线交叉且绝缘设置，所述多条栅线与栅极驱动器电性连接；所述多条数据线与源极驱动器电性连接，所述栅极驱动器位于显示基板上的与所述源极驱动器相对的一侧；所述显示基板还包括:与所述数据线所在方向平行设置的多条栅信号引入线，以及设置在所述栅信号引入线所在层与所述栅线所在层之间的层间绝缘层；其中，所述栅信号引入线的一端连接栅极驱动器，另一端通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述栅线连接，且每一条栅信号引入线连接不同的所述栅线。
[0053]可以理解的，显示基板通常包括上、下、左、右四侧；其中，源极驱动器通常是位于显示基板的下侧的，栅极驱动器通常是设置显示基板的左右两侧。而在本实施例中，将栅极驱动器与设置到源极驱动器相对的一侧，也就是显示基板的上侧，同时将栅信号引入线与数据线平行设置，从而使得显示基板的左右两侧不再存在扇出区/fanout区(用于容纳栅信号引入线和栅极驱动器的位置)，进而实现显示基板左右两侧无边框设计。具体见下述实施例。
[0054]实施例2:
[0055]如图2所示，本实施例提供一种显示基板I，其包括依次设置在基底上栅线11、层间绝缘层、同层且平行设置的数据线12和栅信号引入线13 ;其中，数据线12与为位于显示基板I下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板I上侧的栅极驱动器10 ;可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
[0056]本实施例的显示基板I的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板I的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板I的左右边框更窄，甚至无边框。同时，在本实施例中，数据线12与栅信号引入线13是同层设置且两者材料相同的，因此可以采用一次构图工艺同时形成数据线12和栅信号引入线13，从而不会增加显示基板I的生产成本，且工艺步骤简单，易于实现。
[0057]优选的，在本实施例的显示基板I中，两相邻所述数据线12之间设置一条所述栅信号引入线13，且各所述栅信号引入线13之间等间距设置。也就是说在显示基板I上从左侧到右侧数据线12和栅信号引入线13是交替设置。可以理解的是，这种布线方式使得显示基板I的布线均匀，从而使得显示基板I显示均匀，显示效果较优。
[0058]如图4所不，针对上述的显不基板I，本实施例还提供了一种显不基板I的制备方法，其包括:
[0059]步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管栅极和栅线11的图形。
[0060]步骤二、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔；同时还形成用于将薄膜晶体管漏极与像素电极连接的过孔。
[0061 ] 步骤三、通过构图工艺形成包括有源层的图形。
[0062]步骤四、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管的源极、漏极、数据线12和栅信号引入线13的图形；其中漏极通过相应的过孔与漏极连接，栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
[0063]至此完成显示基板I的制备。需要说明的是，显示基板I的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
[0064]实施例3:
[0065]如图3所示，本实施例提供一种显示基板I，其包括依次设置在基底上数据线12、栅极绝缘层、栅线11、层间绝缘层、与数据线12所在方向平行的栅信号引入线13 ;其中，数据线12与为位于显示基板I下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板I上侧的栅极驱动器10;可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
[0066]本实施例的显示基板I的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板I的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板I的左右边框更窄，甚至无边框。
[0067]优选的，本实施例的显示基板I中，各所述所述栅信号引入线13(用虚线表示是为说明该位置并非栅信号引入线13的真实位置，只是示意性表示)与各所述数据线12在基底上的投影完全重合。也就是说，数据线12和栅信号引入线13在空间上，上下一一对应设置。该种设置方式不会影响显示面板的开口率，而且本实施例的显示基板I的左右边框变窄，有利于显示面板的高分辨率的设计。
[0068]如图5所不，针对上述显不基板1，本实施例还提供了一种显不基板I的制备方法，其包括如下步骤:
[0069]步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形；
[0070]步骤二、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极、漏极，以及数据线12的图形。
[0071]步骤三、在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层。
[0072]步骤四、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅极和栅线11的图形。
[0073]步骤五、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔。
[0074]步骤六、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅信号引入线13的图形；其栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
[0075]步骤七、在完成上述步骤的基底上，形成钝化层。
[0076]至此完成显示基板I的制备。需要说明的是，显示基板I的制备方法中还包括形成像素电极和公共电极等现有的工艺步骤，在此不再详细描述。
[0077]实施例4:
[0078]本实施例提供一种显示基板I，其包括依次设置在基底上栅线11、层间绝缘层、与数据线12所在方向平行的栅信号引入线13、钝化层、数据线12 ;其中，数据线12与为位于显示基板I下侧的源极驱动器20连接；每一行栅线11上方的层间绝缘层中均设置有一个过孔，且各个过孔的连线不在一条直线上；栅信号引入线13的一端通过过孔连接一条栅线11，另一端连接位于显示基板I上侧的栅极驱动器10 ;可以理解的是，每一条栅信号引入线13仅连接一条栅线11，且各条栅信号引入线13连接不同的栅线11。
[0079]本实施例的显示基板I的栅极驱动器10和源极驱动器20分别位于显示基板I的上侧和下侧，而且栅信号引入线13与数据线12所在方向平行，因此可以使得显示基板I的左右边框更窄，甚至无边框。
[0080]优选的，本实施例的显示基板I中，各所述所述栅信号引入线13与各所述数据线12在基底上的投影完全重合。也就是说，数据线12和栅信号引入线13在空间上，上下一一对应设置。该种设置方式不会影响显示面板的开口率，而且本实施例的显示基板I的左右边框变窄，有利于显示面板的高分辨率的设计。
[0081]如图6所不，针对上述显不基板I，本实施例还提供了一种显不基板I的制备方法，其包括如下步骤:
[0082]步骤一、在基底上，通过构图工艺形成包括栅极和栅线11的图形。
[0083]步骤二、在完成上述步骤的基底上，形成层间绝缘层，并在层间绝缘层中刻蚀形成用于将栅线11与栅信号引入线13连接的过孔。
[0084]步骤三、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括栅信号引入线13的图形；其栅信号引入线13通过过孔与栅线11连接。
[0085]步骤四、在完成上述步骤的基底上，形成平坦化层。
[0086]步骤五、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形。
[0087]步骤六、在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极、漏极，以及数据线12的图形。