，获得TFT 基板。
[0巧2] 使用匀胶显影设备（Clean track)(东京电子（Tokyo Electron)公司制造：马克 (Mark)VZ)，在TFT基板上涂布所述制备例中所得的感放射线性材料后，在加热板上在12(TC 下进行2分钟预烘烤后，在加热板上在25(TC下进行60分钟后烘烤，形成具有表2所记载的膜 厚的绝缘膜。
[ο巧3] <开关响应特性〉
[0554]元件特性是W开关响应特性来进行评价。开关响应特性是通过测定开/关（ON/ OFF)比来进行评价。0N/0FF比是通过W下方式算出：使用探针及半导体参数分析仪，在对栅 极电极印可电压的状态下测定在源极电极-漏极电极间流通的电流。具体而言，在对半导体 层从由所述感放射线性材料所形成的绝缘膜的上方照射W波长450nm或50化m为中屯、的照 度30000勒克斯的白色光的条件下，在将漏极电极设定为正10V、源极电极设定为0V的情形 时，将印可于栅极电极的电压为正10V与负10V时的电流值的比设定为0N/0FF比。关于开关 响应特性、即元件特性，在0N/0F巧k为1.0 X 1〇5 W上的情形时评价为"良好"，在小于1.0 X 1〇5的情形时评价为"不良"。
[0巧5] <TFT可靠性〉
[0556] TFT可靠性是通过W下方式进行评价:在对评价用元件的光照射时与非光照射时， 将在栅极电极-源极电极间印可电气应力时的Id-Vg特性的变化(阔电压Vth的变化量)进行 比较。
[0巧7] (Id-Vg特性及阔电压Vth的测定）
[0558] 电气应力的印可是通过W下方式进行：将评价用元件的源极电极的电位保持于 0V、将漏极电极的电位保持于+10V，在对源极电极-漏极电极间印可电压的状态下，栅极电 极的电位Vg由-20V起变化至+20V为止。如此般使栅极电极的电位Vg变化时，对漏极电极-源 极电极间流通的电流Id作图，由此获得Id-Vg特性。在该Id-Vg特性中，将电流值变为接通 (ON)的电压设定为阔电压Vth。
[0559] (阔电压Vth的变化量的测定）
[0560] 电气应力是通过W下方式赋予:在栅极电极-源极电极间，分别每12小时施加+20V 的正电压及-20V的负电压。此种电气应力是在W下条件下分别进行施加:对评价用元件的 半导体层从由所述感放射线性材料所形成的绝缘膜的上方照射W波长450nm或500nm为中 屯、的照度30000勒克斯的白色光的条件下，及未对半导体层照射光的条件下。阔电压Vth的 变化量是在光照射条件及非光照射条件下分别根据Id-Vg特性而算出。而且，在将光照射时 的阔电压Vth的变化量抑制为小于非光照射时的阔电压Vth的变化量的1.3倍的情形时评价 TFT可靠性为"优良"，在抑制于1.3倍W上且小于1.6倍的情形时评价TFT可靠性为"良好"， 在抑制于1.6倍W上且小于2倍的情形时评价TFT可靠性为"稍良好"，在2倍W上的情形时评 价TFT可靠性为"不良"。
[0561]
[0562]
[0563] 如表2所示，制备例1~制备例29的感放射线性材料的图案化性、图案形状、低吸水 性及耐热性优异。另外，实施例1~实施例37中形成的绝缘膜的遮光性优异且为正圆锥状， 使用该绝缘膜及容易光劣化的半导体层的元件即便在光照射环境下，元件特性(开关响应 特性、TFT可靠性)也优异。相对于此，比较例1中形成的绝缘膜的遮光性差，比较例2及比较 例4中形成的绝缘膜的图案化性、图案形状、遮光性、低吸水性及耐热性差，比较例3及比较 例5中形成的绝缘膜的图案化性、图案形状、低吸水性差，使用运些绝缘膜及容易光劣化的 半导体层的元件在光照射环境下元件特性(开关响应特性、TFT可靠性)差。
[0564][符号的说明]
[化化]1:有机化装置 [化66] 2:支撑基板
[0567] 3：TFT
[化6引4:第1绝缘膜(平坦化膜）
[0569] 5:阳极
[0570] 6:通孔
[0571] 7:第2绝缘膜(隔离壁）
[0572] 70:凹部
[化73] 8:有机发光层
[0574] 9:阴极
[0575] 10:纯化膜
[0576] 11:密封基板
[0577] 12:密封层
[057引 100: TFT 基板
[0579] 110:第1电极
[化8日]111:绝缘膜的开口部 [0581 ] 112:第1电极的边缘部
[0582] 113:第1电极面
[0583] 120:绝缘膜
[化84] 121:绝缘膜的斜面
【主权项】
1. 一种显示或照明装置，具有： 薄膜晶体管基板，构成薄膜晶体管的半导体层含有氧化物半导体，所述氧化物半导体 含有选自111、6&、311、11、他、313及211中的一种以上的元素； 第1电极，设置于薄膜晶体管基板上，且与所述薄膜晶体管连接； 绝缘膜，以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上，全光线透射率在波长300nm ~40〇111]1下在0%~15%的范围内；以及 第2电极，与第1电极相对向而设置;并且 所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜， 所述感放射线性材料含有： (A) 下述树脂(C)以外的聚合物， (B) 感光剂，及 (C) 选自酚醛清漆树脂、可溶酚醛树脂及可溶酚醛树脂的缩合物中的至少一种树脂，且 相对于聚合物(A) 100质量份，所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份~200质 量份。2. 根据权利要求1所述的显示或照明装置，其中聚合物(A)为选自聚酰亚胺(A1)、所述 聚酰亚胺的前体(A2)、丙烯酸系树脂(A3)、聚硅氧烷(A4)、聚苯并恶唑(A5-1)、所述聚苯并 恶唑的前体(A5-2)、聚烯烃(A6)及卡多树脂(A7)中的至少一种。3. 根据权利要求1所述的显示或照明装置，其中聚合物(A)为选自聚硅氧烷(A4)、聚苯 并恶唑(A5-1)、所述聚苯并恶唑的前体(A5-2)、聚烯烃(A6)及卡多树脂(A7)中的至少一种。4. 根据权利要求2所述的显示或照明装置，其中聚酰亚胺(A1)含有式(A1)所表示的结 构单元， [化1][式(A1)中，R1为具有羟基的二价基，X为四价有机基]。5. 根据权利要求2或3所述的显示或照明装置，其中聚硅氧烷(A4)为使式(a4)所表示的 有机硅烷反应所得的聚硅氧烷， [化2][式(a4)中，R1为氢原子、碳数1~10的烷基、碳数2~10的烯基、碳数6~15的含芳基的基 团、碳数2~15的含环氧环的基团或将所述烷基所含的1个或2个以上的氢原子取代为取代 基而成的基团，在R1存在多个的情形时可分别相同也可不同;R 2为氢原子、碳数1~6的烷基、 碳数1~6的酰基或碳数6~15的芳基，在R2存在多个的情形时可分别相同也可不同;η为0~ 3的整数]。6. 根据权利要求2或3所述的显示或照明装置，其中聚苯并恶唑(A5-1)含有式(a5-l)所 表示的结构单元， [化3][式(a5-l)中，X1为具有芳香族环的四价有机基，Y1为二价有机基]。7. 根据权利要求2或3所述的显示或照明装置，其中聚苯并恶唑的前体(A5-2)含有式 (a5_2)所表示的结构单元， [化4][式(a5-2)中，X1为具有芳香族环的四价有机基，Y1为二价有机基]。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的显示或照明装置，其中感光剂(B)为光酸产生剂 或光自由基聚合引发剂。9. 根据权利要求1至8中任一项所述的显示或照明装置，其中树脂(C)为酚醛清漆树脂。10. 根据权利要求1至9中任一项所述的显示或照明装置，其中所述绝缘膜使第1电极露 出的所述绝缘膜的边界部分的剖面形状为正圆锥状。11. 根据权利要求1至10中任一项所述的显示或照明装置，其中所述绝缘膜的膜厚为 0 · 3μπι~15 · Ομπ?ο12. 根据权利要求1至11中任一项所述的显示或照明装置，其中所述绝缘膜是以被覆第 1电极的至少边缘部的方式而形成，所述绝缘膜的边界部分的剖面形状为正圆锥状。13. 根据权利要求1至12中任一项所述的显示或照明装置，其中所述绝缘膜为将所述薄 膜晶体管基板的面上分隔成多个区域的隔离壁， 具有在所述多个区域中分别形成的像素。14. 根据权利要求13所述的显示或照明装置，具有有机电致发光元件，所述有机电致发 光元件含有:第1电极，设置于所述薄膜晶体管基板上且与所述薄膜晶体管连接;有机发光 层，形成于经所述隔离壁分隔的区域中且形成于第1电极上；以及第2电极，设置于有机发光 层上。15. 根据权利要求14所述的显示或照明装置，其中所述薄膜晶体管基板为具有支撑基 板、在所述支撑基板上与所述有机电致发光元件相对应而设置的薄膜晶体管、以及被覆所 述薄膜晶体管的平坦化层的薄膜晶体管基板， 所述隔离壁被覆第1电极的至少边缘部，且所述隔离壁是以至少配置于所述薄膜晶体 管所具有的半导体层的上方的方式而形成于所述平坦化层上。16. 根据权利要求15所述的显示或照明装置，其中所述第1电极是形成于所述平坦化层 上，所述第1电极经由在贯穿所述平坦化层的通孔中形成的配线而与所述薄膜晶体管连接。17. 根据权利要求1至16中任一项所述的显示或照明装置，其中所述绝缘膜是以至少配 置于所述半导体层的上方的方式而形成于薄膜晶体管基板上，在自薄膜晶体管基板的上方 投影观察的情形时，半导体层的面积的50%以上与所述绝缘膜重复。18. -种绝缘膜的形成方法，形成根据权利要求1所述的显示或照明装置所具有的绝缘 膜，并且所述绝缘膜的形成方法包括以下步骤:步骤1，使用根据权利要求1所述的感放射线 性材料在薄膜晶体管基板上形成涂膜;步骤2，对所述涂膜的至少一部分照射放射线；步骤 3,对所述经放射线照射的涂膜进行显影；以及步骤4,对所述经显影的涂膜进行加热，形成 全光线透射率在波长300nm~400nm下在0 %~15 %的范围内的绝缘膜。19. 根据权利要求18所述的绝缘膜的形成方法，其中所述步骤1中的加热温度为60°C~ 130 °C，所述步骤4中的加热温度为超过130 °C且为300 °C以下。
【文档编号】G03F7/023GK105874882SQ201480072069
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年10月9日
【发明人】工藤和生, 安田博幸, 山村哲也, 胜井宏充, 宫迫毅明
【申请人】Jsr株式会社