一种阵列基板、显示面板的制作方法

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板。

背景技术：

随着平板显示技术的发展，高分辨率、高对比度、高刷新速率、窄边框、薄型化已成为平板显示发展趋势，目前液晶显示仍为平板显示的主流产品。特别是现在大尺寸平板显示器的开发已经全面向8k分辨率靠近，要在极高的分辨率情况下保持窄边框的特色，并且达到较好的显示效果，许多制程工艺条件都会受到挑战，比如配向膜（pi）在阵列基板一侧的涂布情况。

通常，阵列基板对应显示区的信号线会通过扇出区（fanout区）的金属线连接至阵列基板边缘的端子焊盘上，相邻的扇出区之间形成倒三角区。为了实现液晶显示的窄边框设计，有些产品会在该倒三角区设置其他金属线（如com线等），由于倒三角区的金属线形成类似“挡墙”设计，使得该区域的地形存在差异。现有的制作配向膜的方式主要有两种，一种是使用印刷版转印配向膜，另一种是通过喷墨打印(inkjetprinting)的涂布方式制作配向膜，采用喷墨打印的方式制作配向膜时，由于对应不同位置的配向膜溶液的单滴量是一致的(一般为85ng)，但由于上述倒三角区的金属线容易形成“挡墙”效应，使得配向膜材料在此处更加容易堆积，偏厚，导致配向膜表面地形不均一，从而使液晶在配向膜的表面的分布混乱，进而导致扇出区/倒三角区附近的显示区偏亮，造成亮度不均(mura)现象。

因此，现有技术存在缺陷，急需解决。

技术实现要素：

本申请提供一种阵列基板、显示面板，能够解决由于配向膜表面地形不均一而导致的显示区亮度不均的现象。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种阵列基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区设置有至少两个与驱动芯片连接的扇出区，位于所述显示区同侧的相邻两所述扇出区之间形成有倒三角区；

所述阵列基板包括金属走线和浮置金属线，所述金属走线包括第一金属走线和第二金属走线，所述第一金属走线呈扇形布线于所述扇出区内，所述第二金属走线对应所述倒三角区设置；

所述浮置金属线包括位于所述倒三角区的第一浮置金属线，所述第一浮置金属线位于所述第一金属走线与所述第二金属走线之间；

所述阵列基板还包括配向膜，所述配向膜设置于所述金属走线和所述浮置金属线上。

在本申请的阵列基板中，所述金属走线在所述阵列基板上的正投影与所述浮置金属线在所述阵列基板上的正投影非重叠。

在本申请的阵列基板中，至少两条所述第一金属走线靠近所述显示区的一端呈发散式分布，在远离所述显示区的一端呈集中式分布，至少两条所述第二金属走线距所述显示区由近及远依次间隔排布。

在本申请的阵列基板中，所述浮置金属线还包括位于所述倒三角区的第二浮置金属线，所述第二浮置金属线位于相邻两所述第二金属走线之间。

在本申请的阵列基板中，所述浮置金属线还包括位于所述扇出区的第三浮置金属线，所述第三浮置金属线位于相邻两所述第一金属走线之间。

在本申请的阵列基板中，所述第二金属走线包括沿相邻两所述扇出区之间的中心线对称设置的第一部分和第二部分，所述第一部分与位于所述中心线同侧邻近的所述第一金属走线的布线方向一致，所述第二部分与位于所述中心线同侧邻近的所述第一金属走线的布线方向一致。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属走线和所述第二金属走线异层设置，所述浮置金属线包括与所述第一金属走线同层设置的第一层浮置金属线以及与所述第二金属走线同层设置的第二层浮置金属线，所述第一层浮置金属线在所述阵列基板上的正投影与所述第二层浮置金属线在所述阵列基板上的正投影非重叠。

在本申请的阵列基板中，所述金属走线与所述浮置金属线位于同一层，且所述浮置金属线与所述金属走线之间的距离大于8微米。

在本申请的阵列基板中，所述浮置金属线包括多段式的浮置金属块，所述浮置金属块沿所述第一金属走线和/或所述第二金属走线的布线方向间隔分布。

本申请还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。

本申请的有益效果为：本申请提供了一种阵列基板、显示面板，该阵列基板包括至少对应显示区一侧的扇出区，位于显示区同侧的相邻两个扇出区之间形成倒三角区，本申请通过在倒三角区的非布线处设置浮置金属线，即在第一金属走线与第二金属走线之间设置浮置金属线，以改善倒三角区的地形，从而削弱倒三角区的第二金属走线形成的“挡墙”效应，进而解决由于配向膜表面地形不均一而导致的显示区亮度不均的现象。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本申请实施例一提供的第一种阵列基板的局部结构示意图；

图3为本申请实施例一提供的第二种阵列基板的局部结构示意图；

图4为本申请实施例二提供的第一种阵列基板的局部结构示意图；

图5为本申请实施例二提供的第二种阵列基板的局部结构示意图；

图6为本申请实施例三提供的第一种阵列基板的局部结构示意图；

图7为本申请实施例三提供的第二种阵列基板的局部结构示意图；

图8为本申请提供的阵列基板的截面示意图；

图9为本申请提供的阵列基板的非显示区的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，“/”表示“或者”的意思。

本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

为了实现显示面板的窄边框设计，通常会将显示面板显示区的信号线通过多个扇出区的金属走线连接至多个驱动芯片上，如此可大大降低扇出区的金属走线在垂直于相应边框方向上的布线宽度，从而实现窄边框设计。

为了进一步实现显示面板的窄边框设计，通常会将显示面板非显示区的信号线设置于相邻两个扇出区之间形成的倒三角区内，如此，能够最大程度的利用空间，但是为了避免不同信号线间的信号串扰等问题，倒三角区内的信号线与扇出区内的金属走线之间会存在一定距离，在该距离范围内由于无布线设计，这就使得倒三角区内的信号线容易形成类似“挡墙”设计，在后续膜层制备的过程中，容易在倒三角区内的信号线与扇出区内的金属走线之间形成“沟壑”，在配向膜制备的过程中，配向膜材料容易在“沟壑”处形成堆积，此处的配向膜相较于其他地方的配向膜的厚度较厚，影响配向膜表面地形的均一性。

本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，能够改善倒三角区的地形，提升配向膜厚度的均匀性，从而解决由于配向膜表面地形不均一而导致的显示区亮度不均的现象。

以下请结合具体实施例对本申请的阵列基板进行详细描述。

实施例一

如图1所示，为本申请提供的阵列基板的结构示意图。所述阵列基板包括显示区101与非显示区102，其中，所述非显示区102包括至少对应所述显示区101一侧的扇出区103。本实施例中，以所述显示区101一侧设置有多个所述扇出区103为例进行说明。其中，位于所述显示区101同侧的相邻两所述扇出区103之间形成倒三角区104。所述阵列基板包括金属走线200和浮置金属线300，所述金属走线200包括第一金属走线201和第二金属走线202，所述第一金属走线201呈扇形布线于所述扇出区103内，所述第二金属走线202对应所述倒三角区104设置。

其中，至少两条所述第一金属走线201在靠近所述显示区101的一端呈发散式分布，在远离所述显示区101的一端呈集中式分布。所述第一金属走线201的一端与所述阵列基板的所述显示区101内的信号线（如数据信号线）相连，所述第一金属走线201的另一端与阵列基板边缘的端子焊盘连接，一所述扇出区103内的所述第一金属走线201对应电连接一驱动芯片（如数据驱动芯片）。其中，所述信号线包括显示区内的数据信号线和栅极信号线等用于传导电流电压的走线。每个所述扇出区103内的所述第一金属走线201在所述扇出区103的中心线位置对称设置。

在本实施例中，所述浮置金属线300包括位于所述倒三角区104的第一浮置金属线301，所述第一浮置金属线301位于所述第一金属走线201与所述第二金属走线202之间。

在本申请中，所述第二金属走线202为公共电极线（com线），但不以此为限。所述第二金属走线202的形状可以为直线、曲线、折线中的一种或一种以上的组合。

在本申请中，所述浮置金属线300与所述金属走线200绝缘设置，所述金属走线200在所述阵列基板上的正投影与所述浮置金属线300在所述阵列基板上的正投影非重叠。

结合图2和图3所示，在本实施例中，所述第二金属走线202包括沿相邻两所述扇出区103之间的中心线（即倒三角区的中心线）对称设置的第一部分2021和第二部分2022，所述第一部分2021与位于该中心线同侧邻近的所述第一金属走线201的布线方向一致，所述第二部分2022与位于该中心线同侧邻近的所述第一金属走线201的布线方向一致。采用此设计，由于所述第二金属走线202与所述第一金属走线201的布线方向一致，因此，可以节省空间，提高所述倒三角区104的空间利用率。

需要说明的是，本申请中所述浮置金属线300无实际电学功能，只是用作改善所述扇出区103/所述倒三角区104的地形。

如图2所示，为本申请实施例一提供的第一种阵列基板的局部结构示意图。在本实施例中，所述第一浮置金属线301可以为线状，沿所述第一金属走线201和/或所述第二金属走线202的布线方向设置。由于所述第一浮置金属线301填补了所述倒三角区104内的所述第二金属走线202与所述扇出区103内的所述第一金属走线201之间形成的“沟壑”，因此，使得后续的配向膜材料能够形成在相对平整的基底上，使得所述配向膜材料能够顺利扩散至所述倒三角区104内的所述第二金属走线202上，有利于所述配向膜材料的扩散，避免所述配向膜材料在该“沟壑”区域堆积，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

如图3所示，为本申请实施例一提供的第二种阵列基板的局部结构示意图。在本实施例中，所述第一浮置金属线也可以包括多段式的浮置金属块301a，所述浮置金属块301a沿所述第一金属走线201和/或所述第二金属走线202的布线方向间隔分布。由于所述浮置金属块301a大部分填补了所述倒三角区104内的所述第二金属走线202与所述扇出区103内的所述第一金属走线201之间形成的“沟壑”，因此大大减少了配向膜材料在该“沟壑”区域堆积的量。另外，由于相邻两所述浮置金属块301a之间的间隙设置，还可以将所述第一金属走线201一侧的配向膜材料向所述第二金属走线202一侧引导，类似于“引流”的作用，有利于所述配向膜材料的扩散，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

具体地，相邻两所述浮置金属块301a之间形成的间隙的方向垂直于所述第二金属走线202与所述第一金属走线201的布线方向，也就是说，所述间隙的方向由所述扇出区103一侧朝向所述倒三角区104一侧。由于对应相邻两所述浮置金属块301a之间的位置会形成“沟槽”，配向膜材料可以依靠该沟槽地势沿图中箭头所示方向流动，相邻两所述浮置金属块301a之间形成的沟槽具有导流作用，可以引导配向膜材料能沿所述扇出区103朝向所述倒三角区104一侧的方向流动。在所述沟槽的引导作用下，上述堆积的配向膜材料将跨过所述第一金属走线201以及所述第二金属走线202顺利的流向所述倒三角区104内，从而提升配向膜边缘厚度的均匀性，进而解决由于配向膜表面地形不均一而导致的显示区亮度不均的现象。

其中，相邻两所述浮置金属块301a之间的距离为1微米至10微米。从而可以使相邻两所述浮置金属块301a之间的地势（间隙）形成类似“毛细血管”的现象，有利于“引流”的作用。

在本申请中，所述浮置金属块301a的形状包括但不限于三角形，圆形，长方形，平行四边形，菱形等结构。

在本实施例中，所述金属走线200与所述浮置金属线300位于同一层，且所述浮置金属线300与所述金属走线200之间的距离大于8微米。如此，不会因为制程工艺等原因造成相邻金属走线间的短路。

具体地，结合图8所示，所述阵列基板包括层叠设置的基板400、第一金属层500、第一绝缘层600第二金属层700、第二绝缘层800以及配向膜900，所述第一金属层500包括但不限于栅极、栅极信号线，所述第二金属层700包括但不限于源极、漏极、数据信号线。所述金属走线200和所述浮置金属线300可以与所述第一金属层500同层同材料制成，或者所述金属走线200和所述浮置金属线300可以与所述第二金属层700同层同材料制成。

在另一实施例中，所述第一金属走线201和所述第二金属走线202异层设置，所述浮置金属线300包括与所述第一金属走线201同层设置的第一层浮置金属线以及与所述第二金属走线202同层设置的第二层浮置金属线，所述第一层浮置金属线在所述阵列基板上的正投影与所述第二层浮置金属线在所述阵列基板上的正投影非重叠。

由于所述浮置金属线300可以与所述第一金属层和/或所述第二金属层一同曝光显影后制成，因此不需要额外的光罩，同时因为所述浮置金属线300是浮置金属结构，对面板本身的电性不会产生任何影响。

结合图9所示，由于所述第一浮置金属线301填补了所述倒三角区104内的所述第二金属走线202与所述扇出区103内的所述第一金属走线201之间形成的“沟壑”，因此，使得后续的配向膜材料能够形成在相对平整的基底上，使得所述配向膜材料能够顺利扩散至所述倒三角区104内的所述第二金属走线202上，有利于所述配向膜材料的扩散，避免所述配向膜材料在该“沟壑”区域堆积，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

实施例二

如图4和图5所示，本实施例与上述实施例一中的阵列基板的结构相同/相似，区别在于：至少两条所述第二金属走线202距所述显示区101由近及远依次间隔排布；所述浮置金属线300还包括位于所述倒三角区104的第二浮置金属线302，所述第二浮置金属线302位于相邻两所述第二金属走线202之间。

在本实施例中，所述金属走线200在所述阵列基板上的正投影与所述浮置金属线300在所述阵列基板上的正投影非重叠。

在本实施例中，所述第二浮置金属线302与所述第一浮置金属线301的结构设计一致。如图4所示，为本申请实施例二提供的第一种阵列基板的局部结构示意图。所述第二浮置金属线302可以为线状，沿所述第二金属走线202的布线方向设置。由于所述第二浮置金属线302填补了所述倒三角区104内的相邻两所述第二金属走线202之间形成的“沟壑”，因此，使得后续的配向膜材料能够形成在相对平整的基底上，使得所述配向膜材料能够进一步向所述阵列基板边界一侧的所述第二金属走线202上扩散，避免所述配向膜材料在相邻两所述第二金属走线202之间的“沟壑”区域堆积，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

如图5所示，为本申请实施例二提供的第二种阵列基板的局部结构示意图。在一种实施例中，所述第二浮置金属线也可以包括多段式的浮置金属块302a，所述浮置金属块302a沿所述第二金属走线202的布线方向间隔分布。由于所述浮置金属块302a大部分填补了所述倒三角区104内的相邻两所述第二金属走线202之间形成的“沟壑”，因此大大减少了配向膜材料在相邻两所述第二金属走线202之间的“沟壑”区域堆积的量。另外，由于相邻两所述浮置金属块302a之间的间隙设置，能够起到类似于“引流”的作用，有利于所述配向膜材料的扩散，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

其中，相邻两所述浮置金属块302a之间的距离为1微米至10微米。

在本申请中，所述浮置金属块302a的形状包括但不限于三角形，圆形，长方形，平行四边形，菱形等结构。

实施例三

如图6和图7所示，本实施例与上述实施例二中的阵列基板的结构相同/相似，区别在于：所述浮置金属线300还包括位于所述扇出区103的第三浮置金属线303，所述第三浮置金属线303位于相邻两所述第一金属走线201之间。

在本实施例中，所述金属走线200在所述阵列基板上的正投影与所述浮置金属线300在所述阵列基板上的正投影非重叠。

在本实施例中，所述第三浮置金属线303可以与所述第二浮置金属线302以及所述第一浮置金属线301的结构设计一致。

具体地，如图6所示，为本申请实施例三提供的第一种阵列基板的局部结构示意图。所述第三浮置金属线303可以为线状，沿所述第一金属走线201的布线方向设置。由于所述第三浮置金属线303填补了所述扇出区103内的相邻两所述第一金属走线201之间形成的“沟壑”，因此，使得后续的配向膜材料能够形成在相对平整的基底上，使得所述配向膜材料能够均匀的在所述扇出区103内扩散，避免所述配向膜材料在相邻两所述第一金属走线201之间的“沟壑”区域堆积，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

如图7所示，为本申请实施例三提供的第二种阵列基板的局部结构示意图。在一种实施例中，所述第三浮置金属线也可以包括多段式的浮置金属块303a，所述浮置金属块303a沿所述第一金属走线201的布线方向间隔分布。由于所述浮置金属块303a大部分填补了相邻两所述第一金属走线201之间形成的“沟壑”，因此大大减少了配向膜材料在相邻两所述第一金属走线201之间的“沟壑”区域堆积的量。另外，由于相邻两所述浮置金属块303a之间的间隙设置，能够起到类似于“引流”的作用，有利于所述配向膜材料的扩散，从而保证配向膜的膜厚均匀性。

其中，相邻两所述浮置金属块303a之间的距离为1微米至10微米。

在本申请中，所述浮置金属块303a的形状包括但不限于三角形，圆形，长方形，平行四边形，菱形等结构。

本申请还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板、彩膜基板以及液晶层。

本申请提供的阵列基板及显示面板，通过在倒三角区和/或扇出区的非布线处设置浮置金属线，得以改善倒三角区和/或扇出区的地形，从而削弱扇出区的第一金属走线以及倒三角区的第二金属走线形成的“挡墙”效应，进而改善配向膜的膜厚的均一性，解决了由于配向膜表面地形不均一而导致的显示区亮度不均的现象。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。