技术总结
本发明涉及集成电路技术领域，具体公开一种用于极紫外光刻的掩模结构及其制备方法。本发明的制备方法依次包括掩模基底的处理、多层膜的制作、过渡层的制作、吸收层的制作以及保护层的制作。通过该方法制得的掩模结构，一方面，实现了克服或者抑制掩模阴影效应的功能；另一方面，在掩模结构制作过程中，不用对起着反射率增强作用的多层膜结构进行刻蚀，极大地减少了掩模制备过程中对反射区多层膜结构的损伤，从而提高了其结构可靠性，提升了掩模的性能。
技术研发人员：王君;王丽萍;金春水;谢耀;姚舜
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
文档号码：201510962313
技术研发日：2015.12.21
技术公布日：2016.12.21