等离子显示面板及其制造方法

专利名称：：等离子显示面板及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种等离子显示面板及其制造方法，尤其涉及同时实现低电压驱动与防止电荷损失的技术。
背景技术：
：等离子显示面板(下面称为PDP)是利用了来自气体放电的放射的平面显示装置。较容易进行高速显示或大型化，在影像显示装置或情报显示装置等领域中被广泛实用化。PDP中有直流型(DC型)与交流型(AC潜力，并且已经实现商品化。图8是作为一般AC型PDP中的放电单位的放电单元构造的示意组图。该图8所示的PDPlx是将前面板2和后面板9贴合而成的。前面板2在前面板玻璃3的单面上，成对配设多个以扫描电才及5和维持电极4为一对的显示电极对6,依次层叠电介质层7和表面层8,以覆盖该显示电极对6。扫描电极5、维持电极4分别层叠透明电极51、41和总线52、42而构成。电介质层7由玻璃软化点为550°C66(TC左右范围的^f氐融点玻璃形成，具有AC型PDP特有的电流限制功能。表面层8实现如下作用，即在保护上述电介质层7和显示电极对6不受等离子放电的离子冲击的同时，高效释放二次电子，使放电开始电压下降。通常，该表面层8使用二次电子释放特性、耐溅射性、光学透明性优良的氧化镁(MgO),以真空蒸镀法或印刷法成膜。与表面层8相同的结构，除了被设置成保护电介质层7和显示电极对6的保护层之外，还被设置成以确保二次电子释放特性为目的的保护层。另一方面，后面板9在后面板玻璃10上同时设置用于写入图像数据的多个数据(地址)电极11,以与所述前面板2的显示电极对6以正交方向交叉。在后面板玻璃10中覆盖数据电极11地配设由低融点玻璃构成的电介质层12。在电介质层12中，在与相邻的放电单元(省略图示)的边界上，组合井字形等的图案部1231、1232而形成由低融点玻璃构成的规定高度的隔壁(肋)13,以区分放电i间15。在电介质层12表面与隔壁13的侧面，形成了涂敷和烧结R、G、B各色的荧光体墨水而构成的荧光体层14(荧光体层14R、14G、14B)。前面板2与后面板9配置成显示电极对6与数据电极11间隔放电空间15后彼此正交，其各周围被密封。此时，在内部密封的放电空间15中，以约数十kPa的压力封入Xe-Ne类或Xe-He类等惰性气体，作为放电气体。以上构成PDPlx。为了通过PDP显示图像，使用将1场的影像分割成多个子场(S.F.)的灰度表现方式(例如场内分时显示方式)。但是，近年来的电气制品期望低功率驱动，PDP也有同样的要求。由于高精细的PDP中放电单元被细微化，放电单元数量亦增大，故产生为了提高写入放电的可靠性而导致动作电压升高的问题。PDP的动作电压依赖于上述表面层的二次电子释放系数(Y)。y是由材料与放电气体确定的值，已知材料的功函数越小，则Y越高。因此，专利文献4中记载了使用氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)等作为保护层的主要成分。据此，可形成具有比MgO良好的二次电子释放特性的高y膜，以较低的电压驱动PDP。专利文献k特开平8-236028号公报专利文献2:特开平10-334809号公报专利文献3:特开2006-54158号公报专利文献4:特开2002-231129号公报专利文献5:WO2005/043578但是，若保护层中使用氧化4丐(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)等，则虽然能够以较低的电压驱动PDP,但保护层中将产生'电荷损失'的问题。所谓'电荷损失，是指PDP驱动时从保护层过度释放电子的现象。CaO、SrO、BaO—般比MgO的杂质吸附性高，若吸附该杂质，则在保护层的带构造中，发生氧缺陷，并在真空能级附近形成无用的能级。这些较浅的能级诱发电荷损失的问题。若在PDP驱动时产生电荷损失，则在子场中的维持期间，不能保持维持放电所需的电荷，导致放电不良。另外，为了解决电荷损失的问题，还考虑为了保持放电所需的电荷而从外部重新提供电荷，但由此驱动电压变高，所以将丧失使用CaO、SrO、BaO的较大优势。另外，在PDP中还存在'放电延迟，的问题。即，在PDP等显示器领域中，影像源的高精细化正在推进，为了正确显示高精细图像，扫描电极(扫描线)数量倾向于增加。例如，在全HDTV中，扫描线的数量为NTSC方式的TV的2倍以上。由于需要在1/60[s]以内驱动1个场，故为了由PDP影像显示高精细影像，需要在子场中的写入期间，使施加于数据电极的脉沖宽度变窄。但是，在PDP驱动时，从电压脉沖的上升沿起至放电单元内发生放电为止，存在被称为'放电延迟'的时滞问题。若为了高速驱动而缩短脉沖的宽度，则'放电延迟，的影响变大，各脉沖宽度内可放电终止的概率变低。结果，产生不亮单元(点亮故障)，损害图像显示性能。另外，公开了如下技术，即对于以MgO为主要成分的保护层而言，通过向MgO结晶中添加Fe、Cr或Si、Al,进行变性，容易释放用于写入放电或维持放电的触发电子，由此实现高速驱动(专利文献1、2),但同样的对策对于CaO、SrO、BaO难说有效。这样，在目前的PDP中，存在难以同时实现的几个i果题，对此还存留着应解决的余地。
发明内容本申请鉴于以上各课题而作出，并以下述的各种情况为目的。第一目的是提供一种等离子显示面板，通过改良保护层的结构，能够以低电压驱动PDP,同时，在保护层中发挥电荷保持特性，可发挥良好的图像显示功能。第二目的是提供一种等离子显示面板，除了发挥上述PDP的低电压驱动化与电荷保持特性的效果外，还防止放电延迟的发生，即便高精细的PDP也可良好地进行高速驱动，从而可实现高品质的图像显示。为了实现上述目的，本发明的PDP构成为配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板的临近放电空间的面上，配设以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层，表面层在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。这里，表面层可由CaO、SrO、BaO中的至少一种以上的固溶体构成。本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设表面层，表面层以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分，并且，仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子这里，表面层可在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。另外，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设表面层，表面层以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分，并且，排除了距真空能级的深度不足2eV的电子能带的存在。另外，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层，表面层在向其表面照射了光能量的情况下，当使光能量的强度升序变化时，以2eV以上的能量开始释放光电子。并且，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设了以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设MgO微粒子，表面层在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。这里，MgO微粒子能够以气相氧化法制作。或者，可以在700。C以上的温度下烧结MgO前驱体而得到。另外，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以CaO、SrO、BaO内的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面中，配设了MgO微粒子，在表面层中，仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带。并且，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设了以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了MgO微粒子，表面层排除了距真空能级的深度不足2eV的电子能带的存在。另外，本发明涉及一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板的临近放电空间的面上，配设了以CaO、SrO、BaO中的至少一种8以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了MgO微粒子，表面层在向其表面照射光能量的情况下，当使光能量的强度升序变化时，以2eV以上的能量开始释放光电子。并且，本发明涉及一种等离子显示面板的制造方法，经过表面层形成工序，在配设了显示电极的第一基板中，在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层；和密封工序，经放电空间，以表面层临近该放电空间的状态密封第一基板与第二基板。这里，在表面层形成工序中，能够以蒸镀法、溅射法、离子电镀法中的一种以上的方法形成表面层。或者，在表面层形成工序中，由CaO、SrO、BaO中的至少1种以上的固溶体形成所述表面层。另外，本发明涉及一种等离子显示面板的制造方法，经过表面层形成工序，在配设了显示电极的第一基板上，在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下，形成以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分的表面层；MgO微粒子配设工序，在表面层中配设MgO微粒子；和密封工序，经放电空间，以表面层临近放电空间的状态密封第一基板与第二基板。这里，在MgO微粒子配设工序中，也可以使用以气相氧化法制作的MgO微粒子。或者，使用以700度以上的温度烧结MgO前驱体而制成的MgCM敬粒子。发明效果通过上述表面层的结构，能够以低电压驱动PDP，同时，在保护层中改善电荷保持特性。并且，通过采用在上述表面层中配设MgO微粒子的结构，除上述效果外，还能够抑制放电延迟的发生，实现高速驱动。这里，本发明的表面层与MgO微粒子的组合，一般在PDP中采用相当于为了保护电介质层而设置的保护层的结构。图l是表示本发明实施方式1的PDP结构的截面图。图2是表示各电极与驱动器的关系的示意图。图3是表示PDP的驱动波形例的图。图4是用于说明本实施方式1的PDP的表面层和现有PDP的表面层的各能级的图。图5是表示阴极场致发光测定中的由碱土类金属氧化物构成的保护层的特性图。图6是表示本发明实施方式2的PDP结构的截面图。图7是表示成膜时的氧气分压与电荷损失电压之间的关系的曲线。图8是表示现有的一般PDP结构的组图。符号说明1、lxPDP2前面板3前面板玻璃4维持电极5扫描电^L6显示电极对7.12电介质层8、8a表面层(高y膜)9后面板10后面一反3皮璃11数据(地址)电极13隔壁14、14R、14G、14B荧光体层15放电空间16MgO微粒子具体实施例方式下面，说明本发明的实施方式及实施例，当然本发明并不限于这些方式，在不脱离本发明的技术范围的范围内，可适当进行变更后实施。<实施方式1>(PDP的结构例)图1是沿本发明实施方式1的PDP1的xz平面的示意性截面图。该PDP1除保护层周边的结构外，整体上与现有结构(图8)相同。PDP1在这里是42英寸等级的NTSC规格例的AC型，但本发明当然也可适用于XGA或SXGA等其它规格例。作为具有HD(HighDefinition:高清晰)以上分辨率的高精细PDP，例如可列举如下标准。在面板尺寸为37、42、50英寸等各种尺寸的情况下，顺序设定为1024x720(像素数)、1024x768(像素数)、1366x768(像素数)。此外，可包含分辨率比该HD面板还高的面板。作为具有HD以上的分辨率的面板，可包含具备1920x1080(像素数)的全HD面板。如图1所示，PDP1的结构大致分为使主面彼此对置配设的前面板2和后面板9。在成为前面板2的基板的前面板玻璃3中，在其一个主面上成对形成多个间隔了规定的放电间隙(75微米)而配设的一对显示电极对6(扫描电极5、维持电极4)。各显示电极对6是相对于由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(Sn02)等透明导电性材料构成的带状透明电极51、41(厚度为0.1微米、宽度为150微米)，层叠由Ag厚膜(厚度为2微米~10微米)、Al薄膜(厚度为0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr层叠薄膜(厚度为0.1微米~1微米)等构成的总线52、42(厚度为7微米、宽度为95微米)而构成。利用该总线52、42降低透明电极51、41的薄膜电阻。这里，所谓'厚膜，是指通过涂敷了包含导电性材料的胶等之后烧结形成的各种厚膜法所形成的膜。另外，所谓'薄膜，是指通过包含溅射法、离子电镀法、电子线蒸镀法等的、使用了真空处理的各种薄膜法所形成的膜。在配设了显示电极对6的前面板玻璃3中，在其整个主面上，利用网印法等形成以氧化铅(PbO)或氧化铋(Bi203)或氧化磷(P04)为主要成分的低融点玻璃(厚度为35微米)的电介质层7。电介质层7具有AC型PDP特有的电流限制功能，并且是实现比DC型PDP寿命长的要素。在电介质层7的放电空间侧的面上，分散配设了膜厚约1微米的表面层8,在该表面层8的表面上分散配设了MgO微米子16。利用该表面层8和MgO微粒子16的组合，构成了对电介质层7的保护层。表面层8是为了保护电介质层7不受放电时的离子沖击，并使放电开始电压降低而配设的，并且由耐贼射性和二次电子释放系数y较好的材料构成。该材料还具备良好的光学透明性、电气绝缘性。另一方面，MgO微粒子16是用于发挥较高的初始电子释放特性而配设的。由此，保护层增效地发挥彼此功能分离的表面层8和MgO微粒子16所具有的特性。另外，在表面层8的表面中的MgO微粒子16的覆盖区域中，可防止从放电空间15附着杂质，实现PDP1的寿命特性的提高。表面层8、MgO微粒子16的细节将在下文进行叙述。另外，图l中为了说明起见，示意性地比实际大地示出了配设在表面层8的表面中的MgO微粒子16。在形成为后面板9的基板的后面板玻璃10中，在其一个主面上，以x方向为长度方向、沿y方向每间隔一定间隔(360微米)条状地设置由Ag厚膜(厚度为2微米~10微米)、Al薄膜(厚度为0.1微米~1微米)或Cr/Cu/Cr层叠薄膜(厚度为0.1微米~1微米)等之一构成的宽度为100微米的数据电极11。另外，内包各个数据电极11地在后面板玻璃9的整个面上配设了厚度为30微米的电介质层12。在电介质层12上进一步配合相邻的数据电极11的间隙，配设井字形的隔壁13(高度约为110微米、宽度为40微米)，通过区分放电单元，防止误放电或光学串扰的发生。在相邻的两个隔壁13的侧面和其间的电介质层12的面上，形成了分别彩色显示用的红色⑧、绿色(G)、蓝色(B)对应的荧光体层14。电介质层12不是必需的，也可直接由焚光体层14内包数据电极11。前面板2与后面板9对置配置，以使数据电极ll与显示电极对6彼此的长度方向正交，两面板2、9的外周缘部由玻璃粉密封。在该两个面板2、9之间，以规定压力封入由包含He、Xe、Ne等惰性气体成分构成的放电气体。隔壁13之间是放电空间15,而相邻的一对显示电极对6与1条数据电极ll夹持放电空间15而交叉的区域，对应于与图像显示有关的放电单元(也称为'子像素，)。放电单元间距为x方向为675微米，y方向为300微米。相邻的RGB各色所对应的3个放电单元构成1个像素(675孩i米x900樣i米)。在每个扫描电极5、维持电极4和数据电极11上，如图2所示，在面板外部连接扫描电极驱动器111、维持电极驱动器112、数据电极驱动器113，作为驱动电路。(PDP的驱动例)12上述结构的PDP1在驱动时，利用包含各驱动器111~113的公知驱动电路(未图示)，向各显示电极对6的间隙施加数十kHz~数百kHz的AC电压。由此，在任意的放电单元内发生放电，向荧光体层14照射包含基于激发Xe原子的波长为147nm主体的谐振线与基于激发Xe分子的波长为173nm主体的分子线的紫外线(图1的虚线和箭头)。荧光体层14-陂激发后发出可见光。之后，该可见光透过前面板2在前面发光。作为该驱动方法的一例，采用场内分时灰度显示方式。该方式将所显示的场分成多个子场(S.F)，再将各子场分成多个期间。1个子场进一步被分割成(1)将全部放电单元变为初始化状态的初始化期间(2)选址各放电单元、并选择对应于输入数据的显示状态后输入到各放电单元的地址(写入)期间(3)使处于显示状态的放电单元显示发光的维持期间(4)擦除由维持放电形成的壁电荷的擦除期间等4个期间。各子场在初始化期间利用初始化脉沖复位画面整体的壁电荷之后，在写入期间进行仅在应点亮的放电单元中存储壁电荷的写入放电，在之后的放电维持期间，通过对全部的放电单元同时施加交流电压(维持电压)，在一定时间内进行放电维持，从而进行发光显示。这里，图3是场中第m个子场中的驱动波形例。如图3所示，向各子场分别分配初始化期间、写入期间、放电维持期间、擦除期间。所谓初始化期间是为了防止此前的放电单元点亮造成的影响(存储的壁电荷造成的影响)，进行画面整体的壁电荷擦除(初始化放电)的期间。在图3所示的驱动波形例中，向扫描电极5施加比数据电极11和维持电极4高的电压(初始化脉冲)，使放电单元内的气体放电。由此产生的电荷存储在放电单元的壁面中以抵消数据电极11、扫描电极5和维持电极4间的电位差，所以在扫描电才及5附近的表面层8和MgO微粒子16的表面中，存储负电荷以作为壁电荷。另外，在数据电极11附近的荧光体层14表面和维持电极4附近的表面层8和MgO微粒子16的表面上，存储正电荷，作为壁电荷。利用该壁电荷，在扫描电极5-数据电极11之间、扫描电极5-维持电极4之间产生规定值的壁电位。写入期间是执行根据分割给子场的图像信号而选择的放电单元的选址(点亮/不点亮的设定)的期间。在该期间中，在使放电单元点亮的情况下，向扫描电极5施加比数据电极11和维持电极4低的电压(扫描脉冲)。即，在向扫描电极5-数据电极11沿与所述壁电位相同方向施加电压的同时，向扫描电极5-维持电极4之间沿与壁电位相同方向施加数据脉沖，产生写入放电(写入放电)。由此，在荧光体层14表面、维持电极4附近的表面层8和MgO微粒子16的表面存储负电荷，在扫描电极5附近的表面层8和MgO微粒子16的表面存储正电荷，并作为壁电荷。如上所述，在维持电极4-扫描电极5之间产生规定值的壁电位。放电维持期间是为了确保对应于灰度的亮度、扩大由写入放电设定的点亮状态后放电维持的期间。这里，在上述壁电荷存在的放电单元中，向一对扫描电极5和维持电极4分别以彼此不同的相位施加维持放电用的电压脉沖(例如约200V的矩形波电压)。由此，对于写入了显示状态的放电单元，在电压极性每次变化时产生脉沖放电。利用该维持放电，从放电空间中的激发Xe原子放射147nm的谐振线，从激发Xe分子放射173nm主体的分子线。该谐振线、分子线照射到荧光体层14表面，进行基于可见光发光的显示发光。之后，利用RGB各色各自的子场单位的组合，进行多色、多灰度显示。在未向表面层8中写入壁电荷的非放电单元中，不产生维持放电，显示状态变为黑显示。在擦除期间中，向扫描电极5施加渐减型的擦除脉冲，由此擦除壁电何。表面层8以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分，在压力为0.025Pa以上的氧气分压环境下，利用溅射法、离子电镀法、蒸镀法等任一方法成膜，降低放电开始电压，发挥改善电荷损失的效果。(放电开始电压的降低)表面层8以CaO、SrO、BaO中的至少一种以上为主要成分。作为CaO、SrO、BaO固有的电子能级而存在的能级存在于距真空能级的深度比MgO浅的区域。因此，在驱动PDP1的情况下，当存在于作为CaO、SrO、BaO固有的电子能级而存在的能级的电子迁移到Xe离子的基底状态时，受到其它电子的俄歇效应而获得的能量比MgO的情况大。另外，该能量是足够使电子超出真空能级而释放的量。结果，在表面层8中，该材料与MgO的情况相比，发挥良好的二次电子释放特性。具体而言，作为CaO、SrO、BaO固有的电子能级而存在的能级存在于距真空能级的深度为6.05eV以下的区域，作为MgO固有的电子能级而存在的能级存在于距真空能级的深度超过6.05eV的区域。下面，使用与表面层8和放电空间中封入的气体间的能量交换相伴随的电子状态迁移路径的说明，详述上述区域中存在固有的电子能级的根据。若放电空间内产生的放电气体引起的离子接近表面层8的表面中可相互作用之处，则存在于构成表面层8的材料所固有的电子能级处的电子将迁移到放电气体离子的基底状态，从而其它电子通过俄歇效应，得到从放电气体离子的基底状态的能级深度中、减去构成表面层8的材料所固有的电子能级的深度后的能量，飞越了至真空能级的能量间隙后，释放2次电子(细节参照专利文献5)。如图4所示，Xe离子在带构造中，在距真空能级12.1eV的深度处具有基底状态的能级。因此，构成表面层8的材料所固有的电子能级，当存在于比上述12.1eV的一半、即6.05eV浅的区域中的情况下(图4中的(a)),得到从离子化状态的能级深度(12.1eV)中减去构成表面层8的材料所固有的电子能级深度的能量(超过6.05eV),从而可飞越至真空能级的能量间隙后，并释放电子。相反，构成表面层8的材料所固有的电子能级，在存在于比上述12.leV的一半、即6.05eV深的能级的情况下(图4中的(b)),即便得到从基底状态的能级深度(12.1eV)中减去构成表面层8的材料固有的电子能级深度的能量(不足6.05eV),也不能飞越至真空能级的能量间隙，不能释放电子。另一方面，通过发明者的其它实验，确认出在放电气体中使用了Xe时的放电开始电压在以MgO为主要成分的保护层中比以CaO、SrO、BaO为主要成分的本实施方式的表面层8高。该倾向与放电气体中的Xe分压成正比，更显著。根据以上描述可知，作为CaO、SrO、BaO固有的电子能级而存在的能级存在于6.05eV以内的区域中，作为MgO固有的电子能级而存在的能级存在于距真空能级的深度超过6.05eV的区域中。通常，各材料固有的带间隙与电子亲和力之和就MgO而言约为8.8eV,就CaO而言约为8.0eV,就SrO而言约为6.9eV,就BaO而言约为5.2eV。这是表面层8中的体相(bulk)部分的观测值。另一方面，在本发明中，MgO的带间隙与电子亲和力之和比6.05eV大，CaO、SrO、BaO的带间隙与电子亲和力之和为6.05eV以下，比上述值还低2eV。这是因为，本实施方式1中的带间隙与电子亲和力之和是表面层8中实际影响放电的表面部分的观测值。表面附近的带间隙比表面层8中的体相的带间隙小是因为在表面部分中，与内部状态不同，曝露于表面侧的原子处于键断开的状态。所谓"表面部分"是指从表面层8的最表面至约数十原子层左右的深度。(电荷损失的改善)表面层8通过在0.025Pa以上的氧气分压环境下成膜CaO、SrO、BaO任一种以上，以混入杂质或氧缺陷少的结晶构造形成。因此，构成为排除了真空能级附近的无用能级，仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带。即，在本实施方式1的表面层8中，排除了距真空能级的深度不足2eV的电子能带的存在。由此，抑制在PDP驱动时从接近真空能级的无用能级过剩地释放电子，除了所述低电压驱动与二次电子释放特性同时成立的效果外，还发挥适当的电子保持特性的效果。该电荷保持特性尤其在初始化期间保持存储的壁电荷、在写入期间防止写入故障进行可靠的写入放电方面4艮有效。具体而言，所谓真空能级附近的无用能级是能量带中距真空能级的深度不足2eV中存在的能级。下面，进行由碱土类金属氧化物构成的保护层中的阴极场致发光测定，利用该测定结果，详述上述的根据。图5中示出进行由碱土类金属氧化物构成的保护层(样品A、样品B)的阴极场致发光测定的结果。照射电子线的能量为3kV,测定波长区域为200~900nm。横轴是将检测到的波长变换为能量的值。样品A、样品B均在3eV附近存在较强的发光频语。另外，样品A在1~2eV附近基本上看不到发光频谱，样品B在1~2eV附近看到了较强的发光频谱。另一方面，通过发明者的其它实验，确认出在使用了样品A的保护层的PDP中，在通常设定驱动电压下不存在基于电荷损失的不亮单元，具有难以引起电荷损失的性质。另外，确认出在使用了样品B的保护层的PDP中，在通常设定驱动电压下存在基于电荷损失的不亮单元，具有容易引起电荷损失的性质。如上可知，PDP驱动时过剩释放的电子是能量带中占有距真空能级的深度不足2eV处存在的能级的电子。(确i^方法)本实施方式1的表面层8利用向以CaO、SrO、BaO为主要成分的表面层8照射光时，对从表面层8释放的电子量进行测定的测定结果，确认出排除了能量带中距真空能级的深度不足2eV中存在的能级。这是因为存在于电子能带的电子获得被照射的光所具有的能量部分的能量，当获得仅超过至真空能级的能量间隙的能量时，便开始电子释放(光电子释放)。即，在排除了不足2eV中存在的能级的表面层8中，当使照射到表面层8的光的能量升序变化时，以2eV以上的能量开始释放电子。另一方面，在0.01Pa左右的氧气环境下使用CaO、SrO、BaO成膜的保护层(例如专利文献4)在不足2eV的能级中形成了多个引起氧缺陷的能级，所以可知，即便不足2eV的能量也开始释放电子。即，作为CaO、SrO、BaO固有的电子能级而存在的能级存在于表面层8的表面部分中6.05eV以内的区域中，并且，表面层8中不足2eV的能级中不存在由氧缺陷等引起的无用能级，从而可同时实现放电开始电压的降低与电荷损失的改善。这里，所谓光是指X射线、紫外线、红外线等宽范围的光。本实施方式1中的表面层8排除如下结构仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带的结构、或存在距真空能级的深度不足2eV的电子能带的结构，但只要是可实现本发明效果的量，则不足2eV中存在多少电子能带都无妨。并且，在本实施方式l中，表面层8构成为以CaO、SrO、BaO中的1种以上为主要成分，但其中CaO的杂质的吸附性较低，在得到高纯度的结晶构造方面很合适。另外，若将表面层8构成为CaO、SrO、BaO的固溶体，则该层还具有抑制杂质吸附的效果，根据多个理由可知，比由单体材料构成该层更合适。如上所述，在0.01Pa左右的氧气环境下使用CaO、SrO、BaO成膜的层(例如专利文献4中记载的保护层)以氧缺陷多的结晶构造形成，所以会在PDP驱动时从接近真空能级的无用能级过剩地释放电子。此时，虽然存在为了弥补壁电荷的保持而提高驱动电压的对策，但在本发明中不需要这种对策，利用低电压驱动来实现功耗的降低。并且，也不需要对应于高驱动电压的驱动电路的耐压对策，在制造成本降低方面具有较大优势。以前存在向保护层中掺杂杂质、或者设置氧缺陷部分从而在距真空能级4eV以内的深度处设置能级的技术(细节参照专利文献5),但这种结构就PDP的寿命特性而言不影响本发明。即，保护层中的杂质或氧缺陷等不是原来的保护层主要成分所固有的电子能级，由于PDP的长期使用，导致保护层的结晶构造发生变化，而逐渐消失。相反，在PDP1中，设置表面层8的主要成分中的固有能级，具有长期发挥稳定的二次电子释放特性的较大优势。通过本发明者的实验，确认出MgO微粒子16具有主要抑制写入放电中的"放电延迟，，的效果、和改善"放电延迟，，的温度依赖性的效果。因此，在本实施方式1中，利用MgCM敖粒子16比表面层8高的初始电子释放特性良好的性质，而配设为驱动时的初始电子释放部。'放电延迟，的主要原因被认为是由于放电开始时，构成触发的初始电子从表面层8表面释放到放电空间15中的量不足所致。因此，由于有助于对放电空间15的电子释放性，所以在表面层8的表面分散配置MgO微粒子16,确保较宽的表面积。由此，驱动初期释放出大量MgO微粒子16中的电子，消除了放电延迟。因此，利用这种初始电子释放特性，即便在PDP1高精细的情况等下也能够放电响应性良好地进行高速驱动。在表面层8的表面上配设MgO微粒子16群的结构中，除主要抑制写入放电中的"放电延迟，，的效果外，还能够得到改善"放电延迟，，的温度依赖性的效果。如上所述，在PDP1中，将对表面层8同时实现低电压驱动与电荷保护两种效果的表面层8与实现了防止放电延迟的效果的MgO微粒子16进行组合，从而作为PDP1整体，即便高精细的PDP也可由低电压进行高速驱动，并且能够实现抑制不亮单元发生的高品质的图像显示性能。并且，MgO微粒子16通过层叠设置在表面层8的表面，从而具有对该表面层8的一定保护效果。即，表面层8具有较高的二次电子释放系数，能够进行PDP的低电压驱动，相反，则具有水或二氧化碳等杂质的吸附性较高的性质。若产生杂质吸附，则损害二次电子释放特性等放电的初始特性。因此，若以MgO微粒子16覆盖这种表面层8，则可防止该覆盖区域中从放电空间15向表面层8的表面吸附杂质。由此，可实现PDP1的寿命特性的提高。<实施方式2>本发明的实施方式2主要说明与实施方式1的差异。图6是表示实施方式2的PDP结构的截面图。在实施方式l中，在表面层8中分散配置MgO微米子16,构成保护层。但是，当面板标准不是全HD(纵向900线以上)的单扫描驱动而是双扫描驱动的情况下，或一般的HD(纵向800线以下)或VGA标准等情况下，基本不要求PDP进行高速驱动。此时，需要配设MgO微粒子16来防止高速驱动PDP时的放电延迟的必要性较低。。实施方式2的PDPla是可适用于这种情况的结构。具体而言，如图6所示，仅由表面层8a构成保护层。即，表面层8a在氧气环境下成膜BaO、CaO、SrO的至少一种以上而构成。根据具有以上表面层8a的实施方式2的PDPla,利用驱动时在氧气环境下处理成膜的、以BaO、CaO、SrO的至少一种以上作为主要成分的表面层8a，发挥良好的二次电子释放特性。结果，PDPla可与实施方式l一样进行低电压驱动。并且，表面层8a通过在0.025Pa以上的氧气分压环境下成膜，从而高纯度形成，抑制不足2eV的无用能级的发生。其结果，防止从该无用的能级过度地释放电子，抑制电荷损失的问题，由此，在实施方式2中，在低电压驱动下，防止不亮单元的发生，可发挥良好的图像显示性能。<PDP的制造方法>下面，说明上述各实施方式中的PDP1和la的制造方法例。PDP1和la的差异实质上仅为有无配设MgO微粒子16,其它制造工序相同。(背面板的制作)在由厚度约2.6mm的苏打石灰(soda-lime)玻璃构成的背面板玻璃10的表面上，利用网印法，以规定间隔条状涂敷以Ag为主要成分的导电体材料，形成厚度为数微米(例如约5微米)的数据电极。作为数据电极11的电极材料，根据需要也可以使用Ag、Al、Ni、Pt、Cr、Cu、Pd等金属、或各种金属碳化物或氮化物等导电性陶瓷等材料或其组合、或将其层叠形成的层叠电极。这里，为了把要制作的PDP1设为40英寸等级的NTSC标准或VGA标准，而将相邻的两个数据电极11的间隔设定为大约0.4mm以下。接着，在形成数据电极的背面板玻璃10的整个面，涂敷厚度约为20~30微米的铅类或非铅类的低融点玻璃或由Si02材料构成的玻璃胶，烧结后形成电介质层。接着，在电介质层12面上以规定的图案形成隔壁13。涂敷低融点玻璃材料胶，使用喷砂法或光刻法，以分割行和列的井字状图案形成放电单元的多个排列，以分割与相邻放电单元(省略图示)的边界周围。一旦形成隔壁13,就在隔壁13的壁面与在隔壁13间露出的电介质层12的表面上，涂敷AC型PDP所通常使用的包含红色(R)荧光体、绿色(G)荧光体、蓝色(B)荧光体之一的荧光墨水。干燥并烧结该墨水，分别构成荧光体层14。可适用的RGB各色荧光的化学组成例如下所示。红色荧光体(Y、Gd)B03:Eu绿色荧光体Zn2Si04:Mn蓝色荧光体BaMgAl10O17:Eu最好各荧光体材料的平均粒径为2.0微米。将其以50质量％的比例放入到工作容器(server)内，投入乙基纤维素(ethylcellulose)1.0质量％、溶剂(a-松油醇)49质量％,以砂磨机搅拌混合后，制作15xl9-3Pa*s的荧光体墨水。之后，用泵从直径60微米的喷嘴向隔壁13间喷射该墨水并涂敷。此时，使喷嘴沿隔壁13的长度方向移动，条状涂敷荧光体墨水。之后，在500。C下烧结IO分钟左右，形成荧光体层14。以上完成背面板9。在上述方法例中，i殳前面板玻璃3和后面板玻璃10由苏打石灰玻璃构成，但它只是作为材料的一例举出，也可由其他的材料构成。(前面板2的制作)在由厚度约2.6mm的苏打石灰玻璃构成的前面板玻璃的面上，制作显示电极6。这里，示出利用印刷法形成显示电极6的实例，但此外也可采用挤压式涂敷(diecoating)法、刮涂法等形成。首先，以条状等规定图案在前面板玻璃上涂敷最终厚度约为100nm的ITO、Sn02、ZnO等透明电极材料并干燥。由此，制作透明电极41、51。另一方面，调整在Ag粉末与有机媒介物中混合了感光性树脂(光分解性树脂)而成的感光性胶，将其重合涂敷于所述透明电极材料上，并以具有所形成的显示电极6的图案的掩膜进行覆盖。之后，从该掩膜上曝光，经显影工序，在590-600。C左右的烧结温度下烧结。由此，在透明电极41、51上形成最终厚度为数微米的总线42、52。根据该光掩膜法，与以往以IOO微米的线宽度为极限的网印法相比，可将总线42、52细线化至30微米左右的线宽度。总线42、52的金属材料，除Ag夕卜，还可使用Au、Al、Ni、Cr或氧化锡、氧化铟等。总线42、52除上述方法以外，也可利用蒸镀法、溅射法等成膜电极材料后，经蚀刻处理后形成。接着，从显示电极6上涂敷混合了软化点为550°C-600。C的铅类或非铅类的低融点玻璃或Si02材料粉末和由二甘醇丁醚醋酸酯(butylcarbitolacetate)等构成的有机粘合剂的胶。之后，在550°C~650。C左右烧结，形成最终厚度为膜厚数微米~数十微米的电介质层7。(表面层8或8a的成膜)实施方式1中的表面层8和实施方式2中的表面层8a可以通过如下的形成工序形成。对电介质层7的表面，在成膜材料中使用至少从CaO、SrO、BaO中选择的一种，在氧气环境下成膜。此外，也可成膜为使上述氧化物彼此固溶的固溶体。成膜方法可采用电子束蒸镀法、溅射法、离子电镀法等公知的方法。在成膜时的环境下，设定成氧气为0.025Pa以上的压力。该压力的实际上限由成膜速率决定。作为一例，在溅射法中1Pa为实际可取得的压力的上限，在作为蒸镀法的一例的EB蒸镀法中，O.lPa为实际可取得的压力的上限。另外，成膜时的环境由于在表面层8(表面层8a)的成膜中防止水分吸附或杂质吸附，故处于与外部隔断的密闭状态，且为利用了干燥气体的干燥环境。作为干燥气体，其露点在-20。C以下，期望为-40。C以下(细节参照专利文献4)。利用这种成膜时的环境的调整，抑制杂质或氧缺陷引起的无用电子能级的形成，构成仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带的表面层8。接着，在制作实施方式1的PDP1的情况下，需要准备MgO微粒子16。MgO微粒子16准备成粉体材料，并采用如下所示的气相合成法或前驱体烧结法之一进行制造。在充满惰性气体的环境下加热镁金属材料(纯度99.9%)。维持该加热状态的同时，向环境中导入少量氧气，使镁直接氧化，从而制作出MgO微粒子16。21在该方法中，在高温(例如70(TC以上)下均匀烧结下面示出的MgO前驱体，渐渐冷却后，得到MgO微粒子。作为MgO前驱体，例如可选择镁醇盐(Mg(OR)2)、镁乙酰丙酮(Mg(acac)2)、氢IU匕镁(Mg(OH)2)、碳酸镁、氯化镁(MgCl2)、硫酸镁(MgS04)、硝酸镁(Mg(N03)2)、草酸镁(MgC204)中的任一种以上(也可以混合使用两种以上)。所选择的化合物通常取水合物的形态，但也可以使用这种水合物。构成MgO前驱体的镁化合物调整为烧结后得到的MgO纯度为99.95%以上，最佳值为99.98%以上。这是因为，若在镁化合物中混合一定量以上的各种碱性金属、B、Si、Fe、Al等杂质元素，则热处理时产生无用的粒子间粘合或烧结，难以得到高结晶性的MgO微粒子。因此，通过去除杂质元素等事先调整前驱体。使通过上述任一方法得到的MgO微粒子16分散到溶媒中。之后，根据喷涂法或网印法、静电涂敷法，使该分散液分散散布到表面层8的表面中(MgO微粒子配设工序)。之后，经千燥烧结工序去除溶媒，使MgO微粒子16定影于表面层8的表面中。(PDP的完成)使用密封用玻璃贴合所制作的前面板2与后面板9。之后，将放电空间15的内部排气到大致高真空(1.0xl(T4Pa),在其中以规定压力(这里为66.5Pa~101Pa)封入Ne-Xe类或He-Ne-Xe类、Ne-Xe-Ar类等放电气体。经过以上工序，完成PDPl或la。<性能评价实验>以溅射法成膜由BaO构成的保护层(对应于实施方式2的表面层8a),调查该成膜时的成膜环境中的氧气分压与电荷损失电压的关系。图7中示出该结果(成膜时的氧气分压与电荷损失电压的关系)。电荷损失电压的值在成膜环境中未添加氧气的情况下的值取1,并绘制其相对值。实验结果如图7所示，可确认出随着成膜环境中氧气分压的上升，电荷损失电压值减少。这是因为，由于成膜环境中添加的氧气，在保护层禁止带内，抑制了氧缺陷引起的较浅的电子能级的形成，其结果是，抑制了从保护层过度地释放电子，确保了恒定的电荷保持特性。另一方面，若电荷损失电压的相对值比0.5大，则在驱动时所需的设定电压下，开始产生不亮单元。根据以上的实验结果可知，成膜环境中的最佳氧气分压为0.025Pa以上。另外，通过本发明者的其它实验，即便成膜方法采用EB蒸镀法、离子电镀法而制作的膜，也能够得到与图7基本相同的结果。另外可知，即便在保护层材料中使用了CaO或SrO的情况下，也可得到与图7基本相同的结果。这里，现有的成膜法存在如下技术，即在O.OlPa左右的氧气环境下使用CaO、SrO、BaO来进行保护层成膜的技术(例如专利文献4)。但是，从图7的内容可知，在这种氧气分压值下得不到本发明的表面层。即，在成膜环境中的氧气分压为0.01Pa左右下，电荷的损失电压为接近1.0的值，其电压值与不向成膜环境中添加氧气的情况几乎相同。因此，为了有效防止PDP中电荷损失的问题，如上所述，应将氧气分压至少设为0.025Pa以上。并且，通过设氧气分压为0.2Pa以上，可得到更显著的改善效果。下面，准备了以下的样品1~IIPDP。这里，样品7和8(实施例1和2)相当于实施方式2的结构，样品10和11(实施例4和5)相当于实施方式1的结构。样品1(比较例1):作为最基本的PDP的现有结构，为由MgO构成的表面层。样品2(比较例2):为由掺杂了Al的MgO构成的表面层。样品3(比较例3):在由MgO构成的表面层上，利用印刷法分散通过烧结MgO前驱体而得到的MgO微粒子的结构。样品4(比较例4):在掺杂了Al的由MgO构成的表面层上，利用印刷法分散通过烧结MgO前驱体而得到的MgO微粒子的层叠体。样品5(比较例5):在氧气分压为OPa(无氧气)下成膜的BaO所构成的表面层。样品6(比较例6):在氧气分压为OPa(无氧气)下成膜的BaO所构成的表面层上，利用喷射法分散以气相法制作的MgO微粒子的结构。样品7(实施例1):在氧气分压为0.2Pa下成膜的BaO所构成的表面层。样品8(实施例2):在氧气分压为0.05Pa下成膜的SrO所构成的表23面层。样品9(实施例3):在氧气分压为0.05Pa下成膜的CaO所构成的表面层。样品10(实施例4):在氧气分压为0.2Pa下成膜的BaO所构成的表面层上，利用喷射法分散以气相法制作的MgO微粒子的结构。样品11(实施例5):在氧气分压为0.05Pa下成膜的CaO所构成的表面层上，利用喷射法分散通过烧结MgO前驱体而制作的MgO微粒子的结构。(放电开始电压的测定)对上述准备的各样品1~11的PDP，测定使用了Xe分压为15%的Xe-Ne混合气体或4吏用了100%Xe气体作为放电气体时的放电开始电压的值。(放电延迟时间和电荷损失的测定)在使用Xe分压为15%的Xe-Ne混合气体作为放电气体的情况下，评价写入放电中的放电延迟和电荷损失。作为评价方法，向各样品1~11的PDP中的任意1个放电单元施加相当于图3所示驱动波形例的初始化脉沖的脉冲，之后，测定施加了数据脉冲和扫描脉冲时产生的放电的统计延迟。另外，对施加了相当于初始化脉冲的脉沖之后保持壁电荷所需的施加电压进行测定，并将其作为电荷损失电压进行测定。任一测定中都设面板温度为25°C。表l中示出上述条件下进行的各实验的结果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>(实验结果)从表1的结果可知，相当于实施方式1的结构的样品10和11(实施例4和5)与样品1~6(比较例1-6)相比，均tf地发挥了放电开始电压的降低效果、放电延迟时间的降低效果、电荷损失电压降低的效果等各特性，具有作为PDP保护层的特别良好的性能。样品10和11(实施例4和5)除了有利于放电气体为100%Xe时的放电开始电压低至350V以下、降低电荷损失电压之外，还具有优良的抑制放电延迟的效果。获得上述各效果的高度平^f的理由如下在规定的氧化环境中成膜为表面层的高y膜起到低电压驱动与电荷保持的作用，MgO微粒子群起到释放在写入放电时所需的初始电子的作用(确保初始电子释放特性)等，使功能分离的各膜的特性增效地发挥。在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下成膜的SrO所构成的保护层上，即便利用喷射法使通过气相合成法或前驱体烧结法制作成的MgCM敫粒子分散构成的情况下，也能够得到与样品10和11(实施例4和5)相同的特性。另一方面，如实施方式2所述，在基本不要求涉及放电延迟时间的特性的情况下，认为样品7~9(实施例1~3)也高度地同时实现发挥放电开始电压的降低效果与降低电荷损失电压，与比较例相比具有明显的优越性。在这些样品7~9(实施例1~3)中，即便在使用100。/。Xe放电气体的情况下，放电开始电压也低至350V以下，具有良好的降低电荷损失电压的效果。因此，在这两点上具有不逊色于样品10、ll的优良的特性。在本案发明人所进行的其它实验中，样品5、7~9(比较例5、实施例1~3)等高y膜中，放电开始电压与放电时间、放置时间一起上升，相反，在样品6、10、11(比较例6、实施例4、5)的PDP中，还同时得到抑制放电开始电压上升的结果。在样品1~4(比较例1~4)中，在使用了100y。Xe放电气体的情况下，放电开始电压为400V以上，所以可知不能进行低电压驱动。另外，在样品5和6(比较例5和6)中，使用了100%Xe放电气体时的放电开始电压为240V以下，良好，但由于得不到电荷保持的效果，所以得不到充分的电荷损失电压的降低效果。因此可知，这些不适于低电压驱动。从以上各实验的结果可知本发明的优越性。工业实用性本发明的PDP特别是作为能够以低电压驱动高精细图像显示的气体放电面板技术，可用于交通组织、公共设施、家庭等中的电视装置和计算机用显示装置等。权利要求1.一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，表面层在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。2.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设表面层，表面层以氧化《丐、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分，并且，仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带。3.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设表面层，表面层以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分，并且，排除了距真空能级的深度不足2eV的电子能带的存在。4.一种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，表面层在向其表面照射了光能量的情况下，当使光能量的强度升序变化时，以2eV以上的能量开始释放光电子。5.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面中，配设以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了氧化镁微粒子，表面层在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。6.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了氧化镁微粒子，在表面层中，仅存在距真空能级的深度为2eV以上的电子能带。7.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以氧化《丐、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了氧化镁微粒子，表面层排除了距真空能级的深度不足2eV的电子能带的存在。8.—种等离子显示面板，配设了显示电极的第一基板经充满放电气体的放电空间，以与第二基板对置的状态被密封，其中在第一基板临近放电空间的面上，配设以氧化4丐、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层，在表面层的放电空间侧的表面上，配设了氧化镁微粒子，表面层在向其表面照射了光能量的情况下，当使光能量的强度升序变化时，以2eV以上的能量开始释放光电子。9.根据权利要求5所述的等离子显示面板，其特征在于氧化镁微粒子通过气相氧化法进行制作。10.根据权利要求5所述的等离子显示面板，其特征在于氧化镁微粒子以700度以上的温度烧结氧化镁前驱体而成。11.根据权利要求1或5所述的等离子显示面板，其特征在于表面层是氧化钓、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上的固溶体。12.根据权利要求2或4所述的等离子显示面板，其特征在于表面层在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成。13.—种等离子显示面板的制造方法，经过表面层形成工序，在配设了显示电极的第一基板上，在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下，形成以氧化4丐、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层；和密封工序，经放电空间，以表面层临近该放电空间的状态密封第一基板与第二基板。14.一种等离子显示面板的制造方法，经过表面层形成工序，在配设了显示电极的第一基板上，在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下，形成以氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上为主要成分的表面层；氧化镁微粒子配设工序，在表面层中配设氧化镁微粒子；和密封工序，经放电空间，以表面层临近放电空间的状态密封第一基板与第二基板。15.根据权利要求14所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于在氧化镁微粒子配设工序中，使用以气相氧化法制作的氧化镁微粒子。16.根据权利要求14所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于在氧化镁微粒子配设工序中，使用以700度以上的温度烧结氧化镁前驱体而制成的氧化镁微粒子。17.根据权利要求13或14所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于在表面层形成工序中，以蒸镀法、溅射法、离子电镀法中的一种以上的方法形成表面层。18.根据权利要求13或14所述的等离子显示面板的制造方法，其特征在于在表面层形成工序中，由氧化钙、氧化钡、氧化锶中的至少一种以上的固溶体形成所述表面层。全文摘要本发明提供一种PDP，在低电压驱动PDP的同时，在保护层发挥电荷保持特性，可实现良好的图像显示性。另外，除上述效果外，通过防止放电延迟的发生，在高精细的PDP中也能够良好地进行高速驱动，从而实现高品质的图像显示。作为所采用的手段，在电介质层(7)的放电空间侧的面上，配置了在氧气分压为0.025Pa以上的氧气环境下形成的膜厚约1微米的表面层(8)，并在该表面层(8)的表面上分散配置MgO微粒子(16)。利用表面层(8)，保护电介质层(7)不受放电时的离子冲击，并在降低放电开始电压的同时，发挥改善电荷损失的效果。另外，利用MgO微粒子(16)，发挥较高的初始电子释放特性。文档编号H01J9/02GK101479827SQ20078002431公开日2009年7月8日申请日期2007年4月27日优先权日2006年4月28日发明者寺内正治,桥本润,福井裕介,西谷干彦,西谷辉,辻田卓司申请人:松下电器产业株式会社