]磁性主体50可形成薄膜电感器100的外观，并且可不受限制地由任何材料形成，只要该材料可表现出磁性即可。例如，可通过用铁氧体或金属基软磁材料填充内部空间来形成磁性主体50。铁氧体的示例可包括Mn-Zn基铁氧体、N1-Zn基铁氧体、N1-Zn-Cu基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Ba基铁氧体或Li基铁氧体等，并且金属基软磁材料的示例可包括Fe-S1-B-Cr基非晶金属粉末。然而，磁性主体50的材料不限于此。
[0054]磁性主体50可具有六面体形状。为了清楚的描述本公开的示例性实施例，将定义六面体的方向。在图1中示出的六面体的L、W和T分别表示长度方向、宽度方向和厚度方向。磁性主体50可具有长方体形状。
[0055]形成在磁性主体50中的绝缘基板20可由薄膜形成。为此可使用例如印刷电路板(PCB)、铁氧体基板或金属基软磁基板等。
[0056]绝缘基板20可具有形成在其中心部中的通孔，其中，可用诸如铁氧体或金属基软磁材料等的磁性材料来填充通孔以形成芯部。可用磁性材料来填充芯部，由此增大电感L。
[0057]线圈图案部40可分别形成在绝缘基板20的一个表面和另一表面上,其中，线圈图案部40可具有线圈形图案。
[0058]线圈图案部40可包括螺旋形线圈图案，形成在绝缘基板20的一个表面上的线圈图案部40可通过形成在绝缘基板20中的通路电极45(图1)电连接到形成在绝缘基板20的另一表面上的线圈图案部。
[0059]线圈图案部40和通路电极45可包括诸如银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Pt)或它们的合金等的具有优异导电性的金属。
[0060]薄的聚合物绝缘膜30可形成在线圈图案部40的表面上，由此包覆线圈图案部40。
[0061]薄的聚合物绝缘膜30的表面可与线圈图案部40的表面的形状对应。如图2和图3所示，聚合物绝缘膜30在与线圈图案部40的表面的形状对应的同时薄薄地包覆在线圈图案部40的表面上。
[0062]薄的聚合物绝缘膜30可以在与线圈图案部40的形状对应的同时延伸至线圈部分的下部，由此防止线圈图案部40的一部分暴露并防止漏电流和不良波形。
[0063]根据本公开的示例性实施例的薄的聚合物绝缘膜30可通过化学气相沉积(CVD)来形成或通过使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸溃法来形成。
[0064]薄的聚合物绝缘膜30可具有3μηι或更小的厚度,更优选地,可具有Ιμπι至3μηι的厚度。
[0065]当薄的聚合物绝缘膜30的厚度小于I μ m时，在堆叠和压紧磁性层期间绝缘膜会损坏，因线圈图案部40与磁性材料之间的接触而导致不良波形。当薄的聚合物绝缘膜30的厚度大于3 μ m时，磁性主体内的磁性材料所占的体积会减少与绝缘膜的增大的厚度同样多的程度，导致在增大电感方面的限制。
[0066]薄的聚合物绝缘膜30的厚度可以是均匀的并具有I μ m或更小的厚度偏差。厚度偏差表示通过观察线圈图案部40的横截面，包覆在相应线圈图案上的薄的聚合物绝缘膜30的最厚部分与最薄部分之间的差。
[0067]当薄的聚合物绝缘膜30的厚度偏差大于I μ m时，会在堆叠和压紧磁性层期间损坏绝缘膜或暴露线圈图案部40的一部分，由于线圈图案部40与磁性材料之间的接触而导致不良波形。
[0068]薄的聚合物绝缘膜30可包括聚对苯二亚甲基、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂或它们的混合物，但不限于此。
[0069]图4是图2的A部分的放大图，图5是图3的B部分的放大图。
[0070]参照图4，可以只有薄的聚合物绝缘膜30形成在线圈图案部40的线圈部分之间的区域中。当线圈图案部40的线圈部分之间的距离dl短时，可以仅有薄的聚合物绝缘膜30形成在线圈部分之间的区域中。
[0071]同时，参照图5，可用磁性材料来填充线圈图案部40的线圈部分之间的区域。
[0072]因为聚合物绝缘膜30在与线圈图案部40的形状对应的同时被薄薄地形成，所以可在线圈部分之间的区域中形成空间。用磁性材料填充该空间，从而磁性材料所占的体积增加，由此电感可增大与磁性材料的增大的体积同样多的程度。
[0073]因为薄的聚合物绝缘膜30均匀地形成在线圈图案部40的表面上以延伸至线圈部分的下部，所以可防止由填充线圈部分之间的区域的磁性材料导致的不良波形等，并且可增大电感。
[0074]在根据本公开的该示例性实施例的用磁性材料填充线圈图案部40的线圈部分之间的区域的结构的情况下，线圈图案部40的线圈部分之间的距离d2可为3 μ m至15 μ m，磁性材料的颗粒直径可为0.1 μ m至15 μ m。
[0075]图6是根据本公开的示例性实施例的在片式电子组件中的具有薄的聚合物绝缘膜的线圈图案部的放大扫描电子显微镜(SEM)照片。
[0076]参照图6，聚合物绝缘膜30在与线圈图案部40的形状对应的同时薄薄地形成在线圈图案部40的表面上。尽管图6示出只有薄的聚合物绝缘膜30形成在线圈部分之间的空间中的结构，但在线圈部分之间的距离增大的情况下，还可将磁性材料提供在线圈部分之间的空间中。
[0077]形成在绝缘基板20的一个表面上的线圈图案部40的一端可暴露于磁性主体50的在其长度方向上的一端表面，形成在绝缘基板20的另一表面上的线圈图案部40的另一端可暴露于磁性主体50的在其长度方向上的另一端表面。
[0078]外电极80可分别形成在磁性主体50的在其长度方向上的两个端表面上，从而连接到线圈图案部40的暴露于磁性主体50的端表面的端部。外电极80可延伸至磁性主体50的在其厚度方向上的两个端表面和/或磁性主体50的在其宽度方向上的两个端表面。
[0079]外电极80可由具有优异导电性的金属形成。为此可使用例如镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)或银(Ag),或者它们的合金。
_0] 制造片式电子组件的方法
[0081]图7是示出根据本公开的示例性实施例的制造片式电子组件的方法的流程图。
[0082]参照图7，首先，可在绝缘基板20的至少一个表面上形成线圈图案部40(S1)。
[0083]绝缘基板20不受具体限制。例如，可使用印刷电路板(PCB)、铁氧体基板或金属基软磁基板等作为绝缘基板20，绝缘基板20可具有40 μ m至100 μ m的厚度。
[0084]形成线圈图案部40的方法可以是例如电镀法，但不限于此。线圈图案部40可由诸如银(Ag)、钯(Pd)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Pt)或它们的合金等的具有优异导电性的金属形成。
[0085]可通过在绝缘基板20的部分中形成孔并用导电材料填充所述孔来形成形成通路电极45，可通过通路电极45将形成在绝缘层20的一个表面上的线圈图案部40电连接到形成在绝缘基板20的另一表面上的线圈图案部。
[0086]可通过执行钻孔工艺、激光加工、喷砂工艺或冲孔工艺等来在绝缘基板20的中心部分中形成孔。
[0087]接着，可在线圈图案部40的表面上形成薄的聚合物绝缘膜30 (S2)。
[0088]可通过化学气相沉积(CVD)或通过使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸溃法来形成薄的聚合物绝缘膜30。
[0089]因为薄的聚合物绝缘膜30是通过化学气相沉积(CVD)或通过使用具有低粘度的聚合物涂覆溶液的浸溃法形成，所以可将聚合物绝缘膜30在与线圈图案部40的表面的形状对应的同时薄薄地形成在线圈图案部40的表面上，薄的聚合物绝缘膜30可延伸至线圈部分的下部，由此防止线圈图案部40暴露并防止漏电流和不良波形。
[0090]当使用化学气相沉积(CVD)时，可通过使用其二聚体在120°C至180°C是以气相存在且在650°C至700V被热解成为单体的化合物来形成薄的聚合物绝缘膜30。例如，可使用聚对苯二亚甲基。
[0091]用在低粘度浸溃法中的聚合物不受具体限制，只要它可形成绝缘薄膜即可。例如，聚合物可包括环氧树脂、聚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚碳酸酯树脂或它们的混合物。
[0092]可将薄的聚合物绝缘膜30形成为具有3 μ m或更小的厚度，更优选地，形成为具有1μπιΜ3μπι^ 。
[0093]当薄的聚合物绝缘膜30的厚度小于I μ m时，在堆叠和压紧磁性层期间绝缘膜会损坏，由于线圈图案部40与磁性材料之间的接触而导致不良波形。当薄的聚合物绝缘膜30的厚度大于3 μ m时，磁性材料所占的体积会减少与绝缘膜的增大的厚度同样多的程度，导致在增大电感方面的限制。
[0094]薄的聚合