半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法与流程

技术总结
本发明公开了半导体装置、MEMS结构和制作MEMS装置的电极的方法。在一个实施例中，半导体装置包括衬底、可动电极和反电极，其中，可动电极和反电极机械连接至衬底。可动电极被配置为使可动薄膜的内区刚性。

技术研发人员：阿尔方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;马丁·乌策
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
文档号码：201310099965
技术研发日：2013.03.26
技术公布日：2017.04.12