专利名称：一种温场调节装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种温场调节装置，属于晶体生长设备的技术领域。
背景技术：
在晶体生长过程中，最重要的就是温场的构建，对温场构建起到影响作用的因素有几个加热器的形状、加热方式、保温的配置、冷却介质的冷却情况等。其中对于固定的生长设备而言，一般加热器是固定，保温的配置也是不容易调节的。只能通过改变冷却介质的流量或者热交换系数来改变，但是冷却介质的变化也并不能从根本上改变温场的配置情况，对温场的调节作用有限。
发明内容针对现有技术的不足，本实用新型是ー种方便快捷的温场调节装置。本实用新型的技术方案如下ー种温场调节装置，包括支架、卡槽和保温桶；所述支架包括底座、顶盖，顶盖和底座通过支杆连接，所述的支杆上设置有卡槽，卡槽内设置有保温桶。所述的卡槽包括卡槽底座和在卡槽底座上设置的环形定位槽，所述保温桶的底边嵌入设置在所述的环形定位槽内。所述保温桶包括多个同轴设置的保温套筒。所述保温套筒的数量为4个。该4个保温套筒依次沿保温桶的径向由内而外套置。所述的在卡槽底座上设置有多个同圆心的环形定位槽。所述的在卡槽底座上设置有4个同圆心的环形定位槽。所述的支杆的数量为4个，沿顶盖的边缘均匀设置。所述每个支杆上沿轴向设置有4个-5个卡槽。所述的保温桶为陶瓷材料或毡状的软材料。本实用新型的使用方法将本实用新型所述的支架设置在炉膛内，根据生产晶体所要求的温场不同，调节保温桶的厚度及卡槽的位置如果需要温场的轴向温度梯度大，则沿轴向设置不同厚度的保温桶；如果需要径向温度梯度大，则减小保温桶的厚度，以增加保温桶的散热能力；根据晶体生长形态决定温场的调节方案以后，灵活设置卡槽位置，进而对需要调节温场的位置进行调整。对保温桶的厚度调节直接将多个保温套筒相互套置，实现增加保温桶整体厚度；減少保温套筒的套置的数量，以实现减小保温套筒的厚度，该操作简便、调整快捷高效。本实用新型的优点在于本实用新型实现了对温场温度梯度，热交换系数等參数的调节，进而根据不同生长速率要求，不同轴向，径向温度需求成功生长出了的晶体；同时在生长同一晶体时，通过调节本实用新型的卡槽的位置和保温桶的厚度，进而实现了对生长晶体的温度梯度的调节，优化温场装配方式，从而达到晶体生长最优的生长条件。
图I是本实用新型所述支架和卡槽的结构示意图；图2是本实用新型所述保温桶的结构示意图；图3是本实用新型所述卡槽俯视图；其中I、支杆；2、卡槽；2_1、环形定位槽；2_2卡槽底座；3、顶盖；4、底座；5、保温桶；5-1、保温套筒。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本实用新型做详细的说明，但不限于此。在直径为500mm、高度为800mm的炉膛内放置本实用新型，在炉膛内还设置有外径 为300mm的加热器。实施例、如图1、2和3所示，ー种温场调节装置，包括支架、卡槽2和保温桶5 ;所述支架包括底座4、顶盖3，在顶盖3和底座4通过4个支杆I连接，所述的支杆I的数量为4个，沿顶盖3的边缘均匀设置，所述每个支杆I上沿轴向设置有5个卡槽2 ;在卡槽2内设置有保温桶；所述的卡槽2包括卡槽底座2-2和在卡槽底座2-2上设置的4个同圆心的环形定位槽2-1，所述保温桶5的底边嵌入设置在所述的环形定位槽2-1内，所述保温桶5包括4个同轴设置的保温套筒5-1。该4个保温套筒5-1依次沿保温桶5的径向由内而外套置。所述的保温桶5为陶瓷材料。所述4个保温套筒5-1在套置使用的时候分别沿4个环形定位槽2-1嵌入卡槽2内，以实现对保温桶厚度的调节。
权利要求1.ー种温场调节装置，其特征在于，该装置包括支架、卡槽和保温桶；所述支架包括底座、顶盖，顶盖和底座通过支杆连接，所述的支杆上设置有卡槽，卡槽内设置有保温桶。
2.根据权利要求I所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述的卡槽包括卡槽底座和在卡槽底座上设置的环形定位槽，所述保温桶的底边嵌入设置在所述的环形定位槽内。
3.根据权利要求I所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述保温桶包括多个同轴设置的保温套筒。
4.根据权利要求3所述的ー种温场调节装置，其特征在干，所述保温套筒的数量为4个。
5.根据权利要求2所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述的在卡槽底座上设置有多个同圆心的环形定位槽。
6.根据权利要求5所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述的在卡槽底座上设置有4个同圆心的环形定位槽。
7.根据权利要求I所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述的支杆的数量为4个，沿顶盖的边缘均匀设置。
8.根据权利要求7所述的ー种温场调节装置，其特征在于，所述每个支杆上沿轴向设置有4个-5个卡槽。
专利摘要本实用新型涉及一种温场调节装置，包括支架、卡槽和保温桶；所述支架包括底座、顶盖，顶盖和底座通过支杆连接，所述的支杆上设置有卡槽，卡槽内设置有保温桶。本实用新型能够灵活构建和调节温场中的温度分布，灵活的调节温度梯度，高温区位置等，可以使晶体生长炉在较大的温度场范围内可调节，适于生长各种不同的晶体或者采用不同的温度梯度生长晶体。
文档编号C30B35/00GK202430347SQ20122002077
公开日2012年9月12日 申请日期2012年1月17日 优先权日2012年1月17日
发明者于国建, 张雷, 徐现刚, 胡小波, 郝霄鹏 申请人:山东天岳先进材料科技有限公司