专利名称：一种电路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电路结构，尤其涉及一种应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境的电路结构，可将SIM卡与microSD快闪记忆卡予以电性连接。
背景技术：
随着行动通讯技术的快速发展，以及无线数据传输速率的不断提升，伴随着行动通讯装置或手机的大量普及化，因此，在行动金融支付交易上，行动通讯装置或手机已成为行动支付工具，例如，于屏幕上所展现的网页中的电子商店，进行网上购物以及付款，又，就手机的付费机制而言，仍不脱离手机业者所提供的小额付费型式及/或网上购物信用卡号付费方式及/或ATM转帐方式。然而,可将手机与近距离通讯NFC(Near field Communication)技术结合，以实现行动支付或身份识别的需求，而具有近距离通讯NFC功能的手机可称之为NFC手机，并可利用NFC手机做为行动支付工具。目前NFC手机的运作模式是，依一般应用需求而将具有近距离通讯NFC功能的软件/硬件/韧体，于出厂时即内建 于NFC手机中，或搭配行动业者所发出的SWP SIM卡配合NFC功能使用，若使用者的需求并未内建于其中，或行动业者无法发出可搭配NFC功能的SffP SIM卡，则NFC手机将无法提供相对应的服务，换言之，目前的NFC手机无法满足客制化的需求，而使用者无法按照其实际应用需求而选取不同的相对应服务。所以如何寻求一种方式，能让行动通讯装置或手机，能满足使用者的客制化需求，能让行动通讯装置或手机提供更多元、丰富及便利的客制化NFC应用与服务，进而满足及实现客户的实际需求与应用，例如，行动支付或身份识别的用途，乃是待解的问题。
实用新型内容本实用新型的主要目的便是在于提供一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置内部的电路连接环境中，可利用本实用新型的电路结构而将手持式行动通讯装置的SIM卡与microSD快闪记忆卡予以电性连接,而使手持式行动通讯装置及/或SIM卡能与microSD快闪记忆卡进行讯号及/或数据及/或数据传输。本实用新型的又一目的便是在于提供一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置内部的电路连接环境中，使具备NFC SffP SM功能的手持式行动装置，可依实际应用需求，而将相关服务与机制于SWP microSD快闪记忆卡动态扩充后，利用本实用新型的电路结构而将具备NFC SffP SIM功能的SM卡与SWP microSD快闪记忆卡予以电性连接，以让手持式行动装置能提供更多元、丰富及便利的客制化NFC应用与服务，进而满足及实现客户的实际需求与应用，例如，行动支付或身份识别的用途。根据以上所述的目的，本实用新型提供一种电路结构，该电路结构包含第一连接电路、第二连接电路以及导电电路。第一连接电路，该第一连接电路位于软板(软性印刷电路板FPC，FlexiblePrintCircuit)的一表面，至少具有SIM卡插槽接触点用以与SIM卡插槽电性接触，另外，视实施例施行情况而定，可及/或，具有microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触，及/或，具有microSD快闪记忆卡插槽接触点用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触。第二连接电路，该第二连接电路位于该软板的另一表面，至少具有SIM卡接触点用以与SIM卡电性接触,另外,视实施例施行情况而定,可及/或,具有microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触,及/或,具有microSD快闪记忆卡插槽接触点用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触。导电电路，该导电电路为位于软板中的通孔电路，用以将第一连接电路与第二连接电路予以电性连接。为使熟悉本领域的技术人员了解本实用新型的目的、特征及功效，藉由下述具体实施例，并配合所附的图式，对本实用新型详加说明如后。
图1为一示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构；图2为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的一实施例；图3为一示意图，用以显示说明于图2中的第一连接电路；图4为一示意图，用以显示说明于图2中的第二连接电路；图5为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的又一实施例；图6为一不意图,用以显不说明于图5中的第一连接电路；图7为一示意图，用以显示说明于图5中的第二连接电路；图8为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的再一实施例；图9为一示意图，用以显示说明于图8中的第一连接电路；以及图10为一示意图，用以显示说明于图8中的第二连接电路。其中，附图标记说明如下I电路结构2第一连接电路3第二连接电路4导电电路5 软板6 软板7 软板[0031 ]51 表面52 表面53通孔电路61 表面62 表面63通孔电路71 表面[0038]72 表面73通孔电路201 202 203 204 205 206 SM 卡插槽接触点207 208 microSD快闪记忆卡插槽接触点209导电线路211 212 213 214 215 216 SIM 卡插槽接触点221 222 223 224 225 226 SM 卡插槽接触点250导电线路260导电线路301 302 303 304 305 SM 卡接触点307 308 microSD快闪记忆卡接触点311 312 313 314 315 SM 卡接触点317 318 microSD快闪记忆卡接触点321 322 323 3 24 325 SM 卡接触点327 328 microSD快闪记忆卡接触点340导电线路
具体实施方式
以下将通过实施例来解释本实用新型内容，其关于一种电路结构。然而，本实用新型的实施例并非用以限制实施本实用新型的任何特定的环境、应用或特殊方式。因此，关于实施例的说明仅为阐释本实用新型的目的，而非用以限制本实用新型。需说明的是，在以下实施例及图式中，与本实用新型非直接相关的组件均已省略而未绘示；且为求简易了解起见，各组件间的尺寸关系并非依照实际比例绘示出。图1为一示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构。如图1所示，电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4。第一连接电路2，该第一连接电路2位于软板(图未示出)的一表面，至少具有SIM卡插槽接触点(图未示出)用以与SIM卡插槽(图未示出)电性接触，另外，视实施例施行情况而定，可及/或，具有microSD快闪记忆卡接触点(图未示出)用以与microSD快闪记忆卡(图未示出)电性接触，及/或，具有microSD快闪记忆卡插槽接触点(图未示出)用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触。第二连接电路3，该第二连接电路3位于该软板的另一表面，至少具有SIM卡接触点(图未示出)用以与SIM卡电性接触，另外，视实施例施行情况而定，可及/或，具有microSD快闪记忆卡插槽接触点(图未示出)用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触，及/或，具有microSD快闪记忆卡接触点(图未示出)用以与microSD快闪记忆卡(图未示出)电性接触，。导电电路4，该导电电路4为位于软板(图未示出)中的通孔电路，用以将第一连接电路2与第二连接电路3予以电性连接。在此，该软板位于该手持式行动通讯装置内，而该手持式行动通讯装置可为，例如，智能型手机或平板计算机。[0060]图2为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的一实施例。如图2所示，电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4。电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4，在此，软板5位于手持式行动通讯装置(图未示出)内，而该手持式行动通讯装置可为，例如，智能型手机或平板计算机。第一连接电路2，该第一连接电路2位于软板5的一表面51，至少具有多个SM卡插槽接触点201、202、203、204、205、206(如图3所示)用以与SM卡插槽(图未示出)电性接触、以及多个microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208 (如图3所示)用以与microSD快闪记忆卡插槽(图未示出)电性接触；在此，所述多个SM卡插槽接触点201、203、204、205、206经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的SM卡接触点301、302、305、304、303 (如图4所示)电性连接，其中，由于SM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SIM卡C6接触点，致使SIM卡插槽接触点202无须与第二连接电路3的任何SIM卡接触点电性连接；而所述多个microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的多个microSD快闪记忆卡接触点307、308电性连接。第二连接电路3，该第二连接电路3位于该软板5的另一表面52，具有多个SIM卡接触点301、302、303、304、305(如图4所示)用以与SM卡电性接触，及/或，具有多个microSD快闪记忆卡接触点307、308 (如图4所示)用以与microSD快闪记忆卡电性接触；在此，其中，所述多个SM卡接触点301、302、303、304、305经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第一连接电路2的SM卡插槽接触点201、203、206、205、204电性连接，其中，由于SM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SIM卡C6接触点，致使第二连接电路3的任何SIM卡接触点无须与第一连接电路2的任何SIM卡插槽接触点电性连接；而所述多个microSD快闪记忆卡接触点307、308经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第一连接电路2的多个microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208电性连接。导电电路4，该导 电电路4为位于软板5中的通孔电路53，用以将第一连接电路2与第二连接电路3予以电性连接。图3为一示意图，用以显示说明于图2中的第一连接电路。如图2所示，第一连接电路2至少包含SM卡插槽接触点201、202、203、204、205、206用以与SM卡插槽(图未示出)电性接触，以及，microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208用以与microSD快闪记忆卡插槽(图未示出)电性接触；在此，所述多个SM卡插槽接触点201、203、204、205、206经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的SM卡接触点301、302、305、304、303 (如图4所示)电性连接，其中，由于SM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SM卡C6接触点，致使SIM卡插槽接触点202无须与第二连接电路3的任何SM卡接触点电性连接；而所述多个microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的多个microSD快闪记忆卡接触点307、308电性连接。另外，第一连接电路2可复包含导电线路209，该导电线路209用以将SM卡插槽接触点202与microSD快闪记忆卡插槽接触点208予以电性连接，使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号可从SM卡插槽接触点202经由该导电线路209而传送到microSD快闪记忆卡插槽接触点208，且，由于SM卡插槽接触点202做为SWP讯号传输之用，因而，SIM卡插槽接触点202无须于第二连接电路3具有相对应的SM卡接触点，换言之，第二连接电路3并无SIM卡C6的接触点。在此，例如，SM卡插槽接触点201、203、204、205、206分别对应于SM卡接触点301、302、305、304、303，并经由通孔电路(导电电路4)而与之电性连接；而microSD快闪记忆卡插槽接触点207、208分别对应于microSD快闪记忆卡接触点307、308，并经由通孔电路(导电电路4)而与之电性连接。在此，经由导电线路209、SM卡插槽接触点202、以及microSD快闪记忆卡插槽接触点208，而让手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号，可从SM卡插槽接触点202经由该导电线路209而传送到microSD快闪记忆卡插槽接触点208，并可再从microSD快闪记忆卡插槽接触点208经由通孔电路(导电电路4)而传送至microSD快闪记忆卡接触点308，而microSD快闪记忆卡接触点308与microSD快闪记忆卡PIN9为电性接触，因而，使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号可传送至microSD快闪记忆卡的PIN9，使手持式行动通讯装置及/或SM卡，能与microSD快闪记忆卡能相互进行讯号及/或数据及/或数据传输。图4为一示意图，用以显示说明于图2中的第二连接电路。如图4所示，第二连接电路3至少包含SIM卡接触点301、302、303、304、305分别对应与SIM卡的C5、C7、Cl、C2、C3点电性接触，而microSD快闪记忆卡接触点307、308分别与microSD快闪记忆卡PIN10、PIN9电性接触；另外，第二连接电路3可复包含导电线路309，该导电线路309用以将SM卡接触点303与microSD快闪记忆卡接触点307予以电性连接。在此，其中，第一连接电路2的SM卡插槽接触点206经由经由通孔电路(导电电路4)而与SM卡接触点303电性连接，而 SM卡接触点303与SM卡Cl点(Vcc)电性接触，因而，microSD快闪记忆卡接触点307讯号为Vcc，SM卡插槽接触点206讯号为Vcc，而与SM卡接触点303电性连接的microSD快闪记忆卡PIN10讯号为Vcc，使得SM卡Cl点(Vcc)讯号能传送至microSD快闪记忆卡PIN10。图5为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的又一实施例。如图5所示，电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4。电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4。第一连接电路2，该第一连接电路2位于软板6的一表面61，具有SIM卡插槽接触点211、212、213、214、215、216(如图6所示)用以与SIM卡插槽(图未示出)电性接触、以及microSD快闪记忆卡接触点317、318(如图6所示)用以与microSD快闪记忆卡电性接触；在此，所述多个SM卡插槽接触点211、213、214、215、216经由导电电路4而分别对应与第二连接电路3的SIM卡接触点311、312、313、314、315(如图7所示)电性连接，其中，由于SIM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SIM卡C6接触点，致使SM卡插槽接触点212无须与第二连接电路3的任何SIM卡接触点电性连接。第二连接电路3，该第二连接电路3位于该软板6的另一表面62，至少具有SM卡接触点311、312、313、314、315(如图7所示)以与microSD快闪记忆卡插槽(图未示出)电性接触，另，由于所述多个microSD快闪记忆卡接触点317、318与所述多个SIM卡插槽接触点211、213、214、215、216共同位于第一连接电路2上，因而，于第二连接电路3上无须具有任何microSD快闪记忆卡插槽接触点；在此，其中，所述多个SM卡接触点311、312、313、314,315经由导电电路4而分别对应与第一连接电路2的SM卡插槽接触点211、213、214、215,216电性连接，其中，由于SM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SM卡C6接触点，致使第二连接电路3的任何SIM卡接触点无须与第一连接电路2的任何SM卡插槽接触点电性连接。导电电路4，该导电电路4为通孔电路，用以将第一连接电路2与第二连接电路3予以电性连接。图6为一示意图，用以显示说明于图5中的第一连接电路。如图6所示，第一连接电路2包含多个SM卡插槽接触点211、212、213、214、215、216用以与SM卡插槽(图未示出)电性接触、多个microSD快闪记忆卡接触点317、318分别与microSD快闪记忆卡电性接触、以及导电线路250、260。在此，所述多个SM卡插槽接触点211、212、213、214、215、216经由通孔电路(导电电路4)分别对应与第二连接电路3的SIM卡接触点311、312、313、314、315电性连接；第一连接电路2复包含导电线路250、260，该导电线路250用以将SM卡插槽接触点212与microSD快闪记忆卡接触点317予以电性连接，使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SffP讯号可从SM卡插槽接触点212经由该导电线路250而传送到microSD快闪记忆卡接触点317，且，再经由该microSD快闪记忆卡接触点317而将SWP讯号传送至microSD快闪记忆卡PIN9 ;该导电线路260用以将SIM卡插槽接触点216与microSD快闪记忆卡接触点318予以电性连接，使得来自于SM卡接触点313的SM卡Cl讯号(Vcc)能经由该导电线路260而传送到microSD快闪记忆卡接触点318,且,再经由该microSD快闪记忆卡接触点318而将讯号(Vcc)传送至microSD快闪记忆卡PIN10。图7为一示意图，用以显示说明于图5中的第二连接电路。如图7所示，第二连接电路3包含多个SM卡接触点311、312、313、314、315分别与SM卡电性接触，且，由于所述多个microSD快闪记忆卡接触点317、318与所述多个SM卡插槽接触点211、213、214、215、216共同位于第一连接电路2上，因而，在第二连接电路3上无须具有任何microSD快闪记忆卡插槽接触点。`在此，所述多个SM卡接触点311、312、313、314、315经由导电电路4而分别对应与第一连接电路2的SIM卡插槽接触点211、213、216、215、214电性连接，而SIM卡接触点311、312、313、314、315 分别与 SM 卡的 C5、C7、Cl、C2、C3 点电性接触。图8为一侧面示意图，用以显示说明本实用新型的电路结构的又一实施例。如图2中所示，电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4。电路结构I包含第一连接电路2、第二连接电路3以及导电电路4，在此，软板5位于手持式行动通讯装置(图未示出)内，而该手持式行动通讯装置可为，例如，智能型手机或平板计算机。第一连接电路2，该第一连接电路2位于软板7的一表面71，至少具有多个SM卡插槽接触点221、222、223、224、225、226(如图9所示)用以与SIM卡插槽(图未示出)电性接触；在此，所述多个SM卡插槽接触点221、223、224、225、226经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的5頂卡接触点321、322、325、324、323(如图10所示)电性连接，其中，由于SIM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SM卡C6接触点，致使SIM卡插槽接触点222无须与第二连接电路3的任何SM卡接触点电性连接；且，由于为使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号能传送至microSD快闪记忆卡的PIN9，因而，将经由导电线路4而使SM卡插槽接触点222与第二连接电路3的microSD快闪记忆卡接触点328电性连接，让手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号能经由SM卡插槽接触点222、导电线路4而传送到microSD快闪记忆卡接触点328,而microSD快闪记忆卡接触点328与microSD快闪记忆卡PIN9为电性接触，因而，使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号可传送至microSD快闪记忆卡的PIN9，使手持式行动通讯装置及/或SIM卡，能与microSD快闪记忆卡能相互进行讯号及/或数据及/或数据传输。第二连接电路3，该第二连接电路3位于该软板7的另一表面72，具有多个SIM卡接触点321、322、323、324、325(如图10所示)用以与SM卡电性接触，及/或，具有多个microSD快闪记忆卡接触点327、328 (如图10所示)用以与microSD快闪记忆卡电性接触；在此，其中，所述多个SM卡接触点321、322、323、324、325经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第一连接电路2的SM卡插槽接触点221、223、226、225、224电性连接，其中，由于SIM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SIM卡C6接触点，致使第二连接电路3的任何SIM卡接触点无须与第一连接电路2的任何SIM卡插槽接触点电性连接。导电电路4，该导电电路4为位于软板7中的通孔电路73，用以将第一连接电路2与第二连接电路3予以电性连接。图9为一示意图，用以显示说明于图8中的第一连接电路。如图9所示，第一连接电路2至少包含SM卡插槽接触点221、222、223、224、225、206用以与SM卡插槽(图未示出)电性接触。在此，所述多个SM卡插槽接触点221、223、224、225、226经由通孔电路(导电电路4)而分别对应与第二连接电路3的5頂卡接触点321、322、325、324、323(如图10所示)电性连接，其中，由于SIM卡C6点被屏蔽，因而，第二连接电路3并无SIM卡C6接触点，致使SM卡插槽接触点222无须 与第二连接电路3的任何SM卡接触点电性连接；且，由于为使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号能传送至microSD快闪记忆卡的PIN9，因而，将经由导电线路4而使SM卡插槽接触点222与第二连接电路3的microSD快闪记忆卡接触点328电性连接，让手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号能经由SM卡插槽接触点222、导电线路4而传送到microSD快闪记忆卡接触点328,而microSD快闪记忆卡接触点328与microSD快闪记忆卡PIN9为电性接触，因而，使手持式行动通讯装置(例如，手机)的SWP讯号可传送至microSD快闪记忆卡的PIN9，使手持式行动通讯装置及/或SIM卡，能与microSD快闪记忆卡能相互进行讯号及/或数据及/或数据传输。图10为一示意图，用以显示说明于图8中的第二连接电路。如图10所示，第二连接电路3至少包含SM卡接触点321、322、323、324、325分别对应与SM卡的C5、C7、C1、C2、C3点电性接触，而microSD快闪记忆卡接触点327、328分别与microSD快闪记忆卡PIN10、PIN9电性接触。另，第二连接电路3可复包含导电线路340，该导电线路340用以将SM卡接触点323与microSD快闪记忆卡接触点327予以电性连接；在此，其中，SM卡接触点323与SM卡Cl点(Vcc)电性接触，因而,microSD快闪记忆卡接触点327讯号为Vcc,又,快闪记忆卡接触点327与microSD快闪记忆卡PIN10电性接触，因而使microSD快闪记忆卡PIN10讯号为Vcc，使得SM卡Cl点(Vcc)讯号能传送至microSD快闪记忆卡PIN10。[0089]在以上的所述实施例中，软板由一层以上的软性印刷电路板材料所组成，SM卡可为近距离通讯NFC SffP SM卡的型式，microSD快闪记忆卡可为单线传输协议SWP microSD快闪记忆卡的型式，而SIM卡接触点、microSD快闪记忆卡接触点亦可随之成为近距离通讯NFC SffP SM卡接触点与单线传输协议SWP microSD快闪记忆卡接触点，视实际施行情况而定。而单线传输协议SWP miCToSD快闪记忆卡，可依实际应用需求，而将相关服务与机制于SWP microSD快闪记忆卡动态扩充后，利用本实用新型的电路结构而将具备NFC SffPSIM功能的SM卡与SWP microSD快闪记忆卡予以电性连接，以让手持式行动装置能提供更多元、丰富及便利的客制化NFC应用与服务，进而满足及实现客户的实际需求与应用，例如，行动支付或身份识别的用途。且，SIM卡接触点、microSD快闪记忆卡接触点的数目，可依实际施行情况而有所改变；另外，用以连接SIM卡接触点与miCToSD快闪记忆卡接触点的导电电路及/或导电线路的形状/长短亦可随实际施行情况而有所调整；又，SIM卡插槽接触点数目，可依实际施行情况而有所改变；再，用以连接SIM卡插槽接触点与microSD快闪记忆卡插槽的导电电路及/或导电线路的形状/长短亦可随实际施行情况而有所调整；另外，在上述实施例中，经由导电线路而将一 SIM卡插槽接触点与一 microSD快闪记忆卡插槽接触点予以电性连接，但在实际施行时，当SIM卡插槽接触点与microSD快闪记忆卡插槽接触点电性连接时，各自的数目可不限定于一，换言之，为至少一 SIM卡插槽接触点与至少一 microSD快闪记忆卡插槽接触点电性连接。microSD快闪记忆卡插槽接触点并非为必要，而可予以省略；又，在上述实施例中，经由导电线路而将一 SM卡接触点与一 microSD快闪记忆卡接触点予以电性连接，但在实际施行时，当SIM卡接触点与microSD快闪记忆卡接触点电性连接时，各自的数目可不限定于一，换言之，可为至少一 SIM卡接触点与至少一 microSD快闪记忆卡接触点电性连接。在此，以上 所述的各种状况，其理相同、类似于实施例中所述，因此，在此不再赘述。综合以上的所述实施例，可以得到本实用新型的一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置内部的电路连接环境中，可利用本实用新型的电路结构而将手持式行动通讯装置的SIM卡与microSD快闪记忆卡予以电性连接,而使手持式行动通讯装置及/或SIM卡，能与microSD快闪记忆卡进行讯号及/或数据及/或数据传输。本发明的电路结构包含以下优点1.提供一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置内部的电路连接环境中，可利用本实用新型的电路结构而将手持式行动通讯装置的SIM卡与microSD快闪记忆卡予以电性连接，而使手持式行动通讯装置及/或SIM卡与microSD快闪记忆卡能进行讯号及/或数据及/或数据传输。2.使具备NFC SffP SM功能的手持式行动装置，可依实际应用需求，而将相关服务与机制于SWP microSD快闪记忆卡动态扩充后，利用本实用新型的电路结构而将具备NFCSffP SM功能的SM卡与SWP microSD快闪记忆卡予以电性连接，以让手持式行动装置能提供更多元、丰富及便利的客制化NFC应用与服务，进而满足及实现客户的实际需求与应用，例如，行动支付或身份识别的用途。[0097]藉由以上较佳具体实施例的详述希望能更加清楚描述本实用新型的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本实用新型的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变 及具相等性的安排于本实用新型所欲申请的专利范围内。
权利要求1.一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境中，其特征在于，包含 第一连接电路，该第一连接电路位于软板的一表面，至少具有多个SIM卡插槽接触点，所述多个SIM卡插槽接触点用以与SIM卡插槽电性接触；以及 第二连接电路，该第二连接电路位于该软板的另一表面，至少具有 多个SIM卡接触点，所述多个SIM卡接触点用以与SIM卡电性接触；以及SfmicroSD快闪记忆卡接触点,所述多个microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触；以及 导电电路，该导电电路用以将该第一连接电路与该第二连接电路予以电性连接。
2.一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境中，其特征在于，包含 第一连接电路，该第一连接电路位于软板的一表面，至少具有多个SIM卡插槽接触点，所述多个SIM卡插槽接触点用以与SIM卡插槽电性接触；以及 多个microSD快闪记忆卡插槽接触点，所述多个microSD快闪记忆卡插槽接触点用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触； 第二连接电路，该第二连接电路位于该软板的另一表面，至少具有 多个SIM卡接触点，所述多个SIM卡接触点用以与SIM卡电性接触；以及多个microSD快闪记忆卡接触点,所述多个microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触；以及 导电电路，该导电电路用以将该第一连接电路与该第二连接电路予以电性连接。
3.如权利要求2所述的电路结构，其特征在于，该第一连接电路复包含一导电线路，该导电线路用以将该多个SIM卡插槽接触点中的至少一 SIM卡插槽接触点与该多个microSD快闪记忆卡插槽接触点中的至少一 microSD快闪记忆卡插槽接触点予以电性连接。
4.如权利要求1或2所述的电路结构，其特征在于，该第二连接电路复包含一导电线路，该导电线路用以将该多个SIM卡接触点中的至少一 SIM卡接触点与该多个miciOSD快闪记忆卡接触点中的至少一 microSD快闪记忆卡接触点予以电性连接。
5.如权利要求1或2所述的电路结构，其特征在于，该导电电路为位于该软板中的通孔电路，该软板位于该手持式行动通讯装置内，而该手持式行动通讯装置为智能型手机或平板计算机。
6.一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境中，其特征在于，包含 第一连接电路，该第一连接电路位于软板的一表面，至少具有多个SIM卡插槽接触点，所述多个SIM卡插槽接触点用以与SIM卡插槽电性接触；以及 多个microSD快闪记忆卡接触点,所述多个microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触； 第二连接电路，该第二连接电路位于该软板的另一表面，至少具有 多个SIM卡接触点，所述多个SIM卡接触点用以与SIM卡电性接触；以及 导电电路，该导电电路用以将该第一连接电路与该第二连接电路予以电性连接。
7.一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境中，其特征在于，包含 第一连接电路，该第一连接电路位于软板的一表面，至少具有多个SIM卡插槽接触点，所述多个SIM卡插槽接触点用以与SIM卡插槽电性接触；以及 多个microSD快闪记忆卡接触点,所述多个microSD快闪记忆卡接触点用以与microSD快闪记忆卡电性接触； 第二连接电路，该第二连接电路位于该软板的另一表面，至少具有 多个SIM卡接触点，所述多个SIM卡接触点用以与SIM卡电性接触；以及多个microSD快闪记忆卡插槽接触点,所述多个microSD快闪记忆卡插槽接触点用以与microSD快闪记忆卡插槽电性接触；以及 导电电路，该导电电路用以将该第一连接电路与该第二连接电路予以电性连接。
8.如权利要求7所述的电路结构，其特征在于，该第一连接电路复包含一导电线路，该导电线路用以将该多个SIM卡插槽接触点中的至少一 SIM卡插槽接触点与该多个microSD快闪记忆卡插槽接触点中的至少一 microSD快闪记忆卡插槽接触点予以电性连接。
9.如权利要求6或7所述的电路结构，其特征在于，该第二连接电路复包含一导电线路，该导电线路用以将该多个SM卡接触点中的至少一 SIM卡接触点与该多个microSD快闪记忆卡接触点中的至少一 miciOSD快闪记忆卡接触点予以电性连接。
10.如权利要求6或7所述的电路结构，其特征在于，该导电电路为位于该软板中的通孔电路，该软板位于该手持式行动通讯装置内，而该手持式行动通讯装置为智能型手机或平板计算机。
专利摘要本实用新型提供一种电路结构，应用于手持式行动通讯装置的电路连接环境中，可利用本实用新型的电路结构而将手持式行动通讯装置的SIM卡与microSD快闪记忆卡予以电性连接，而使手持式行动通讯装置及/或SIM卡，能与microSD快闪记忆卡进行讯号及/或数据及/或数据传输。
文档编号H04M1/02GK202906997SQ20122051901
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月11日 优先权日2012年10月11日
发明者李殿基, 李正隆 申请人:动信科技股份有限公司