半导体设备的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层是通过同一加工透明导电层的工程设置的，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述多个伪层配置于比所述间隔物的底边缘更靠内的一侧，所述间隔物与所述多个伪层重叠。2.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层设置在同一层中，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述多个伪层配置于比所述间隔物的底边缘更靠内的一侧，所述间隔物与所述多个伪层重叠。3.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层由相同的材料形成，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述多个伪层配置于比所述间隔物的底边缘更靠内的一侧，所述间隔物与所述多个伪层重叠。4.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层是通过同一加工透明导电层的工程设置的，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述间隔物具有的截面形状具有比所述多个伪层更靠外的边，所述间隔物与所述多个伪层重叠。5.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层设置于同一层中，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述间隔物具有的截面形状具有比所述多个伪层更靠外的边，所述间隔物与所述多个伪层重叠。6.一种半导体设备，包括：具有绝缘表面的第一基板；在所述第一基板上的栅极布线；与所述栅极布线重叠的半导体层并且第一绝缘层位于其间；电连接到所述半导体层的源极布线和漏极电极；在所述源极布线和漏极电极上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的多个伪层；在所述像素电极及多个伪层上的第一对准膜；在所述第一对准膜上的第二对准膜；在所述第二对准膜上的间隔物；以及在所述间隔物上的第二基板，其中，所述栅极布线具有用作晶体管的栅极电极的区域，所述源极布线和漏极电极具有用作所述晶体管的源极电极或漏极电极的区域，所述栅极布线、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极布线和漏极电极、所述保护膜、所述像素电极及所述多个伪层设置于所述第一基板，所述间隔物与所述第二对准膜设置于所述第二基板，所述像素电极与所述多个伪层由相同的材料形成，所述像素电极不与所述多个伪层电连接，所述间隔物具有的截面形状具有比所述多个伪层更靠外的边，所述间隔物与所述多个伪层重叠。7.一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的第一基板上的开关元件；在所述开关元件上的保护膜；在所述保护膜上的像素电极；在所述保护膜上的透明导电膜；在所述透明导电膜上的间隔物；在所述间隔物上的第二基板，其中所述像素电极和所述透明导电膜通过对同一导电膜进行加工的步骤形成，其中所述像素电极不与所述透明导电膜电连接，其中所述间隔物具有隔着所述透明导电膜与所述开关元件重叠的区域，并且其中所述透明导电膜比所述间隔物的底边缘更靠内的位置提供。