专利名称：一种金红石晶体的熔盐生长方法
技术领域：
本发明专利涉及晶体生长领域，特别是一种金红石晶体的熔盐生长方法。
背景技术：
金红石晶体(化学式TiO2)是一种具有大的介电常数，高的折射率和双折射率，良好的近红外波段透过性晶体，作为介电材料、红外窗户材料以及制作光隔离器等广泛用于光学领域。与YV04相比，具有物理化学稳定性更好。金红石晶体是一种高熔点氧化物晶体，目前生长方法有焰熔法、光浮区加热法和水热法等，熔盐法具有生长温度低，工艺简单，适合产业化生产等特点。本发明采用熔盐法，新助熔剂体系，生长金红石单晶。
发明内容
本发明的目的是采用新的助熔剂体系，熔盐法生长金红石单晶。本发明通过如下方式实现采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2 NaBSiO4: MoO3=I 3 (O 2)(摩尔比)，转速 15r/min,降温速率0. 2V /day 2V /day,生长得到单晶金红石。
具体实施例方式
实施例一采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠为原料，根据化学式=NaJ2O4 + 2Si02 —2 NaBSiO4, TiO2: NaBSiO4=I 3mol/mol，将二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠于 950°C 熔融至透明，移入生长炉，转速15r/min，
降温速率0. 2V /day 1°C /day,生长得到单晶金红石。实施例二 采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，根据化学式 Na2B2O4 + 2Si02 — 2 NaBSiO4, TiO2: NaBSiO4 = MoO3=I 3 1 (摩尔比)，将二氧化钛、二氧化硅、 偏硼酸钠于950°C熔融至透明，往熔融透明的熔体中加入三氧化钼至熔透为止，移入生长炉，转速15r/min，降温速率0. 2°C /day 1°C /day,生长得到单晶金红石。
权利要求
1. 一种新助熔剂熔盐法生长金红石单晶，其特征在于采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2: NaBSiO4:MoO3的摩尔比为 1:3:0-2，转速 15r/min,降温速率 0. 2V /day 2°C /day。
全文摘要
一种新的助熔剂熔盐法生长金红石单晶。本发明的核心内容是采用二氧化钛、二氧化硅、偏硼酸钠和三氧化钼为原料，利用NaBSiO4和MoO3为助熔剂生长，TiO2:NaBSiO4:MoO3=1:3:(0～2)(摩尔比)，转速15r/min，降温速率0.2℃/day～2℃/day，生长得到单晶金红石。本发明采用新助熔剂体系，有效降低粘度，易于得到金红石单晶。
文档编号C30B9/04GK102251273SQ20111019979
公开日2011年11月23日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者吴少凡, 王昌运, 陈伟 申请人:福建福晶科技股份有限公司