专利名称：电子组件热传导的方法
技术领域：
本发明涉及一种电子组件热传导的方法，尤其涉及一种先于经清洗处理的高传导金属材料表面以电解氧化处理方式形成一同时具耐高温及耐高电压特性的绝缘介质层，再于该绝缘介质层上特定位置部制作一层做为通电用的导电金属膜或依所需的多数导电金属线膜，进使该高传导金属材料、绝缘层、导电金属膜三者紧密结合，并将电子组件设于该高传导金属材料上，当该电子组件导电后产生热能时，而能迅速传达到该高传导金属材料上而达极佳的热交换效果的电子组件热传导的方法。
背景技术：
习知使用于电子组件散热的金属材料表面绝缘层的制作方式，其主要将石粉、树脂及溶剂相互调和组成一绝缘涂料，将调制妥当的绝缘涂料以喷涂或印刷处理，直接予以喷涂到经清洗烘干处理妥当的金属材料表面上，再经高温的烘烤烘干，形成一绝缘层，再于其上制作导电层，当导电层上所附加的组件导电后表面所产生的热能，经此绝缘层传至金属材料上。
习知的绝缘膜技术虽具有绝缘的效果，但其具如下的缺点1.习知的绝缘膜技术，其是以喷涂或印刷处理制作，无法达到与金属材料零间隙密合状态，其存在之间隙将在热能传导中形成障碍。
2.习知的绝缘膜技术在制作过程中所形成的毛细孔现象，将必须以一定的厚度制作方能达到绝缘的效果，故导致热能传导上的障碍。
3.非金属材料的导热性不佳，使组件产生的热能无法快速的传导到散热金属材料上。
发明内容
本发明的目的是提供一种一种电子组件热传导的方法。
为了达到前述的目的，本发明是于高传导金属材料上以电解氧化方法处理，使之产生氧化绝缘表层，可耐高温及高电压，与高传导金属表面形成零间隙密合状态，再于该绝缘层上制作一层导电金属膜，使该高传导金属材料、绝缘层、导电金属膜三者紧密结合，当高传导金属材料上所附加的电子组件导电后产生的热能能瞬间完全传达到高传导金属材料上，而达极佳的热交换效果。
本发明具有如下的优点1.氧化绝缘层与高传导金属材料间呈零间隙密合状态，无间隙的存在不会产生热传导障碍，热传导效率更高。
2.将电子组件所产生的工作热能均匀、完全的传达到高传导金属材料上。
3.氧化绝缘层的厚度较薄，热传导效率更高。
4.氧化绝缘层可耐更高的电压及温度。
5.可任意随物体表面加工。
图1为本发明方法试举一运用于LED照明装置时的较佳实施例剖示图；图2为本发明方法试举一运用于LED照明装置时的较佳实施例立体图；图3为本发明方法的电解氧化处理及电镀导电金属线膜的制作的流程图；图4为本发明方法将高传导类金属材料经电解氧化处理使其表面具较大面积氧化绝缘介质层的实施例剖示图；图5为图2所示的导电金属膜以黏贴方式贴合于高传导金属材料上的实施例立体分解图；图6为图2所示的导电金属膜以另一弯折呈ㄈ型导电金属直接扣组于高传导金属材料上的实施例立体分解图；图7为本发明方法运用于IC集成电路时的实施例立体分解图。
附图标号说明A-高传导金属材料；A1-电子组件；A2-定位凹孔；A3-凹陷部；B-氧化绝缘介质层；C-导电金属膜；C1-导电金属线膜；C2-插脚；C3-导电金属；C4-定位钩；D-IC内部的电子组件；D1-导接点；1-脱脂处理；2-化学表面研磨处理；3-水洗；4-中和处理；5-电解氧化处理；6-第二次水洗；7-封口处理；8-热水浸泡；9-表面硬化；10-第二次化学表面研磨处理；11-第三次水洗；111-导线；12-烘干；13-浸泡导电液；14-电镀导电膜；15-水洗；16-烘干。
具体实施例方式
请参阅图1及图2所示，其是本发明试举其中一种运用于LED照明装置时的实施例，本发明是以热传导效率较快的高传导金属材料A进行电解氧化处理，而于该高传导金属材料A的表面形成一氧化绝缘介质层B，该氧化绝缘介质层B同时具耐高温及耐高电压的特性，再于该氧化绝缘介质层B上特定位置部制作一层做为通电用的导电金属膜C，而可连接导线111通电给设于高传导金属材料A上的一个或一个以上的电子组件A1，当该电子组件A1导电后产生热能时，能迅速传达到该高传导金属材料A上，而将电子组件A1所产生的热能快速带走，而达极佳的热交换效的者，前述导电金属膜C可采用电镀方式形成。
于进行电解氧化处理前需先将高传导金属材料A进行表面清洗的步骤，使高传导金属材料A的表面不得残留油污及悬浮微粒，其制作氧化绝缘层程序包括先进行脱脂处理1、再进行化学表面研磨处理2、水洗3、中和处理4、电解氧化处理5、第二次水洗6、封口处理7、热水浸泡8、表面硬化9形成一氧化绝缘介质层B，接着进行第二次化学表面研磨处理10、第三次水洗11及烘干12等程序，且，若采电镀方式制作该导电金属膜C时，则需再将完成氧化绝缘介质层B的高传导金属材料A进行浸泡导电液13、电镀导电膜14、水洗15及烘干16程序形成导电金属膜C，藉本方法于该高传导金属材料A的表面形成一氧化绝缘介质层B，可藉耐高温及耐高电压的特性，而可直接于该氧化绝缘介质层B上特定位置部制作一层做为通电用的导电金属膜C或依所需的多数导电金属线膜C1，而不产生短路，同时并可将电子组件A1通电后所产生的热温直接快速传导于高传导金属材料A而将热快速带走者，前述的导电金属膜C可采贴合方式贴合于高传导金属材料A表面的氧化绝缘介质层B上(如图5所示)，或以弯折呈ㄈ型导电金属C3直接扣组于高传导金属材料A上，并藉ㄈ型导电金属C3所设的定位钩C4扣组于高传导金属材料A的定位凹孔而达定位(如图6所示)，该导电金属膜C亦可采涂布或印刷方式制作于高传导金属材料A表面。
再请参阅图7所示，其是本发明试举其中一种运用于IC(集成电路)时的实施例，其是将高传导金属材料A经前述本发明方法而于该高传导金属材料A的表面形成一氧化绝缘介质层B后，将IC内部的电子组件D直接设于该高传导金属材料A上或其上所预设的凹陷部A3内，再以封装胶将其封装，再于该绝缘介质层B上电镀与IC内部的电子组件D的导接点D1相衔接的多数导电金属线膜C1，而使IC内部的电子组件D的导接点D1可藉该些导电金属线膜C1与设于高传导金属材料A周边的插脚C2相衔接，而使通电后的IC内部的电子组件D所产生的工作温度能瞬间传导至高传导金属材料A将温度带走者，使IC的工作温度大幅下降。
综上所述，本发明的以电解氧化方法制成高传导金属表面的绝缘介质层，可高效率的提高热能传导。
权利要求
1.一种电子组件热传导的方法，其特征在于，其方法为其主要是将做为电子组件散热基座的热传导效率较快的高传导金属材料进行电解氧化处理，而于该高传导金属材料的表面形成一氧化绝缘介质层，该氧化绝缘介质层同时具耐高温及耐高电压的特性，再于该氧化绝缘介质层上特定位置部依所需制作一层做为通电用的导电金属膜，而可连接导线通电给设于该高传导金属材料上的一个或一个以上的电子组件；藉上述方法，当该电子组件导电后产生热能时，能迅速传达到该高传导金属材料上，而将电子组件所产生的热能快速带走，而达极佳的热交换目的。
2.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，其制作氧化绝缘层程序包括如下步骤a.先将高传导金属材料进行脱脂处理；b.再进行化学表面研磨处理；c.水洗；d.中和处理；e.电解氧化处理；f.第二次水洗；g.封口处理；h.热水浸泡；i.表面硬化形成一氧化绝缘介质层；j.进行第二次化学表面研磨处理；k.第三次水洗；l.烘干。
3.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，该导电金属膜若采用电镀方式形成时，则需再将完成氧化绝缘介质层的高传导金属材料进行浸泡导电液、电镀导电膜、水洗及烘干程序形成导电金属膜。
4.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，该导电金属膜可依所需制作形成多数呈导电线路状的导电金属线膜。
5.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，该导电金属膜可采贴合方式贴合于高传导金属材料表面的氧化绝缘介质层上。
6.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，可以弯折呈ㄈ型导电金属直接扣组于高传导金属材料上，并藉ㄈ型导电金属所设的定位钩扣组于高传导金属材料的定位凹孔而达定位。
7.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，该导电金属膜亦可采涂布或印刷方式制作于高传导金属材料表面。
8.依权利要求书1所述的电子组件热传导的方法，其特征在于，于高传导金属材料表面可依所需制作部份或全面氧化绝缘介质层。
全文摘要
本发明涉及一种电子组件热传导的方法，尤指一种先于经清洗处理的高传导金属材料表面以电解氧化处理方式形成一同时具耐高温及耐高电压特性的绝缘介质层，再于该绝缘介质层上特定位置部制作一层做为通电用的导电金属膜或依所需的多数导电金属线膜，进使该高传导金属材料、绝缘层、导电金属膜三者紧密结合，并将电子组件设于该高传导金属材料上，当该电子组件导电后产生热能时，而能迅速传达到该高传导金属材料上而达极佳的热交换效果的电子组件热传导的方法。
文档编号H05K7/20GK1949490SQ20051011273
公开日2007年4月18日 申请日期2005年10月12日 优先权日2005年10月12日
发明者戴瑞丰, 戴芸 申请人:戴瑞丰, 戴芸