1.一种极紫外光刻用掩模结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法依次包括如下步骤：
a.掩模基底的处理，包括将设计曝光图案转移到所述掩模基底，并形成凹陷区与外凸区；
b.多层膜的制作，将多层膜沉积于处理后的掩模基底上，所述多层膜由高折射率介质层与低折射率介质层交替沉积形成；
c.过渡层的制作，将过渡层沉积于所述多层膜上；
d.吸收层的制作，将吸收层设置于所述过渡层上，所述吸收层包括能够吸收光能的材料；
e.保护层的制作，除去所述外凸区的过渡层和吸收层后，将保护层覆盖于所述外凸区的多层膜和所述凹陷区的吸收层上，所述保护层对所述掩模结构起到保护作用；
所述凹陷区为掩模结构的吸收区；所述外凸区为所述掩模结构的反射区。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸收区的吸收层的上表面不高于所述反射区的多层膜的上表面。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩模结构中的保护层为三维结构。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸收区的保护层上表面与所述反射区的保护层上表面之间存在偏移值。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述偏移值不大于50nm。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层膜由Mo层 与Si层交替沉积形成，所述多层膜设有40-60个周期。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述能够吸收光能的材料为具有高吸收系数的物质。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述能够吸收光能的材料选自Ta的化合物、Cr的化合物或SnO中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料选自Ru、RuO或Li中的一种或多种。
10.一种极紫外光刻用掩模结构，其特征在于，所述掩模结构由权利要求1-9中任意一项所述的制备方法制得。