技术总结
当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
技术研发人员：藤川最史;细谷邦雄
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
文档号码：201310159591
技术研发日：2007.09.19
技术公布日：2017.04.19