导电薄膜、其制备方法及应用的制作方法
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的TiO2-xFx层及MoO3层，其中，x为0.1～0.6。上述导电薄膜通过在TiO2-xFx层的表面沉积及高功函的MoO3层制备双层导电薄膜，既能保持TiO2-xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4.3eV，经过UV光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4.5~5.leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7~6.3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的提闻。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种纳米线的透明导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
[0004]一种导电薄膜，包括层叠的Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。
[0005]所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nm。
[0006]所述Ti02_xFx层的厚度为30nm~550nm,所述MoO3层的厚度为0.5nm~5nm。
[0007]—种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0008]将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 1-5Pa,其中，X为0.1~0.6 ;
[0009]在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC ；
[0010]在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述Pr2O3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为250°C~750°C ;及
[0011]剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
[0012]所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
[0013]一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。
[0014]所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nmo
[0015]一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤:
[0016]将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 1-5Pa,其中，X为0.1~0.6 ;
[0017]在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC ；
[0018]在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述MoO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC。
[0019]所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T1JPTiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
[0020]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的Ti02_xFx层及此03层，其中，X为0.1~0.6。
[0021]上述导电薄膜通过在Ti02_xFx层的表面沉积MoO3层制备双层导电薄膜，既能保持Ti02_xFx层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导电薄膜在300~900nm波长范围可见光透过率88%~91%，方块电阻范围10~33 Ω / 口，表面功函数
5.2~5.9eV ;上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
[0023]图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图；
[0024]图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0025]图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图；
[0026]图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图；
[0027]图6为器件实施例的电压与电流和亮度关系图。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
[0029]请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的10及MoO3层30，其中，X为0.1~0.6。
[0030]所述导电薄膜100是纳米线结构的导电薄膜,所述纳米线直径为70nm~600nm,优选为200nm。
[0031]所述Ti02_xFx层10的厚度为30nm~550nm，优选为130nm，
[0032]所述MoO3层30的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。
[0033]上述导电薄膜100通过在Ti02_xFx层10的表面沉积MoO3层30制备双层导电薄膜，既能保持TiCVxFj^ 10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在300~900nm波长范围可见光透过率88%~91%，方块电阻范围10~33 Ω / 口，表面功函数5.2~5.9eV。
[0034]上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:
[0035]SllOJf Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~1.0X 10_5Pa。
[0036]本实施方式中，所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
[0037]衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0038]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5X10_4Pa。
[0039]步骤S120、在衬底表面溅镀Ti02_xFx层10，溅镀Ti02_xFx层10的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~ 40sccm，衬底温度为250°C~750°C。
[0040]优选的，基靶间距为60mm，激光的能量为150W，压强为10Pa，惰性气体为氩气，惰性气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0041]形成的Ti02_xFx层10的厚度为30nm~550nm，优选为130nm。
[0042]步骤S130、在Ti02_xFx层10表面溅镀MoO3层30，磁控溅射MoO3层30的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm，衬底温度为250°C~750°C ；
[0043]形成MoO3层30的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。
[0044]步骤S140、剥离衬底，得到导电薄膜100。
[0045]上述导电薄膜的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线。可以通过调节惰性气体压强的大小来控制纳米线的粗细和线间距。通入惰性气体压强大的，得到的纳米线较细，线间距较大。
[0046]请参阅图2,—实施方式的有机电致发光器件的基底200,包括层叠的衬底201、Ti02_xFx 层 202 及 MoO3 层 203。
[0047]衬底201为玻璃衬底。衬底201的厚度为0.1mm~3.0mm,优选为1mm。
[0048]202及此03层203是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nmo
[0049]Ti02_xFx 层 202 的厚度为 30nm ~550nm，优选为 130nm。
[0050]MoO3层203的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。
[0051]上述有机电致发光器件的基底200通过在Ti02_xFx层202的表面沉积MoO3层203制备多层导电薄膜，既能保持Ti02_xFx层202的良好的导电性能，又使有机电致发光器件的基底200的功函数得到了显著的提高，有机电致发光器件的基底200在300~900nm波长范围可见光透过率88%~91%，方块电阻范围10~33 Ω/ □，表面功函数5.2~5.9eV。
[0052]上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，包括以下步骤:
[0053]S210、将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底201装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 1-3Pa~LOXlO^5Pa0
[0054]本实施方式中，所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
[0055]衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0056]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5X10_4Pa。
[0057]步骤S220、在衬底表面溅镀Ti02_xFx层202，溅镀Ti02_xFx层202的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm，衬底温度为250°C~750°C。
[0058]优选的，基靶间距为60mm，激光的能量为150W，压强为10Pa，惰性气体为氩气，惰性气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0059]形成的Ti02_xFx层202的厚度为30nm~550nm，优选为130nm。
[0060]步骤S203、在Ti02_xFx层202表面溅镀此03层203的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC。
[0061]形成的MoO3层203的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。
[0062]上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，采用激光烧蚀靶材，使靶材中的材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线。可以通过调节惰性气体压强的大小来控制纳米线的粗细和线间距。通入惰性气体压强大的，得到的纳米线较细，线间距较大，在衬底201上制备Ti02_xFx层202及MoO3层203，工艺较为简单。
[0063]请参阅图3，一实施方式的有机电致发光器件300包括依次层叠的衬底301、阳极302、发光层303以及阴极304。阳极302由导电薄膜100制成，包括层叠的Ti02_xFx层10及MoO3层30。衬底301为玻璃衬底，可以理解，根据有机电致发光器件300具体结构的不同，衬底301可以省略。发光层303的材料为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 - β -亚萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4_联苯酚)铝(BALQ)、4- (二腈甲烯基)_2_异丙基_6_ (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3 )、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡唳)合铱(Ir (ppy)3)。阴极304的材质为银(Ag)、金(Au)、招(Al)、钼(Pt)或镁银合金。
[0064] 所述Ti02_xFx层10的厚度为30nm~550nm,优选为130nm,
[0065]所述MoO3层30的厚度为0.5nm~5nm,优选为2nm。
[0066]可以理解，上述有机电致发光器件300也可根据使用需求设置其他功能层。
[0067]上述有机电致发光器件300，使用导电薄膜100作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数5.2~5.9eV,与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7~
6.3eV)之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可提高发光效率。
[0068]下面为具体实施例。
[0069]实施例1
[0070]选用纯度为99.9%的粉体，将T12和TiF4粉体经过均匀混合，其中，TiF4占混合粉体的摩尔百分数为12.5%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的T1h6Fa4陶瓷靶材，再将MoO3靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X10_4Pa，氩气的工作气体流量为20SCCm，压强调节为10Pa，衬底温度为500°C，激光能量为150W。先后溅射T1h6Fa4靶材和MoO3靶材，分别沉积130nm和2nm薄膜的薄膜，得到T1h6Fa4 - MoO3双层的透明导电薄膜。
[0071]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻10Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.8eV。
[0072]请参阅图4，图4所示为得到的透明导电薄膜的透射光谱，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。由图4可以看出薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到90%。
[0073]请参阅图5， 图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图，从图5中可以看出纳米线的直径以70nm~600nm为主。
[0074]选用T1uFa4-MoO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，在上面蒸镀发光层Alq3,以及阴极采用Ag，制备得到有机电致发光器件。
[0075]请参阅图6，图6为上述器件实施例制备的有机电致发光器件的电压与电流和亮度关系图，在附图6中曲线I是电压与电流密度关系曲线，可看出器件从6.0V开始发光，曲线2是电压与亮度关系曲线，最大亮度为71cd/m2，表明器件具有良好的发光特性。
[0076]实施例2
[0077]选用纯度为99.9%的粉体，将T12和TiF4粉体经过均匀混合，其中，TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%，在1350°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的T1h9Fa丨陶瓷靶材，再将MoO3靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氩气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为3Pa，衬底温度为250°C，激光能量为300W。先后溅射T1h9Fai靶材和MoO3靶材，分别沉积30nm和5nm薄膜的薄膜，得到T1h9Fa1- MoO3多层的透明导电薄膜。
[0078]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻15Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.2eV。
[0079]使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到88%。
[0080]实施例3
[0081]选用纯度为99.9%的粉体，将T1JPTiF4粉体经过均匀混合，其中，TiF4占混合粉体的摩尔百分数为17.6%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的T1h4Fa6陶瓷靶材，再将MoO3靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X10_3Pa，氩气的工作气体流量为40SCCm，压强调节为30Pa，衬底温度为750°C，激光能量为80W。先后溅射T1uFa6靶材和MoO3靶材，分别沉积120nm和4.5nm薄膜的薄膜，得到T1h6Fa6 - MoO3多层的透明导电薄膜。
[0082]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻33Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.9eV。
[0083]使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到91%。
[0084]实施例4
[0085]选用纯度为99.9%的粉体，将T12和TiF4粉体经过均匀混合，其中，TiF4占混合粉体的摩尔百分数为8.8%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的T1h7Fa3陶瓷靶材，再将MoO3靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到3.0X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为30SCCm，压强调节为22Pa，衬底温度为400°C，激光能量为100W。先后溅射ZITO靶材和Pr2O3靶材，分别沉积330nm和3nm薄膜的薄膜，得到ZITO-Pr2O3多层的透明导电薄膜。
[0086]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻18Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.7eV。
[0087]使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到90%。
[0088]实施例5
[0089]选用纯度为99.9%的粉体，将T12和TiF4粉体经过均匀混合，其中，TiF4占混合粉体的摩尔百分数为5.5%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的T1h8Fa2陶瓷靶材，再将MoO3靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为80mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到7.0X10_4Pa，氩气的工作气体流量为20SCCm，压强调节为13Pa，衬底温度为650°C，激光能量为280W。先后溅射ZITO靶材和Pr2O3靶材，分别沉积180nm和3.5nm薄膜的薄膜，得到ZITO-Pr2O3多层的透明导电薄膜。
[0090]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻22Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.4eV。
[0091]使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300~900nm。薄膜在可见光470~790nm波长范围平均透过率已经达到90%。
[0092]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nm。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述Ti02_xFx层的厚度为30nm~550nm,所述MoO3层的厚度为0.5nm~5nm。
4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X KT3Pa~1.0Xl(T5Pa，其中，X为0.1~0.6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为250°C~75CTC ； 在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述MoO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为250°C~750°C ;及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为 2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
6.—种有机电致发光器件的基底,其特征在于,包括依次层叠的衬底、Ti02_xFx层及MoO3层，其中，X为0.1~0.6。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm~600nm。
8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将Ti02_xFx靶材及MoO3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X KT3Pa~1.0Xl(T5Pa，其中，X为0.1~0.6 ; 在所述衬底表面溅镀Ti02_xFx层，溅镀所述Ti02_xFx层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC ； 在所述Ti02_xFx层表面溅镀MoO3层，溅镀所述MoO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，激光的能量为80W~300W，压强为3Pa~30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为1sccm~40sccm,衬底温度为25CTC~75CTC。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所Ti02_xFx靶材由以下步骤得到:将T12和TiF4粉体混合均匀，其中，所述TiF4占混合粉体的摩尔百分数为2.6%~17.6%，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的Ti02_xFx层及此03层，其中，X为0.1~0.6。
【文档编号】H05B33/10GK104178727SQ201310192124
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2013年5月22日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 冯小明 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司