s之间。响应于扫描控制信号SCAN，第一开关TFT ST1将数据线14A上的数据电压Vdata(包括感测数据电压Vdata_SEN或黑色电平显示数据电压Vdata_black)施加至栅极节点Ng。所述第一开关TFT ST1包括与第一栅极线15A相连的栅极电极、与数据线14A相连的漏极电极以及与栅极节点Ng相连的源极电极。响应于感测控制信号SEN，第二开关TFT ST2导通在源极节点Ns与感测线14B之间的电流流动。所述第二开关TFTST2包括与第二栅极线15B相连的栅极电极、与感测线14B相连的漏极电极、以及与源极节点Ns相连的源极电极。
[0058]每一个感测单元SU可以包括初始化开关SW1、采样开关SW2、以及采样和保持单元S/Η。
[0059]初始化开关SW1是响应于初始化控制信号PRE而被导通，并且会导通在初始化电压Vpre的输入端与感测线14B之间的电流流动。采样开关SW2是响应于采样控制信号SAM而被导通，并且会将感测线14B连接到采样和保持单元S/Η。当采样开关SW2被导通时，采样和保持单元S/Η对感测线14B的线电容器LCa中存储的电压进行采样并保持(作为感测电压)，然后将该电压传送至ADC。在这里公开的实施例中，线电容器LCa可以被感测线14B中存在的寄生电容取代。
[0060]以下将根据如上所述的有机发光显示器的结构来详细描述根据本发明实施例的用于感测有机发光显示器的退化的方法。
[0061]图6示出一种根据本发明实施例的用于感测有机发光显示器的退化的方法。
[0062]如图6所示，根据本发明实施例的退化感测方法包括初始化步骤S10、升压步骤S20、感测步骤S30以及采样步骤S40。
[0063]在初始化步骤S10中，根据本发明实施例的退化感测方法将感测数据电压Vdata_SEN施加至驱动TFT DT的栅极节点Ng，并且将初始化电压Vpre施加至驱动TFT DT的源极节点Ns，由此导通驱动TFT DT。
[0064]当如图2所示，构成同一单位像素的多个子像素彼此共享一条感测线14B时，在初始化步骤S10中，根据本发明实施例的退化感测方法将感测数据电压Vdata_SEN仅仅施加至构成同一单位像素的多个子像素之中的感测目标子像素的驱动TFT DT的栅极节点Ng，并且将比感测数据电压Vdata_SEN小的黑色电平显示数据电压Vdata_black施加至所述多个子像素之中的除了所述感测目标子像素之外的剩余子像素的驱动TFT DT的栅极节点Ng,由此非常有效地仅仅选择了感测目标子像素。与被施加了感测数据电压Vdata_SEN的感测目标像素不同，被施加了黑色电平显示数据电压Vdata_black的非感测目标子像素的驱动TFT DT不需要被导通。为此，优选地、但不是必须地，将黑色电平显示数据电压Vdata_black与初始化电压Vpre之间的差值设定成小于驱动TFT DT的阈值电压。此外，由于初始化电压Vpre被共同施加至同一单位像素的所有子像素，因此，优选地、但不是必须地，将初始化电压Vpre设定成小于有机元件0LED的导通电压(即工作点电压)，以防止不必要地导通非感测目标子像素。
[0065]在升压步骤S20中，根据本发明实施例的退化感测方法使驱动TFT DT的栅极节点Ng和源极节点Ns浮置，并且将驱动TFT DT的漏-源电流Ids施加至有机元件0LED，由此导通有机元件0LED。
[0066]在感测步骤S30中，根据本发明实施例的退化感测方法再次将初始化电压Vpre施加至驱动TFT DT的源极节点Ns，由此依照有机元件0LED的退化程度来设定驱动TFT DT的栅-源电压Vgs，并且将驱动TFT DT的漏-源电流Ids保存在感测线14B的线电容器LCa中。所述漏-源电流Ids的大小是由所设定的栅-源电压Vgs控制的。
[0067]在采样步骤S40中，根据本发明实施例的退化感测方法输出线电容器LCa中存储的电压，将其作为感测电压Vsen。
[0068]图7示出当将图6所示的退化感测方法应用于图5所示的结构时的每一个周期中的控制信号波形以及电压变化波形。图8A-8D分别示出在图7的初始化周期、升压周期、感测周期以及采样周期中的子像素操作和感测单元操作。在这里公开的实施例中，感测数据电压Vdata_SEN被设成10V，初始化电压Vpre被设成0.5V。在图7所示的电压变化波形中，实线表示发生退化之前，而交替的长短虚线表示发生退化之后。
[0069]如图7和图8A-8D所示，可以通过其中执行初始化步骤S10的初始化周期Tint、其中执行升压步骤S20的升压周期Tbst、其中执行感测步骤S30的感测周期Tsen、以及其中执行采样步骤S40的采样周期Tsam，来执行根据本发明实施例的退化感测方法。
[0070]在初始化周期Tint中，以导通(0N)电平施加扫描控制信号SCAN、感测控制信号SEN以及初始化控制信号PRE，并且以截止(OFF)电平施加采样控制信号SAM。结果，如图8A所示，将感测数据电压Vdata_SEN施加至驱动TFT DT的栅极节点Ng，并且将初始化电压Vpre施加至驱动TFT DT的源极节点Ns。
[0071]在升压周期Tbst中，仅以导通电平施加初始化控制信号PRE，并且以截止电平施加扫描控制信号SCAN、感测控制信号SEN以及采样控制信号SAM。结果，如图8B所示，驱动TFT DT的栅极节点Ng和源极节点Ns被浮置，并且驱动TFT DT的漏-源电流Ids被施加至有机元件0LED。源极节点Ns的电压被驱动TFT DT的漏-源电流Ids提升，并且与源极节点Ns电親合的栅极节点Ng的电压通过电容Cst而被提升。当源极节点Ns的电压大于有机元件OLE的工作点电压时，有机元件0LED被导通。当有机元件0LED被导通时，源极节点Ns的电压会依照有机元件0LED的退化程度而改变(例如从9V变成12V)。此外，栅极节点Ng的电压会依照有机元件0LED的退化程度而改变(例如从15V变成16V)。
[0072]在升压周期Tbst中，可以同时地以截止电平施加扫描控制信号SCAN和感测控制信号SEN。然而如图7所示，可以比感测控制信号SEN稍迟地以截止电平施加扫描控制信号SCAN ο在这种情况下，可以在升压周期Tbst中的起始时段中，在源极节点Ns中预先反映出有机元件0LED的退化程度的一部分。
[0073]在感测周期Tsen中，以导通电平施加感测控制信号SEN，并且初始化控制信号PRE在一段预定时段内保持处于导通电平，然后反转成截止电平。此外，以截止电平施加扫描控制信号SCAN和采样控制信号SAM。结果，如图8C所示，驱动TFT DT的栅-源电压Vgs被设定为取决于有机元件0LED的退化程度，且指示出有机元件0LED的退化程度并随之改变，并且，驱动TFT DT的漏-源电流Ids的电荷(由所设定的栅-源电压Vgs确定)被保存在感测线路14B的线电容器LCa中。
[0074]由于驱动TFT DT的源极节点Ns再次接收初始化电压Vpre并且随后被浮置，因此降低了源极节点Ns的电压。在这种情况下，由于存储电容器Cst的耦合影响，栅极节点Ng的电压也降低。栅极节点Ng的电压降低会依照有机元件0LED的退化程度而改变。换句话说，有机元件0LED的退化程度的改变是通过栅极节点Ng在退化前后的电压差异(作为示例，= 5V-4.5V)反映的，并且栅极节点Ng的所述电压差异还会导致驱动TFT DT的栅-源电压Vgs的差异。因此，在感测线14B中流动的电流依照有机元件0LED的退化程度而改变。所述电流被保存在感测线14B的线电容器LCa中。当感测线14B中流动的电流以与有机元件0LED的退化程度成比例的方式减小时，保存在线电容器LCa中的电压也会降低。一般来说，较低的0LED退化程度会导致在感测线14B中流动的电流增大，并导致线电容器LCa中存储的电荷的充电斜率增大。相反，较高的0LED退化程度会导致在感测线14B中流动的电流减小，并导致线电容器LCa中存储的电荷的充电斜率减小。
[0075]在采样周期Tsam中，仅以导通电平施加采样控制信号SAM，以截止电平施加扫描控制信号SCAN、感测控制信号SEN、和初始化控制信号PRE。结果，如图8D所示，线电容器LCa中存储的电压被输出作为感测电压Vsen。
[0076]图9示出根据本发明实施例的用于感测有机发光显示器的退化的另一方法。
[0077]如图9所示，根据本发明实施例的退化感测方法包括初始化步骤S10、升压步骤S20、写入步骤S25、感测步骤S30以及采样步骤S40。
[0078]图9的退化感测方法与图6的退化感测方法的不同之处在于其进一步包括写入步骤S25。由于初始化步骤S10、升压步骤S20、感测步骤S30以及采样步骤S40与图6的步骤基本相同，因此可以简要地对其进行进一步描述或者完全省略该描述。
[0079]在写入步骤S25，根据本发明实施例的退化感测方法再次将感测数据电压Vdata_SEN施