r>[0096] 由于所述热处理，下部电极120附近的具有亲水性和相对高的极性的组分固化以 形成下部垂直定向层132。在示例性实施方式中，下部垂直定向层132可包括所述基于聚酰 亚胺的聚合物树脂或者所述聚酰亚胺和聚酰胺酸的混合物，并且可具有范围为约65% -约 90%、在一个示例性实施方式中约75% -约90%的酰亚胺化率。
[0097] 具有疏水性和相对低的极性且背离下部电极120移动的组分可固化以形成下部 倾斜定向层134。在示例性实施方式中，下部倾斜定向层134可包括所述反应性介晶、以及 所述作为聚酰亚胺前体的单体或低聚物。在一个示例性实施方式中，可使下部倾斜定向层 134中包括的所述单体或低聚物的至少一部分交联以形成基于聚酰亚胺的聚合物。下部倾 斜定向层134可具有比下部垂直定向层132中的基于聚酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率 小的基于聚酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率。
[0098] 因此，下部定向层130在与下部电极120隔开的上部部分和邻近于下部电极120 的下部部分处具有不同的基于聚酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率。在一种示例性的 下部定向层中，所述下部部分处的基于聚酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率可范围为约 65% -约90%，和在一个示例性实施方式中，约75% -约90%。所述上部部分处的基于聚 酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率可小于所述下部部分处的基于聚酰亚胺的聚合物树脂 的酰亚胺化率。
[0099] 在一个示例性实施方式中，如图4中所示，下部倾斜定向层134可以图案例如多个 岛形成于下部垂直定向层132的上部部分处。下部垂直定向层132中的基于聚酰亚胺的聚 合物树脂可具有上述的酰亚胺化率，使得可限制所述反应性介晶、所述单体和低聚物的移 动性。因此，下部倾斜定向层134可不形成为均匀涂覆的连续的层，而是形成为所述多个 岛。
[0100] 进一步地，在酰亚胺化率的以上范围中，下部垂直定向层132和下部倾斜定向层 134之间的粘附可改善。因此，可防止下部倾斜定向层134中的组分扩散或转移。
[0101] 下部倾斜定向层134可至少部分地埋在或者嵌入下部垂直定向层132中。可使下 部倾斜定向层134的顶表面从下部垂直定向层132的顶表面暴露。可使下部垂直定向层 132的顶表面在下部倾斜定向层134的相邻岛之间的空隙中暴露。
[0102] 在下部定向层130的形成之后，可获得包括形成于下部基板110上的下部电极120 和下部定向层130的下部基板结构100。
[0103] 参照图5,还可进行与参照图2-4说明的那些过程基本上相同或类似的过程以形 成上部基板结构150。在示例性实施方式中，可在上部基板160上形成上部电极170和上部 定向层180。
[0104] 上部基板160可充当所述IXD器件的滤色器基板。在此情况下，所述上部基板可 包括用于RGB像素的每一个的滤色器。可进一步在上部基板160上形成黑色矩阵。
[0105] 所述上部电极可使用透明导电材料例如ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΖΤ0、氧化锌或氧化锡通过CVD 方法、ALD方法、真空沉积方法、印刷方法等形成，但是不限于此。在一个示例性实施方式中， 上部电极170可充当所述IXD器件的公共电极。在此情况下，上部电极170可覆盖上部基 板160的基本上整个表面。
[0106] 上部定向层180可使用这样的方法和材料形成：其与下部定向层130的那些基本 上相同或类似。
[0107] 在示例性实施方式中，可将上述定向层组合物涂覆在上部电极170上以形成初始 的上部定向层。可对所述初始的上部定向层进行热处理以形成上部定向层180。上部定向 层180可然后分成上部垂直定向层182和上部倾斜定向层184。在上部垂直定向层182的 上部部分处，上部倾斜定向层184可形成为具有图案例如多个岛。
[0108] 上部垂直定向层182可包括具有这样的酰亚胺化率的基于聚酰亚胺的聚合物树 脂：其范围为约65% -约90%，在一个示例性实施方式中，约75% -约90%。上部倾斜定 向层184可包括反应性介晶，并且可具有比上部垂直定向层182中的基于聚酰亚胺的聚合 物树脂的酰亚胺化率小的基于聚酰亚胺的聚合物树脂的酰亚胺化率。
[0109] 参照图6,可在下部基板结构100和上部基板结构150之间形成液晶层140。
[0110] 在示例性实施方式中，可将包括液晶分子145的液晶组合物滴在下部定向层130 或上部定向层180上以形成多个液晶滴。例如，可将所述液晶组合物滴在下部基板结构100 的下部定向层130上。
[0111] 在示例性实施方式中，下部和上部倾斜定向层134和184的组分的移动性可由于 下部和上部倾斜定向层134和184与下部和上部垂直定向层132和182之间强的粘附而受 到限制。因此，可抑制所述单体或低聚物在液晶分子之间或者在液晶滴之间的扩散或集中。
[0112] 当将液晶滴均匀地流平以形成液晶组合物层时，可将下部基板结构100和上部基 板结构150彼此附着，使得下部定向层130和上部定向层180可彼此面对。从而，可在下部 基板结构100和上部基板结构150之间形成液晶层140。在初始状态下，液晶层140中包括 的液晶分子145可随机地定向。
[0113] 参照图7,可使液晶层140中的液晶分子145以预定构型（configuration)定向。 在示例性实施方式中，可使液晶分子145以预倾斜角垂直地定向。
[0114] 在示例性实施方式中，可通过下部电极120和上部电极170施加预定电压（V)以 在液晶层140中产生电场。从而，液晶分子145可通过与下部和上部垂直定向层132和182 的相互作用而垂直地定向，并且可通过下部和上部倾斜定向层134和184而预倾斜。
[0115] 在一个示例性实施方式中，可进一步地与电场的产生一起进行紫外（"UV"）曝光。 所述UV曝光和电场的产生可因此同时进行。
[0116] 在一个示例性实施方式中，可省略所述电场的产生，并且可仅通过UV曝光使所述 液晶分子定向。下部定向层130和上部定向层180可通过所述UV曝光而被进一步固化。
[0117] 图8为对液晶显示器件的对比例进行说明的横截面图。例如，图8说明超垂直取 向（"SVA"）模式LCD器件。
[0118] 参照图8,该对比例的IXD器件可包括下部基板结构200、上部基板结构250和液 晶层240。
[0119] 下部基板结构200可包括形成于下部基板210上的下部电极220、和覆盖下电部极 220的下部定向层230。上部基板结构250可包括形成于上部基板260上的上部电极270、 和覆盖上部电极270的上部定向层280。
[0120] 下部基板210、下部电极220、上部基板260和上部电极270可具有与图1中所示 的IXD器件的那些基本上相同或类似的结构。
[0121] 下部定向层和上部定向层230和280可包括聚酰亚胺。
[0122] 液晶层240可包括液晶分子245,并且可介于下部和上部基板结构200和250之 间。在该对比例中，可在液晶层240中提供反应性介晶249并且使反应性介晶249与液晶 分子245组合。
[0123] 在该对比例中，液晶分子245可通过定向层230和280相对于下部基板210或上 部基板260垂直地定向，并且可通过反应性介晶249预倾斜。例如，可将反应性介晶249包 括在定向层230和280中，然后可进行反应性介晶249的交联或聚合，使得液晶分子245可 预倾斜。
[0124] 图9-11为对制造液晶显示器件的对比例的方法的一个示例性实施方式进行说明 的横截面图。
[0125] 参照图9,可进行与参照图2说明的过程基本上相同或类似的过程以在下部基板 210上形成下部电极220。可在下部基板210和下部电极220上形成包括聚酰亚胺的下部 定向层230。在下部定向层230的形成期间，未聚合的低聚物235可分布在下部定向层230 的上部部分处或顶表面上。
[0126] 参照图10,可在下部定向层230上形成液晶滴247以形成液晶层。未聚合的低聚 物235通过液晶滴247的剪切力在相邻的液晶滴247之间移动。
[0127] 参照图11，液晶滴247可被流平或者膨胀（swell)，并且未聚合的低聚物235可通 过剪切力而在相邻的液晶滴247之间被集中。因此，液晶滴247可不是完全流平的，并且因 此可无法得到均匀的液晶层。另外，由于集中的低聚物235,可在显示屏上