此，在接着的显影处理中，区域S1的抗蚀剂膜R溶解，在区域S1产生的显影残渣之中至少一部分被供给到了区域S2。因而，存在于区域S2的显影残渣的量来自于在区域Sl、S2溶解的抗蚀剂膜R的量。
[0096]在试验样品4中，将区域S1的25%的面积曝光且没有将剩余的面积曝光。因此，在接着的显影处理中，区域S1的抗蚀剂膜R大量溶解，在区域S1产生的显影残渣之中至少一部分被供给到了区域S2。因而，存在于区域S2的显影残渣的量来自于在区域Sl、S2溶解的抗蚀剂膜R的量。
[0097]在试验样品5中，区域S1的整个区域没有曝光。因此，在接着的显影处理中，区域S1的抗蚀剂膜R大致全部溶解，在区域S1产生的显影残渣之中至少一部分被供给到了区域S2。因而，存在于区域S2的显影残渣的量来自于在区域S1、S2溶解的抗蚀剂膜R的量。根据以上，区域S2的显影残渣的浓度(在区域S2中显影液L中所包含的显影残渣的量)在试验样品1中最低，按照试验样品2?5的顺序变高。
[0098]图9的(b)表示针对各试验样品1?5测量的线宽的结果。如图9的(b)所示，确认了抗蚀剂图案的线宽相对于显影残渣的浓度具有正比关系。即，得到了显影残渣的浓度越高显影速度越慢，并且线宽变大的见解。再者，图9的(b)所示的直线状的虚线是与各点相关的一次近似直线(回归直线)。
[0099][作用]
[0100]但是，通常越是在先进行了显影液L的供给的区域(在先区域)，显影液L对抗蚀剂膜R的接液时间越长。因此，越是在先进行了显影液L的供给的区域，显影越进行，而抗蚀剂膜R的向显影液的溶解被促进，有线宽变小的倾向。另一方面，越是在后进行显影液的供给的区域，显影越迟，抗蚀剂膜的向显影液的溶解没有推进，有线宽变大的倾向。因此，为了得到均匀的面内线宽分布，在晶片W的表面Wa之中有线宽变小的倾向的区域中，使显影的进行延迟，应该调整线宽。因此，在本实施方式中，将具有与晶片W的表面Wa相对的下端面Nb的液体接触部件N配置于晶片W的表面Wa之中在先从液体接触部件N的排出口 Na进行了显影液L的供给的区域(在本实施方式中，晶片W的周缘部)的上方，在下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间保持显影液。因此，在在先进行了显影液L的供给的区域(晶片W的周缘部)，利用液体接触部件N的存在而保持显影液L时，显影液L中所包含的显影残渣的浓度在下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间高。因而，在在先进行了显影液L的供给的区域(晶片W的周缘部)，抗蚀剂膜R的溶解被抑制，显影的进行被抑制。其结果是，通过使用接液部材N，能够将在先进行了显影液L的供给的区域(晶片W的周缘部)中的线宽控制成与在后进行了显影液L的供给的区域(晶片W的中央部)中的线宽相同程度。根据以上，能够使面内线宽分布的均匀性提高。特别是，基于线宽相对于显影残渣的浓度具有正比的关系这个上述的见解，在在先进行了显影液L的供给的区域配置液体接触部件来调节该区域的显影残渣的浓度，由此能够实现期望的线宽。
[0101]在本实施方式中，当使显影液L遍布于抗蚀剂膜R的表面整体时，使液体接触部件N从晶片W的周缘部向旋转轴移动。由此，在晶片W的周缘侧产生的显影残渣随着液体接触部件N的移动，伴随从排出口 Na供给的显影液L而容易移动到晶片W的中央部(旋转轴)侦k因而，用于控制线宽的显影残渣难以排出到晶片W的外部。其结果是，为了线宽的控制而能够有效地应用在晶片W的表面Wa上生成的显影残渣。
[0102]在本实施方式中，排出口 Na形成于液体接触部件N的下端面Nb。由此，显影液L的供给通过液体接触部件N进行。由此，部件数量变少，所以能够实现成本的降低。
[0103][其他的实施方式]
[0104]以上详细说明了本发明的实施方式，但是本发明不限定于上述的实施方式。例如，在上述实施方式中，使液体接触部件N位于晶片W的周缘部上，而在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间保持显影液L，但是如果是晶片W的表面Wa之中在先从液体接触部件N进行了显影液L的供给的区域，则也可以使液体接触部件N位于晶片W的周缘部以外。
[0105]当使显影液L遍布于抗蚀剂膜R的表面整体时，也可以控制部100控制滑块32而使液体接触部件N从晶片W的中央部(旋转轴)向周缘部移动。具体而言，首先，如图10的
(a)所示，控制部100控制滑块32和臂33，以使得液体接触部件N的下端面Nb与晶片W的表面Wa的中央部(旋转轴)相对，使液体接触部件N位于晶片W的表面Wa上。接着，如图10的(a)和(b)所示，在控制部100控制旋转部21而使晶片W旋转的状态下，控制部100控制栗43和阀44，而从排出口 Na对由抗蚀剂膜R的表面和下端面Nb形成的缝隙G(参照图6)供给显影液L，并且控制部100控制滑块32，使液体接触部件N从晶片W的中央部(旋转轴)向周缘部移动(参照图10的(a)的箭头D1)。接着，当液体接触部件N到达晶片W的周缘部时，控制部100控制栗43和阀44，使来自排出口 Na的显影液L的排出停止。这样，如图10的(c)所示，显影液L遍布于抗蚀剂膜R的表面整体，抗蚀剂膜R的显影推进。该情况下，由于在晶片W的中央部在先进行显影液L的供给，所以当在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间保持显影液L时，使液体接触部件N位于晶片W的中央部上。
[0106]当在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间保持显影液L时，如图11所示，可以对液体接触部件N施加正电位。已知显影残渣带负电。因此，通过对液体接触部件N施加正电位，容易将显影残渣保持在液体接触部件N的附近。
[0107]液体接触部件N具有与抗蚀剂膜R的表面(晶片W的表面Wa)相对的下端面Nb即可。因此，液体接触部件N的形状没有特别限制，例如可以呈柱状或者板状。
[0108]下端面Nb不仅可以是平面状，例如也可以是二维或者三维地弯曲的弯曲状面、凹凸面等。下端面Nb也可以被粗糙面化处理。即使在这些情况下，下端面Nb的表面积增加，通过下端面Nb阻碍显影液L的流动，因此在下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间容易保持显影液L。
[0109]参照图12说明另一例子的液体接触部件N。在图12所不的液体接触部件N的下端面Nb设置有突条部Nc。突条部Nc沿着液体接触部件N(下端面Nb)的周缘延伸为圆环状。因此，因突条部Nc的存在，能够阻碍从液体接触部件N的中央向周缘去的显影液L的流动。因而，在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜的表面之间更容易保持显影液L。
[0110]参照图13说明另一例子的液体接触部件N。在图13所不的液体接触部件N的下端面Nb设置有多个突起部Nd。因此，因多个突起部Nd的存在，阻碍显影液L的流动。因此，在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间容易保持显影液L。突起部Nd在图13中呈三角锥形状，使液体接触部件N与显影液L的接触面积较大而能够阻碍显影液L的流动即可，因此例如也可以是其他的多棱椎形状、多棱柱形状、其他不同的形状。
[0111]在上述实施方式中，排出口 Na形成于下端面Nb，液体接触部件N还能够作为显影液L的排出喷嘴起作用，但是如图14所示，也可以不在液体接触部件N形成贯通孔Η和排出口 Na，而显影液供给部40具有与液体接触部件N分体设置的排出喷嘴N1。此时，如该图所示，驱动部30还包括滑块34和臂35。滑块34以沿着导轨31能够在水平方向上移动的方式与导轨31连接。臂35以能够在上下方向上移动的方式与滑块34连接。在臂35的下端连接有排出喷嘴N1。排出喷嘴N1经由供给管42与显影液贮存部41连接。在排出喷嘴N1的下端形成有排出口 Nla，从显影液贮存部41供给的显影液L从排出口 Nla排出。
[0112]在图14所示的显影单元U1中，在晶片W的表面Wa从周缘部向中央部供给显影液L的情况下，代替没有形成贯通孔Η和排出口 Na的仅仅柱状或者板状的液体接触部件N，可以使用图15(a)所示的液体接触部件N2。液体接触部件N2呈圆环状，例如是将圆板的中央部圆形地切除而得到的。液体接触部件N2具有在与其中心轴交叉的方向扩展的下端面Nb。如图15的(b)所示，下端面Nb在晶片W的周缘部与晶片W的表面Wa以大致平行的状态相对。即使在该情况下，在在先进行了显影液L的供给的区域(晶片W的周缘部)，抗蚀剂膜R的溶解被抑制，显影的进行被抑制。其结果是，能够使面内线宽分布的均匀性提高。再者，使液体接触部件N2位于晶片W的表面Wa期间，还可以使晶片W旋转，也可以不使晶片W旋转。
[0113]当在液体接触部件N的下端面Nb与抗蚀剂膜R的表面之间保持显影液L时，还可以根据晶片W的表面Wa之中从液体接触部件