1.通过使用检查用光学系统检查存在于光掩模坯表面部的缺陷的方法，该光掩模坯包括形成在基底上的光学膜，以及接触基底相对的光学膜侧而形成的薄膜，该薄膜作为最外表面层而形成，该方法包括：
(A1)准备光掩模坯的步骤；
(A2)选择和指定对应于光掩模坯的光学膜和薄膜的模式的用于判定缺陷的凹凸形状的标准以及检查处理工序的步骤；
(A3)移动光掩模坯以将缺陷移到检查用光学系统的观测位置中的步骤，
基于步骤(A2)中指定的检查处理工序，施加检查光至包括缺陷的区域，同时保持缺陷与检查用光学系统的物镜之间的距离，和
通过该检查用光学系统将来自被检查光照射的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集；以及
(A4)基于步骤(A2)中指定的用于判定的标准，从该放大图像的光强度分布判定缺陷的凹凸形状的步骤。
2.权利要求1的方法，其中步骤(A4)包括：
将该放大图像的缺陷部的光强度水平变化与该缺陷的周边部的光强度水平比较的处理；以及
将比较处理的结果与用于判定的标准比较的处理。
3.权利要求1的方法，其中步骤(A3)中的距离为焦距，步骤(A3)中检查光施加条件是该检查光为非偏振光。
4.权利要求1的方法，其中步骤(A2)的检查处理工序包括关于步骤(A3)的多种检查条件，并且对于在该检查处理工序中包括的全部检查条件将步骤(A3)依序执行之后实施步骤(A4)。
5.权利要求4的方法，其中多种检查条件包括其中步骤(A3)中的距离为焦距的检查条件以及其中骤(A3)中的距离为离焦量的检查条件。
6.权利要求4的方法，其中多种检查条件包括：
其中步骤(A3)中的距离为焦距的检查条件，
其中步骤(A3)中的距离为正离焦量的检查条件，
以及其中步骤(A3)中的距离为负离焦量的检查条件。
7.权利要求4的方法，其中多种检查条件包括：
其中步骤(A3)中的检查光施加条件为检查光是非偏振光的检查条件，以及
其中步骤(A3)中的检查光施加条件为检查光是偏振光的检查条件。
8.权利要求4的方法，其中多种检查条件包括：
其中步骤(A3)中的检查光施加条件为检查光是非偏振光的检查条件，
其中步骤(A3)中的检查光施加条件为检查光是横向电场偏振光的检查条件，以及
其中步骤(A3)中的检查光施加条件为检查光是横向磁场偏振光的检查条件。
9.权利要求3的方法，其中多种检查条件包括：
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为正离焦量和检查光为横向电场偏振光的检查条件，
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为正离焦量和检查光为横向磁场偏振光的检查条件，
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为负离焦量和检查光为横向电场偏振光的检查条件，以及
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为负离焦量和检查光为横向磁场偏振光的检查条件，并且其中在每种检查条件下实施放大图像的聚集。
10.权利要求9的方法，其中多种检查条件还包括：
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为焦距和检查光为横向电场偏振光的检查条件，以及
其中步骤(A3)中的距离和检查光施加条件为焦距和检查光为横向磁场偏振光的检查条件。
11.权利要求5的方法，其中步骤(A4)包括：
计算每个放大图像的缺陷部的光强度水平的最小值的处理，以及
将计算处理的结果与用于判定的标准比较的处理。
12.权利要求1的方法，其中该薄膜为硬掩模膜。
13.权利要求1的方法，其中该薄膜具有10nm以下的厚度。
14.权利要求1的方法，其中该检查光为具有210至550nm的波长的光。
15.权利要求1的方法，其中，通过其中使检查光的光学轴相对于检查光照射的薄膜表面的法线以预定角度倾斜的倾斜照明施加检查光。
16.权利要求1的方法，其中，步骤(A3)中,将光掩模坯放置在其能在光掩模坯的面内方向移动的台上，并且使该台在该面内方向移动以使缺陷和检查用光学系统的物镜彼此接近。
17.光掩模坯的分选方法，其包括基于通过权利要求1的方法判定的缺陷的凹凸形状，分选出没有凹坑缺陷的光掩模。
18.制备光掩模坯的方法，包括：
在基底上形成光学薄膜和在基底相对的该光学膜侧上形成薄膜作为最外表面层的步骤；以及
通过权利要求1的方法判定该薄膜中存在的缺陷的凹凸形状的步骤。