专利名称：蚀刻系统及蚀刻液再生方法
技术领域：
本发明涉及电路板制作领域，尤其涉及一种蚀刻系统及一种蚀刻液再生方法。
背景技术：
电路板中的导电线路通常通过对铜箔层进行影像转移蚀刻形成。具体为，首先在 铜箔层表面形成感光材料层，然后对感光材料层进行曝光及显影，从而在铜箔层表面形成 与欲形成的导电线路图形相同的感光材料图形，最后对形成有感光材料图形进行蚀刻，使 得铜箔层被感光材料遮盖的部分不被蚀刻而没有被感光材料遮盖的部分被蚀刻，从而得到 导电线路。对铜箔层进行蚀刻采用的蚀刻液通常为二价铜的酸性溶液。在蚀刻液进行蚀刻之 后，通常需要对其进行再生而使其再次使用。现有技术中，蚀刻系统通常包括喷液装置、承 载输送装置及集液槽，承载输送装置位于喷液装置与集液槽之间，喷液装置与集液槽之间 连接有输液管及泵，并且集液槽与再生剂输入管及废液槽相连接，喷液装置将集液槽中的 蚀刻液通过喷液装置喷至承载输送装置上的电路基板，蚀刻液蚀刻电路基板后流回至集液 槽内，同时，再生药水也注入集液槽中，蚀刻电路板后的旧液没有与再生剂充分反应均勻就 被输送至喷液装置，使得喷液装置喷洒的蚀刻液成分不稳定。另外，蚀刻液如此循环使用， 使得集液槽内的蚀刻液中铜的二价离子和一价离子的浓度之和即蚀刻液的密度不断增加， 从而不能保证蚀刻液的蚀刻能力，使得蚀刻电路板的速率和质量不能得到保证。
发明内容
因此，有必要提供一种蚀刻系统及一种蚀刻液再生方法，能够使得再生的蚀刻液 成分均勻稳定。以下将以实施例说明一种蚀刻系统及蚀刻液再生的方法。一种蚀刻系统，用于蚀刻电路板，所述蚀刻系统包括喷液装置、集液槽及设置于集 液槽外的蚀刻液再生装置，所述喷液装置用于向电路板表面喷淋蚀刻液，所述集液槽用于 收容蚀刻电路板后的蚀刻液，所述蚀刻液再生装置包括再生反应塔和再生液存储塔，所述 再生反应塔用于对从集液槽定量注入的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生，所述再生液存储 塔用于存储再生处理后的蚀刻液，并将该再生处理后的蚀刻液供应至喷液装置。—种蚀刻液再生方法，包括步骤提供所述的蚀刻系统；将定量集液槽内的蚀刻 电路板后的蚀刻液注入至蚀刻液再生装置的再生反应塔内；对再生反应塔内的蚀刻电路板 后的蚀刻液进行再生处理，从而得到再生处理后的蚀刻液；将再生处理后的蚀刻液注入再 生液存储塔内，以向喷液装置供应再生处理后的蚀刻液。与现有技术相比，本技术方案提供的蚀刻系统，能够将蚀刻电路板后的蚀刻液从 集液槽内转移到再生装置内进行批量再生处理，再将批量再生处理后的成分均勻的蚀刻液 用于进行后续的蚀刻，从而可以避免直接在集液槽内直接进行再生后直接应用而使得的再 生处理后的蚀刻液成分不均勻导致的蚀刻速率不稳定的问题。
图1是本技术方案实施例提供的蚀刻系统的示意图。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本技术方案提供的蚀刻系统作进一步说明。请参阅图1，本技术方案实施例提供的蚀刻系统100包括喷液装置110、集液槽 120、蚀刻液再生装置130、连通于集液槽120与蚀刻液再生装置130之间的第一导液管 140、安装于第一导液管140的第一泵160a、连通于喷液装置110与蚀刻液再生装置130之 间的第二导液管150及安装于第二导液管150的第二泵160b。喷液装置110包括至少一根喷管111。喷管111设有多个喷口 112，用于向进行蚀 刻的电路板表面喷洒蚀刻液。喷管111与第二导液管150及第二泵160b相连通。当然，喷 管111可以为多根，多根喷管111可以相互平行设置，从而喷口 112喷出的蚀刻液覆盖较大 面积，能够提高蚀刻的速率。集液槽120设置于喷液装置110的下方，用于容纳蚀刻电路板后的蚀刻液。集液 槽120与蚀刻液再生装置130通过第一导液管140及安装于第一导液管140的第一泵160a 向蚀刻液再生装置130注入蚀刻电路板后的蚀刻液。当然，可以在喷液装置110与集液槽120之间设置输送承载装置(图未示)，以用 于承载和传送进行蚀刻的电路板。该输送承载装置可以为多根平行设置的传送滚轮，使得 电路板沿垂直于滚轮的延伸方向移动。蚀刻液再生装置130包括依次设置的蚀刻液存储塔131、再生反应塔132及再生液 存储塔133、连通于蚀刻液存储塔131与再生反应塔132之间的第三导液管134、安装于第 三导液管134的第三泵160c、连通于再生反应塔132与再生液存储塔133之间的第四导液 管135及安装于第四导液管135的第四泵160d。蚀刻液存储塔131与集液槽120相互连 通，用于将集液槽120内的进行蚀刻电路板后的蚀刻液通过第一泵160a及第一导液管140 注入蚀刻液存储塔131，并使得蚀刻液存储塔131存储的旧液达到一预设体积。再生反应塔132与蚀刻液存储塔131的底部通过第三导液管134及第三泵160c 相互连通，当蚀刻液存储塔131内的蚀刻电路板后的蚀刻液达到一定体积时，控制第三泵 160c使得蚀刻电路板后的蚀刻液通过第三导液管134注入至再生反应塔132，并在再生反 应塔132内对蚀刻电路板后的蚀刻液进行检测并进行再生处理。再生反应塔132具有相对 的顶端1321和底端1322。本实施例中，在顶端1321设置有水输入管1323及再生剂输入 管1324，并且从顶端1321向再生反应塔132内安装有搅拌器1325及侦测元件13沈。在底 端1322设置有排液管1327，用于将部分蚀刻电路板后的蚀刻液排出，以防止整个蚀刻系统 100内的蚀刻液体积不断增加。水输入管1323与储水装置(图未示)相连通，用于向再生 反应塔132内注入水。再生剂输入管13M与再生剂存储装置相连通，用于向再生反应塔 132内注入再生剂。侦测元件13 用于检测再生反应塔132内注入的蚀刻电路板后的蚀 刻液的密度并显示再生反应塔132内溶液的需要侦测的成分的浓度，如过氧化氢或氢离子 等。根据侦测的蚀刻电路板后的蚀刻液密度通过分析计算确定排液管1327排出的旧液的 体积和水输入管1323注入的水的体积，以使得再生反应塔132内的溶液密度在要求的密度范围。根据调整密度后的溶液中的侦测成分的浓度再计算得出加入再生剂的多少。搅拌器 1325用于搅拌加入再生剂的蚀刻液，使得蚀刻液与再生剂充分混合并产生反应，使得蚀刻 液被再生完全，得到成分均勻的再生处理后的蚀刻液。第四导液管135与第四泵160d用于将再生反应塔132再生处理后的蚀刻液送至 再生液存储塔133。再生液存储塔133与再生反应塔132和喷管111均相连通，用于存储再生反应塔 132再生处理后蚀刻液，并将再生处理后的蚀刻液通过第二导液管150及安装于第二导液 管150的第二泵160b供应至喷管111用于蚀刻电路板。当然，当集液槽112的容积较大时，蚀刻液再生装置130也可以不具有蚀刻液存储 塔131，而直接将再生反应塔132与集液槽120相互连通，并通过第一泵160a及第一导液 管140将集液槽120蚀刻电路板后的蚀刻液向再生反应塔132注入一预定体积。另外，再 生液存储塔133也可以为相互连通的两个，从而可以存储更多的再生处理后的蚀刻液，以 满足喷液装置110消耗蚀刻液较快时的需要。采用本技术方案提供的蚀刻系统进行时刻液的再生包括如下步骤第一步，利用第一导液管140及第一泵160a将集液槽120内的蚀刻电路板后的蚀 刻液注入至蚀刻液再生装置130的再生反应塔132内。本实施例中，利用第一导液管140及第一泵160a将集液槽120内一定体积的蚀刻 电路板后的蚀刻液注入至蚀刻液存储塔131内，然后再经过第三导液管134和第三泵160c 将一定体积的蚀刻电路板后的蚀刻液注入再生反应塔132内。当蚀刻液再生装置130不具 有蚀刻液存储塔131时，可以将蚀刻电路板后的蚀刻液注入至再生反应塔132中。第二步，对再生反应塔132内的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生处理。首先，采用侦测元件13 侦测再生反应塔132内的蚀刻电路板后的蚀刻液，根据 侦测的蚀刻电路板后的蚀刻液的密度将部分蚀刻后的旧液排出，并通过水输入管1323注 入水以调整再生反应塔132内蚀刻液的密度。蚀刻电路板后的蚀刻液因为其中溶解有电路 板铜层的铜，使得蚀刻电路板后的蚀刻液的密度大于未进行蚀刻之前的蚀刻液的密度。可 以理解，当蚀刻后的旧液的密度越大，其中含有的一价铜离子和二价铜离子的总浓度越大。 为了保证再生后的蚀刻液中二价铜离子的含量在预定的范围内，故需要将蚀刻液的密度控 制在一定范围内。本实施例中，通过将部分蚀刻后旧液排出而加入水的方式来调整再生反 应塔132内蚀刻液的密度。然后，根据侦测元件13 侦测调整密度后的再生反应塔132内蚀刻液中侦测的特 定成分的浓度，向蚀刻再生反应塔132内加入再生剂，使得再生剂与再生反应塔132内蚀刻 液反应形成再生蚀刻液。通过再生剂输入管13 向再生反应塔132加入再生剂。本实施 例中，加入的再生剂为氯化氢水溶液和过氧化氢，使得蚀刻电路板后的蚀刻液中的一价铜 离子被氧化生成二价铜离子，从而保证了再生后的蚀刻液中含有的用于蚀刻电路板中的铜 箔的二价铜离子浓度满足要求。采用搅拌器1325对再生剂与再生反应塔132内蚀刻液进 行搅拌，使得再生剂与再生反应塔132内蚀刻液充分反应，从而得到各组分的浓度满足要 求的再生后蚀刻液。第三步，将所述再生处理后的蚀刻液从再生反应塔132转移至再生液存储塔133 内，以用于向喷液装置110供应。
本技术方案提供的蚀刻系统，能够将蚀刻电路板后的蚀刻液从集液槽内转移到再 生装置内进行批量再生处理，再将批量再生处理后的成分均勻的蚀刻液用于进行后续的蚀 刻，从而可以避免直接在集液槽内直接进行再生后直接应用而使得的再生处理后的蚀刻液 成分不均勻导致的蚀刻速率不稳定的问题。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做 出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种蚀刻系统，用于蚀刻电路板，所述蚀刻系统包括喷液装置、集液槽及设置于集液 槽外的蚀刻液再生装置，所述喷液装置用于向电路板表面喷淋蚀刻液，所述集液槽用于收 容蚀刻电路板后的蚀刻液，所述蚀刻液再生装置包括再生反应塔和再生液存储塔，所述再 生反应塔用于对从集液槽定量注入的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生处理，所述再生液存 储塔与喷液装置相连通，用于存储再生处理后的蚀刻液，并将该再生处理后的蚀刻液供应 至喷液装置。
2.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，所述集液槽与再生反应塔之间设置有 第一导液管及第一泵，所述第一泵安装于第一导液管，用于通过第一导液管定量抽取集液 槽内的蚀刻电路板后的蚀刻液以注入再生反应塔，所述蚀刻系统还包括设置于喷液装置与 蚀刻液再生装置之间的第二导液管与安装于第二导液管的第二泵，所述第二导液管用于连 通喷液装置与蚀刻液再生装置，所述第二泵用于通过第二导液管抽取蚀刻液再生装置中再 生后的蚀刻液以注入喷液装置。
3.如权利要求2所述的蚀刻系统，其特征在于，所述蚀刻液再生装置还包括蚀刻液存 储塔、第三导液管以及第三泵，所述蚀刻液存储塔设置于第一导液管和第三导液管之间，所 述第一导液管连通集液槽与蚀刻液存储塔，所述第三导液管连通蚀刻液存储塔与蚀刻液再 生塔，所述第三泵设置于第三导液管，用于通过第三导液管定量抽取蚀刻液存储塔中蚀刻 电路板后的蚀刻液注入再生反应塔。
4.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，所述再生反应塔设置有再生剂输入管 和水输入管，所述再生剂输入管用于向再生反应塔内注入再生剂，所述水输入管用于向再 生反应塔内注入水。
5.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，所述再生反应塔设置有排液管，用于排 除部分从集液槽注入的蚀刻电路板后的蚀刻液。
6.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，所述再生反应塔内安装有侦测元件，所 述侦测元件用于侦测再生反应塔内的注入的蚀刻液的密度并测试蚀刻液中特定成分的含量。
7.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，所述再生反应塔内安装有搅拌器，用于 搅拌再生反应塔内的蚀刻液。
8.一种蚀刻液再生方法，包括步骤提供如权利要求1所述的蚀刻系统；将定量集液槽内的蚀刻电路板后的蚀刻液注入至蚀刻液再生装置的再生反应塔内；对再生反应塔内的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生处理，从而得到再生处理后的蚀刻 液；及将再生处理后的蚀刻液注入再生液存储塔内，以向喷液装置供应再生处理后的蚀刻液。
9.如权利要求8所述的蚀刻液再生方法，其特征在于，所述再生反应塔内设置有侦测 元件，所述侦测元件用于侦测再生反应塔内的注入的蚀刻液的密度并测试蚀刻液中特定成 分的含量，在对再生反应塔内的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生处理包括步骤采用侦测元件侦测再生反应塔内的蚀刻电路板后的蚀刻液的密度，根据侦测的密度排 除部分蚀刻电路板后的蚀刻液，并向再生反应塔内注入水以调整再生反应塔内蚀刻液的密度；及侦测元件侦测蚀刻液中特定成分的含量，根据侦测的特定成分的含量向再生反应塔内 注入再生剂以对再生反应塔内的蚀刻液进行再生。
10.如权利要求9所述的蚀刻液再生方法，其特征在于，在注入再生剂之后还包括搅拌 反应塔内的蚀刻液和再生剂以使蚀刻液和再生剂充分反应的步骤。
全文摘要
一种蚀刻系统，用于蚀刻电路板，所述蚀刻系统包括喷液装置、集液槽及设置于集液槽外的蚀刻液再生装置，所述喷液装置用于向电路板表面喷淋蚀刻液，所述集液槽用于收容蚀刻电路板后的蚀刻液，所述蚀刻液再生装置包括再生反应塔和再生液存储塔，所述再生反应塔用于对从集液槽定量注入的蚀刻电路板后的蚀刻液进行再生，所述再生液存储塔用于存储再生处理后的蚀刻液，并将该再生处理后的蚀刻液供应至喷液装置。本发明还提供一种蚀刻液再生的方法。
文档编号C23F1/46GK102061473SQ20091030952
公开日2011年5月18日 申请日期2009年11月11日 优先权日2009年11月11日
发明者郑建邦 申请人:富葵精密组件(深圳)有限公司, 鸿胜科技股份有限公司