专利名称：一种用于mocvd的基片加热炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种工业加工用电热炉，尤其涉及一种用于金属有机物化学气相 沉积制备半导体芯片或其它集成电路的基片加热炉。
背景技术：
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemieal VaporDePosition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种 新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作 为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II-VI 族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都 是在常压或低压(lO-lOOTorr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为 500-1200°C，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液 体源鼓泡携带金属有机物到生长区。该MOCVD系统必不可少的组成部分包括源供给系统、气体运输系统、反应室和加 热系统、尾气处理系统和安全保护及报警系统。其中加热系统部分，传统加热炉加热升温较 慢、加热温度的均勻性较难保证，在高温条件下运行往往有问题而不易长时间运行。这主要 是由于加热炉的电阻加热材料选择及布局不合理、炉子的整体设计结构及分区控制等多方 面存在问题造成的。因此，为适应MOCVD外延生长单晶薄膜的要求，改进加热系统势在必 行。
发明内容鉴于上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的是提出一种用于MOCVD的基片 加热炉，为MOCVD工艺提供一种加热均勻、升温速度快、热容量小、降温快的加热系统理想 环境。本实用新型的目的，将通过以下技术方案得以实现一种用于MOCVD的基片加热炉，包括炉体、加热电阻丝和电极，其特征在于所述 炉体为圆柱状结构，架设于耐高温的绝缘隔板之上，炉体内穿设有一组以上加热电阻丝，且 所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层，绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。进一步地，上述一种用于MOCVD的基片加热炉，其中该多组加热电阻丝沿炉体圆 面呈环形均勻分布。更进一步地，上述同一炉体圆面上穿设有四组加热电阻丝，其中一组加热电阻丝 间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈，另三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中 心；或其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列，中间为另一组电热丝反复弯绕形 成的复数个“C”形套圈。进一步地，上述一种用于MOCVD的基片加热炉，其中该多组加热电阻丝沿炉体圆 面呈环形均勻分布的同时，沿炉体轴向立体分布，并且该立体分布还可以是立体错位分布。
3[0010]进一步地，上述一种用于MOCVD的基片加热炉，其中该热屏蔽层为由耐高温金属 板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构。本实用新型加热炉得以应用实施后，其突出效果为本实用新型的电热炉结构，一方面提高了电热炉的功率密度和真空常压下的最大 加热温度；采用多组加热电阻丝的布局，可以更细致地调节温度分布，达到加热均勻的目 的；并且采用金属薄板和绝缘材料间隔形成热屏蔽层，降低了炉体圆面边缘的温度梯度，使 加热炉形成恒温区，并在断电后迅速降温。
图1是本实用新型加热炉的轴剖结构示意图；图2是本实用新型加热炉电阻丝安装的一个较佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下便结合实施例附图，对本实用新型的具体实施方式
作进一步的详述，以使本 实用新型技术方案更易于理解、掌握。如图1所示，是本实用新型加热炉的轴剖结构示意图。从图中所示可以清楚地看 出该用于MOCVD的基片加热炉，电阻加热材料、炉体2、热屏蔽层3、绝缘隔板4、电极5等 部件构成，其中该电阻加热材料主要为加热电阻丝1，该炉体2呈圆柱状，架设于耐高温的 绝缘隔板4之上，炉体2的每个圆面内穿设有一组以上加热电阻丝1，该设有加热电阻丝1 的炉体圆面可以为单层分布结构，也可以是沿炉体轴向多层分布的立体结构，而且更可以 是多层错位分布的立体结构。此外，该炉体2的环状外壁设有热屏蔽层3，该热屏蔽层3为由耐高温金属板及耐 高温绝缘材料相叠构成的多层结构，且上下无盖，有利于快速升降温。且该绝缘隔板4下侧 设有用于外接电源的电极5或其引出电极6，电极固定在绝缘材料上，固定方式是通过绝缘 固定套连接。以上只是本实用新型用于MOCVD的基片加热炉的基本结构，其还可具有进一步的 优化方案如图2和图3所示，是本实用新型加热炉在任一炉体圆面上加热电阻丝的分布结 构示意图。虽然两种实施方式均为在同一炉体圆面上穿设四组加热电阻丝。但是分布方 式的差异具体来看前者是其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈，另三组 加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心；而后者是其中三组加热电热丝分别呈 120°角度分布排列，中间为另一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。无论采用哪 一种分布结构，均等同得到使得炉体圆面上呈环形均勻分布电阻加热丝的效果。
权利要求一种用于MOCVD的基片加热炉，包括炉体、加热电阻丝和电极，其特征在于所述炉体为圆柱状结构，架设于耐高温的绝缘隔板之上，炉体内穿设有一组以上加热电阻丝，且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层，并在绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。
2.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述一组以上 的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均勻分布。
3.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述同一炉体 圆面上穿设有四组加热电阻丝，其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈，另 三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心。
4.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述同一炉体 原面上穿设有四组加热电阻丝，其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列，中间为另 一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。
5.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述一组以上 的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均勻分布的同时，沿炉体轴向立体分布。
6.根据权利要去5所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述一组以上 的加热电阻丝沿炉体轴向呈立体错位分布。
7.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉，其特征在于所述热屏蔽层 为由耐高温金属板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构。
专利摘要本实用新型揭示了一种用于MOCVD的基片加热炉，包括炉体、加热电阻丝和电极，其特征在于所述炉体为圆柱状结构，架设于耐高温的绝缘隔板之上，炉体内穿设有多组平面内均匀分布或多平面立体分布的加热电阻丝，且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层，并在绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。应用本实用新型的加热炉，一方面提高了电热炉的功率密度和真空常压下的最大加热温度；可以更细致地调节温度分布，达到加热均匀的目的；并且采用金属薄板和绝缘材料间隔形成热屏蔽层，降低了炉体圆面边缘的温度梯度，使加热炉形成恒温区，并在断电后迅速降温。
文档编号C23C16/18GK201670873SQ20102017531
公开日2010年12月15日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日
发明者吴向方, 李春成 申请人:苏州索乐机电设备有限公司