片式电子组件的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2014年1月2日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0000178号 韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
[0002] 本公开涉及一种片式电子组件的制造方法。
【背景技术】
[0003] 近来，随着诸如各种通信装置、显示装置等的信息技术（IT)装置的小型化和纤薄 已经加速，对用于使IT装置中使用的诸如电感器、电容器和晶体管等的各种元件小型化和 纤薄化的技术的研究已经不断地进行。
[0004] 作为片式电子组件之一的电感器是与电阻器和电容器一起形成电子电路W去除 噪声的代表性无源器件。该样的电感器与使用电磁特性的电容器组合W构造放大特定频带 的信号的谐振电路、滤波器电路等。
[0005] 电感器还被具有小尺寸和高密度并且能够自动表面安装的片快速地取代，已经进 行了如下开发：通过混合磁性粉末和树脂并且将该混合物施用到线圈图案(线圈图案通过 锻覆形成在薄膜绝缘基板的上表面和下表面上）来形成薄型电感器。
[0006] 作为电感器的主要性质，直流（DC)电阻Rdc可依据线圈的横截面积的增大而减 小。因此，为了减小直流电阻Rdc和提高电感，电感器的内线圈的横截面积需要增大。
[0007] 作为增大线圈的横截面积的方法，有两种方法，即，增大线圈的宽度的方法和增大 线圈的高度的方法。
[0008] 在增大线圈的宽度的情况下，在线圈部之间会产生短路的可能性会增大，在电感 器片中能够实现的面数会受限制而导致被磁性材料占据的面积减小，从而会导致效率降 低，高电感产品的实现会受限。
[0009] 因此，已经需要薄型电感器的内线圈通过增大线圈的高度而具有高的高宽比（AR) 的结构。内线圈的高宽比（AR)表示通过线圈的高度除W线圈的宽度而获得的值，为了实现 高的高宽比（AR)，需要抑制线圈在宽度方向上的生长，并且需要加速线圈在高度方向上的 生长。
[0010] 为了实现具有高的高宽比（AR)的线圈，需要执行其中线圈仅在高度方向上生长的 各向异性电锻工艺，并且根据现有技术，对于各向异性锻覆工艺，在接近极限电流密度的范 围内施加电流的同时执行锻覆。
[0011] 然而，因为在锻覆工艺期间线圈的横截面积会改变，所W依据该工艺可能难W连 续地确定新的极限电流密度值W使用电流值。因此，在长时间地维持各向异性锻覆工艺方 面存在局限性。此外，施加的电流的密度低于极限电流密度，会产生线圈在宽度方向上和线 圈的高度方向上生长的各向同性生长现象，而不是出现线圈的各向异性生长，使得线圈部 之间发生短路，并且会存在实现高的高宽比（AR)方面的限制。
[0012] 另外，即使在制造工艺期间新的极限电流密度可被连续地确定的情况下，当电流 值在制造工艺中改变时，也会在线圈的横截面中产生不连续的界面，线圈的导电率会降低。
【发明内容】
[0013] 本公开中的示例性实施例可W提供一种制造电子片式组件的方法，通过线圈在高 度方向上进行生长的同时线圈在宽度方向上的生长受到抑制的各向异性电锻工艺，该方法 能够防止在线圈部之间的短路的发生并且与线圈宽度相比增大线圈的高度，W实现具有高 的高宽比（AR)的线圈。
[0014] 根据本公开中的示例性实施例，一种片式电子组件的制造方法可包括；在绝缘基 板的至少一个表面上形成线圈图案种子层；在线圈图案种子层上执行电锻工艺W形成线圈 导体层，其中，通过施加恒定电压来执行电锻工艺。
[0015] 在执行电锻工艺时施加的电压可W为1. 5V或更大。
[0016] 在执行电锻工艺时施加的电压可W为1. 8V至2. 4V。
[0017] 在执行电锻工艺的步骤中，可通过施加恒定电流在线圈图案种子层上形成各向同 性线圈导体层，然后可通过施加恒定电压在各向同性线圈导体层上形成各向异性线圈导体 层。
[001引为了形成各向同性线圈导体层而施加的电流的电流密度可为lA/血2至5AAlm2。
[0019] 在执行电锻工艺中使用的锻液可W包括从由硫酸盐和盐酸盐组成的组中选择的 至少一种无机酸盐。
[0020] 在执行电锻工艺中使用的锻液可W包括从由己二醇、聚己二醇、甘油、聚环氧己焼 和聚氧化亚烷基二醇组成的组中选择的至少一种有机材料。
[0021] 在执行电锻工艺中使用的锻液可W包括从由3-琉基丙賴酸、二（3-賴丙基）二硫 化物和N，N-二甲基二硫代氨基甲酸（3-賴丙基）醋所组成的组中选择的至少一种。
[0022] 线圈导体层可W包括从由银（Ag)、把（Pd)、铅（A1)、媒（Ni)、铁（Ti)、金（Au)、锡 (Sn)、铜（化）和笛（Pt)组成的组中选择的至少一种。
[0023] 形成线圈图案种子层的步骤可W包括；在绝缘基板上形成阻锻剂，阻锻剂具有用 于形成线圈图案种子层的开口；填充用于形成线圈图案种子层的开口W形成线圈图案种子 层；去除阻锻剂。
[0024] 包括线圈图案种子层和线圈导体层的内线圈部可W具有1. 1或更大的高宽比 (AR)。
[0025] 根据本公开中的示例性实施例，一种片式电子组件的制造方法可包括；在绝缘基 板的至少一个表面上形成内线圈部；在其上形成有内线圈部的绝缘基板的上部和下部上堆 叠磁性层，W形成磁性主体；在磁性主体的至少一个端表面上形成外电极，W连接到内线圈 部，其中，在形成内线圈部的步骤中，在绝缘基板上形成线圈图案种子层，并通过执行施加 恒定电压的电锻工艺来形成包覆线圈图案种子层的线圈导体层。
[0026] 施加的恒定电压可W为1. 5V或更大。
[0027] 施加的恒定电压可W为1. 8V至2. 4V。
[002引在形成内线圈部的步骤中，可通过施加恒定电流在形成在绝缘基板上的线圈图案 种子层上形成包覆线圈图案种子层的各向同性线圈导体层，可通过施加恒定电压在各向同 性线圈导体层上形成各向异性线圈导体层。
[0029] 恒定电流的电流密度可W为lA/血2至5A/血2。
[0030] 内线圈部可W具有1. 1或更大的高宽比。
【附图说明】
[0031] 通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的W上和其他方面、特征和其他优点 将会被更清楚地理解，在附图中：
[0032] 图1是示出了根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的示意性透视图，其中 示出了内线圈部；
[0033] 图2是沿图1中的线I-I'截取的剖视图；
[0034] 图3是示出了根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的制造方法的工艺图；
[0035] 图4至图7是顺序地示出根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的制造方法 的图；
[0036] 图8是根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的内线圈部的剖视图。
【具体实施方式】
[0037] 现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
[0038] 然而，本公开可很多不同的形式来举例说明，并不应该被解释为限制于在此 阐述的特定实施例。相反，提供该些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本公开 的范围充分地传达给本领域技术人员。
[0039] 在附图中，为了清晰起见，可夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标 记来指示相同或相似的元件。
[0040] 在下文中，将描述根据本公开的示例性实施例的片式电子组件。具体地，将描述薄 型电感器，但是本公开不限于此。
[0041] 图1是示出了根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的示意性透视图，其中 示出了内线圈部，图2是沿图1中的线1-1'截取的剖视图。
[004引参照图1和图2,作为片式电子组件的示例，公开了在电源电路的电源线中使用的 薄型片式电感器100。作为片式电子组件，除了片式电感器之外，片式磁珠、片式滤波器等可 被适当地使用。
[0043] 薄型电感器100可包括磁性主体50、绝缘基板20、内线圈部40和外电极80。
[0044] 将参照图3至图8描述薄型电感器100的制造方法。
[0045] 图3是示出了根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的制造方法的工艺图， 图4至图7是顺序地示出根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的制造方法的图。
[0046] 参照图3,首先，可在绝缘基板20的至少一个表面上形成内线圈部40。
[0047] 绝缘基板20不受具体限制。例如，作为绝缘基板20,聚丙二醇（PPG)基板、铁氧体 基板、金属基软磁性基板等可被使用，绝缘基板20可具有40ym至100ym的厚度。
[0048] 作为形成内线圈部40的方法，首先，可在绝缘基板20的至少一个表面上形成线圈 图案种子层（seedlayer) 41。
[0049] 参照图4,可在绝缘基板20上形成阻锻剂60,阻锻剂60具有用于