专利名称：沉积腔的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造技术，尤其涉及一种沉积腔。
背景技术：
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。自电离等离子体(self ionized plasma)是一种物理气相沉积方法，图1所示为采用自电离等离子体技术的沉积腔的剖视图，该沉积腔包括加热器(图1中未示)、台座 110和座环120，所述台座110设置在所述加热器上，所述座环120与所述台座110相连。如图2所示，所述台座110的边缘111呈台阶状，所述台座110的中央区112相对所述台座110的边缘111向上凸起，所述台座110的边缘111设有突起113。如图3所示，所述座环120设有内环121和外环122，所述外环122环绕在所述内环121外，且与所述内环121呈台阶状连接，所述内环121相对所述外环122向上凸起，所述内环121内设有凹槽123 ；所述凹槽123与所述突起113相匹配，所述座环120与所述台座110相连时，所述台座110的突起113插在所述座环120的凹槽123内，用以防止所述座环120相对所述台座110滑动，如图1所示；所述台座110除其底端面外，其余表面以及所述台座110的突起113表面均涂有铝层，所述座环120采用陶瓷材料制成。沉积薄膜时，所述台座110上施加强电压，晶圆(图1中未示)支撑在所述内环121 上，由于所述座环120采用陶瓷材料制成，可防止所述晶圆与所述台座110电接触，但是，所述凹槽123的封闭端IM非常薄，而且所述座环120每隔一段时间就要清洗一次，每清洗一次，就对所述凹槽123的封闭端IM磨损一次，使所述凹槽123的封闭端124越来越薄，这容易导致施加在所述台座110上的强电压将所述凹槽123的封闭端IM击穿，使所述晶圆与所述台座110电接触，从而损坏所述晶圆，实验表明，若所述凹槽123的封闭端IM发生电击穿，会造成所述晶圆中90%的芯片报废。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种沉积腔，座环与台座之间采用接触片来防止两者相对滑动，可防止座环被电击穿，从而防止晶圆与台座电接触。为了达到上述的目的，本实用新型提供一种沉积腔，包括台座、与所述台座相连的座环，其特征在于，所述台座设有至少一个凹口，所述座环设有至少一片接触片，所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内。上述沉积腔，其中，所述台座包括中央区和边缘区，所述边缘区环绕在所述中央区外，且与所述中央区呈台阶状连接，所述凹口设置在所述边缘区的边沿处。上述沉积腔，其中，所述凹口的数量为3 6个，多个所述凹口沿同一圆周均勻分布。[0011]上述沉积腔，其中，所述凹口呈拱门状。上述沉积腔，其中，所述座环包括内环和外环，所述外环环绕在所述内环外，且与所述内环呈台阶状连接，所述接触片设置在所述外环的内侧壁上。上述沉积腔，其中，所述接触片的数量为3 6片，多片所述接触片沿同一圆周均勻分布。上述沉积腔，其中，所述接触片呈拱门状。本实用新型的沉积腔在所述台座上设凹口，在所述座环上设接触片，当所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内，所述座环与所述台座之间的这种接触方式不会对所述座环的厚度产生影响，施加在所述台座上的强电压很难击穿所述座环，从而能防止晶圆与所述台座电接触。
本实用新型的沉积腔由以下的实施例及附图给出。图1是现有技术的沉积腔的剖视图。图2是现有技术中台座的剖视图。图3是现有技术中座环的剖视图。图4是本实用新型实施例的沉积腔的剖视图。图5是本实用新型实施例的沉积腔的台座的俯视图。图6是图5中的A-A剖视图。图7是本实用新型实施例的沉积腔的座环的俯视图。图8是图7中的B-B剖视具体实施方式
以下将结合图4 图8对本实用新型的沉积腔作进一步的详细描述。图4所示为本实用新型实施例的沉积腔的剖视图；如图4所示，该沉积腔包括加热器(图4中未示)、台座210和座环220，所述台座 210设置在所述加热器上，所述座环220与所述台座210相连；所述台座210设有凹口 215，所述座环220设有接触片224，所述座环220与所述台座210相连时，所述接触片2 卡在所述凹口 215内，用以防止所述座环220相对所述台座210滑动。本实用新型的沉积腔在所述台座210上设有至少一个凹口 215，在所述座环220上设有至少一片接触片224，当所述座环220与所述台座210相连时，所述接触片2M卡在所述凹口 215内，所述座环220与所述台座210之间的这种接触方式不会对所述座环220的厚度产生影响，施加在所述台座210上的强电压很难击穿所述座环220，从而能防止晶圆与所述台座210电接触。图5所示为本实用新型实施例的沉积腔的台座的俯视图，图6所示为图5中的A-A 剖视图；参见图5和图6，所述台座210包括中央区211和边缘区212，所述边缘区212环绕在所述中央区211外，且与所述中央区211呈台阶状连接，所述中央区211相对所述边缘区212向上凸起；所述中央区211设有第一安装孔213，所述台座210通过所述第一安装孔213与所述加热器连接；一较佳实施例中，所述中央区211设有4个所述第一安装孔213，4个所述第一安装孔213沿同一圆周均勻分布；所述中央区211与所述边缘区212的交界处设有第二安装孔214，所述第二安装孔 214用于连接隔离陶瓷(图中未示)，所述隔离陶瓷用于隔离所述加热器与所述台座；一较佳实施例中，所述中央区211与所述边缘区212的交界处设有3个所述第二安装孔214，3个所述第二安装孔214均勻分布在所述中央区211与所述边缘区212的交界处，所述第二安装孔214优选为圆形孔；所述凹口 215设置在所述边缘区212的边沿处；一较佳实施例中，所述边缘区212的边沿设有3 6个所述凹口 215，3 6个所述凹口 215沿同一圆周均勻分布，所述凹口 215呈拱门状；一较佳实施例中，所述台座采用不锈钢材料制成，所述台座除其底端面外其余表面均涂有铝层；图7所示为本实用新型实施例的沉积腔的座环的俯视图，图8所示为图7中的B-B 剖视图；参见图7和图8，所述座环220包括内环221和外环222，所述外环222环绕在所述内环221外，且与所述内环221呈台阶状连接，所述内环221相对所述外环222向上凸起；所述内环221的内边沿设有缺口 223，所述缺口 223的形状与所述第二安装孔214 的外轮廓相匹配；一较佳实施例中，所述内环221的内边沿设有3个所述缺口 223，3个所述缺口 223 沿同一圆周均勻分布，所述缺口 223为半圆弧形缺口 ；所述接触片2M设置在所述外环222的内侧壁上，所述接触片2M与所述凹口 215 相匹配，所述座环220与所述台座210相连时，所述接触片2M卡在所述凹口 215内，用以防止所述座环220相对所述台座210滑动；一较佳实施例中，所述外环222的内侧壁上设有3 6片所述接触片224，3 6 片所述接触片2M沿同一圆周均勻分布，所述接触片2M呈拱门状；所述座环220采用绝缘材料制成，一较佳实施例中，所述座环220采用陶瓷材料制成。沉积薄膜时，所述台座210上施加强电压，晶圆(图中未示)支撑在所述内环221 上，由于所述接触片2M位于所述内环221的下方，所述接触片2M与所述内环221的上表面之间的间隔大于等于所述内环221的厚度D，因此，所述内环221很难被施加在所述台座 210上的强电压击穿，能防止所述晶圆与所述台座210电接触。
权利要求1.一种沉积腔，包括台座、与所述台座相连的座环，其特征在于，所述台座设有至少一个凹口，所述座环设有至少一片接触片，所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内。
2.如权利要求1所述的沉积腔，其特征在于，所述台座包括中央区和边缘区，所述边缘区环绕在所述中央区外，且与所述中央区呈台阶状连接，所述凹口设置在所述边缘区的边沿处。
3.如权利要求1或2所述的沉积腔，其特征在于，所述凹口的数量为3 6个，多个所述凹口沿同一圆周均勻分布。
4.如权利要求1或2所述的沉积腔，其特征在于，所述凹口呈拱门状。
5.如权利要求1所述的沉积腔，其特征在于，所述座环包括内环和外环，所述外环环绕在所述内环外，且与所述内环呈台阶状连接，所述接触片设置在所述外环的内侧壁上。
6.如权利要求1或5所述的沉积腔，其特征在于，所述接触片的数量为3 6片，多个所述接触片沿同一圆周均勻分布。
7.如权利要求1或5所述的沉积腔，其特征在于，所述接触片呈拱门状。
专利摘要本实用新型的沉积腔包括台座、与所述台座相连的座环，其特征在于，所述台座设有至少一个凹口，所述座环设有至少一片接触片，所述座环与所述台座相连时，所述接触片卡在所述凹口内。本实用新型的沉积腔座环与台座之间采用接触片来防止两者相对滑动，可防止座环被电击穿，从而防止晶圆与台座电接触。
文档编号C23C14/32GK202054890SQ20112013023
公开日2011年11月30日 申请日期2011年4月28日 优先权日2011年4月28日
发明者唐黎华, 王烜, 黄平 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司