片式电子组件及其制造方法
【专利说明】片式电子组件及其制造方法
[0001]本申请要求于2013年12月4日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0150171号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
[0002]本公开涉及一种片式电子组件及其制造方法。
【背景技术】
[0003]作为片式电子组件之一的电感器是与电阻器和电容器一起形成电路以去除噪声的代表性无源元件。使用电磁性能将电感器与电容器结合以构成放大在特定频带中的信号的谐振电路、滤波电路等。
[0004]近来，随着诸如各种通信装置、显示装置等的信息技术(IT)装置的小型化和纤薄化不断发展，对用于使在IT装置中应用的诸如电感器、电容器、晶体管等的各种元件小型化和纤薄化的技术的研究已经不断地进行。电感器也已经迅速地被具有小尺寸和高密度且能够自动表面安装的片所取代，并且已经开发了一种在线圈图案(通过镀覆在薄膜绝缘基板的上表面和下表面上形成线圈图案)上形成磁性粉末和树脂的混合物的薄膜电感器。
[0005]在薄膜电感器中，在绝缘基板上形成线圈图案之后，将绝缘膜形成在线圈图案上以防止线圈图案与磁性材料之间的接触。
[0006]然而，在根据当前技术通过层压法等来形成绝缘主体的情况下，为了使绝缘膜形成为延伸至线圈部分的下部，绝缘膜需要具有足够的宽度。随着绝缘膜的宽度变大，磁性材料所占的体积减小，造成电感减小。
[0007]另外，在线圈部分的下部的周围局部地未形成绝缘膜，由此产生空隙。因为其中无绝缘膜形成的空隙导致线圈部分直接接触金属磁性材料等，所以产生了漏电流。因此，电感在IMHz的频率下处于正常状态，但在高频下迅速地减小，由此产生不良波形。
[0008]下面的专利文献I和专利文献2公开了一种通过镀覆将内线圈图案形成在绝缘基板的上表面和下表面上的薄膜电感器。然而，通过仅使用在专利文献I和专利文献2中公开的工艺，在形成没有任何空隙的薄的绝缘膜方面存在限制。
[0009][现有技术文献]
[0010](专利文献I)第2005-210010号日本专利公开公布
[0011](专利文献2)第2008-166455号日本专利公开公布
【发明内容】
[0012]本公开的一方面可提供一种片式电子组件及其制造方法，所述片式电子组件包括薄的绝缘膜，该绝缘膜具有减小的宽度并延伸至线圈图案的下部而不暴露线圈图案，以使得线圈图案不与磁性材料直接接触，由此防止高频下的不良波形，并增大电感。
[0013]根据本公开的一方面，片式电子组件可包括磁性主体，磁性主体包括绝缘基板。线圈图案部形成在绝缘基板的至少一个表面上。薄的聚合物绝缘膜包覆线圈图案部。外电极形成在磁性主体的至少一个端表面上并连接到线圈图案部。薄的聚合物绝缘膜的表面的形状与线圈图案部的表面的形状基本上一致(基本上保形)。
[0014]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0015]线圈图案部的线圈部分之间的区域可填充有磁性材料。
[0016]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0017]薄的聚合物绝缘膜可包括从由聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
[0018]根据本公开的另一方面，片式电子组件可包括磁性主体，磁性主体包括绝缘基板。线圈图案部形成在绝缘基板的至少一个表面上。薄的聚合物绝缘膜包覆线圈图案部。外电极形成在磁性主体的至少一个端表面上并连接到线圈图案部。薄的聚合物绝缘膜可具有3μπι或更小的厚度。
[0019]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0020]线圈图案部的线圈部分之间的区域可填充有磁性材料。
[0021 ] 薄的聚合物绝缘膜可在与线圈图案部的形状对应的同时形成在线圈图案部的表面上。
[0022]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0023]薄的聚合物绝缘膜可包括从由聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
[0024]根据本公开的另一方面，片式电子组件可包括磁性主体，磁性主体包括绝缘基板。线圈图案部形成在绝缘基板的至少一个表面上。薄的聚合物绝缘膜包覆线圈图案部。外电极形成在磁性主体的至少一个端表面上并连接到线圈图案部。线圈图案部的线圈部分之间的区域包覆有薄的聚合物绝缘膜并且可填充有磁性材料。
[0025]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0026]线圈图案部的线圈部分之间的距离可为3μπι至15 μ m。
[0027]薄的聚合物绝缘膜可在与线圈图案部的形状对应的同时形成在线圈图案部的表面上。
[0028]薄的聚合物绝缘膜可具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0029]薄的聚合物绝缘膜可包括从由聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂和聚碳酸酯树脂组成的组中选择的至少一种。
[0030]根据本公开的另一方面，提供了一种制造片式电子组件的方法。所述方法包括在绝缘基板的至少一个表面上形成线圈图案部。形成包覆线圈图案部的薄的聚合物绝缘膜。通过在其上形成有线圈图案部的绝缘基板的上面和下面堆叠磁性层来形成磁性主体。在磁性主体的至少一个端表面上形成外电极，使得外电极被连接到线圈图案部。薄的聚合物绝缘膜的表面的形状与线圈图案部的表面的形状基本上一致(基本上保形)。
[0031]可通过化学气相沉积(CVD)来形成薄的聚合物绝缘膜。
[0032]可通过使用其二聚体在120°C至180°C是以气相存在并且在650°C至700°C被热解成为单体的化合物来形成薄的聚合物绝缘膜。
[0033]薄的聚合物绝缘膜可形成为具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0034]薄的聚合物绝缘膜可形成为具有I μ m或更小的厚度偏差。
[0035]在形成磁性主体的步骤中，可用磁性材料填充包覆有薄的聚合物绝缘膜的线圈图案部的线圈部分之间的区域。
[0036]将在下面的描述中部分地阐述附加的优点和新特征，并且在查阅下面的描述和附图时本领域技术人员将部分地清楚附加的优点和新特征，或者附加的优点和新特征可通过示例的操作或制造来得知。通过实践或使用在下面讨论的详细示例中阐明的方法、手段和组合的各种方面，可实现并获得本教导的优点。
【附图说明】
[0037]通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其他方面、特征和其他优点将被更加清楚的理解，在附图中:
[0038]图1是示出根据本公开的示例性实施例的设置在片式电子组件内的线圈图案部的透视图；
[0039]图2是沿图1的Ι-Γ线截取的剖视图；
[0040]图3是根据本公开的另一示例性实施例的沿图1的Ι-Γ线截取的剖视图；
[0041]图4是图2的A部分的放大图；
[0042]图5是图3的B部分的放大图；
[0043]图6是根据本公开的示例性实施例的在片式电子组件中的具有薄的聚合物绝缘膜的线圈图案部的放大扫描电子显微镜(SEM)照片；以及
[0044]图7是示出根据本公开的示例性实施例的制造片式电子组件的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0045]现在将参照附图来详细描述本公开的示例性实施例。
[0046]然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
[0047]在附图中，为了清楚起见，会夸大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指示相同或相似的元件。
[0048]片式电子组件
[0049]在下文中，将描述根据本公开的示例性实施例的片式电子组件，具体地，薄膜电感器。然而，本公开不限于此。
[0050]图1是示出根据本公开的示例性实施例的设置在片式电子组件内的线圈图案部的透视图，图2是沿图1的Ι-Γ线截取的剖视图。图3是根据本公开的另一示例性实施例的沿图1的Ι-Γ线截取的剖视图。
[0051]参照图1至图3，作为片式电子组件的示例，公开了用在电源电路的电源线中的薄膜电感器100。除了片式电感器之外，可将片式磁珠、片式滤波器等作为片式电子组件来适当地使用。
[0052]薄膜电感器100可包括磁性主体50、绝缘基板20、内线圈图案部40和外电极80。
[0053