专利名称：Pecvd沉积槽的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光伏电池上镀膜PECVD设备技术领域，更具体地说，涉及一种PECVD沉积槽。
技术背景光伏电池生产过程中，需要在光伏电池的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Deposition)的方法在娃电池片表面形成减反射膜。化学气相沉积方法，即采用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种化学气相沉积称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD, Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition)。该方法借助微波或射频等使含有薄膜组成的原子的气体电离,在局部形成等离子体，由于等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在硅电池片上沉积出所期望的薄膜。链式上镀膜PECVD工艺腔室中，将硅电池片放置在沉积槽内，氢化硅(SiH4)和氨气(NH3)在等离子状态下，在硅电池片的表面形成氮化硅(SiN)膜，增强了硅电池片对太阳光线的吸收，减少了反射。从而，在一定程度上提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。目前，沉积槽一般采用不锈钢板压制成型，不作表面处理，直接将其应用于镀膜中。在硅电池片表面镀膜的过程中，氮化硅不可避免的会沉积到沉积槽表面，在沉积槽表面形成氮化硅粉末。由于沉积槽表面未作任何处理，其表面的粗糙度较低，且不锈钢的吸附能力也较低，使得氮化硅粉末沉积的较多时较易脱离沉积槽并掉落到硅电池片表面，严重影响了镀膜的质量，最终降低了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。综上所述，如何减少氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，进而提高硅电池片将光能转换为电能的转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，提高了 PECVD沉积槽顶面的粗糙度和吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅量较难脱落，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案一种PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体，覆盖于所述PECVD沉积槽本体顶面的喷砂层和覆盖于所述喷砂层顶面的镀铝层。优选的，上述PECVD沉积槽中，所述喷砂层的粗糙度不小于800 μ m。优选的，上述PECVD沉积槽中，所述镀铝层的粗糙度不小于800 μ m。优选的，上述PECVD沉积槽中，所述镀铝层的厚度在2-5μπι之间。[0013]优选的，上述PECVD沉积槽中，所述PECVD沉积槽本体为316不锈钢板槽。优选的，上述PECVD沉积槽中，所述PECVD沉积槽本体的厚度为I. 2mm。本实用新型提供的PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体，覆盖于PECVD沉积槽本体顶面的喷砂层和覆盖于喷砂层顶面的镀铝层。上述PECVD沉积槽，通过喷砂层提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，镀铝层增强了 PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本实用新型实施例提供的PECVD沉积槽的结构示意图；图2为图I中A部分的放大结构示意图。上图I-图2中PECVD沉积槽本体I、喷砂层2、镀铝层3。
具体实施方式
为了引用和清楚起见，现在将本专利中涉及到的技术名词解释如下喷砂，采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束将喷料高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化的表面处理技术。由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度，使工件表面的机械性能得到改善，因此提高了工件的抗疲劳性，增加了它和涂层之间的附着力，延长了涂膜的耐久性。电镀，利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的表面处理技术。本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，提高了 PECVD沉积槽顶面的粗糙度和吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅量较难脱落，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。请参考附图1-2，图I为本实用新型实施例提供的PECVD沉积槽的结构示意图；图2为图I中A部分的放大结构示意图。本实用新型实施例提供的PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体1，覆盖于PECVD沉积槽本体I顶面的喷砂层2和覆盖于喷砂层2顶面的镀铝层3。[0028]本实用新型实施例提供的PECVD沉积槽，与现有技术相比，通过喷砂层2提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，又由于镀铝层3的吸附能力较强，镀铝层3增强了 PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。上述实施例提供的PECVD沉积槽，通过喷砂机在PECVD沉积槽的顶面进行喷砂处理，形成喷砂层2 ;通过电镀技术在喷砂层2的顶面形成一层镀铝层3。为了保证沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，上述实施例提供的PECVD沉积槽中，喷砂层2的粗糙度不小于800 μ m。 优选的，上述实施例提供的PECVD沉积槽中，镀铝层3的粗糙度不小于800 μ m。为了减少PECVD沉积槽的制造成本，同时保证减少落在硅电池片上的氮化硅，上 述实施例提供的PECVD沉积槽中，镀铝层3的厚度在2-5 μ m之间。当然，镀铝层3的厚度也可以为其他的数值，本实用新型对此不作具体地限定，只要能够保证减少落在硅电池片上的氮化硅即可。优选的，上述实施例提供的PECVD沉积槽中，PECVD沉积槽本体I为316不锈钢板槽。上述实施例提供的PECVD沉积槽中，316不锈钢为18Cr_12Ni_2. 5Mo，化学成分为碳(C)的质量分数不大于O. 08%，硅(Si)的质量分数不大于I. 00%，锰(Mn)的质量分数不大于2. 00%，磷(P)的质量分数不大于O. 035%，硫(S)的质量分数不大于O. 03%，镍(Ni)的质量分数在10. 0-14. O %之间，铬(Cr)的质量分数在16. 0-18. 5%之间，钥(Mo)的质量分数在2. 0-3. 0%之间。316不锈钢因添加Mo，故其耐蚀性、耐大气腐蚀性和高温强度特别好，可在苛酷的条件下使用；加工硬化性优(无磁性)。优选的，上述实施例提供的PECVD沉积槽中，PECVD沉积槽本体I的厚度为I. 2mm。当然PECVD沉积槽本体I的厚度还可以为其他的数值，本实用新型对此不作具体地限定。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求1.一种PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体(I)，其特征在于，还包括覆盖于所述PECVD沉积槽本体(I)顶面的喷砂层(2)和覆盖于所述喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。
2.根据权利要求I所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述喷砂层(2)的粗糙度不小于800 u m0
3.根据权利要求I所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述镀铝层(3)的粗糙度不小于800 u m0
4.根据权利要求I所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述镀铝层(3)的厚度在2-5之间。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述PECVD沉积槽本体(I)为316不锈钢板槽。
6.根据权利要求5所述的PECVD沉积槽，其特征在于，所述PECVD沉积槽本体(I)的厚度为I. 2_。
专利摘要本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，包括PECVD沉积槽本体(1)，覆盖于PECVD沉积槽本体(1)顶面的喷砂层(2)，和覆盖于喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。本实用新型提供的PECVD沉积槽，与现有技术相比，通过喷砂层(2)提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，镀铝层(3)增强了PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。
文档编号B32B15/01GK202543320SQ20122015752
公开日2012年11月21日 申请日期2012年4月13日 优先权日2012年4月13日
发明者孙双庆, 杜颖涛, 齐海洋 申请人:英利能源(中国)有限公司