技术特征：
技术总结
一种化学机械研磨方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(CMP)工艺至晶圆的一第一侧，以及于CMP工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。该化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。
技术研发人员：刘志文;涂哲豪;粘博钦;洪伟伦;陈盈淙
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.09.12