专利名称：表面处理铜箔及电路基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及抑制表面粗糙且保持与绝缘基板的粘合性，适于高频特性、精细布图化的表面处理铜箔，还涉及使用该表面处理铜箔的电路基板。
背景技术：
随着电子设备的小型化、轻型化，最近的各种电子元件被高度集成化。
制作使用于此的柔性基板、高密度安装用多层基板、高频电路基板等(以下将这些统称为电路基板或印刷电路板)的基板用复合材料由导体(铜箔)和承载它的绝缘基板(包括绝缘膜)构成，绝缘基板确保导体间的绝缘，且具有承载元件的强度。
此外，随着在电路基板上传输的信号的速度变快，构成电路基板的绝缘材料的特性阻抗和信号传输速度等变得重要，需要绝缘材料的介电常数、介质损耗等特性提高。
作为满足这些条件的绝缘材料提供的基板用材料大多为酚醛树脂，用于镀覆孔大多为环氧树脂。此外，近年来由于信号的高速传输，需要介电常数小、介质损耗也小的绝缘材料，针对这些的材料也正在开发。
此外，要求耐热性的电路基板用绝缘材料使用耐热性环氧树脂、聚酰亚胺等。除此之外，尺寸稳定性好的材料，翘曲、扭曲少的材料，热收缩小的材料等也正在开发。
还有，在柔性电路基板用绝缘材料需要耐热性的情况下，或者需要锡焊的情况下，使用聚酰亚胺薄膜。另一方面，在碳墨印刷，不使用焊锡的情况下使用聚酯薄膜。近年来，柔性基板也变得复杂，多数情况下使用聚酰亚胺薄膜。
但是，聚酰亚胺薄膜存在由于吸水而介质特性变化大，在吸水环境下高频特性大幅下降的问题。此外，具有高度耐热性，但另一方面没有热熔融性，所以与作为导体的铜箔的复合的，必须使用在铜箔上流延其前体聚酰胺酸后亚胺化，或者在聚酰亚胺薄膜上设置接合层后与铜箔层压等方法，存在工艺复杂化的问题。
作为与聚酰亚胺相比吸湿性明显较低，因而介质特性变化少，具有耐锡焊的耐热性的热塑性材料，液晶聚合物和聚醚醚酮受到关注。但是，这些液晶聚合物和聚醚醚酮类树脂制成的薄膜与铜箔的粘合性低，与铜箔的剥离强度与聚酰亚胺相比趋低。
与这些绝缘薄膜粘接的作为导电层使用的铜箔主要是电解铜箔。电解铜箔通常通过图1所示的电解制箔装置制箔，通过图2所示的表面处理装置进行用于提高粘合性的粗化处理和防锈处理等。
图1所示的电解制箔装置由旋转的滚筒状的阴极2(表面为SUS或钛制)和对应该阴极呈同心圆状配置的阳极1(铅或贵金属氧化物被覆的钛电极)构成，使电解液3流通并在两电极之间产生电流，在该阴极表面析出指定厚度的铜，然后从该阴极表面剥取箔状的铜。
这个阶段的铜箔4是未处理的铜箔。此外，该未处理的铜箔4的与电解液3接触的面为粗糙面，与旋转的滚筒状的阴极2接触的面为光泽面(光面)。
为了提高制成的未处理的铜箔4与绝缘基板层合制造覆铜箔层压板(电路基板)所必须的接合强度(剥离强度)，通过图2所示的表面处理装置对未处理的铜箔4连续地进行电化学的或化学的表面处理。附图所示为连续地进行电化学表面处理的装置，使未处理的铜箔4连续通过填充电解液5的电解槽、填充电解液6的电解槽，以电极7作为阳极，铜箔自身作为阴极进行表面处理，为了提高与绝缘(树脂)基板接合时的粘合性，在未处理的铜箔4的表面析出颗粒状的铜。该步骤为粗化处理步骤，粗化处理通常在未处理的铜箔4的粗糙面或光面上实施。进行了这些表面处理后的铜箔为表面处理铜箔8，与绝缘基板层合成为电路基板。
但是，已知环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物、聚醚醚酮类树脂之中，液晶聚合物是与铜箔的接合强度(剥离强度)特别难以获得的树脂。一般，这些树脂与铜箔的剥离强度受铜箔的表面粗糙度Rz(在这里，表面粗糙度Rz是指按照JISB 0601-1994《表面粗糙度的定义和表示》的5.1十点平均粗糙度的定义规定的Rz)影响大。考虑铜箔的表面粗糙度的情况下，可以例举未处理的铜箔的表面粗糙度Rz和对铜箔表面粗化处理后的表面粗化铜箔的Rz。一直以来，对于光滑的未处理的铜箔，在提高剥离强度特别难以获得的树脂的剥离强度的情况下，使用加大粗化处理时流过的电流，加大粗化处理时的颗粒状铜的附着量，从而增加表面粗糙度的应对方法。该方法确实适合于提高剥离强度的目的，但在考虑高频特性的应用中，由于集肤效应(skin effect)，表面粗糙度Rz加大，或者粗化粒子的量增加，并不是理想的。
此外，液晶聚合物薄膜的种类中，有即使提高表面处理铜箔的表面粗糙度Rz值也与剥离强度不相关的薄膜的种类。关于这样的薄膜，已知由粗化粒子形成的铜箔表面突起物的形状与剥离强度有密切的联系。
此外，对于电路基板中的电路布图也要求高密度化，渐渐需要以配线由精细的线宽和导线间距构成的电路布图形成的所谓精细布图的印刷电路板。最近，需要以50μm～100μm左右的导线间距线宽20μm左右的高密度精细电路构成的印刷电路板(电路基板)。用于提高剥离强度的粗化粒子的表面粗糙度Rz的加大或附着量的增加也不适合于这些精细布图化的情况。
另一方面，通过使未处理的铜箔的表面变粗糙，减少粗化粒子的附着量也可以提高剥离强度，但是由于损害高频特性，所以也不适合制作精细布图。
现在，改善与液晶聚合物薄膜的粘合性的铜箔提出了含有特定元素，设置特定厚度的表面氧化层、防锈层的铜合金箔(参考例如，日本专利特开2003-064431号公报)。但是，如果将液晶聚合物薄膜化，则由于棒状分子的取向为平面方向，厚度方向的强度非常低，所以这样的铜箔中，在液晶聚合物薄膜与铜箔交界面贴近处容易损坏，因此结果是无法得到足够的剥离强度。
此外，为了改善与液晶聚合物薄膜的粘合性，也提出了对铜箔表面进行等离子处理(参考例如日本专利特开2001-049002号公报)、UV处理(参考例如日本专利特开2000-233448号公报)等表面处理的方法，但是即使使用这些方法，表面粗糙度低的铜箔也无法得到足够的剥离强度。
发明内容
发明要解决的课题是提供高频特性良好、可制作精细布图、剥离强度足够的表面处理铜箔及电路基板。
本发明是为了提供高频特性良好、可制作精细布图、剥离强度足够的表面处理铜箔及电路基板而完成的，成功开发出的表面处理铜箔及使用该表面处理铜箔的电路基板，该表面处理铜箔对于一般用作绝缘基板的环氧树脂基板，聚酰亚胺薄膜，以及由于吸湿性明显较低而介质特性变化少，具有耐受锡焊的耐热性，但难以获得剥离强度的液晶聚合物薄膜，聚醚醚酮类基板，不加大铜箔表面粗糙度的情况下剥离强度足够且可精细布图化。
本发明的表面粗化铜箔是，使粗化粒子附着于未处理的铜箔的至少一面粗化的粗化处理面的表面粗糙度Rz为0.6μm～1.5μm，亮度值为35以下的表面处理铜箔。
本发明中，所述粗化处理面附着铜或铜合金粒子粗化为佳，附着的铜或铜合金的量在1mg/dm2以上，160mg/dm2以下特别好。
本发明的所述粗化处理面由粗化粒子的突起物形成，该突起物的高度为0.3～3.0μm，较好是观察截面25μm的范围内存在的突起物在10～100的范围内。
本发明的表面处理铜箔的粗化处理前的铜箔(未处理的铜箔)是电解铜箔，此外，作为未处理的铜箔的电解铜箔较好是颗粒状结晶。
本发明的表面处理铜箔的未处理的铜箔上至少进行表面处理的面的粗糙度以Rz表示在2.0μm以下为佳，尤其，未处理的铜箔上进行粗化处理的表面较好是表面粗糙度Rz在2.0μm以下的粗糙面。
本发明的表面处理铜箔中的所述突起物较好是由Cu构成的粒子或Cu和Mo的合金粒子、或者Cu与选自Ni、Co、Fe、Cr、V、W中的至少一种元素构成的合金粒子形成。
本发明的表面处理铜箔中，较好是至少在由粗化粒子形成的突起物的面上形成由Ni、Ni合金构成的被膜，或者至少在由粗化粒子形成的突起物的面上设置由锌层或锌合金层或/和Cr金属层或铬酸盐层构成的防锈层。
本发明的表面处理铜箔中，较好是至少在由粗化粒子形成的突起物的面上或/和防锈层上形成硅烷偶合层。
本发明的电路基板使用所述本发明的表面处理铜箔制成。
上述本发明的目的和特征通过以下联系附图的记述会更加明了，其中，图1是表示电解制箔装置的结构的说明图，图2是表示表面处理装置的结构的说明图，图3是表示蚀刻后的截面的大致情况的模式图。
具体实施例方式
本发明中，表面处理前的铜箔(未处理的铜箔)是通过电解或压延制造的铜箔。现在随着精细布图化不断发展，也希望铜箔是薄箔，由于压延箔越薄加工费越贵，电解铜箔为佳。
铜箔的厚度在1μm～200μm，至少单面的表面粗糙度Rz为0.01μm～2.0μm的铜或铜合金箔为佳。
关于铜箔的厚度，对厚度在1μm以下的铜箔，在其表面上进行粗化处理非常困难；另外，作为用于高频印刷电路板的铜箔，200μm的箔是不现实的。
关于未处理的铜箔的表面粗糙度，Rz在0.01μm以下的箔实际制造困难，即使可以制造造价也很高，所以不适于实际；另外，Rz在2.0μm以上的未处理的铜箔虽然也可以使用，但是如果考虑到高频特性和精细布图化，则未处理的铜箔的粗糙度在2μm以下为佳。
为了获得粗糙度2μm以下的铜箔，可以通过柱状结晶得到，但颗粒状结晶更合适于控制粗糙度。另外，在切割精细布图方面也是颗粒状结晶更好。
下述本发明的实施例全部使用具有颗粒状结晶的铜箔。
这是因为与液晶聚合物薄膜的咬合不好，剥离强度不会提高。
亮度值的测定中，在对被测铜箔进行在Ni0.01～0.5mg/dm2、Zn0.01～0.5mg/dm2、Cr0.01～0.3mg/dm2的范围内的防锈处理后，使用亮度计(スガ试验机株式会社制，机器名称SMカラ一コンピュ一タ一，型号SM-4)测定亮度。
兼具如上的表面粗糙度(Rz)和亮度的本发明的表面处理铜箔，尤其对于粘合性上存在困难的液晶聚合物薄膜，具有优异的剥离强度和精细布图特性，正如后述的实施例、比较例中所表明的。
本发明中，如上所述，对未处理的铜箔的表面进行粗化处理，为了获得更优异的剥离强度和精细布图特性，较好是使以粗化粒子形成的突起物大致均等的存在(分布)。此外，所述突起物的高度以0.3μm～3.0μm为佳。这是因为，突起物的高度在0.3μm的情况下，由于高度低无法获得提高剥离强度的效果；在3.0μm以上的情况下，高频特性下降且变得不适于精细布图化。这里所说的高度是指未处理的铜箔的表面与突起物的顶点的距离。
此外，如果突起物的个数少，则剥离强度不足，而如果个数过多则铜箔表面和突起物的粘合性变弱，数量多反而其效果减弱，所以观察截面25μm内10个～100个为佳，20个～75个更好。
在这里，对本发明所说突起物的概念进行说明，在相邻的突起物之间形成的沟部的底部与突起物的顶点的距离(以下亦称沟深度)不足0.01μm的情况下，这样的相邻的突起物看作一个突起物；在沟深度在0.01μm以上的情况下，这样的相邻的突起物看作两个突起物。对应于前述的突起物的高度是指未处理的铜箔的表面和突起物的顶点的距离，该沟深度是进行表面粗化处理后的沟底部和突起物的顶点的距离。
计数突起物的数量的方法可以例举将表面处理铜箔包埋于树脂内，进行研磨后对截面进行SEM观察，在观察照片中以25μm的长度计数上述定义的突起物的个数的记数方法。在后述的实施例中，使用上述方法测定本发明例和比较例中制成的铜箔的突起物数量，记载于下述表1中。
另外，所述粗化处理层的100μm×100μm的范围内高度在0.3～3.0μm的突起物均匀地存在1600个～150000个为佳。
突起物均匀地存在是指突起物与突起物之间至少没有15μm以上的间隔。
另外，较好为25μm内存在10个～100个，使该突起物之间存在深度0.2μm以上的沟并使其大致均匀地分布，这是为了避免突起物在25μm内局部地集中，使得在铜箔的横向和纵向获得剥离强度的稳定化。
本说明书所说的“大致均匀的分布”是指观察宽度为25μm时，假设突起物的顶点与铜箔表面之间的高度为0.3μm～3.0μm的突起物的个数为n(个)，该“n”除以截面观察的宽度25μm得到的宽度的区域内，至少存在一个突起物的一部分。
形成构成本发明的基板复合材料的表面处理铜箔的突起物的粗化粒子是Cu粒子或Cu和Mo的合金粒子、或者Cu或Cu和Mo的组成中还含有选自Ni、Co、Fe、Cr、V和W中的至少一种元素的合金粒子。
以Cu粒子或Cu和Mo的合金粒子可以得到所期望的突起物，以Cu或Cu和Mo的组成中还含有选自Ni、Co、Fe、Cr、V和W中的至少一种元素的两种以上元素的合金粒子可以更均匀地形成突起物，所以更有效。
形成这突起物的粗化粒子与构成基板或薄膜的树脂进行化学结合，所以认为可以使剥离强度增大。根据树脂种类而不同，以化学结合使剥离强度增大的粒子可以例举Cu-Mo合金、Cu-Ni合金、Cu-Co合金、Cu-Fe合金、Cu-Cr合金、Cu-Mo-Ni合金、Cu-Mo-Cr合金、Cu-Mo-Co合金、Cu-Mo-Fe合金等。
形成所述突起物的合金粒子所含的Mo、Ni、Co、Fe、Cr、V和w元素对应于Cu的含量占0.01ppm～20％为佳。这是因为含量超过20％的合金组成在之后的步骤中蚀刻电路布图时，变得难以溶解。
在本发明中，为了得到均一的突起物，需要利用各种电解液将电流密度、溶液温度、处理时间调整到最佳。
此外，在设置突起物的表面上，为了提高不掉粒性、耐盐酸性、耐热性、导电性，较好是设置选自Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Ag中的至少一种的金属电镀层。还有，没有设置突起物的表面上，为了提高耐盐酸性、耐热性、导电性，较好也附着选自Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Ag中的至少一种的金属电镀层。为了达到这些目的的附着金属的量在0.05mg/dm2以上，10mg/dm2以下为佳。
特别是对于液晶聚合物树脂，Ni或Ni合金具有提高剥离强度的效果，是有用的。
上述构成得到的粗化处理面上形成Cr和/或铬酸盐被膜，进行防锈处理，根据需要进行硅烷偶合处理，或者防锈处理+硅烷偶合处理。
绝缘基板和表面粗化铜箔粘合的方法可以使用热压方式、连续辊层压方式、连续带压方式等，不借助粘合剂进行热压接。
以下，基于实施方式对本发明进行更详细的说明，但本发明并不局限于此。
本实施例中，铜箔、粗化处理用电镀液使用以下所列的。
(1)铜箔(i)原料箔1准备厚度12μm，粗糙面粗糙度Rz0.86μm，光泽面粗糙度Rz1.62μm的未处理的电解铜箔和未处理的压延铜箔。
(ii)原料箔2准备厚度12μm，粗糙面粗糙度Rz1.26μm，光泽面粗糙度Rz1.53μm的未处理的电解铜箔。
(iii)原料箔3准备厚度2μm，粗糙面粗糙度Rz1.09μm，光泽面粗糙度Rz1.24μm的未处理的电解铜箔。
(2)表面粗化处理用的电镀液和电镀条件(i)电镀A
·电镀浴1硫酸铜(作为金属Cu)1～10g/dm3硫酸 30～100g/dm3钼酸铵(作为金属Mo)0.1～5.0g/dm3电流密度 10～60A/dm2通电时间 1秒～45秒浴温 20℃～60℃·电镀浴2硫酸铜(作为金属Cu)20～70g/dm3硫酸 30～100g/dm3电流密度 5～45A/dm2通电时间 1秒～1分钟浴温 20℃～60℃(ii)电镀B·电镀浴1硫酸铜(作为金属Cu)1～50g/dm3硫酸镍(作为金属Ni)3～25g/dm3钒酸铵(作为金属V) 0.1～15g/dm3pH1.0～4.5电流密度 10～60A/dm2通电时间 5秒～60秒浴温 20℃～60℃·电镀浴2硫酸铜(作为金属Cu)10～70g/dm3硫酸 30～120g/dm3电流密度 20～50A/dm2通电时间 5秒～1分钟浴温 20℃～65℃(iii)电镀C
·电镀浴1硫酸铜(作为金属Cu)1～50g/dm3硫酸钴(作为金属Co)1～50g/dm3钼酸铵(作为金属Mo)0.1～10g/dm3pH0.5～4.0电流密度 10～60A/dm2通电时间 5秒～1分钟浴温 20℃～60℃·电镀浴2硫酸铜(作为金属Cu)10～70g/dm3硫酸 30～120g/dm3电流密度 5～60A/dm2通电时间 1秒～1分钟浴温 20℃～65℃本发明例1～12中，将上述原料箔1～3在上述电镀条件A、B、C的浴液组成、浴温、电流条件的范围内以电镀浴1→电镀浴2的顺序进行至少一次电镀(粗化处理)，得到下述表1所示的表面形状。
还有，在该粗化处理面上进行镀镍(0.3mg/dm2)和镀锌(0.1mg/dm2)，再在其上进行铬酸盐处理。
电镀A’、B’、C’比较例1～12中，上述本发明例中的电镀A、B、C的电镀浴2的电流密度、时间、温度条件改为下述的电镀浴3(这些分别成为电镀A’、B’、C’)，以电镀A’、B’、C’的电镀浴1→电镀浴3的顺序进行至少一次电镀(粗化处理)，制成比较例的箔。而且与本发明例相同，在粗化处理面上进行镀镍(0.3mg/dm2)和镀锌(0.1mg/dm2)，在其上进行铬酸盐处理，作为比较例的试验材料。比较例的表面形状如表2所示。
·电镀浴3硫酸铜(作为金属Cu)20～70g/dm3硫酸 30～120g/dm3
电流密度 3A/dm2通电时间 2分钟以上(根据表面粗糙度改变时间)浴温 15℃表面处理铜箔的剥离强度的评价〔液晶聚合物薄膜〕在本发明例和比较例中制成的表面处理铜箔上以下述层压方法粘附液晶聚合物薄膜1(下称薄膜1)，测定剥离强度。其结果表示于表1和表2。
〔液晶聚合物薄膜和表面处理铜箔的层压方法〕将表面处理铜箔和液晶聚合物薄膜1层叠，在280℃下加一定压力，保持10分钟后冷却，制成基板用复合材料。
〔聚酰亚胺薄膜〕将本发明例和比较例中制成的表面处理铜箔切成长250mm、宽250mm后，在铜箔表面(粗化面一侧的表面)上放上厚50μm的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产制UPILEX-VT)，将它们一起用2块光滑的不锈钢板夹住，通过20torr的真空压制，温度330℃、压力2kg/cm2的条件下热压接10分钟，然后在温度330℃、50kg/cm2的条件下热压接5分钟，制成基板用复合材料，测定剥离强度。其结果表示于表1和表2。
〔环氧树脂基板〕将本发明例和比较例中制成的表面处理铜箔切成长250mm、宽250mm后，将其粗化处理面一侧的表面置于热压接后厚1mm的数块玻璃纤维环氧树脂层压板(FR-4)上，一起用2块光滑的不锈钢板夹住，在温度170℃、压力50kg/cm2的条件下热压接60分钟，制成带载箔的FR-4载体剥离用单面覆铜箔层压板，测定剥离强度。其结果表示于表1和表2。
基板用复合材料(覆铜箔层压板)的剥离强度的测定按照JISC6471，在180度方向剥离来进行。
高频传输损失的评价在本发明例和比较例中制成的表面处理铜箔上放上高频基板用树脂浸透的玻璃布预浸材料，加热压制成覆铜箔层压板。接着，在铜箔表面贴上干膜抗蚀膜进行蚀刻，制成高频印刷电路板。该高频印刷电路板电路的线性较好，宽100μm、导体间100μm的布图的高频印刷电路板完成。测定在该高频印刷电路板上传输500mm 5GHz的信号时的传输损失。以本发明例、比较例的铜箔求得的传输损失的减少率的结果如表1和表2所示。
传输损失减少率根据下式求得。
精细布图特性的评价将制成的箔贴于FR4树脂上，如图3所示的截面简图，将以线宽L、间距S形成抗蚀层的铜箔在氯化铁浴中进行蚀刻，确定使线宽的最大宽度与抗蚀层宽度相同的蚀刻时间，以各线宽和各间距制成各自n＝10(每1块基板形成10条导线)的形成抗蚀层的基板，在氯化铁浴中以上述确定的时间进行蚀刻，在各基板上观察导线之间是否发生桥接现象、是否有残余、导线的最大宽度与抗蚀层相同，在n＝10制成的各基板中没有发生桥接现象、没有残余、导线的最大宽度与抗蚀层相同的基板里的最小的L·S的值如表1和表2所示。
从表1和表2可知，如果比较本发明例中的表面处理铜箔和比较例中的表面处理铜箔，本发明例的表面处理铜箔虽然处理表面粗糙度较小，在2μm以下，但依靠由粗化粒子形成的突起物的数量和与其相关的亮度(值)，剥离强度与比较例的铜箔(处理表面粗糙度较大，在2μm以上)大致相同，表面粗糙度低，所以传输损失与比较例相比减少。此外，精细布图也可以降至20μm/20μm以下。
虽然这次并没有记载于表1和表2，但聚醚醚酮类的树脂也有同样的倾向。
本发明中，调整由粗化粒子形成的粗化处理面的形状至合适的表面粗糙度和亮度值，表面粗糙度虽低，却可以获得与粗糙度大的表面处理箔同样的剥离强度，而且可以制成精细的电路布图的表面处理铜箔。
本发明的表面处理铜箔是对于一般难以表现出与铜箔的接合强度的聚酰亚胺薄膜、液晶聚合物薄膜等基板也可以获得足够的剥离强度，高频特性优异的表面处理铜箔，通过使用该铜箔可以提供高频特性优异、可以精细布图化的电路基板。
本发明，表面处理铜箔的表面粗糙度Rz为0.6～1.5μm，亮度值在35以下，对绝缘基板的剥离强度充分，可以精细布图化。
使用本发明的表面处理铜箔的电路基板尤其可以提供精细布图的、高频特性优异的电路。
本发明能够提供的表面处理铜箔，在与环氧树脂、聚酰亚胺树脂、以热塑性液晶聚合物为主体的薄膜、聚醚醚酮类树脂等的粘合性方面，抑制表面粗糙度，且使剥离强度提高到与现有的铜箔同样程度甚至更高的程度，同时高频特性优良、适于精细布图化，更进一步可以适用于该表面处理铜箔和所述基板(薄膜)层合的柔性基板、高密度安装用多层基板、高频电路用基板用表面处理铜箔和使用该表面处理铜箔形成的电路基板。
表1
表2
权利要求
1.表面处理铜箔，其特征在于，使粗化粒子附着于未处理的铜箔的至少一面，经过粗化的粗化处理面的表面粗糙度Rz为0.6μm～1.5μm，亮度值为35以下。
2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其特征还在于，在未处理的铜箔的至少一面附着铜或铜合金的粗化粒子并粗化，附着的铜或铜合金的量在1mg/dm2以上，160mg/dm2以下。
3.如权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其特征还在于，所述表面处理铜箔在未处理的铜箔表面形成粗化粒子的突起物，所述突起物的高度为0.3～3.0μm，观察截面25μm的范围内存在的突起物在10～100个的范围内。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，所述的未处理的铜箔是电解铜箔。
5.如权利要求1～4中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，未处理的铜箔的电解铜箔由颗粒状结晶构成。
6.如权利要求1～5中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，未处理的铜箔上进行粗化处理的面的表面粗糙度Rz在2.0μm以下。
7.如权利要求1～6中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，未处理的铜箔上进行粗化处理的面是表面粗糙度Rz在2.0μm以下的粗糙面。
8.如权利要求1～7中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，所述表面处理铜箔中的所述突起物由Cu构成的粒子或Cu和Mo的合金粒子、或者Cu与选自Ni、Co、Fe、Cr、V、W中的至少一种元素构成的合金粒子形成。
9.如权利要求1～8中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，在所述表面处理铜箔的突起物的面上形成由Ni、Ni合金构成的被膜。
10.如权利要求1～9中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，至少在所述表面处理铜箔的突起物的面上设置由锌层或锌合金层或/和Cr金属层或铬酸盐层构成的防锈层。
11.如权利要求1～10中的任一项所述的表面处理铜箔，其特征还在于，至少在所述表面处理铜箔的突起物的面上或/和防锈层上形成硅烷偶合层。
12.电路基板，其特征在于，采用权利要求1～11中的任一项所述的表面处理铜箔形成电路图。
全文摘要
提供高频特性良好、可制作精细布图、剥离强度足够的表面处理铜箔及电路基板。包括使粗化粒子附着于未处理的铜箔的至少单面，粗化的粗化处理面的表面粗糙度Rz为0.6μm～1.5μm，亮度值为35以下的表面处理铜箔，和通过该表面处理铜箔形成电路布图的电路基板。
文档编号H05K1/16GK1770953SQ200510108990
公开日2006年5月10日 申请日期2005年9月29日 优先权日2004年10月6日
发明者铃木裕二 申请人:古河电路铜箔株式会社