专利名称：单晶炉的下炉体结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉制造单晶硅用设备领域，尤其是用于制造单晶装置的一个下 炉体结构。
背景技术：
目前，直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列，用它来制作人工 晶体，单晶生长速度最高，最容易实现人工控制，因此也获得了最广泛的应用。 为了生长出大尺寸和高质量的单晶，人类几乎动用了一切先进的手段。可以说， 在单晶炉上集成了材料、机械、电气、计算机、磁、光、仪等多方面的高端知
识和技术，是一个国家机电一体化设备制造水平的反映。硅单晶体作为一种半 导体材料， 一般用于制造集成电路和其它电子元件。大部分的半导体硅单晶体 采用直拉法制造， 一般采用如下制造方法多晶硅被装进石英坩埚内，加热熔 化，然后，将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，把一交特定晶向的硅单晶体(称 作籽晶)装入硅籽晶夹持器中，将籽晶夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接， 籽晶固定于夹持器的下端，并且使籽晶与硅熔体接触，通过调整熔体的温度和 籽晶向上的提升速度，使籽晶体长大，上述方法采用的普通炉子分为下炉体和 上炉体，下炉体内因为受到高温的影响，使用寿命短，生产的成本相对较高。 发明目的
本实用新型针对上述技术使用寿命短生产的成本相对较高的不足之处提供 一种使用寿命长的单晶炉的下炉体结构。 实现本实用新型的技术方案如下
单晶炉的下炉体结构，该炉体为中空圆柱状炉体，炉体的两端分别设置有法兰，炉体内壁设置有夹层，炉体外壁设置有进水口座、出水口座与夹层相连
通，法兰与炉体端部悍接连接。
所述的法兰与炉体端部为双面焊接连接。 所述的夹层为沿炉体内壁环绕夹层。
采用了上述方法，单晶炉的下炉体结构，该炉体为中空圆柱状炉体，炉体 内壁设置有夹层，炉体外壁设置有进水口座、出水口座与夹层相连通，在使用 过程中，炉体内高温操作，从进水口座通入冷却水，由出水口座排出，冷却水 把下炉体壁受到的高温热量带走，保护了下炉体。本实用新型的有益效果是延 长了下炉体的使用寿命，减少了生产成本。
图l为本实用新型的结构示意图； 图2为本实用新型的主视图中，1、炉体，2、法兰，3、夹层，4、进水口座，5、出水口座。
具体实施方式
如图1、图2所示，单晶炉的下炉体结构，该炉体为中空圆柱状炉体l， 炉体1的两端分别设置有法兰2，炉体内壁设置有夹层3，炉体外壁设置有进水 口座4、出水口座5与夹层相连通，法兰2与炉体1端部焊接连接，法兰2与炉 体1端部为双面焊接连接，夹层3为沿炉体1内壁环绕夹层。
权利要求1、单晶炉的下炉体结构，该炉体为中空圆柱状炉体，炉体的两端分别设置有法兰，其特征在于炉体内壁设置有夹层，炉体外壁设置有进水口座、出水口座与夹层相连通，法兰与炉体端部焊接连接。
2、 根据权利要求l所述的单晶炉的下炉体结构，其特征在于所述的法 兰与炉体端部为双面焊接连接。
3、 根据权利要求1所述的单晶炉的下炉体结构，其特征在于所述的夹 层为沿炉体内壁环绕夹层。
专利摘要本实用新型涉及制造单晶硅用设备领域，尤其是用于制造单晶装置的一个下炉体结构。该炉体为中空圆柱状炉体，炉体的两端分别设置有法兰，炉体内壁设置有夹层，炉体外壁设置有进水口座、出水口座与夹层相连通，法兰与炉体端部焊接连接。本实用新型的有益效果是延长了下炉体的使用寿命，减少了生产成本。
文档编号C30B29/06GK201395640SQ200920039689
公开日2010年2月3日 申请日期2009年4月20日 优先权日2009年4月20日
发明者潘国强, 潘燕萍 申请人:潘燕萍;潘国强