1.一种掩膜版的版图修正方法，包括：
提供前端版图，所述前端版图中存在非零图形密度的第一单元；
对所述前端版图进行检查，若所述前端版图中存在图形密度为零的第二单元，则对所述第二单元添加SRAF图形，所述SRAF图形小于的光刻设备的分辨率。
2.如权利要求1所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，所述第一单元的图形密度与一标准图形密度相差至多10％，添加所述SRAF图形后，所述第二单元的图形密度至少为所述标准图形密度的90％。
3.如权利要求1所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，所述SRAF图形包括多个相间隔的矩形。
4.如权利要求4所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，所述多个矩形相互平行且交错排列呈多列。
5.如权利要求5所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，每个所述矩形的宽度为60nm-120nm。
6.如权利要求5所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，每个所述矩形的宽度为60nm-160nm。
7.如权利要求6或7所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，每个所述矩形的长度为宽度的5-7倍。
8.如权利要求8所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，每列中相邻矩形的间距为200nm-1000nm。
9.如权利要求8所述的掩膜版的版图修正方法，其特征在于，相邻列之间的间距为100-1000nm。
10.一种掩膜版的制造方法，包括：如权利要求1-9中任意一项所述的掩膜版的版图修正方法，在对所述单元添加SRAF图形后，将所述前端版图转印至基片上。
11.一种掩膜版，所述掩膜版包括第一单元和第二单元，所述第一单元具有实际图形，所述第二单元具有SRAF图形。
12.如权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述第二单元的图形密度 至少为标准图形密度的90％。