专利名称：直拉法单晶炉石墨热场导流罩的制作方法
技术领域：
直拉法单晶炉石墨热场导流罩技术领域[0001]本实用新型涉及一种直拉法单晶炉石墨热场导流罩。
技术背景[0002]单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入位于埚托之上的石墨坩埚托内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导流罩插入溶融多晶硅液中，与坩埚作逆向旋转并向上提升，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。[0003]目前的导流罩内外层都为逐渐减小直径的锥形管状结构(如图1所示)，内导流罩向底部延长线的夹角为27°，单晶炉内温度不稳定，无法保证单晶持续正常有效生长，也增加了生产成本。实用新型内容[0004]本实用新型要解决的技术问题是为了稳定单晶炉内的温度梯度，本实用新型提供一种直拉法单晶炉石墨热场导流罩。[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种直拉法单晶炉石墨热场导流罩，包括内导流罩和外导流罩，内导流罩为锥形管状，内导流罩和外导流罩之间具有填充保温材料的间距，所述的外导流罩的上部为锥形管状，下部为柱形管状，所述的外导流罩侧壁与底部的交界处为圆倒角。[0006]具体地，所述内导流罩向底部延长线的夹角α为30° 士 1°。[0007]具体地，外导流罩侧壁与底部的交界处为半径75 85mm的圆倒角。[0008]本实用新型的有益效果是，本实用新型的直拉法单晶炉石墨热场导流罩通过改变内导流罩和外导流罩的角度和形状，增加了内导流罩和外导流罩之间的保温，保持单晶炉内温度梯度持续温度，提供了单晶生长的理想环境，提高产量与成品率，缩短生产作业时间，降低成本。
[0009]
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。[0010]图1是现有导流罩的结构示意图。[0011]图2是本实用新型直拉法单晶炉石墨热场导流罩最优实施例的结构示意图。[0012]图中1、内导流罩，2、外导流罩。
具体实施方式
[0013]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。[0014]如图2所示，是本实用新型直拉法单晶炉石墨热场导流罩最优实施例，一种直拉3法单晶炉石墨热场导流罩，包括内导流罩1和外导流罩2，内导流罩1为锥形管状，内导流罩1和外导流罩2之间具有填充保温材料的间距，外导流罩2的上部为锥形管状，下部为柱形管状，外导流罩2侧壁与底部的交界处为圆倒角，内导流罩1向底部延长线的夹角α为 30°，外导流罩2侧壁与底部的交界处为半径80mm的圆倒角。[0015] 以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种直拉法单晶炉石墨热场导流罩，包括内导流罩(1)和外导流罩0)，内导流罩(1)为锥形管状，内导流罩(1)和外导流罩(2)之间具有填充保温材料的间距，其特征在于 所述的外导流罩( 的上部为锥形管状，下部为柱形管状，所述的外导流罩( 侧壁与底部的交界处为圆倒角。
2.如权利要求1所述的直拉法单晶炉石墨热场导流罩，其特征在于所述内导流罩(1) 向底部延长线的夹角α为30° 士 1°。
3.如权利要求1所述的直拉法单晶炉石墨热场导流罩，其特征在于所述的外导流罩(2)侧壁与底部的交界处为半径75 85mm的圆倒角。
专利摘要本实用新型涉及一种直拉法单晶炉石墨热场导流罩，包括内导流罩和外导流罩，内导流罩为锥形管状，内导流罩和外导流罩之间具有填充保温材料的间距，外导流罩的上部为锥形管状，下部为柱形管状，外导流罩侧壁与底部的交界处为圆倒角。本实用新型的直拉法单晶炉石墨热场导流罩通过改变内导流罩和外导流罩的角度和形状，增加了内导流罩和外导流罩之间的保温，保持单晶炉内温度梯度持续温度，提供了单晶生长的理想环境，提高产量与成品率，缩短生产作业时间，降低成本。
文档编号C30B29/06GK202297854SQ20112044251
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月10日 优先权日2011年11月10日
发明者王煜辉 申请人:常州华盛恒能光电有限公司