DEMUX电路的制作方法

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种demux电路。

背景技术：

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(pda)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步，人们对液晶显示器的显示品质，外观设计等提出了更高的要求，低成本和窄边框成为人们追求的目标。

解复用器(demultiplexer,简写demux)，用于把一个信号通道分解为多个信号通道，在中小尺寸液晶显示器中被广泛采用。在液晶显示器中，demux通常搭配ltps(低温多晶硅)制程，ltps制程制作的tft(薄膜晶体管)器件电子迁移率高，可以满足demux需求。

随着液晶显示器向低成本方向发展，igzo(氧化铟镓锌)制程和amorphoussilicon(非晶硅)制程也有使用demux的需求，但是由于igzo制程和amorphoussilicon制程制作的器件，电子迁移率比ltps低很多，使用demux后影响面板的充电率。

图1所示为现有lcd驱动架构，像素阵列(pixelarray)周围布置了各类走线及电路，包括柔性电路板焊盘(fpcpad)，芯片焊盘(icpad)，阵列外布线(woa)，扇出(fanout)，解复用器(de-mux)，esdsr(静电放电sr(触发器))，阵列基板行驱动(goa)，以及公共总线/静电放电(combus/esd)，本

技术实现要素：
涉及图中1所示的de-mux。

图2所示为已有lcd中使用的demux电路。该demux电路包括三个薄膜晶体管，该三个薄膜晶体管的栅极分别输入信号sw1，sw2及sw3，源极/漏极分别连接databus(数据总线)n，漏极/源极分别连接dataline(数据线)3n，3n+1以及3n+2；信号sw1，sw2及sw3按照预设时序控制各个薄膜晶体管的打开与关闭，当薄膜晶体管打开时，databusn可与相应的dataline连通并向其充电。该种demux电路通常搭配ltps制程，由于ltps制程的电子迁移率比较高，使用该种de-mux电路仍然可以维持比较高的数据线(dataline)充电率。随着液晶显示器向低成本方向发展，igzo制程和amorphoussilicon制程也有使用demux的需求，但是由于igzo制程和amorphoussilicon制程制作的器件，电子迁移率比ltps低很多，使用demux后影响面板的充电率。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种demux电路，提升igzo和amorphoussilicon制程demux的充电率。

为实现上述目的，本发明提供了一种demux电路，包括：

数据总线，第一、第二及第三数据线，分别连接于数据总线和相应的第一、第二及第三数据线之间的第一、第二及第三单元；

每个单元分别包括第一薄膜晶体管，第二薄膜晶体管，第三薄膜晶体管以及电容，并且输入相应的第一、第二及第三开关信号；第一薄膜晶体管的栅极输入第一开关信号，其源极和漏极分别输入第一开关信号和连接第二薄膜晶体管的栅极；第二薄膜晶体管的源极和漏极分别连接数据总线和对应的数据线；电容的一端连接第二薄膜晶体管的栅极，另一端输入第二开关信号；第三薄膜晶体管的栅极输入第三开关信号，其源极和漏极分别连接第二薄膜晶体管的栅极和恒压低电位；

对于每个单元，工作时，当第一开关信号打开时，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管打开，对应的数据线预充电；然后当第一开关信号关闭，第二开关信号打开时，对应的数据线充电至预设电位。

其中，用于输入该第一、第二及第三单元的开关信号共有四个，每个单元选择其中适合的三个开关信号作为对应该单元的第一、第二及第三开关信号。

其中，该四个开关信号为占空比为0.25的直方波，相互之间相位相差四分之一周期。

其中，工作时，通过控制每个单元对应的开关信号的时序，使得当第一单元对第一数据线充电至预设电位时，第二单元同步对第二数据线做预充电，当第二单元对第二数据线充电至预设电位时，第三单元同步对第三数据线做预充电，当第三单元对第三数据线充电至预设电位时，第一单元同步对第一数据线做预充电。

其中，其为氧化铟镓锌制程中的demux电路。

其中，其为非晶硅制程中的demux电路。

其中，其连接rgb三基色显示面板以输出rgb数据信号。

其中，该数据总线每4个时间段为一个循环，连续输出rgb数据信号后，空置一个时间段。

综上所述，本发明的demux电路可以提高tft栅极驱动电压，进而提高igzo和amorphoussilicon制程tft的电子迁移率，提升数据线充电率。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有lcd驱动架构示意图；

图2为已有lcd中使用的demux电路示意图；

图3为本发明demux电路的示意图；

图4为本发明demux电路的时序图；

图5为本发明demux电路和已有demux电路充电波形的比较示意图。

具体实施方式

图3所示为本发明demux电路的示意图。该demux电路包括数据总线(databus)n，第一、第二及第三数据线(dataline)3n，3n+1及3n+2，分别连接于数据总线n和对应的数据线之间的第一、第二及第三单元。

第一单元包括第一薄膜晶体管tfta1，第二薄膜晶体管tfta2，第三薄膜晶体管tfta3，以及电容cap1；第二单元包括tftb1，tftb2，tftb3，以及电容cap2；第三单元包括tftc1，tftc2，tftc3，以及电容cap3。

现以第一单元为例对各单元结构和功能加以详细说明，第一单元中：

第一薄膜晶体管tfta1的栅极输入第一开关信号sw1，其源极和漏极分别输入第一开关信号sw1和连接第二薄膜晶体管tfta2的栅极；

第二薄膜晶体管tfta2的源极和漏极分别连接数据总线n和对应的第一数据线3n；

电容cap1的一端连接第二薄膜晶体管tfta2的栅极，另一端输入第二开关信号sw2；

第三薄膜晶体管tfta3的栅极输入第三开关信号sw3，其源极和漏极分别连接第二薄膜晶体管tfta2的栅极和恒压低电位vgl；

对于第一单元，工作时，当第一开关信号sw1打开时，第一薄膜晶体管tfta1和第二薄膜晶体管tfta2打开，对应的第一数据线3n预充电；然后当第一开关信号sw1关闭，第二开关信号sw2打开时，对应的第一数据线3n充电至预设电位。

对于其他单元，工作时，当第一开关信号打开时，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管打开，对应的数据线预充电；然后当第一开关信号关闭，第二开关信号打开时，对应的数据线充电至预设电位。其他单元的各开关信号区别于第一单元的各开关信号。

此外，恒压低电位vgl可用于各电容的放电回复。例如对于第一单元，当开关信号sw2关闭，开关信号sw3打开时，电容cap1可通过恒压低电位vgl放电回复。

进一步，本发明可以通过提供开关信号sw1，sw2，sw3及sw4并设置适合的时序来同时控制第一、第二及第三单元的工作；每个单元选择其中适合的三个开关信号作为对应该单元的第一、第二及第三开关信号。该四个开关信号可以为占空比为0.25的直方波，相互之间相位相差四分之一周期(可参见图4)。

图4所示为本发明demux电路的时序图。结合图3及图4可以理解本发明demux电路的工作原理。当sw1打开时，tfta1和tfta2被打开，dataline3n做预充电；然后sw1关闭，sw2打开，通过电容cap1的耦合作用，使tfta2的栅极电位进一步提升，dataline3n充电至预设电位，同步dataline3n+1做预充电；然后sw2关闭，sw3打开，通过电容cap2的耦合作用，使tftb2的栅极电位进一步提升，dataline3n+1充电至预设电位，同步dataline3n+2做预充电，此时tfta3打开，tfta2关闭；以此循环。

参见demux电路的时序图，可以将本发明的demux电路连接rgb三基色显示面板以输出rgb数据信号。数据总线databus每4个时间段为一个循环，连续输出rgb数据信号后，空置一个时间段。此时相应的显示面板的扫描线(gateline)每4个时间段为一个循环，其中三个处于开启状态，一个处于关闭状态。开关信号sw1～sw4，每4个时间段为一个循环，其中只有一个时间段处于开启状态，其余时间段处于关闭状态。

图5所示为本发明demux电路和已有demux电路充电波形的比较，横轴为时间(单位秒)，纵轴为电压(单位伏特)，由图可以看出，使用本发明demux电路后，dataline充电率得到大幅提升。

综上所述，本发明的demux电路可以提高tft栅极驱动电压，进而提高igzo和amorphoussilicon制程tft的电子迁移率，提升数据线充电率。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。