一种阵列基板及制作方法、一种显示装置制造方法

一种阵列基板及制作方法、一种显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板，其包括：位于阵列基板边缘的第一金属区域，与公共电极线或者公共电极电性连接；位于阵列基板边缘、且与所述第一金属区域相对应且绝缘的第二金属区域，用于接入稳压电压，所述稳压电压为一固定电压；所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容。本发明通过在液晶面板内部形成电容，电容的一个电极和Vcom相连，电容的另外一个电极和另一个电压(包括接地)相连，从而达到可以获得更加稳定的像素公共电极电压的技术效果。
【专利说明】一种阵列基板及制作方法、一种显不装置

【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及制作方法和一种显示装置。

【背景技术】
[0002] 液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中层晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。
[0003] TFT-IXD由于其低成本、高良率以及良好的显示效果，使得其在中小尺寸领域，占 据着绝大部分的市场份额。尽管TFT-LCD的工艺已经日渐成熟，但画面品质仍需要不断提 高，以满足消费者的挑剔需求。
[0004] 现有的液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板与彩膜基板 之间的液晶。液晶显示装置中通过在PCBA上Vcom产生单元处添加接地电容对供给阵列基 板的Vcom电压进行稳压，经过所述接地电容稳压后的Vcom电压通过走线（PCBA上布线、 PCBA和C0F之间bonding连接、C0F上走线、C0F和液晶显示面板之间bonding、液晶显示面 板上布线）和液晶面板内部的公共电极线相连；即：从PCBA上Vcom产生单元处与液晶显示 面板内部公共电极线之间存在电阻R;液晶面板中，由于数据线、栅极线同公共电极线存在 耦合，Vcom电压往往因为耦合而产生扰动，又称噪音（ n〇ise/ripple);若受扰动的 Vcom电 压不能迅速恢复，则会广生液晶显不面板显不幽面颤动（flicker)或者泛绿（greenish)等 不良；此时驱动扰动后Vcom电压恢复稳定值是由PCBA上的Vcom产生单元及其周围的接地 电容共同完成，但因为所述电阻R的存在，大大降低Vcom产生单元及其所连接的接地电容 维持Vcom稳定的能力。


【发明内容】

[0005] (―)技术问题
[0006]本发明要解决的问^题是：Vcom产生单元及与其连接的接地电容维持Vcom稳定的 能力较差，导致液晶面板显示画面flicker或者greenish等不良。
[0007] (二）技术方案
[0008] 本发明提供一种阵列基板，其包括：
[0009]位于阵列基板边缘的第一金属区域，与公共电极线或者公共电极电性连接；
[0010]位于阵列基板边缘、且与所述第一金属区域相对应且绝缘的第二金属区域，用于 接入稳压电压，所述稳压电压为一固定电压；
[0011]所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容。
[0012]可选的，所述第一金属区域由栅金属层制成，所述第二金属区域由源漏金属层制 成。
[0013]可选的，所述第一金属区域包括至少两个第一子金属区域，所述第一子金属区域 之间通过第一连接线电性连接或者直接电性连接，所述第二金属区域包括至少两个第二子 金属区域，所述第二子金属区域之间通过第二连接线电性连接或者直接电性连接。一
[0014] 可选的，所述第一连接线由公共电极ιτο层或者源漏金属层制成。
[0015] 可选的，所述第二连接线由像素电极ΙΤ0层制成。
[0016] 可选的，所述稳压电压为接地电压或由一电源提供的固定电压。
[0017] 可选的，所述第一金属区域通过过孔与所述公共电极线或公共电极电性连接，或 者，所述第一金属区域与所述公共电极线直接电性连接或通过连接线电性连接。
[0018] 本发明还提供一种显示装置，其除了包括前面所述的阵列基板，还包括一公共电 极电压产生单元，用于向公共电极提供电压。
[0019] 本发明还提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
[0020] 在透明基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括位于阵列基板边缘的第一金 属区域；
[0021] 在所述第一金属层上形成绝缘层；
[0022] 在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一金属区域对应 且绝缘的第二金属区域。
[0023] 可选的，在透明基板上形成第一金属层包括：
[0024] 在透明基板上形成第一金属薄膜；
[0025]利用构图工艺由所述第一金属薄膜制作栅极、栅线、公共电极线和第一金属区域。
[0026] 可选的，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：
[0027] 在绝缘层上形成第二金属薄膜；
[0028] 利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极和第二金属区域。
[0029] 可选的，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：
[0030] 在绝缘层上形成第二金属薄膜；
[0031]利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极、第一连接线和第二金属区域， 其中所述第一连接线用于连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第 一子金属区域。
[0032] 可选的，该方法在形成绝缘层和形成第二金属层之间还包括在绝缘层上形成第一 透明导电层的步骤，该步骤包括：
[0033] 在所述绝缘层上制作过孔；
[0034] 在制作过孔后的绝缘层上形成第一透明导电薄膜；
[0035] 通过构图工艺由所述第一透明导电薄膜制作公共电极、第一连接线，所述第一连 接线通过所述过孔连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第一子金 属区域。
[0036]可选的，该方法在形成第二金属层后还包括：
[0037] 形成钝化层；
[0038] 在所述钝化层上制作过孔；
[0039]在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电层，具体包括：在制作过孔后的钝化 层上形成第二透明导电薄膜；通过构图工艺由所述第二透明导电薄膜制作像素电极ΙΤ0、 第二连接线，所述第二连接线用于连接所述第二金属区域所包括的相互不电性连接的至少 两个第二子金属区域。
[0040](三）技术效果
[0041] 本发明通过在液晶面板内部形成电容，电容的一个电极和Vcom相连，电容的另外 一个电极和另一个电压（包括接地）相连，从而达到可以获得更加稳定的像素公共电极电 压的技术效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0042] 图1为本发明实施例提出的稳压电路结构；
[0043] 图2-a至图2-e为本发明实施例提出的用于ADS显示类型的显示装置的阵列基板 的结构示意图。

【具体实施方式】
[0044] 本发明实施例提供的阵列基板适用于各种显示类型的液晶显示装置。液晶显示 装置利用电场控制光透性以显示图像。根据驱动液晶的电场方向，将液晶显示装置大致分 为垂直电场驱动型和水平电场驱动型。垂直电场驱动型液晶显示装置在上下基板上彼此 相对设置公共电极和像素电极，在所述公共电极和像素电极之间形成垂直的电场以驱动液 晶，如TN(Twist Nematic，扭曲向列）型、VA(Verical Alignment，多畴垂直取向）型液晶 显示装置。水平电场驱动型液晶显示装置在下基板上设置公共电极和像素电极，在所述公 共电极和像素电极之间形成水平的电场以驱动液晶，如ADS (Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关）型、IPS(In Plane Switch,横向电场效应）型液晶显示装置。 [0045] 不管哪种类型的液晶显示装置，液晶面板像素显示的灰阶取决于像素电极和公共 电极所加电压的压差；通常情况下，维持液晶层一个电极的电压稳定，该电极也称为公共电 极；液晶层另外一个电极称为像素电极，通过改变像素电极的电压来决定像素显示的灰阶。 本发明通过对阵列基板进行改进，在阵列基板内部形成电容，给电容的一个电极提供公共 电压（该电极连接公共电极线或者公共电极），另一电极提供另一电压，从而实现更加稳定 的公共电极电压的效果。
[0046] 具体地，本发明提供一种阵列基板，包括：
[0047] 位于阵列基板边缘的第一金属区域，与公共电极线或者公共电极电性连接；
[0048] 位于阵列基板边缘、且与所述第一金属区域相对应的第二金属区域，用于接入稳 压电压，所述稳压电压为一固定电压；
[0049] 所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容。
[0050] 本发明通过在液晶面板内部形成电容，此电容能够起到现有技术中Vcom产生单 元所接的位于液晶面板外部的接地电容的作用，从而能够减少或者替代所述接地电容。而 且不仅如此，由于PCBA上的公共电压产生单元处与液晶显示面板内部的公共电极线之间 存在电阻，所述接地电容维持公共电压稳定的能力不足，而本发明通过在液晶面板内部形 成电容，能够获得更加稳定的像素公共电极电压的技术效果。从而解决较大噪音的像素公 共电极电压带来液晶面板显不幽面有颤动（flicker)、泛绿（greenish)等不良的技术问 题。
[0051] 本发明实施例中，栅金属层、源漏金属层均为单独的层。"层"的含义可以是利用某 一种材料在基板上利用沉积等工艺制作出的一层薄膜；例如，在后文提到的绝缘层可以是 在透明基板上沉积SiNx (氮化硅）所制得的。"层"的含义还可以是指利用某一种材料在基 板上利用沉积等工艺制作出一层薄膜，并通过构图工艺所形成的包含多个图案的层结构， 例如，上述的栅金属层可以是指在透明基板上沉积钼，制得金属薄膜，并通过一次构图工艺 形成包含栅线、栅极、第一金属区域的层结构；再如，上述的源漏层还可以是指在透明基板 上沉积钼，制得金属薄膜，并通过一次构图工艺形成包含数据线、源极和漏极的层结构；又 如，后文提到的绝缘层，可以根据实际需要，先在透明基板上沉积SiNx (氮化硅）制作绝缘 薄膜，再通过构图工艺在绝缘膜上去除部分，在特定位置形成过孔，制得绝缘层。也就是说， 在本发明实施例中，不同的层是由不同的薄膜（材料相同或者不同）形成的。
[0052] 所述的阵列基板通过设置第一金属区域、第二金属区域能够形成稳压电路。如图 1所示，本发明实施例1提供了一种具体形式的稳压电路结构。位于阵列基板240周边的 第一金属区域和相对应的第二金属区域形成至少一个电容2411，多个电容2411之间并联。 优选在阵列基板的周边四个边上形成电容2411。电容2411的一个电极2402(即第一金属 区域包括的至少一个第一子金属区域）由栅金属层制成，电容的另一个电极2406由源漏金 属层制成。电极2402之间通过连接线24〇 3连接，如果连接线2403和所述第一金属区域一 起由栅金属层构图形成，为了跨越栅线，连接线2403可能是间断的，间断的连接线还需通 过第一连接线2404(可由源漏金属层制成）搭接。如果连接线2403由公共电极ΙΤ0层构 图形成，连接线2403是连续的，将多个电极 2402相互电性连接。连接线2403也可由源漏 金属层形成，此种情况下，如果连接线2403是间断的，可通过由像素电极ΙΤ0层制成的第二 连接线进行搭接。电极24〇 6由源漏金属层制成，多个电极2406可直接相互导通，如果多 个电极2406之间不相互导通，可通过由像素电极ΙΤ0层制成的第二连接线进行搭接。电极 2406(即第二金属区域）接入稳压电压，所述稳压电压为接地电压或由一电源提供的固定 电压。电极2402 -方面通过连接线2403与公共电极线2405、像素阵列中的公共电极电性 相连，另一方面，电极24〇2通过连接线24〇 3以及阵列基板的外接线与面板外的公共电压产 生单元110相连，电极2402接入公共电压。
[0053] 在液晶面板中，由于数据线、栅极线同公共电极线存在耦合时，公共电压因为耦合 产生扰动，形成在阵列基板内部的电容2411能够迅速恢复受扰动的公共电压。虽然在阵列 基板的公共电极线与PCBA上的公共电压产生单元之间存在线阻R，但是由于电容2411形成 在阵列基板内部，线阻R并不会降低电容2411的稳压能力。
[0054]由于公共电极线是为了向公共电极输入公共电压，故而公共电极线需要与公共电 极电连接。公共电极线通常与栅线同层设置，且与栅线无电连接，为了保证公共电极线和 栅线不接触，横向的第一公共电极线与栅线平行，而纵向的第二公共电极线由于不能与栅 线接触，故是间断的，为了实现纵向的第二公共电极线的导通，需要通过过孔由连接线连 接。由于所述第一金属区域与栅线同层设置，所述第一金属区域为阵列基板四周的区域， 可以是阵列基板至少一个边上的区域，优选设置为阵列基板4个边上的条形区域，横向的 所述第一金属区域（优选条形区域）是连续的，而纵向的所述第一金属区域（优选条形区 域）是间断的，为了实现所述第一金属区域的导通，所述第一金属区域可与间断的公共电 极线连接，间断的公共电极线再通过所述连接线搭接，实现整个第一金属区域的相互导通。 为了进一步减少制作工艺中的步骤，可将连接线和公共电极同层设置，也可将连接线与源 漏金属层同层设置，如果将连接线和公共电极同层设置，连接线和像素电极的材料一样，是 IT0(Indium tin oxide,氧化铟锡），公共电极线、连接线整体的电阻值偏大，如果将连接线 与源漏金属层同层设置，由于连接线的材料与源漏金属层的材料一样，是良好的导电材料， 因而使得公共电极线、连接线整体的电阻值减小，更有利于公共电压的稳定，并进一步提高 显示质量。
[0055]所述第一金属区域可通过过孔与所述公共电极线或公共电极电性连接，所述第一 金属区域也可与所述公共电极线直接电性连接或通过连接线电性连接，这可根据具体的工 艺过程来决定，总之，要保证为第一金属区域接入公共电压，以实现对公共电压的稳定。 [0056]所述第二金属区域为阵列基板周边的区域，与上述第一金属区域相对应，所述第 二金属区域可包括多个子金属区域，子金属区域的设置可根据对公共电压进行稳压的电容 需求、工艺难易度以及与现有工艺的兼容性来确定，所述第二金属区域可以是阵列基板至 少一个边上的区域，优选为阵列基板4个边上的条形区域。
[0057]优选的，所述第二金属区域由源漏金属层构图形成，通过仅仅需要对源漏金属层 的构图进行些许调整，能够最大程度上与现有工艺相兼容。在构图时，需要保证第二金属区 域的图案不与像素单元中的数据线图案电性连接，第二金属区域（优选条形区域）可能由 于要跨越数据线是间断的，间断的第二金属区域可通过由像素电极ΙΤ0层制作的连接线相 互导通。所述第二金属区域接稳压电压，所述稳压电压为接地电压或者由一电源提供的固 定电压。
[0058]由于本发明通过在阵列基板内部形成电容对阵列基板上的公共电极的公共电压 进行稳压，因此本发明可用于IPS以及ADS两种显示类型的阵列基板。下面通过具体实施 例2以一种ADS (Advanced Super Dimensioni Switch高级超维场开关型）显示类型的阵 列基板进行说明。如图2所示，该阵列基板包括：透明基板，设置在所述透明基板上的栅金 属层、源漏金属层；其中如图 2_a所示，所述栅金属层包括栅极和栅极线301、公共电极线 302,设置在阵列基板周边的第一金属区域303 ;如图2-c所示，所述源漏金属层包括：数据 线503、源极600和漏极（图中未示出）、连接线501，还包括位于阵列基板边缘的第二金 属区域502。另外，还包括两层透明导电层，如图2-b所示，其中第一透明导电层包含公共 电极400,该透明导电层形成在栅金属层之上（栅金属层与第一透明导电层之间形成有平 坦化层），如图2-e所示，第二透明导电层包含像素电极800。在所述第一透明导电层与源 漏金属层之间设置有栅绝缘层，在所述源漏金属层和所述第二透明导电层之间设置有钝化 层。如图2-d所示，在所述钝化层上设置有第二过孔700,所述第一金属区域303所包括的 至少两个第一子金属区域之间通过第一连接线501电性连接；在所述钝化层上设置有第三 过孔（图中未标识），所述第二金属区域502所包括的至少两个第二子金属区域之间通过第 二连接线（图中未示出）电性连接；在所述钝化层设置有第四过孔，第一金属区域303与阵 列基板上的外接线通过第二透明导电层制作的第三连接线801电性连接；在所述钝化层设 置有第五过孔，第二金属区域502与阵列基板上的外接线通过第二透明导电层制作的第四 连接线802电性连接；在所述钝化层设置有第五过孔，由所述第二透明导电层制成的像素 电极700与由源漏金属层制成的漏极电性连接。所述第一金属区域接公共电压，第二金属 区域接稳压电压，所述稳压电压为固定电压，从而在阵列基板内部由所述第一金属区域303 和第二金属区域形成电容结构241，如图2-e所示。
[0059] 本发明实施例3提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
[0060] 在透明基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括位于阵列基板边缘的第一金 属区域；
[0061] 在所述第一金属层上形成绝缘层；
[0062]在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一金属区域对应 且绝缘的第二金属区域。
[0063] 可选的，在透明基板上形成第一金属层包括：
[0064] 在透明基板上形成第一金属薄膜；
[0065]利用构图工艺由所述第一金属薄膜制作栅极、栅线、公共电极线和第一金属区域。
[0066] 可选的，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：
[0067] 在绝缘层上形成第二金属薄膜；
[0068]利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极和第二金属区域。
[0069] 可选的，在绝缘层上形成第二金属层具体包括：
[0070] 在绝缘层上形成第二金属薄膜；
[0071] 利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极、第一连接线和第二金属区域， 其中所述第一连接线用于连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第 一子金属区域。
[0072]可选的，该方法在形成绝缘层和形成第二金属层之间还包括在绝缘层上形成第一 透明导电层的步骤，该步骤包括：
[0073] 在所述绝缘层上制作过孔；
[0074] 在制作过孔后的绝缘层上形成第一透明导电薄膜；
[0075]通过构图工艺由所述第一透明导电薄膜制作公共电极、第一连接线，所述第一连 接线通过所述过孔连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第一子金 属区域。
[0076] 可选的，该方法在形成第二金属层后还包括：
[0077] 形成钝化层；
[0078] 在所述钝化层上制作过孔；
[0079] 在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电层，具体包括：在制作过孔后的钝化 层上形成第二透明导电薄膜；通过构图工艺由所述第二透明导电薄膜制作像素电极ΙΤ0、 第二连接线，所述第二连接线用于连接所述第二金属区域所包括的相互不电性连接的至少 两个第二子金属区域。
[0080] 本领域技术人员可以结合现有技术明确还需要的制造步骤，在本实例中不做详细 说明。
[0081] 下面，本发明实施例4提供一种用于制作ADS型显示装置的阵列基板的方法，该方 法包括：
[0082] S1.在透明基板上制作栅金属层，所述栅金属层包括有栅极、栅线、公共电极线、位 于基板周边的第一金属区域，在具体实施时，在透明基板上形成栅金属薄膜，通过一次构图 工艺在该栅金属薄膜中形成栅极、栅线、公共电极线、第一金属区域的图形，具体地，栅极、 栅线、公共电极线、第一金属区域的材料可以为钼（M〇)、铝（A1)或镉（Cr)等金属；
[0083] S2.在栅金属层上制作平坦化层，具体实施时，在平坦化层上制作第一过孔，后续 制作的公共电极通过所述第一过孔与栅金属层上的公共电极线电性连接。
[0084] S3.在平坦化层上形成第一透明导电层，以形成公共电极，在具体实施时，第一透 明导电层的材料优选ΙΤ0,公共电极可以为狭缝状。
[0085] S4.制作栅绝缘层；在具体实施时，栅极绝缘层可以采用氧化硅或氮化硅材料。
[0086] S5.在所述栅绝缘层上形成源漏（S/D)金属层，以制作数据线、源极、漏极、第一连 接线以及第二金属区域，所述第二金属区域与所述第一金属区域相对应。
[0087] S6.在所述源漏金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上进行过孔制作；具体实 施时，制作多种过孔，以通过所述过孔实现各种电性连接，其中制作第二种过孔，实现第一 连接线电性连接第一金属区域所包括的多个第一子金属区域；制作第三种过孔，实现后续 制作的第二连接线电性连接所述第二金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第二 子金属区域，制作第四种过孔，实现后续制作的第三连接线连接第一金属区域与阵列基板 上的外接线，制作第五种过孔，实现后续制作的第四连接线连接第二金属区域与阵列基板 上的外接线。
[0088] S7.在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电薄膜，通过掩膜、刻蚀等构图工艺 制作像素电极和第二连接线，所述第二透明导电薄膜的材料优选ΙΤ0材料。
[0089] 该方法完全基于现有阵列基板的布线方式和工艺，只是对栅金属层、S/D金属层的 构图稍有变化，利用液晶面板内部膜层的制作工艺流程，在液晶面板内部形成稳压电容，最 大程度来稳定Vcom电压，同时又不额外增加液晶面板的制作工序、降低成本。
[0090] 本发明实施例还提供一种显示装置，除了包括本发明实施例提供的阵列基板，还 包括一公共电极电压产生单元，用于向公共电极提供电压。所述阵列基板可以由本发明实 施例提供的制作方法获得。
[0091] 所述显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、数码相机、手机、平板电脑等任何具 有显示功能的产品或者部件。
[0092] 可选的，所述公共电极电压产生单元位于面板外部。
[0093] 可选的，所述公共电极电压产生单元设置在PCBA上。
[0094] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替 换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，其特征在于，包括： 位于阵列基板边缘的第一金属区域，与公共电极线或者公共电极电性连接； 位于阵列基板边缘、且与所述第一金属区域相对应且绝缘的第二金属区域，用于接入 稳压电压，所述稳压电压为一固定电压； 所述第一金属区域和所述第二金属区域形成至少一电容。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，所述第一金属区域由栅金属层制成，所述第二金属 区域由源漏金属层制成。
3·如权利要求1或2所述的阵列基板，所述第一金属区域包括至少两个第一子金属区 域，所述第一子金属区域之间通过第一连接线电性连接或者直接电性连接，所述第二金属 区域包括至少两个第二子金属区域，所述第二子金属区域之间通过第二连接线电性连接或 者直接电性连接。
4. 如权利要求3所述的阵列基板，所述第一连接线由公共电极ITO层或者源漏金属层 制成。
5. 如权利要求3所述的阵列基板，所述第二连接线由像素电极ITO层制成。
6. 如权利要求1所述的阵列基板，所述稳压电压为接地电压或由一电源提供的固定电 压。
7. 如权利要求1所述的阵列基板，所述第一金属区域通过过孔与所述公共电极线或公 共电极电性连接，或者，所述第一金属区域与所述公共电极线直接电性连接或通过连接线 电性连接。
8. -种显示装置，其包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板，还包括一公共电极电 压产生单元，用于向公共电极提供电压。
9. 一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在透明基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括位于阵列基板边缘的第一金属区 域； 在所述第一金属层上形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一金属区域对应且绝 缘的第二金属区域。
10. 如权利要求9所述的制造方法，其特征还在于，在透明基板上形成第一金属层包 括： 在透明基板上形成第一金属薄膜； 利用构图工艺由所述第一金属薄膜制作栅极、栅线、公共电极线和第一金属区域。
11. 如权利要求9或10所述的制造方法，其特征还在于，在绝缘层上形成第二金属层具 体包括： 在绝缘层上形成第二金属薄膜； 利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极和第二金属区域。
12. 如权利要求9或10所述的制造方法，其特征还在于，在绝缘层上形成第二金属层具 体包括： 在绝缘层上形成第二金属薄膜； 利用构图工艺由所述第二金属薄膜制作源极、漏极、第一连接线和第二金属区域，其中 所述第一连接线用于连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少^ 金属区域。
13·如权利要求9或10所述的制造方法，其特征还在于，该方法在形成绝缘层和形成第 二金属层之间还包括在绝缘层上形成第一透明导电层的步骤，该步骤包括： ^ 在所述绝缘层上制作过孔； 在制作过孔后的绝缘层上形成第一透明导电薄膜； 通过构图工艺由所述第一透明导电薄膜制作公共电极、第一连接线，所述第-连 通过所述过孔连接所述第一金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个第一子金属区 域。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征还在于，该方法在形成第二金属层后还包 括： 形成钝化层； 在所述钝化层上制作过孔； 在制作过孔后的钝化层上形成第二透明导电层，具体包括：在制作过孔后的钝化层上 形成第二透明导电薄膜；通过构图工艺由所述第二透明导电薄膜制作像素电极ITO、第二 连接线，所述第二连接线用于连接所述第二金属区域所包括的相互不电性连接的至少两个 第二子金属区域。
【文档编号】G02F1/1333GK104142591SQ201410331427
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】刘荣铖 申请人:合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司