一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置制造方法

一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置，涉及显示【技术领域】，可在低温工作状态下为液晶显示面板提供热量，使其正常显示；所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。用于显示装置的制造。
【专利说明】一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装 置。

【背景技术】
[0002] 液晶显示器（Liquid Crystal Display,简称LCD)因其轻薄、无福射、低功耗等优 点而广泛的应用于各个领域；但在极端气候条件下，传统液晶显示器的使用可能会受到影 响，例如在极冷或极热的环境中，液晶显示器可能无法正常显示。
[0003] 导致上述现象的主要原因是：现阶段的液晶材料可维持其液晶态的最宽温度 在-40°C?100°C，而能够显示的温度仅在-20°C?60°C。液晶材料对于温度的变化十分敏 感，在低温环境下，液晶材料的响应速度变慢，响应时间大大延长，从而引起显示画面的严 重滞后。


【发明内容】

[0004] 本发明的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置，可在低温工 作状态下为液晶显示面板提供热量，使其正常显示。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] -方面，提供一种彩膜基板，所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色 滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包 括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。
[0007] 可选的，所述彩膜基板还包括设置在所述制热层背离所述衬底基板一侧的电磁屏 蔽层；其中，所述电磁屏蔽层的材料为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层覆盖在整个基板的 表面；或者，所述电磁屏蔽层的材料为非透明导电材料，且所述电磁屏蔽层与所述黑矩阵的 位置相对应。
[0008] 可选的，所述黑矩阵设置在所述衬底基板上；所述黑矩阵包括纵横交错的第一黑 矩阵和第二黑矩阵，且相邻所述第一黑矩阵和相邻所述第二黑矩阵之间限定一个像素单 元；其中，所述黑矩阵的材料包括金属导电材料或者绝缘树脂材料；所述制热层设置在所 述黑矩阵上；其中，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵和所述第二黑矩阵，所述制 热层均包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；所述彩色滤光层 设置在所述制热层上；其中，所述彩色滤光层至少包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色 滤光单元。
[0009] 优选的，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵，相邻所述第一黑矩阵对应 的所述制热层分别为P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；对应于构成每个像 素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第二黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半 导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成；或者，对应于构成每个像素单元的所述第 一黑矩阵，每个所述第一黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区 和N型半导体热电材料区构成；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第 二黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料 区构成。
[0010] 进一步可选的，在所述黑矩阵的材料为金属导电材料的情况下，所述彩膜基板还 包括位于所述黑矩阵和所述制热层之间的透明绝缘层。
[0011] 进一步的，所述彩膜基板还包括设置在所述彩色滤光层背离所述衬底基板一侧的 平坦层；其中，在所述彩膜基板还包括电磁屏蔽层的情况下，所述电磁屏蔽层设置在所述平 坦层背离所述衬底基板的一侧。
[0012] 另一方面，提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括对盒成型的阵列基板 和彩膜基板，以及位于二者之间的封框胶；其中，所述彩膜基板为上述的彩膜基板。
[0013] 可选的，所述阵列基板上设置有驱动电路；所述彩膜基板的制热层中的P型半导 体热电材料区和N型半导体热电材料区分别通过所述封框胶内的金属球或导电胶与所述 驱动电路相连；其中，所述阵列基板上还设置有分别用于将所述P型半导体热电材料区和 所述N型半导体热电材料区与所述驱动电路相连的引线。
[0014] 进一步可选的，所述液晶显示面板还包括温度感应器和印刷电路板；其中，所述温 度感应器设置在所述阵列基板背离所述彩膜基板的一侧，且与所述黑矩阵的位置相对应； 所述印刷电路板上还集成有温度控制单元。
[0015] 再一方面，提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括上述的液晶显示面板、 以及背光模组。
[0016] 本发明的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置；所述彩膜基 板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑 矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体 热电材料区。
[0017] 基于此，当所述彩膜基板应用于液晶显示面板时，通过在所述彩膜基板的内部设 置所述制热层，便可以在低温环境中为所述液晶显示面板提供热量，从而调节所述液晶显 示面板中的液晶层的工作温度，使其在低温环境中能够正常显示。

【专利附图】

【附图说明】
[0018] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0019] 图1为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图一；
[0020] 图2为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图二；
[0021] 图3为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图三；
[0022] 图4为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图四；
[0023] 图5为本发明的实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；
[0024] 图6为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的制备方法流程图一；
[0025] 图7为本发明的实施例提供的一种彩膜基板的制备方法流程图二。
[0026] 附图标记：
[0027] 10-彩膜基板；101-黑矩阵；1011-第一黑矩阵；1012-第二黑矩阵；102-彩色滤光 层；103-制热层；1031-P型半导体热电材料区；1032-N型半导体热电材料区；104-电磁屏 蔽层；20-阵列基板；30-封框胶。

【具体实施方式】
[0028] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029] 本发明的实施例提供一种彩膜基板10,如图1和图2所示，所述彩膜基板10可以 包括设置在衬底基板100上的黑矩阵101、彩色滤光层102、以及制热层103 ;所述制热层 103的位置与所述黑矩阵101的位置相对应；其中，所述制热层103可以包括相互接触的P 型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032。
[0030] 需要说明的是，第一，本发明的实施例对于所述黑矩阵101、所述彩色滤光层102 和所述制热层103的相对位置不做具体限定，只需保证所述制热层103的位置与所述黑矩 阵101的位置相对应即可。
[0031] 在此基础上，所述制热层103的位置与所述黑矩阵101的位置相对应具体是指，所 述黑矩阵101在所述衬底基板1〇〇上的投影面积可以完全覆盖所述制热层103在所述衬底 基板100上的投影面积；其中，所述黑矩阵101的面积可以大于等于所述制热层103的面 积。
[0032] 第二，所述制热层103可以用于在低温环境下为液晶显示面板提供热量，其可以 由相互接触的所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032构成；在 此基础上，本领域技术人员应该清楚，与所述制热层103直接接触的膜层需要具有绝缘性。
[0033] 第三，所述P型半导体热电材料区1031与所述N型半导体热电材料区1032之间 相互接触的方式具体可以包括：所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材 料区1032同层设置，且所述P型半导体热电材料区1031的端部与所述N型半导体热电材 料区1032的端部相接触，这里对于二者之间的接触面积不做限定，所述接触面积可以根据 需要设置，；或者，所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032不 同层设置，且所述P型半导体热电材料区1031与所述N型半导体热电材料区1032之间具 有相互交叠的区域，且二者在该交叠区相接触；当然，所述P型半导体热电材料区1031与所 述N型半导体热电材料区1032之间的接触方式还可以是以上两种方式的结合，在此不做限 定。
[0034] 本发明的实施例提供一种彩膜基板10,所述彩膜基板10可以包括设置在衬底基 板100上的黑矩阵101、彩色滤光层102、以及制热层103 ;所述制热层103的位置与所述黑 矩阵101的位置相对应；其中，所述制热层103可以包括相互接触的P型半导体热电材料区 1031和N型半导体热电材料区1032。
[0035] 基于此，当所述彩膜基板10应用于液晶显示面板时，通过在所述彩膜基板10的内 部设置所述制热层103,便可以在低温环境中为所述液晶显示面板提供热量，从而调节所述 液晶显示面板中的液晶层的工作温度，使其在低温环境中能够正常显示。
[0036] 考虑到所述制热层103在工作过程中需要外加电场，为了避免该电场对液晶层中 的液晶分子产生影响，如图3和图4所示，所述彩膜基板10还可以包括设置在所述制热层 103背离所述衬底基板10 -侧的电磁屏蔽层104。
[0037] 其中，所述电磁屏蔽层104的材料可以为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层104可 以覆盖在整个基板的表面；或者，所述电磁屏蔽层104的材料也可以为非透明导电材料，且 所述电磁屏蔽层104可以与所述黑矩阵101的位置相对应。
[0038] 这里需要说明的是，所述彩膜基板10上必然还设置有靠近所述液晶层一侧的取 向层（图中未示出）；在此情况下，所述电磁屏蔽层104可以设置在所述制热层103和所述 取向层之间的任意位置。
[0039] 在此基础上，由于所述电磁屏蔽层104采用导电材料，因此当其设置在所述制热 层103背离所述衬底基板的一侧时，所述制热层103与所述电磁屏蔽层104之间还应设置 具有绝缘效果的膜层。
[0040] 基于上述描述，所述黑矩阵101可以设置在所述衬底基板100上；所述黑矩阵101 具体可以包括纵横交错的第一黑矩阵1011和第二黑矩阵1012,且相邻所述第一黑矩阵 1011和相邻所述第二黑矩阵1012之间限定一个像素单元；其中，所述黑矩阵101的材料可 以包括金属导电材料或者绝缘树脂材料。所述制热层103可以设置在所述黑矩阵101上； 其中，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵1011和所述第二黑矩阵1012,所述制热 层103均包括相互接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032。所 述彩色滤光层102可以设置在所述制热层103上；其中，所述彩色滤光层102至少可以包括 红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。
[0041] 具体的，P型半导体热电材料为高能级材料，N型半导体热电材料为低能级材料。 当向所述制热层103通入由所述P型半导体热电材料区1031到所述N型半导体热电材料 区1032的电流时，由于所述P型半导体热电材料的能级高于所述N型半导体热电材料的能 级，电荷在由高能级向低能级运动的过程中会释放出多余的热量，该热量大于正常电阻的 放热；因此所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032之间的接 触部位会产生热量，从而达到为液晶显示面板提供热量的目的；在此基础上，由于所述制热 层103设置在所述彩膜基板10的内部，因此能量损失少，加热效率高。
[0042] 其中，所述半导体热电材料具体可以包括ZnSb、PbTe、（Bi，Sb) 2 (Te，Se) 3、 In (Sb, As, P)、BifxSh等材料，但不限于此。
[0043] 这里，在所述黑矩阵101的材料为金属导电材料的情况下，所述黑矩阵101和所述 制热层103之间还应设置透明绝缘层，用于将所述黑矩阵101与所述制热层103隔离；在所 述黑矩阵101的材料为绝缘树脂材料的情况下，所述制热层103可以直接设置在所述黑矩 阵101上。
[0044] 进一步的，参考图1和图3所示，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵 1011，相邻所述第一黑矩阵1011对应的所述制热层103分别为P型半导体热电材料区1031 和N型半导体热电材料区1032 ;对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵1012,每个所 述第二黑矩阵1012对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材料区1031和 N型半导体热电材料区1032构成。
[0045] 或者，参考图2和图4所示，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵1011， 每个所述第一黑矩阵1011对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材料 区1031和N型半导体热电材料区1032构成；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵 1012,每个所述第二黑矩阵1012对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材 料区1031和N型半导体热电材料区1032构成。
[0046] 当然，所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032的设 置方式并不限于此，以上仅为本发明的实施例对于所述制热层103的设置方式的示意性描 述，其还可以设置为其它方式，在此不做限定。
[0047] 在此基础上，为了保证所述彩膜基板10的平整性，在所述彩色滤光层102背离所 述衬底基板100的一侧还可以设置平坦层（图中未示出）。
[0048] 其中，在所述彩膜基板10包括所述电磁屏蔽层104的情况下，所述电磁屏蔽层104 可以设置在所述平坦层背离所述衬底基板100的一侧，具体可以设置在所述平坦层与所述 取向层之间。
[0049] 本发明的实施例还提供一种液晶显示面板，如图5所示，所述液晶显示面板包括 对盒成型的阵列基板20和彩膜基板10,以及位于二者之间的封框胶30 ;其中，所述彩膜基 板10为上述的彩膜基板。
[0050] 基于此，通过在所述彩膜基板10的内部设置可以用于为所述液晶显示面板提供 热量的制热层103,当所述液晶显示面板在低温环境下使用时，可以根据实际的环境温度对 所述液晶层的工作温度进行调节，以使所述液晶显示面板可以正常工作。在此基础上，将所 述制热层103设置在所述彩膜基板10的内部有利于实现所述液晶显示面板的轻薄化，且具 有相对较高的制热效率。
[0051] 可选的，所述阵列基板20上设置有驱动电路；所述彩膜基板10的制热层103中的 P型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032可以分别通过所述封框胶30内 的金属球或导电胶与所述驱动电路相连。其中，所述阵列基板20上还设置有分别用于将所 述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032与所述驱动电路相连的 引线。
[0052] 这里需要说明的是，通过所述封框胶30内的金属球或导电胶将所述彩膜基板10 中的P型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032与所述阵列基板20中的P 型半导体热电材料区引线和N型半导体热电材料区引线相连时，应该保证二者之间不会导 通。
[0053] 具体的，所述阵列基板20上的驱动电路可以包括栅驱动电路、源驱动电路、以及 制热驱动电路；其中，所述制热驱动电路通过引线分别与所述P型半导体热电材料区1031 和所述N型半导体热电材料区1032相连，用于为所述P型半导体热电材料区1031和所述 N型半导体热电材料区1032提供电流。
[0054] 基于上述，优选的，所述液晶显示面板还可以包括温度感应器和印刷电路板；其 中，所述温度感应器可以设置在所述阵列基板20背离所述彩膜基板10的一侧，且与所述黑 矩阵101的位置相对应；所述印刷电路板上还集成有温度控制单元。
[0055] 这里，所述温度感应器可以用于检测所述液晶显示面板的实际温度，其具体 可以为温度传感器，例如热电偶、热敏电阻温度、电阻温度检测器、以及IC(Integrated Circuit,集成电路）温度传感器中的任一种，在此不做限定。
[0056] 所述温度感应器可以将其感应到的所述液晶显示面板的实际温度反馈给所述温 度控制单元；所述温度控制单元可以根据接收到的所述液晶显示面板的实际温度控制所述 制热驱动电路是否为所述制热层103提供电流。
[0057] 具体的，当所述液晶显示面板的实际温度低于设定温度时，所述温度控制单元向 所述制热驱动电路提供开始加热的控制信号，所述制热驱动电路向所述制热层103输入由 所述P型半导体热电材料区1031到所述N型半导体热电材料区1032的电流，从而对所述 液晶显示面板进行加热；与此同时，所述温度控制单元通过所述温度感应器监测所述液晶 显示面板的实际温度，当其到达指定温度后，所述温度控制单元向所述制热驱动电路提供 停止加热的控制信号，所述制热驱动电路停止向所述制热层103供电。
[0058] 本发明的实施例还提供一种液晶显示装置，包括上述的液晶显示面板、以及背光 模组。
[0059] 其中，所述温度传感器可以设置在所述液晶显示面板与所述背光模组之间。
[0060] 本发明的实施例提供了一种彩膜基板10的制备方法，所述方法可以包括：在基板 上形成黑矩阵101、彩色滤光层102、以及制热层103 ;所述制热层103的形成位置与所述黑 矩阵101的形成位置相对应；其中，所述制热层103可以包括相互接触的P型半导体热电材 料区1031和N型半导体热电材料区1032。
[0061] 这里对于所述黑矩阵101、所述彩色滤光层102和所述制热层103的先后形成顺序 不做具体限定。
[0062] 在此基础上，所述方法还可以包括：在形成有所述制热层103的基板上形成电磁 屏蔽层104 ;其中，所述电磁屏蔽层104的材料可以为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层可 以覆盖在整个基板的表面；或者，所述电磁屏蔽层104的材料可以为非透明导电材料，且所 述电磁屏蔽层104可以与所述黑矩阵101的位置相对应。
[0063] 基于上述描述，如图6所示，所述彩膜基板10的制备方法具体可以包括以下步 骤：
[0064] S101、在衬底基板100上形成所述黑矩阵101 ;所述黑矩阵101包括纵横交错的 第一黑矩阵1011和第二黑矩阵1012,且相邻所述第一黑矩阵1011和相邻所述第二黑矩阵 1012之间限定一个像素单元；其中，所述黑矩阵101的材料包括金属导电材料或者绝缘树 脂材料。
[0065] 这里，在所述黑矩阵101的材料为金属导电材料的情况下，还需在所述黑矩阵101 的上方形成透明绝缘层，方可进行下一个步骤；在所述黑矩阵101的材料为绝缘树脂材料 的情况下，无需进行其它处理，可以直接进行下一个步骤。
[0066] S102、在形成有所述黑矩阵101的基板上形成所述制热层103 ;其中，对应于构成 每个像素单元的所述第一黑矩阵ιο? 1和所述第二黑矩阵1012,所述制热层103均包括相互 接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032。
[0067] 这里，所述黑矩阵101在所述衬底基板100上的投影面积可以完全覆盖所述制热 层103在所述衬底基板100上的投影面积；其中，所述黑矩阵101的面积大于等于所述制热 层103的面积。
[0068] S103、在形成有所述制热层103的基板上形成所述彩色滤光层102 ;其中，所述彩 色滤光层102至少包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。
[0069] 通过上述步骤S101?S103,即可实现具有制热功能的彩膜基板10的制备；当所 述彩膜基板10应用于液晶显示面板时，便可以在低温环境中为所述液晶显示面板提供热 量，从而调节所述液晶显示面板中的液晶层的工作温度，使其在低温环境中能够实现正常 显示。在此基础上，将所述制热层103直接形成在所述彩膜基板10的内部，还可以实现所 述液晶显示面板的轻薄化，同时能量损失少,加热效率高。
[0070] 基于上述描述，进一步的，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵1011，相邻 所述第一黑矩阵1011对应的所述制热层103分别为P型半导体热电材料区1031和N型半 导体热电材料区1032 ;对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵1012,每个所述第二黑 矩阵1012对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导 体热电材料区1032构成。
[0071] 或者，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵1011，每个所述第一黑矩阵 1011对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导体热 电材料区1032构成；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵1012,每个所述第二黑矩 阵1012对应的所述制热层103均由相互接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导体 热电材料区1032构成。
[0072] 当然，所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032的设 置方式不限于此，只要是可以形成相互接触的两个区域，以在通电之后能够在接触部位产 生热量即可。
[0073] 可选的，在形成有所述彩色滤光层102的基板上还可以形成平坦层；其中，在所述 基板上还形成电磁屏蔽层104的情况下，所述电磁屏蔽层104可以形成在所述平坦层上。
[0074] 下面将提供一具体的实施例对所述彩膜基板10的制备方法进行详细说明。如图 7所示，所述彩膜基板10的形成方法具体可以包括：
[0075] S201、在玻璃基板上涂覆一层黑矩阵膜层，经过曝光和显影形成所述黑矩阵101。
[0076] 其中，所述黑矩阵膜层采用绝缘树脂材料；所形成的黑矩阵101包括纵横交错的 第一黑矩阵1011和第二黑矩阵1012,且相邻所述第一黑矩阵1011和相邻所述第二黑矩阵 1012之间限定一个像素单元。
[0077] S202、在形成有所述黑矩阵101的基板上沉积一层P型半导体热电材料，通过一次 构图工艺形成所述P型半导体热电材料区1031。
[0078] 其中，所形成的P型半导体热电材料区1031与所述黑矩阵101相对应。
[0079] S203、在形成有所述P型半导体热电材料区1031的基板上沉积一层N型半导体热 电材料，通过一个构图工艺形成所述N型半导体热电材料区1032。
[0080] 其中，所形成的N型半导体热电材料区1032与所述黑矩阵101相对应。
[0081] 通过上述步骤S202和S203,即可形成由所述P型半导体热电材料区1031和所述 N型半导体热电材料区1032构成的所述制热层103,且所述P型半导体热电材料区1031和 所述N型半导体热电材料区1032在同一像素单元内相互接触；其中，所述半导体热电材料 可以包括 ZnSb、PbTe、（Bi，Sb)2(Te，Se)3、In(Sb，As, P)、BirxSh 中的任一组材料。
[0082] S204、在形成有所述制热层103的基板上依次形成所述红色滤光单元、所述绿色 滤光单元和所述蓝色滤光单元。
[0083] 具体的，在形成有所述制热层103的基板上沉积一层红色树脂、经过曝光和显影 形成所述红色滤光单元；在形成有所述红色滤光单元的基板上沉积一层绿色树脂、经过曝 光和显影形成所述绿色滤光单元；在形成有所述绿色滤光单元的基板上沉积一层蓝色树 月旨、经过曝光和显影形成所述蓝色滤光单元。
[0084] S205、在形成有所述红色滤光单元、所述绿色滤光单元和所述蓝色滤光单元的基 板上沉积一层平坦层。
[0085] S206、在形成有所述平坦层的基板上沉积一层透明IT0(IndiumTin Oxide,氧化铟 锡）薄膜，以作为所述电磁屏蔽层104。
[0086] S207、在形成有所述电磁屏蔽层104的基板上形成取向层。
[0087] 通过上述步骤S201?S207,即可形成具有制热功能和电磁屏蔽功能的彩膜基板。 当所述彩膜基板10应用于液晶显示面板时，便可以在低温环境中为所述液晶显示面板提 供热量，从而调节所述液晶显示面板中的液晶层的工作温度，使所述液晶显示面板在低温 环境中能够实现正常显示；在此基础上，所述制热层103直接形成在所述彩膜基板10的内 部，可以实现所述液晶显示面板的轻薄化，同时能量损失少，加热效率高；进一步的，通过设 置所述电磁屏蔽层104,还能有效的避免所述制热层103的工作电场对所述液晶层中的液 晶分子产生的影响。
[〇〇88] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤 光层、以及制热层； 所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应； 其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。
2. 根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置在所述制 热层背离所述衬底基板一侧的电磁屏蔽层； 其中，所述电磁屏蔽层的材料为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层覆盖在整个基板的 表面； 或者，所述电磁屏蔽层的材料为非透明导电材料，且所述电磁屏蔽层与所述黑矩阵的 位置相对应。
3. 根据权利要求1或2所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵设置在所述衬底基板 上；所述黑矩阵包括纵横交错的第一黑矩阵和第二黑矩阵，且相邻所述第一黑矩阵和相邻 所述第二黑矩阵之间限定一个像素单元；其中，所述黑矩阵的材料包括金属导电材料或者 绝缘树脂材料； 所述制热层设置在所述黑矩阵上；其中，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵 和所述第二黑矩阵，所述制热层均包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热 电材料区； 所述彩色滤光层设置在所述制热层上；其中，所述彩色滤光层至少包括红色滤光单元、 绿色滤光单元和蓝色滤光单元。
4. 根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，对应于构成每个像素单元的所述第 一黑矩阵，相邻所述第一黑矩阵对应的所述制热层分别为P型半导体热电材料区和N型半 导体热电材料区； 对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第二黑矩阵对应的所述制热层 均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成； 或者，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵，每个所述第一黑矩阵对应的所述 制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成； 对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第二黑矩阵对应的所述制热层 均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成。
5. 根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，在所述黑矩阵的材料为金属导电材 料的情况下，所述彩膜基板还包括位于所述黑矩阵和所述制热层之间的透明绝缘层。
6. 根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置在所述彩 色滤光层背离所述衬底基板一侧的平坦层； 其中，在所述彩膜基板还包括电磁屏蔽层的情况下，所述电磁屏蔽层设置在所述平坦 层背离所述衬底基板的一侧。
7. -种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩 膜基板，以及位于二者之间的封框胶； 其中，所述彩膜基板为权利要求1至6任一项所述的彩膜基板。
8. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有驱动电 路； 所述彩膜基板的制热层中的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区分别通过 所述封框胶内的金属球或导电胶与所述驱动电路相连； 其中，所述阵列基板上还设置有分别用于将所述P型半导体热电材料区和所述N型半 导体热电材料区与所述驱动电路相连的引线。
9. 根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括温度 感应器和印刷电路板； 其中，所述温度感应器设置在所述阵列基板背离所述彩膜基板的一侧，且与所述黑矩 阵的位置相对应； 所述印刷电路板上还集成有温度控制单元。
10. -种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括权利要求7至9任一项所 述的液晶显示面板、以及背光模组。
【文档编号】G02F1/1335GK104090418SQ201410331496
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】程凌志 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司