专利名称：双层覆铜层压板的制造方法及双层覆铜层压板的制作方法
技术领域：
本发明涉及利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层覆铜层压 板中提高该层压板的耐折性的双层覆铜层压板的制造方法以及由此得到的双层覆铜层压 板。另外，上述双层覆铜层压板中包含为了增加接合强度而形成薄中间层，将该中间 层包含在内称为聚酰亚胺薄膜与铜层的“双层覆铜层压板”。
背景技术：
近年来，作为要求细间距电路的液晶显示器等的驱动IC安装用电路材料，使用 在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层覆铜层压板(CCL :Cu Clad Laminate)材料。作为 COF (薄膜覆晶Chip On Film)的层压材料使用的双层CCL材料中，特别是利用溅射和电镀 处理制作的双层CCL材料引起关注。双层CCL材料是利用溅射在聚酰亚胺薄膜(PI)上形成亚微米级的铜层后，通过硫 酸铜电镀处理形成铜层而得到的。基础发明如下述专利文献1所述。薄膜覆晶(Chip On Film)用于液晶电视、有机EL电视等薄型电视，电路的外引线 部折弯而使用，因此耐折弯性(耐折性)必须较高。但是，随着电路细间距化的进行，电路宽度变窄，产生强度下降的问题。结果，产生 外引线部断线的问题。专利文献1 美国专利第5685970号公报
发明内容
鉴于以上问题，本申请发明的目的在于提供在利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄 膜上形成有铜层的双层覆铜层压板(双层CCL材料)中，耐折性提高、可以防止电路的外引 线部断裂的双层覆铜层压板的制造方法及由此得到的双层覆铜层压板。本发明人等为了解决上述问题进行了广泛深入的研究，结果发现，在通过溅射和 电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层CCL材料的制造时，通过在特定的条件下进 行热处理，可以显著提高耐折性。基于这样的发现，本申请提供以下发明。1) 一种耐折性提高的双层覆铜层压板的制造方法，其特征在于，通过在100°C以 上且175°C以下的温度下对利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层覆铜 层压板进行热处理，而具有通过基于JIS C6471的耐折性试验测定的150次以上的耐折性。2)如上述1)所述的双层覆铜层压板的制造方法，其中，通过溅射在聚酰亚胺薄膜 上形成NiCr合金，并且在聚酰亚胺薄膜与铜层之间形成NiCr合金层。另外，本申请提供以下发明。3) 一种双层覆铜层压板，具有聚酰亚胺薄膜和在其上形成的铜层，其特征在于，具 有由基于JIS C6471的耐折性试验测定的150次以上的耐折性。
4)如上述3)所述的双层覆铜层压板，其特征在于，在所述聚酰亚胺薄膜与铜层之 间还具有NiCr合金层。发明效果根据本发明得到的双层覆铜层压板，可以得到提高耐折性、能够有效防止电路的 外引线部断裂的优良效果。
图1是耐折性试验(JIS C6471)中使用的试验片的说明图。
具体实施例方式关于通过本发明得到的双层覆铜层压板，首先设置在真空室内并通过等离子体处 理将聚酰亚胺薄膜表面活化后，利用溅射附着10 30nm的Ni、Co、Cr的单金属层或包含它 们中两种以上而成的合金层例如NiCr层(20% Cr)，之后利用溅射形成亚微米级的铜层。这样得到的铜层，由于是用于后面进行的电解铜层形成的种子，因此称为铜种子层。然后，使用铜种子层进行电镀处理。电镀处理通过硫酸铜电镀等进行。通过调 节电镀时的电流密度、电解液温度，可以任意地调节镀层厚度。由此，可以得到聚酰亚胺 薄膜与铜层的双层覆铜层压板。电镀处理可以使用本申请人以前开发的电镀液(参考 W02006/080148)。镀层的表面粗糙度使用非接触式表面粗糙度计(Veeco公司制)进行测 定，其结果，Ra 为 0. 01-0. 04，Rt 为 0. 14-1. 0、Rz 为 0. 1-0. 90。通过溅射形成亚微米级的铜层前，可以通过溅射在聚酰亚胺薄膜表面形成包含 NiCr的连接层(Tie Coat)。聚酰亚胺薄膜表面的等离子体处理和连接层在提高粘接性方 面是有效的手段。本申请发明包括这些处理。如前所述，本发明包括为了增大接合强度而形成薄中间层即包含NiCr的连接层， 连同该中间层在内称为聚酰亚胺薄膜与铜层的“双层覆铜层压板”。本发明的双层CCL材料中使用的聚酰亚胺薄膜只要能够实现本发明则没有特别 限制，优选使用BPDA-PPD系聚酰亚胺薄膜。在100°C以上且175°C以下的温度下对利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形 成铜层而得到的双层覆铜层压板进行热处理。由此，可以具有通过基于Jis C6471的耐折 性试验测定的150次以上的耐折性。所述热处理条件如果是低于100°C或者超过175°C的温度，则均不具有150次以上 的耐折性。因此，需要在100°c以上且175°C以下的温度下进行热处理。基于JIS C6471的耐折性试验的试验条件如下所述。使用1 = 0.38、负荷50(^厂折弯角度135° 士5°、175cpm(每分钟175次的比例 的折弯)、L/S为Imm的耐折性试验片，将直到断裂为止的次数作为耐折性。在制作试验片时，在所述热处理后的双层覆铜层压板上压接干膜，将其曝光而形 成图案，进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分。并且，最后除去干膜，在聚酰亚胺薄膜上 形成电路。使用这样制作的试验片。该电路形成法是通常进行的方法，也可以进行其它方法。铜层的蚀刻液通常使用下述液体组成的蚀刻液。(液体组成)氯化铜溶液(CuCl2)、氧化铜(CuO)盐酸(HCl) 3. 50mol/L(在0 6mol/L的范围内调节)过氧化氢(H2O2) 30. OCap (在0 99. 9Cap的范围内调节)实施例以下，基于实施例和比较例对本发明的特征进行具体说明。另外，以下说明用于容 易地理解本申请发明，本发明不限于此。即，本申请发明也包括基于本申请发明的技术思想 的变形、实施方式以及其它例子。(实施例1)使用厚度34 μ m的聚酰亚胺薄膜(宇部兴产株式会社制，UpilexSGA)，通过溅射附 着25nm的NiCr层(20% Cr)后，通过溅射和电镀处理形成厚度8 μ m的铜层。使用真空热 处理炉在100°C下对该双层覆铜层压板进行2小时热处理。在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形成图案，利用上述 蚀刻液通过蚀刻处理除去铜的不需要的部分，形成L/S = Imm的电路。然后，最后除去干膜，制成15mmX130mm尺寸的试验片。聚酰亚胺薄膜上的电路由 连续的一条构成，沿聚酰亚胺薄膜的长度方向折返，成为平行并排6条电路的结构。试验片 的说明图如图1所示。使用该试验片，进行基于JIS C6471的耐折性试验。使用〒力夕一产业制的试验 机。试验在R = O. 38、负荷500gf、折弯角度135度、175cpm(每分钟175次的比例的折弯) 的条件下实施。包含后述的实施例和比较例，结果如表1所示。如表1所示，直到断裂为止的耐折性(MIT)为154次。本例子具有本申请发明的 150次以上的耐折性。表 1 耐折性MIT (直到断裂为止的折弯次数)、_ 无热处理(实施例2)使用真空热处理炉，在125°C下对上述实施例1中使用的双层覆铜层压板进行2小 时热处理。与实施例1同样地在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，再将其曝光而形 成图案，并进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。
然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断 裂为止的耐折性(MIT)为178次。本例子具有本申请发明的150次以上的耐折性。另外， 耐折性(MIT)比实施例1进一步提高。(实施例3)使用真空热处理炉，在150°C下对上述实施例1中使用的双层覆铜层压板进行2小 时热处理。与实施例1同样地在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形 成图案，并进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断 裂为止的耐折性(MIT)为161次。本例子具有本申请发明的150次以上的耐折性。另外， 耐折性(MIT)比实施例1进一步提高。(实施例4)使用真空热处理炉，在175°C下对上述实施例1中使用的双层覆铜层压板进行2小 时热处理。与实施例1同样地在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形 成图案，并进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断 裂为止的耐折性(MIT)为150次。本例子具有本申请发明的150次以上的耐折性，但是耐 折性(MIT)比实施例2、3下降。从以上例子可以看出，100 175°C的热处理提高耐折性，但是可知在下限附近或 上限附近耐折性均几乎没有提高。因此，实施例2和实施例3的条件可以说是更合适的条件。实施例中进行2小时 热处理，但是由于热处理本身在比较低的温度下进行，因此即使热处理时间超过2小时而 为较长的时间，耐折性也几乎没有变化。长时间的热处理是生产率变差的原因，因此可以说 希望在约1小时 约5小时的范围内进行。(比较例1)将上述实施例1中使用的双层覆铜层压板不进行热处理而作为试验片。与实施例 1同样地在该双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形成图案，并进行蚀刻处理而除去 铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断 裂为止的耐折性(MIT)为124次。本例子完全不具有本申请发明的150次以上的耐折性。 本例子为现有技术的双层覆铜层压板，不能应对由于进行电路细间距化造成电路宽度变窄 而强度下降的问题，可以容易地预测会发生外引线部产生断线的故障。(比较例2)使用真空热处理炉，在75°C下对上述实施例1中使用的双层覆铜层压板进行2小 时热处理。与实施例1同样地在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形 成图案，并进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断裂为止的耐折性(MIT)为136次。本例子不具有本申请发明的150次以上的耐折性。因此， 可以确认是因为热处理温度不足。(比较例3)使用真空热处理炉，在200°C下对上述实施例1中使用的双层覆铜层压板进行2小 时热处理。与实施例1同样地在该热处理后的双层覆铜层压板上层压干膜，并将其曝光而形 成图案，并进行蚀刻处理而除去铜的不需要的部分，形成宽度Imm的电路。然后，与实施例1同样地进行基于JIS C6471的耐折性试验。如表1所示，直到断 裂为止的耐折性(MIT)为138次。本例子不具有本申请发明的150次以上的耐折性。因此， 可以看出即使热处理温度过高耐折性也会变差。产业实用性根据本发明得到的双层覆铜层压板，可以得到提高耐折性、可以有效防止电路的 外引线部的断裂的优良效果，因此最适合作为要求细间距电路的液晶显示器等驱动IC安 装用电路材料。
权利要求
一种耐折性提高的双层覆铜层压板的制造方法，其特征在于，通过在100℃以上且175℃以下的温度下对利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有表面粗糙度(Rz)为0.1μm以上且0.9μm以下的铜层的双层覆铜层压板进行热处理，而具有通过基于JIS C6471的耐折性试验测定的150次以上的耐折性。
2.如权利要求1所述的双层覆铜层压板的制造方法，其中，通过溅射在聚酰亚胺薄膜上形成Ni、Co或Cr的单金属层或包含它们中两种以上的合 金层，进而利用溅射和电镀处理形成表面粗糙度(Rz)为0. Ιμπι以上且0.9μπι以下的铜层。
3.—种双层覆铜层压板，具有聚酰亚胺薄膜和在其上形成的铜层，其特征在于，铜层的表面粗糙度(Rz)为0. ιμπι以上且0.9 μπι以下，并且具有由基于JIS C6471的 耐折性试验测定的150次以上的耐折性。
4.如权利要求3所述的双层覆铜层压板，其特征在于，在所述聚酰亚胺薄膜与铜层之间还具有Ni、Co或Cr的单金属层或者包含它们中两种 以上的合金层。
全文摘要
一种双层覆铜层压板的制造方法，其提高耐折性，其特征在于，通过在100℃以上且175℃以下的温度下对利用溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层覆铜层压板进行热处理，而具有通过基于JIS C6471的耐折性试验测定的150次以上的耐折性。本发明的目的在于提供通过溅射和电镀处理在聚酰亚胺薄膜上形成有铜层的双层覆铜层压板(双层CCL材料)中，使耐折性提高、可以防止电路的外引线部断裂的双层覆铜层压板制造方法及由此得到的双层覆铜层压板。
文档编号H05K1/09GK101909877SQ20088012279
公开日2010年12月8日 申请日期2008年12月15日 优先权日2007年12月27日
发明者花房干夫 申请人:日矿金属株式会社