掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法。

背景技术：

MPW(Multi-Project Wafer，多项目晶圆)就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆上流片，按面积分担流片费用，以降低开发成本和新产品开发风险，降低中小集成电路设计企业在起步时的门槛，降低单次实验流片造成的资源严重浪费。

一个MPW的光罩通常由多个客户共享，这些客户的产品在制造过程中会有不同程度的差别。如有些离子注入工序，有些客户需要出光罩，有些客户不出光罩，甚至出现少数工艺的光罩只有一家客户需要的情况。在这种情况下其它客户的产品图案就需要用铬(Cr)覆盖，以免在离子注入工艺中被注入离子。但是，这样同时会造成光罩的图形密度(Pattern Density)分布严重不均衡。如图1所示，掩膜版10包括多个单元，其中单元11不具备图形(也即该图形对应的产品在这一工艺中不需要光罩)，单元12则具备图形，因此，单元11的图形密度为0，而单元12的图形密度不为零，例如为30％等。

在光罩的制作工艺中，光罩的曝光和蚀刻都需要考虑图形密度的影响，工艺工程师会通过模拟或实验建立图形密度和曝光剂量，以及图形密度和蚀刻参数的函数关系来控制光罩的诸多参数，例如关键尺寸均匀性(CD Uniformity)，注记差(registration)等。但是对于分布严重不均匀的，如图1中所示的情况，通常没有好的办法，因为光罩针对产品的一层结构只出一片，无法像晶圆一样反复试验来调整蚀刻参数，因此这类光罩的报废率会很高。

于是，改善这一状况，已经成为业内的一个攻坚方向。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法，以使得光罩整体的图形密度变得均匀。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版的版图修正方法，包括：

提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；

对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，所述第一单元的图形密度与一标准图形密度相差至多10％，添加所述SRAF图形后，所述第二单元的图形密度至少为所述标准图形密度的90％。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，所述SRAF图形包括多个相间隔的矩形。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，所述多个矩形相互平行且交错排列呈多列。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，每个所述矩形的宽度为60nm-120nm。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，每个所述矩形的宽度为60nm-160nm。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，每个所述矩形的长度为宽度的5-7倍。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，每列中相邻矩形间距为200nm-1000nm。

可选的，对于所述的掩膜版的版图修正方法，相邻列之间的所述矩形的间距为100-1000nm。

本发明还提供一种掩膜版的制造方法，包括：利用所述的掩膜版的版图修正方法，在对所述单元添加SRAF图形后，将所述前端版图转印至基片上。

本发明还提供一种掩膜版，所述掩膜版包括第一单元和第二单元，所述第一单元具有实际图形，所述第二单元具有SRAF图形。

可选的，对于所述的掩膜版，所述第二单元的图形密度至少为标准图形密度的90％。

本发明提供的掩膜版的版图修正方法，包括提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。与现有技术相比，添加SRAF图形后，能够使得各个单元的图形密度变得接近。那么由此进一步获得的掩膜版，能够使得光罩整体的图形密度变得均匀，提高了光罩的合格率，基本上避免了报废。

附图说明

图1为现有技术中掩膜版的版图及本发明中前端版图的示意图；

图2为本发明中的掩膜版的版图修正方法的流程图；

图3为本发明一实施例中版图修正后的示意图；

图4为本发明一实施例中的SRAF图形的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想是，提供一种掩膜版的版图修正方法，包括：

步骤S101：提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；

步骤S102：对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光 刻设备的分辨率。

下面，请参考图1-图4，对本发明的掩膜版的版图修正方法及掩膜版的制造方法进行详细说明。其中图1为本发明中前端版图的示意图；图2为本发明中的掩膜版的版图修正方法的流程图；图3为本发明一实施例中版图修正后的示意图；图4为本发明一实施例中的SRAF图形的结构示意图。

本发明提供的掩膜版的版图修正方法，包括：

首先，执行步骤S101：提供前端版图；如图1所示，图1中示意性的示出了前端版图10的结构，所述前端版图10包括第一单元11，所述第一单元11具备图形，故有着一定的图形密度。

在图1中仅示出了一个第一单元11，当然，在实际生产当中，也会出现在前端版图10中有着多个第一单元11，即具备图形的单元具有多个的情况，那么这些第一单元11的图形密度在设计时是相近的，所述第一单元11的图形密度与一标准图形密度相差至多10％。例如，若仅存在一个第一单元11，则该第一单元11的图形密度即为标准图形密度，若存在多个第一单元11，则依据每个第一单元11的图形密度，经过综合分析后获得，例如可以采用每个单元12的图形密度的平均值。

然后，执行步骤S102，对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元12，则对所述单元添加SRAF图形(Sub-Resolution Assistant Feature，亚分辨率辅助图形)，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。如图1所示，所述第二单元12不具备图形，因此其图形密度为0。如图3所示，前端版图10经过SRAF图形的添加，第二单元12'具有了图形密度。

较佳的，在经过SRAF图形的添加后，第二单元12'的图形密度至少为所述标准图形密度的90％。当然，第二单元12'的图形密度也不能够过大，而SRAF图形的添加能够控制在使得第二单元12'的图形密度不大于标准图形密度，而且第二单元12'的图形密度在大于标准图形密度时不仅会增加SRAF图形的复杂度，也没有必要超过标准图形密度。

请参考图4，图4中示意性的示出了SRAF图形的结构，可见，所述SRAF图形20包括多个相间隔的矩形21。这些矩形21排列成多列，如图4中虚线框22所示为一列，每列之间相互平行，每列也包括有多个矩形21。所述矩形21 的宽度W受限于曝光时的波长，具体的，如对于氟化氩(ArF)的光罩，宽度W为60nm-120nm；而对于氟化氪(KrF)的光罩，矩形21的宽度W为60nm-160nm。上述范围的宽度W，使得所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率，从而能够确保在晶圆上不会成像。所述矩形21的长度L一般为宽度W的5-7倍，太短容易给光罩检验带来困扰，太长容易增加制作难度。

请继续参考图4，可见在每列中，矩形21之间存在间隔，这一间距d1优选为200nm-1000nm，相邻列之间的间距d2优选为100nm-1000nm。于是，可以通过调节每列中矩形21之间的间距d1和相邻列之间的间距d2，来控制之后获得的光罩的穿透率，以便实现使得第二单元12'的图形密度接近标准图形密度。

当然，所述SRAF图形20并不限于是由矩形21组成，例如还可以是圆形、三角形、五边形等图形构成，依据不同的图形选择，图形的排布方式和尺寸等也可以有着不同。

接下来，依据上述掩膜版的版图修正方法，还可以获得一种掩膜版的制造方法，包括：在对所述第二单元11添加SRAF图形后，将版图转印至基片上。版图转印至基片这一过程可以采用现有技术完成，本发明对此不做赘述。由此，可以获得一种掩膜版，该掩膜版包括第一单元和第二单元，所述第一单元具有实际图形，所述第二单元具有SRAF图形。所述第一单元和第二单元的图形密度相近，所述第二单元的图形密度至少为第一单元的图形密度的90％。

本发明的掩膜版的制造方法，从波段而言，可以适用在例如ArF光罩、KrF光罩和I-line光罩，从类型而言，可以适用在例如Binary光罩(二进制光罩)和PSM光罩(相偏移光罩)，以及OMOG光罩(含钼光罩)。并且，本发明的方法并不限于MPW光罩，其他需要平衡光罩图形密度的场合也可以采用。

至此，本发明的掩膜版的版图修正方法、掩膜版及其制造方法，通过添加SRAF图形后，能够使得各个单元的图形密度变得接近。那么由此获得的掩膜版，能够使得光罩整体的图形密度变得均匀，提高了光罩的合格率，基本上避免了报废。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。