号线上方的干电极可以不必设置的很大，进而，提升了阵列基板的开口率。
[0042]在本发明实施例中，所涉及的主信号线为数据线。
[0043]进一步，在本发明实施例中，副信号线的线宽不大于主信号线的线宽，从而，可以减小彩膜基板侧对应的黑矩阵的尺寸，进而提升该双栅极阵列基板的开口率。
[0044]为了更好的对上述方案进行描述，本发明以下述几个具体的实例对本发明的技术方案进行说明。需要解释的是，本发明主要针对边缘场开光技术(Fringe FieldSwitching，FFS)以及超级边缘电场转换(Advanced Fringe Field Switching，AFFS)两种显示模式对应的双栅极阵列基板的结构进行说明，其中，FFS显示模式对应的阵列基板中一个像素单元对应的公共电极图案如图3(a)所示，AFFS显示模式对应的阵列基板中一个像素单元对应的公共电极图案如图3(b)所示，两者结构的区别主要在于公共电极的图案不同，FFS显示模式对应的双栅极阵列基板中干电极31与支电极32平行设置，几乎沿着数据线的方向延伸，一般呈图示中的“之”字形排布;而AFFS显示模式对应的阵列基板中干电极33与支电极34近乎垂直设置，干电极33沿着数据线延伸方向设置，支电极34则呈“V”字形排布在相邻干电极之间。
[0045]实例1:
[0046]如图4(a)所示，为本实例I中FFS显示模式的阵列基板的结构简图，其中，公共电极41中任意相邻的两个干电极411与该两个干电极411之间的支电极412所构成的公共电极图案对应一个像素单元P;结合图4(b)的剖面结构图，其中一个干电极411(图示中左边的干电极)在双栅极阵列基板上的正投影分别与相邻的像素电极42在双栅极阵列基板上的正投影有交叠区域(图示中虚线椭圆框)且至少覆盖主信号线43，与其中一个干电极411相邻的另一个干电极411(图示中右边的干电极)在双栅极阵列基板上的正投影位于相邻像素电极42之间的空隙内且覆盖副信号线44。另外，该双栅极阵列基板还包括绝缘层等其他相关膜层，为了便于描述，并未示出。基于上述方案，在将副信号线连接至公共电极之后，避免了副信号线与相邻像素电极产生耦合电容，而且，通过将副信号线上方的干电极在双栅极阵列基板上的正投影限定在位于相邻像素电极之间的空隙内且覆盖副信号线，使得副信号线与相邻像素电极之间产生的稳定的电容能够与像素电极与公共电极产生的电容叠加，成为该双栅极阵列基板所需的存储电容，从而，能够更好的控制像素电极与公共电极交界处的电压。另外，由于该FFS显示模式的结构中，液晶旋转所需的电场方向与交界处叠加的电场方向相同，且比较稳定，因此，该叠加后的存储电容产生的电场能够促进该交界处的液晶的旋转，进而，提升面板的透过率。
[0047]进一步，基于上述实例I，与其中一个干电极相邻的另一个干电极(图示中右边的干电极)在阵列基板上的正投影与副信号线重合。考虑本发明中所需的能够使得液晶旋转的电场为像素电极与公共电极之间的边缘场，因此，为了让像素电极与公共电极之间的边缘场能够与像素电极与副信号线之间的边缘场很好的叠加，且不致于像素电极与副信号线之间的边缘场对像素电极与公共电极之间的边缘场造成影响，优选以公共电极的干电极在双栅极阵列基板上的正投影与副信号线重合为佳。这样，能够使得叠加的边缘场达到最佳值，提升像素电极与公共电极的交界处的液晶的旋转，进而提升面板的透过率。
[0048]实例2:
[0049]如图5(a)所示，为本实例2中AFFS显示模式的阵列基板的结构简图，其中，公共电极51中干电极511沿主信号线53延伸方向设置，支电极512沿与主信号线53交叉的方向设置，任意相邻的两个干电极511与该两个干电极511之间的支电极512所构成的公共电极图案对应相邻的两个像素单元Q;结合图5(b)所示的截面A-A处的剖视图，以及图5(c)所示的截面B-B处的剖视图，两个干电极511在双栅极阵列基板上的正投影分别与相邻的像素电极52在双栅极阵列基板上的正投影有交叠区域且至少覆盖主信号线53，支电极512在相邻的像素单元Q之间的交界处图案连续。基于上述方案，在将副信号线54连接至公共电极之后，避免了副信号线与相邻像素电极产生耦合电容，而且，在该显示模式中，液晶旋转所需的电场方向与交界处叠加的电场方向不同，因此，可以去掉副信号线上方的干电极，同时，增大与副信号线相邻的像素电极的尺寸，从而，使得支电极与像素电极的交叠区域更多(参见图5(c)所示的剖视图)，而且，由于该交叠区域的增加会增大液晶旋转所需的电场，更为关键的是，增加的交叠区域位于像素电极与副信号线的交界处，因此，可以促使该交界处的液晶旋转，从而，提升面板的透过率。
[0050]进一步，基于上述实例2的方案，参见图6所示，支电极512在相邻的像素单元Q之间的交界处设置有拐角结构55。由于相邻像素单元之间设置有信号线，需要黑矩阵进行阻挡，因此，在这些信号线所在区域容易发生由于触摸而导致的显示缺陷。因此，为了改善这种显示缺陷，本发明可以在相邻的像素单元之间的交界处设置拐角结构，从而，缓解了触摸过程的移动或按压导致的显示不均现象。
[0051]优选地，在本发明实施例中，副信号线的材质为金属或透明氧化物。
[0052]一种可行的实施例，为了提升双栅极阵列基板的透过率，副信号线的材质为铟锡氧化物。
[0053]此外，本发明实施例提供了一种显示装置，包括彩膜基板，以及本发明实施例提供的任意一种所述的双栅极阵列基板。
[0054]可选地，彩膜基板中与双栅极阵列基板侧副信号线对应的位置设置有黑矩阵，其中，黑矩阵在双栅极阵列基板上的正投影与副信号线在阵列基板上的正投影重合。
[0055]本发明所述的显示装置可以为液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
[0056]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0057]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种双栅极阵列基板，其特征在于，包括: 沿第一方向排布的多条栅线； 沿第二方向交替排布的多条主信号线和副信号线； 所述相邻两条栅线与所述主信号线或所述副信号线绝缘交叠围设而成多个像素单元，所述主信号线由驱动单元引出，并分别与自身相邻的像素单元连接； 所述副信号线连接至公共电极，其中，所述公共电极包括多个干电极和多个支电极，且所述干电极在所述阵列基板上的正投影分别与相邻的像素电极在所述双栅极阵列基板上的正投影有交叠区域且至少覆盖所述主信号线。2.如权利要求1所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述副信号线的线宽不大于所述主信号线的线宽。3.如权利要求1或2所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述公共电极中干电极沿所述主信号线延伸方向设置，所述支电极平行于所述干电极，任意相邻的两个干电极与该两个干电极之间的支电极所构成的公共电极图案对应一个像素单元； 其中一个干电极在所述阵列基板上的正投影分别与相邻的像素电极在所述双栅极阵列基板上的正投影有交叠区域且至少覆盖所述主信号线，与所述其中一个干电极相邻的另一个干电极在所述双栅极阵列基板上的正投影位于相邻像素电极之间的空隙内且覆盖所述副信号线。4.如权利要求3所述的双栅极阵列基板，其特征在于，与所述其中一个干电极相邻的另一个干电极在所述阵列基板上的正投影与所述副信号线重合。5.如权利要求1或2所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述公共电极中干电极沿所述主信号线延伸方向设置，所述支电极沿与所述主信号线交叉的方向设置，任意相邻的两个干电极与该两个干电极之间的支电极所构成的公共电极图案对应相邻的两个像素单元； 其中，两个干电极在所述阵列基板上的正投影分别与相邻的像素电极在所述双栅极阵列基板上的正投影有交叠区域且至少覆盖所述主信号线，所述支电极在相邻的像素单元之间的交界处图案连续。6.如权利要求5所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述支电极在相邻的像素单元之间的交界处设置有拐角结构。7.如权利要求1、2、4、6任一项所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述副信号线的材质为金属或透明氧化物。8.如权利要求7所述的双栅极阵列基板，其特征在于，所述副信号线的材质为铟锡氧化物。9.一种显示装置，包括彩膜基板，其特征在于，还包括:权利要求1-8任一项所述的双栅极阵列基板。10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述彩膜基板中与所述阵列基板侧副信号线对应的位置设置有黑矩阵，其中，所述黑矩阵在所述阵列基板上的正投影与所述副信号线在所述阵列基板上的正投影重合。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种双栅极阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中存在的双栅极阵列基板的透过率较低的问题。该技术方案中，在各个相邻像素电极之间的空隙位置交替设置主信号线和副信号线，主信号线作为数据线仍由驱动单元引出，并同时连接两侧像素单元以实现一条主信号线驱动控制两个像素单元的目的；副信号线连接至公共电极，从而，使得副信号线的电压为较为稳定的电压，完全避免了与相邻像素电极产生耦合电容的可能。从而，无需按照现有技术中增大干电极尺寸的方式减小耦合电容，即位于副信号线上方的干电极可以不必设置的很大，进而，提升了阵列基板的透过率。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/1343
【公开号】CN105572996
【申请号】CN201610074047
【发明人】臧鹏程, 黄炜赟, 祁小敬, 刘庭良
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年2月2日