加至驱动TFT DT的栅极节点Ng，由此依照有机元件0LED的退化程度来预设驱动TFTDT的栅-源电压Vgs，以使栅-源电压Vgs指示0LED的退化程度。在写入步骤S25中，通过在用于依照有机元件0LED的退化程度设定驱动TFT DT的栅-源电压Vgs的感测步骤S30之前，依照有机元件0LED的退化程度来预设驱动TFT DT的栅-源电压Vgs，可以更容易地将有机元件0LED的退化程度转换成驱动TFT DT的栅-源电压Vgs。这可以在感测有机元件OLED的退化时提高感测精度。
[0080]图10示出当将图9所示的退化感测方法应用于图5所示的结构时的每个周期中的控制信号波形和电压变化波形。图11A-11E分别示出在图10的初始化周期、升压周期、写入周期、感测周期以及采样周期中的子像素操作和感测单元操作。在这里公开的实施例中，感测数据电压Vdata_SEN被设成10V，并且初始化电压Vpre被设成0.5V。在图10所示的电压变化波形中，实线表示发生退化之前，并且交替的长短虚线表示发生退化之后。
[0081]如图10和图11A-11E所示，可以通过其中执行初始化步骤S10的初始化周期Tint、其中执行升压步骤S20的升压周期Tbst、其中执行写入步骤S25的写入周期Twrt、其中执行感测步骤S30的感测周期Tsen以及其中执行采样步骤S40的采样周期Tsam，来执行根据本发明实施例的退化感测方法。
[0082]由于初始化周期Tint、升压周期Tbst、感测周期Tsen和采样周期Tsam中的子像素操作和感测单元操作与图7和图8A-8D中的操作基本相同，因此可以简要地对其进行进一步描述或者完全省略该描述。
[0083]在写入周期Twrt中，以导通电平施加扫描控制信号SCAN和初始化控制信号PRE，并且以截止电平施加感测控制信号SEN和采样控制信号SAM。结果，如图11C所示，驱动TFTDT的栅-源电压Vgs是依照有机元件0LED的退化程度预设的，并指示了有机元件0LED的退化程度，并且，通过所述预设的栅-源电压Vgs所确定的驱动TFT DT的漏-源电流Ids被施加至有机元件0LED。在写入周期Twrt中，由于驱动TDT DT的栅极节点Ng从升压电平(例如15V和16V)降低至感测数据电压Vdata_SEN (例如10V)，因此，源极节点Ns的电压会因为存储电容器Cst的耦合影响而降低(例如降低至7V和8V)。在这种情况下，源极节点Ns的电压成为有机元件0LED的工作点电压，并且依照有机元件0LED的退化程度而改变。
[0084]图12是示出有机元件的退化程度与感测电压之间的关系的图表。图13是示出有机元件的退化程度与有机元件中流动的驱动电流之间的关系的图表。图14是示出感测数据电压与感测电压之间的关系的图表。
[0085]从图12中可以看出，在使用根据本发明实施例的退化感测方法感测有机元件0LED的退化时，通过感测单元输出的感测电压Vsen会随着有机元件0LED的退化程度的增大(也就是随着有机元件0LED的工作点电压的增大)而降低。这表明有机元件0LED的退化会导致驱动TFT DT的栅-源电压Vgs发生变化，并且这种变化可通过根据本发明实施例的退化感测方法来感测。
[0086]由于根据本发明实施例的退化感测方法采用了与现有电流设定方法相比更易于控制的电压设定方法(用于依照有机元件0LED的退化程度来改变驱动TFT DT的栅-源电压Vgs)，因此，可以提高感测精度，并且通过移除不必要的电流源，可以减小电路设计面积以及降低制造成本。
[0087]当使用根据本发明实施例的退化感测方法来感测有机元件0LED的退化时，可确认有机元件0LED的退化趋势。也就是说，随着驱动时间的流逝，有机元件0LED的退化程度可以用图13所示的曲线来表示。更具体地说，当驱动电流1led流经有机元件0LED时，退化前后的有机元件0LED中的阳极电压Vanode是互不相同的。此外，如图14所示，当通过使用根据本发明实施例的退化感测方法改变感测数据电压Vdata而使得感测数据电压Vdata与感测电压Vsen之间的差值被检测为等于或大于两个点的值时，可以根据斜率和电压来确认有机元件OLED的退化趋势。
[0088]图15-18示出根据修改示例的扫描控制信号、感测控制信号以及电压变化的修改示例。在图15-18中，“DTG”表示驱动TFT的栅极节点的电压，“DTS”表示驱动TFT的源极节点的电压，“ Ref ”表示感测线的电压。
[0089]图7和10示出处于导通电平的扫描控制信号和处于导通电平的感测控制信号SEN在初始化周期Tint中是完全重叠的。然而，本发明的实施例并不局限于此，而是可以如图15-18显示的那样以不同方式改变。
[0090]如图15-18所示，在初始化周期Tint期间，可以设计为使得处于导通电平的扫描控制信号的至少一部分与处于导通电平的感测控制信号SEN的至少一部分相互重叠。更具体地说，如图15所示，可以施加脉冲宽度宽于感测控制信号SEN的扫描控制信号SCAN，以使得在初始化周期Tint期间，扫描控制信号SCAN完全覆盖感测控制信号SEN。可供选择地，如图16所示，可以施加脉冲宽度宽于扫描控制信号SCAN的感测控制信号SEN，以使得在初始化周期Tint期间，感测控制信号SEN完全覆盖扫描控制信号SCAN。可供选择地，如图17所示，扫描控制信号SCAN可以具有与感测控制信号SEN相同的脉冲宽度，并且可以在初始化周期Tint期间，比感测控制信号SEN稍早地施加扫描控制信号SCAN。可供选择地，如图18所示，感测控制信号SEN可以具有与扫描控制信号SCAN相同的脉冲宽度，并且可以在初始化周期Tint期间，比扫描控制信号SCAN稍早地施加感测控制信号SEN。
[0091]从图15-18所示的修改示例可以看出，通过扫描控制信号SCAN和感测控制信号SEN的修改设计，本发明的实施例可以很容易地确保时序裕度。从图15-18的仿真结果可以看出，即使修改并设计了扫描控制信号SCAN和感测控制信号SEN，仍可以充分地实现与有机元件0LED的退化感测相关的期望操作效果。
[0092]如上所述，根据本发明实施例的退化感测方法依照有机元件的退化程度来改变驱动TFT的栅-源电压，并且对根据驱动TFT的栅-源电压的变化而获得的电流的变化进行检测，所述驱动TFT的栅-源电压用作感测电压。由于根据本发明实施例的退化感测方法采用了与现有电流设定方法相比更易于控制的电压设定方法，因此，可以提高感测精度，并且通过移除不必要的电流源，可以减小电路设计面积以及降低制造成本。
[0093]此外，由于根据本发明实施例的退化感测方法采用了电压设定方法，因此可以对子像素进行单独控制，并且即使在应用感测线共享结构的情况下，也可以精确感测期望子像素中的有机元件的退化。这种共享感测线结构也有利于提升显示面板的开口率。
[0094]虽然这里的实施例是参考了众多的说明性实施例而被描述的，但是应该理解，本领域技术人员可以想到落入本公开的原理范围以内的其他众多修改及实施例。更具体地说，在本公开、附图以及附加权利要求的范围以内，关于主题组合排列的组成部分和/或排列的不同变化和修改都是可行的。对本领域技术人员来说，除了组成部分和/或排列方面的变化和修改之外，替换的用途同样是显而易见的。
【主权项】
1.一种用于感测有机发光显示器的退化的方法，所述有机发光显示器包括多个子像素、以及通过感测线而与所述多个子像素的至少之一相连的感测单元，每一个子像素包括有机元件、以及用于控制所述有机元件的发光量的驱动薄膜晶体管(TFT)，所述方法包括: 在初始化周期期间，将感测数据电压施加至所述驱动薄膜晶体管的栅极节点，并将初始化电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极节点，以导通所述驱动薄膜晶体管； 在升压周期期间，使所述驱动薄膜晶体管的栅极节点和源极节点浮置，并且将所述驱动薄膜晶体管的漏-源电流施加至所述有机元件，以导通所述有机元件； 在感测周期期间，再次将所述初始化电压施加至所述驱动薄膜晶体管的源极节点，且作为再次施加所述初始化电压的结果，所述驱动薄膜晶体管的栅-源电压被设定为指示所述有机元件的退化程度，并且利用由所设定的栅-源电压控制的所述驱动薄膜晶体管的漏-源电流，对所述感测线的线电容器充电，以及 在采样周期期间，输出所述线电容器的电压，将其作为感测电压。2.如权利要求1所述的方法，还包括:在所述升压周期与所述感测周期之间的写入周期期间，再次将所述感测数据电压施加至所述驱动薄膜晶体管的栅极节点，所述的再次施加感测数据电压的步骤将所述驱动薄膜晶体管的栅-源电压预设成指示所述有机元件的退化程度。3.如权利要求2所述的方法，其中当所述多个子像素之中的构成同一单位像素的子像素彼此共享一条感测线时，在初始化周期期间施加的感测数据电压仅仅被施加至构成所述同一单位像素的子像素之中的感测目标像素中的驱动薄膜晶体管的栅极节点，并且在初始化周期期间，将小于所述感测数据电压的黑色电平显示数据电压施加至所述子像素之