一种隔垫物的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种隔垫物的制备方法，属于显示领域。所述方法包括：对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理，以在基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘形成有凹部，所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘凹部；等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物，以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物，所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度。本发明能够简化制备隔垫物的工艺，降低制备隔垫物的成本。
【专利说明】
_种隔垫物的制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示领域，特别涉及一种隔垫物的制备方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示设备因其具有功耗低、轻薄化的特点，目前得到广泛使用。液晶显示设备包括液晶盒，液晶盒包括两块相对设置的玻璃基板以及位于该两块玻璃基板之间的液晶。
[0003]在目前该两块玻璃基板之间用多个隔垫物来支撑，以使该两块玻璃基板之间形成有容纳液晶的空间。然而，目前在该两块玻璃基板之间制备隔垫物的工艺较复杂，导致制备隔垫物的成本很高。
【发明内容】
[0004]为了简化制备隔垫物的工艺，降低制备隔垫物的成本，本发明实施例提供了一种隔垫物的制备方法。所述技术方案如下:
[0005]—方面，提供了一种隔垫物的制备方法，所述制备方法包括:
[0006]在基板上形成光刻胶层；
[0007]使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理；
[0008]对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理，以在所述基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，且以垂直于所述基板的方向为高度方向，使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积，并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部，在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面外边缘形成有凹部;等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物，以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物，所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度；
[0009]后烘所述第一隔垫物和所述第二隔垫物以形成固态的所述第一隔垫物和所述第二隔垫物。
[0010]可选的，所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。
[0011]可选的，所述制备方法还包括:
[0012]在所述等待预设时间的过程中，对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行水洗处理且在水洗后使用风刀对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行吹干处理。
[0013]可选的，对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的步骤之前，还包括:
[0014]在经过曝光处理的所述光刻胶层上方向经过曝光处理的所述光刻胶层喷洒显影液，以通过显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。
[0015]可选的，对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。
[0016]可选的，所述处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒。
[0017]可选的，在所述对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理之前，还包括:
[0018]将所述基板以及所述基板上经过曝光处理的所述光刻胶层浸泡在显影液中，以通过所述显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。
[0019]可选的，所述使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理之前，还包括:
[0020]对所述光刻胶层进行预烘烤处理，以使所述光刻胶层变的粘稠。
[0021]可选的，所述预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。
[0022]可选的，所述预设时间为55秒、60秒或65秒。
[0023]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0024]通过对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，使得在第一光刻胶图案靠近基板的底面外边缘形成有凹部以及在第二光刻胶图案靠近基板的底面外边缘形成有凹部，这样等待预设时间，使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第一隔垫物，以及第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第二隔垫物。如此在制备隔垫物时采用的掩膜板可以是包括完全透光区域和不透光区域的普通掩膜板就可，从而可以简化工艺，降低生产成本。
【附图说明】
[0025]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本发明实施例一提供的一种隔垫物的制备方法流程图；
[0027]图2-1是本发明实施例二提供的一种隔垫物的制备方法流程图；
[0028]图2-2是本发明实施例二提供的形成光刻胶层示意图；
[0029]图2-3是本发明实施例二提供的形成第一光刻图案和第二光刻胶图案示意图；
[0030]图2-4是本发明实施例二提供的形成第一隔垫物和第二隔垫物示意图。
【具体实施方式】
[0031]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0032]实施例一
[0033]参见图1，本发明实施例提供了一种隔垫物的制备方法，所述制备方法包括:
[0034]步骤101:在基板上形成光刻胶层。
[0035]步骤102:使用掩膜板对该光刻胶层进行曝光处理。
[0036]步骤103:对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理，以在基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，且以垂直于基板的方向为高度方向，使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积，并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部，在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部;步骤104:等待预设时间使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物，以及使第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物，第一隔垫物的高度大于第二隔垫物的高度；
[0037]步骤105:后烘第一隔垫物和第二隔垫物以形成固态的第一隔垫物和所述第二隔垫物。
[0038]可选的，所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。例如，预设时间为55秒、60秒或65秒等。
[0039]可选的，所述制备方法还包括:
[0040]在等待预设时间的过程中，对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行水洗处理，以清洗第一光刻胶图案和第二光刻胶图案表面的显影液，且在水洗后使用风刀对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行吹干处理。
[0041 ] 可选的，在上述步骤103之前，所述制备方法还包括:
[0042]在经过曝光处理的该光刻胶层上方向经过曝光处理的该光刻胶层喷洒显影液，以通过该显影液对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理。
[0043]可选的，对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。例如，该处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒等。
[0044]可选的，在上述步骤103之前，所述制备方法还包括:
[0045]将基板以及基板上经过曝光处理的该光刻胶层浸泡在显影液中，以通过该显影液对经过曝光处理的该光刻胶层进行过度显影处理。
[0046]可选的，在上述步骤102之前，所述制备方法还包括:
[0047]对光刻胶层进行预烘烤处理，以使光刻胶层变的粘稠。
[0048]在本发明实施例中，对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，使得形成的第一光刻胶图案的靠近基板的底面的外边缘具有凹部以及第二光刻胶图案的靠近基板的底面的外边缘具有凹部，这样等待预设时间，使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第一隔垫物，以及第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第二隔垫物。如此在制备隔垫物时采用的掩膜板可以是包括完全透光区域和不透光区域的普通掩膜板就可，从而可以简化工艺，降低生产成本。另外，在曝光之前对刻胶层进行预烘烤处理，以蒸发光刻胶层中的光刻胶含有的部分溶剂，使光刻胶变的粘稠，有利于光刻胶层定形。
[0049]实施例二
[0050]参见图2-1，本发明实施例提供了一种隔垫物的制备方法，该方法流程包括:
[0051 ]步骤201:在基板上形成光刻胶层。
[0052]该基板可以为玻璃基板。对于本步骤实现，参见图2-2，首先在基板上涂光刻胶，当该基板上的光刻胶层的厚度达到预设厚度阈值时停止，即在该基板上形成光刻胶层。
[0053]可选的，预设厚度阈值可以大于或等于3微米且小于或等于4微米。可选的，预设厚度阈值为3微米、3.3微米、3.5微米、3.7微米或4微米等。
[0054]步骤202:对基板上的光刻胶层进行预烘烤处理，使得光刻胶层中的光刻胶变的粘稠。
[0055]光刻胶是一种粘稠液体，含有大量的溶剂，在基板上形成光刻胶层后，光刻胶在重力的作用很容易使光刻胶层变形。由其在光刻胶层的边缘，光刻胶在重力的作用下更容易使光刻胶层的边缘变形。为此，在本步骤中对刻胶层进行预烘烤处理，以蒸发光刻胶层中的光刻胶含有的部分溶剂，使光刻胶变的粘稠，有利于光刻胶层定形。
[0056]步骤203:使用掩膜板对该光刻胶层进行曝光处理。
[0057]在执行本步骤之前需要先生成该掩膜板。在本步骤中使用的该掩膜板是一种普通掩膜板，该掩膜板包括完全透光区域和不透光区域。该普通掩膜板的生产成本比特殊掩膜板的生产成本低，制备工艺也比特殊掩膜板的制备工艺简单，特殊掩膜板包括完全透光区域、半透光区域和不透光区域。所以本实施例可以降低隔垫物的制备成本和工艺难度。
[0058]该掩膜板的完全透光区域包括至少一个第一隔垫物对应的完全透光区域和至少一个第二隔垫物对应的完全透光区域，第一隔垫物对应的完全透光区域的面积大于第二隔垫物对应的完全透光区域的面积。
[0059]在对该光刻胶层经过曝光处理后，该光刻胶层上包括至少一个第一隔垫物对应的照射区域和至少一个第二隔垫物对应的照射区域。第一隔垫物对应的照射区域内的光刻胶和第二隔垫物对应的照射区域内的光刻胶，由于经过曝光处理，使得光刻胶的分子密度和坚硬度远大于其他未经过曝光的光刻胶。
[0060]步骤204:对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理，以在该基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，且以垂直于该基板的方向为高度方向，在相同高度的位置处第一光刻胶图案的横截面的面积大于第二光刻胶图案的横截面的面积，第一光刻胶图案靠近基板的底面的外边缘具有凹部，第二光刻胶图案靠近基板的底面的外边缘具有凹部。
[0061]对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理的方式包括喷洒显影液方式和浸泡在显影液方式，具体实现分别为:
[0062]对于喷洒显影液方式，其具体实现可以为:在经过曝光处理的光刻胶层上方向经过曝光处理的光刻胶层喷洒显影液，以通过该显影液对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理
[0063]对于浸泡显影液方式，其具体实现可以为:将基板以及基板上经过曝光处理的光刻胶层浸泡在显影液中，以通过该显影液对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影处理。
[0064]其中，过度显影处理的处理时间大于正常显影处理的处理时间。通常过度显影的处理时间比正常显影处理的处理时间长10%至30%。例如，过度显影的处理时间可以比正常显影处理的处理时间长10%、15%、20%、25%或者30%等。
[0065]假设，过度显影处理的处理时间比正常显影处理的处理时间长20%。对于采用喷洒显影液方式，正常显影处理所需要的处理时间大于或等于80秒且小于或等于120秒，则过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。可选的，过度显影处理的处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒等。
[0066]对于浸泡显影液方式，正常显影处理所需要的处理时间大于或等于60秒且小于或等于100秒，则过度显影处理的处理时间大于或等于72秒且小于或等于120秒。可选的，过度显影处理的处理时间为75秒、80秒、90秒、100秒或110秒等。
[0067]其中，需要说明的是:(I)本实施例采用负性光刻胶，即与未被曝光处理的光刻胶相比，显影液对经过曝光处理的光刻胶的腐蚀速度较慢。实际上，也可以采用正性光刻胶。
(2)显影液具有腐蚀性，能够对经过曝光处理的光刻胶层中的光刻胶进行刻蚀。由于经过曝光处理的光刻胶层中的第一隔垫物对应的曝光区域内的光刻胶和第二隔垫物对应的曝光区域内的光刻胶的分子密度和坚硬度都较高，显影液对第一隔垫物对应的曝光区域内的光刻胶和第二隔垫物对应的曝光区域内的光刻胶刻蚀的速度较慢。参见图2-3，在显影处理时显影液会刻蚀掉第一隔垫物对应的曝光区域周围的光刻胶形成第一光刻胶图案，以及刻蚀掉第二隔垫物对应的曝光区域周围的光刻胶形成第二光刻胶图案。
[0068]由于对光刻胶采用过度显影处理，所以使得第一光刻胶图案靠近基板的底面外边缘具有一圈凹部，第二光刻胶图案靠近该基板的底面外边缘具有一圈凹部。
[0069]其中，第二光刻胶图案距离顶部的距离为预设阈值的位置到顶部的光刻胶体积小于或等于第二光刻胶图案底面外边缘的凹部体积。例如，参见图2-3，第二光刻胶距离顶部的距离为预设阈值的位置为位置A，从位置A到顶部B的光刻胶体积小于或等于第二光刻胶图案底面外边缘的凹部体积。
[0070]可选的，预设阈值可以为0.5微米。
[0071]步骤205:等待预设时间使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物，以及使第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物，第一隔垫物的高度大于第二隔垫物的高度。
[0072]参见图2-4，由于第一光刻胶图案底面外边缘具有凹部，这样第一光刻胶图案表面的光刻胶在重力作用下会向下流动填充第一光刻胶图案底面外边缘的凹部;其中，需要说明的是:如果第一光刻图案的底面外边缘没有凹部，第一光刻胶图案表面的光刻胶可能不会往下流动。以及，由于第二光刻胶图案底面外边缘具有凹部，这样第二光刻胶图案表面的光刻胶在重力作用下会向下流动填充第二光刻胶图案底面外边缘的凹部;其中，需要说明的是:如果第二光刻图案的底面外边缘没有凹部，第二光刻胶图案表面的光刻胶可能不会往下流动。
[0073]由于第二光刻胶图案顶部表面的面积较小，所以位于第二光刻胶顶部的光刻胶会向下流动使得第二光刻胶的高度逐渐降低，使得最终形成的第二隔垫物的高度小于第一隔垫物的高度。
[0074]可选的，在等待预设时间的过程中，可以对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行水洗处理，以清洗第一光刻胶图案和第二光刻胶图案表面的显影液，这样可以防止第一光刻胶图案和第二光刻胶图案表面的显影液继续对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行刻蚀。在水洗后使用风刀对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行吹干处理。
[0075]可选的，预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。例如，预设时间为55秒、60秒或65秒等。
[0076]步骤206:后烘第一隔垫物和第二隔垫物以形成固态的第一隔垫物和第二隔垫物。
[0077]后烘后形成固态的第一隔垫物和第二隔垫物后，就可以用第一隔垫物和第二隔垫物支撑两块基板。
[0078]在本发明实施例中，由于对经过曝光处理的光刻胶层进行过度显影形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，使得形成的第一光刻胶图案靠近基板的底面外边缘具有凹部以及第二光刻胶图案靠近基板的底面外边缘具有凹部，这样等待预设时间，使第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第一隔垫物，以及第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动并填充凹部形成第二隔垫物。如此在制备隔垫物时采用的掩膜板可以是包括完全透光区域和不透光区域的普通掩膜板就可，从而可以简化工艺，降低生产成本。另外，在等待预设时间的过程中，可以对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行水洗处理，防止显影液继续对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行刻蚀。
[0079]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0080]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种隔垫物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括: 在基板上形成光刻胶层； 使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理； 对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理，以在所述基板上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，且以垂直于所述基板的方向为高度方向，使得在相同高度的位置处所述第一光刻胶图案的横截面的面积大于所述第二光刻胶图案的横截面的面积，并且在所述第一光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部，在所述第二光刻胶图案靠近所述基板的底面的外边缘形成有凹部； 等待预设时间使所述第一光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第一光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第一隔垫物，以及使所述第二光刻胶图案表面的光刻胶向下流动以填充所述第二光刻胶图案底面外边缘的凹部形成第二隔垫物，所述第一隔垫物的高度大于所述第二隔垫物的高度； 后烘所述第一隔垫物和所述第二隔垫物以形成固态的所述第一隔垫物和所述第二隔垫物。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜板由全透光区域和不透光区域组成。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括: 在所述等待预设时间的过程中，对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行水洗处理，且在水洗后使用风刀对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行吹干处理。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的步骤之前，还，包括: 在经过曝光处理的所述光刻胶层上方向经过曝光处理的所述光刻胶层喷洒显影液，以通过显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理的处理时间大于或等于96秒且小于或等于144秒。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述处理时间为100秒、110秒、120秒、130秒或140秒。7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理之前，还包括: 将所述基板以及所述基板上经过曝光处理的所述光刻胶层浸泡在显影液中，以通过所述显影液对经过曝光处理的所述光刻胶层进行过度显影处理。8.如权利要求1至7任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于，所述使用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理之前，还包括: 对所述光刻胶层进行预烘烤处理，以使所述光刻胶层变的粘稠。9.如权利要求1至7任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于，所述预设时间大于或等于50秒且小于或等于70秒。10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述预设时间为55秒、60秒或65秒。
【文档编号】G02F1/1339GK106094427SQ201610681530
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月17日 公开号201610681530.6, CN 106094427 A, CN 106094427A, CN 201610681530, CN-A-106094427, CN106094427 A, CN106094427A, CN201610681530, CN201610681530.6
【发明人】郑奉官, 王伟杰, 曾庆慧
【申请人】京东方科技集团股份有限公司