化学机械研磨方法与流程

本发明实施例主要涉及一种研磨方法，特别涉及一种化学机械研磨方法。

背景技术：

于半导体集成电路(ic)工业中，于ic材料以及设计上的技术的进步产生了多许ic世代，其中每一世代相较于前一世代具有较小以及更为复杂的电路。于ic演进的课题中，当几何尺寸(例如，可使用一工艺能制造的最小的元件(或是线))缩小，而功能密度(functionaldensity)(例如，每一晶片区域中互连装置的数目)却普遍地增加。这种缩小的过程普遍提供了增加生产效率以及降低相关成本等益处。这种缩小亦增加了ic工艺与制造的复杂度。

一种经常使用于半导体制造工业的工艺为一化学机械研磨(cmp)工艺。cmp工艺涉及当供应一泥浆溶液时于一研磨垫上研磨晶圆的表面。典型的泥浆溶液包括帮助破坏晶圆表面的化学品。典型的泥浆溶液亦包括悬浮于泥浆溶液中的磨料颗粒以提供帮助破坏晶圆的表面的机械力。cmp工艺的目的为使得晶圆的表面尽可能地平坦。因此，需要找到方法来改进cmp工艺以提供更为平坦的表面。

技术实现要素：

本发明实施例的主要目的在于提供一种化学机械研磨方法，以使晶圆的表面更为平坦。

本发明实施例提供了一种化学机械研磨方法，包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(cmp)工艺至晶圆的一第一侧，以及于cmp工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。

本发明实施例提供了一种化学机械研磨方法，包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度，将晶圆邻近于一薄膜放置，以及当实施一化学机械研磨(cmp)工艺至晶圆的一第一侧，利用薄膜来施加一额外的压力至晶圆的一可选择的区域，可选择的区域对应于第一部分，区域对应于晶圆的一非对称部分。

本发明实施例提供了一种用以实施一化学机械研磨(cmp)工艺的一系统包括一测量模块，用以确定的一晶圆的一轮廓以及一cmp模块，包括一研磨垫、一限位环以及一研磨头，用以施加可变的压力至被限位环固定的晶圆的不同的部分，不同的部分于一非圆形网格上为可个别选择的。上述系统还包括一控制模块，用以判定晶圆的多个部分具大于一特定的厚度的一较厚的厚度以及使研磨头施加额外的压力至晶圆的多个区域，其对应于具大于一特定的厚度的一较厚的厚度的晶圆的部分。

本发明实施例提供的化学机械研磨方法的优点和有益效果在于：本发明提供的化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。

附图说明

本发明实施例可经由下列的实施方式以及配合对应的附图被良好的了解。需强调的是，相对于业界中的标准实施，很多的特征并未依据尺寸绘制，而只用于说明的目的。事实上，多种特征的尺寸为了清楚对其进行说明目的，而被增加或是减少。

图1a为根据于此处所描述的原理的一例子的主要固持于一cmp设备内的一晶圆的侧视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图1b为根据于此处所描述的原理的一例子的一cmp设备的俯视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图2a为根据于此处所描述的原理的一例子的使用于一cmp设备的一薄膜的剖视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图2b为根据于此处所描述的原理的一例子的使用于cmp设备的薄膜的俯视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图3a为根据于此处所描述的原理的一例子的使用于cmp设备的一薄膜的剖视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图3b为根据于此处所描述的原理的一例子的使用于cmp设备的薄膜的俯视图，上述cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆的不同区域。

图4a为根据于此处所描述的原理的一例子的一晶圆的俯视图，其中显示了于实施cmp工艺之前的晶圆的多种轮廓。

图4b为根据于此处所描述的原理的一例子的晶圆的俯视图，其中网格线表示了可选择施加额外的压力的不同区域。

图5a为根据于此处所描述的原理的一例子的一晶圆的俯视图，其中显示了于实施cmp工艺之前的晶圆的多种轮廓。

图5b为根据于此处所描述的原理的一例子的晶圆的俯视图，其中网格线表示了可选择施加额外的压力的不同区域。

图6为根据于此处所描述的原理的一例子的对其进行说明系统的系统图，其中上述系统可于一cmp工艺中用于选择性和非对称性地施加不同量的压力至一晶圆。

图7为根据于此处所描述的原理的一例子的对其进行说明系统的流程图，其中上述系统可于一cmp工艺中用于选择性和非对称性地施加不同量的压力至一晶圆。

附图标记说明：

100～cmp设备

102～研磨垫

103～研磨头

104～晶圆

106～限位环

108～薄膜

110～组

112～喷气头

202～薄膜

204～坚固部

206～多孔区域

208、208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6～喷气头

210～气体

211～顶侧(上表面、第一侧)

212～区域

213～底侧(下表面、第二侧)

214～区域

302～薄膜

304～气体

306～区域

308～多孔区域

310～坚固部

402～晶圆

404、406～部分

502～晶圆

504、506～部分

600～cmp系统

602～控制模块

604～测量模块

606～测量晶圆台

608～晶圆

610～cmp模块

700～方法

702、704、706、708～步骤

具体实施方式

下述的说明提供了许多不同的实施例或是例子，用来实施本发明实施例的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，仅用来精简的表达本发明实施例，其仅作为例子，而并非用以限制本发明实施例。例如，第一特征在一第二特征上或上方的结构的描述包括了第一和第二特征之间直接接触，或是以另一特征设置于第一和第二特征之间，以致于第一和第二特征并不是直接接触。此外，本发明实施例于不同的例子中沿用了相同的元件标号及/或文字。前述的沿用仅为了简化以及明确，并不表示于不同的实施例以及设定之间必定有关联。

再者，使用于此的空间上相关的词汇，例如向下(beneath)、下方(below)、较低(lower)、上方(above)或较高(upper)等，用以简易描述附图上的一元件或一特征相对于另一元件或特征的关系。空间上相关的词汇意指除了附图上描述的方位外，包括于不同的方位于使用或是操作的装置。上述装置可以其他方式定向(旋转90度或是于其他方位)以及使用于此的空间上的相关描述来解释。

如上所述，cmp工艺的目的是使晶圆的表面尽可能的平坦。因此，需要发现一些方法来改进cmp工艺以提供更平坦的表面。一些现有的cmp设备(cmptools)经由多个圆形区域(radialzones)施加不同的压力至一晶圆。特别地是，施加于一特定的半径范围(specificradius)的额外的压力(additionalpressure)于上述半径范围(radius)中施加于整个晶圆。

根据此处描述的原理，额外的压力可于一非对称方式实施。换句话说，于晶圆内的多种区域并不会分割为被施加额外的压力的多个圆形区域。举例而言，判定晶圆具有大于平均厚度的一特定部分应于cmp工艺中被较少。额外的厚度(additionalthickness)可通过于对应于具有较大厚度的部分的一特定区域施加额外的压力被消除。然而，不应于并不具有额外厚度的区域中施加额外的压力。于一例子中，cmp设备可施加额外的压力至根据一非对称网格所分隔的一特定的区域。于一些例子中，非对称网格可为非圆形网格，例如一矩形网格。

图1为一晶圆104被固持于一cmp设备100内的侧视图，cmp设备100用以选择性地施加额外的压力至晶圆104的不同区域。根据本例子，cmp设备100包括一研磨垫102以及一研磨头103。研磨头103包括一限位环106以及一组110的喷气头(gashead)112。

研磨垫102一般为平的，且具有圆形表面。晶圆压至于上述圆形表面上以实施一cmp工艺。研磨垫102一般大于晶圆104的表面。于一些例子中，研磨垫102被一旋转平台所支撑。于cmp工艺中，当研磨垫102旋转时，晶圆104被压至研磨垫102。此外，于cmp工艺中，cmp泥浆供应于研磨垫102。

于cmp工艺中，研磨头103用以将一晶圆104压至研磨垫102。于本例子中，研磨头103包括一限位环106，用以固定晶圆104。此外，研磨头103包括一组110的喷气头112，其可通过一薄膜108供应气体至晶圆104的不同区域。薄膜108被放置于邻近于晶圆104的位置，并位于相反于晶圆104下压于研磨垫102的一侧。

图1b为cmp设备的俯视图，上述cmp设备用以选择性地将额外的压力施加至晶圆的不同区域。俯视图显示了薄膜108以及位于一矩形网格图案内的多个喷气头112。此外，亦可使用其他的图案。举例而言，喷气头112可经由排列，以使喷气头112的每一列或行与相邻的列或行相互间隔。此外，可具有多种数目的喷气头112。本例子绘制了六列以及六行的喷气头112。于一些例子中，可具有不同数目的列以及行。为了讨论的目的，喷气头112的列的数目可以被表示为字母x，且喷气头112的行的数目可以被表示为字母y。于一些例子中，x可相等于y。于一些例子中，x可小于或大于y。特别的是，于一些例子中，x可为3，且y可为4。于一些例子中，x可为4，且y可为3。此外，其他的例子可同样地被考虑。

一般而言，cmp设备100具有较多的喷气头112，以选择性地供应额外的压力至晶圆的较小且较多的区域。举例而言，假使x等于2且y等于2，因此cmp设备100将具有四个喷气头112。因此，可施加额外的压力至四个不同的区域。于另一例子中，假使喷气头112的总数为100，因此cmp设备100可选择性地施加额外的压力至晶圆的100个不同、个别的区域上。

图2a为使用于cmp设备的薄膜202的剖视图，cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆104的不同区域。根据本例子，薄膜202包括多个坚固部204，环绕于薄膜202的周围且沿着网格线延伸。网格线之间的空间包括可让气体210通过的多个多孔区域(porousregion)206。坚固部204用以防止气体210流入邻近的多孔区域206。

于本例子中，具有六个沿着图2a所示的剖面排列的喷气头208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6。每一喷气头208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6对应于单独的多孔区域206。于本例子中，为了施加额外的压力至晶圆104的区域212，喷气头208-5通过区域212上的多孔区域206喷出气体210。晶圆104的区域212上环绕多孔区域206的坚固部204可防止气体210提供压力至非区域212的区域。

通过供应气体210至晶圆104的一顶侧211，于气体210供应的区域造成晶圆104的底侧213所对应的区域212更大的压至研磨垫(例如图1的研磨垫102)。其造成cmp工艺施加额外的力至区域212。因此，假使区域212被判定具有较大的厚度，可通过喷气头208-5施加额外的压力至区域212。因此，cmp工艺可产生更为平坦的表面。

图2b为使用于cmp设备的薄膜202的俯视图，cmp设备用以选择性地施加额外的压力至晶圆104的不同区域。于本例子中，薄膜202包括六列以及六行。为了讨论的目的，薄膜202中列的数目被表示为字母n，且行的数目被表示为字母m。此处，n等于6，且m等于6。因此具有总共32个的区域214，可选择性地施加额外的压力。为了讨论的目的，这些区域214可视为网格区域(gridregion)214。于其他例子中，n和m可具有不同的数值。于一些例子中，n和m可相同。于一些例子中，n和m可不同。

于本例子中，n和m对应于x和y。换句话说，喷气头208的数目等于位于薄膜202的网格内的区域的数目。于一些例子中，薄膜202内的网格区域214对应超过一个喷气头208。举例而言，每一网格区域214对应两个或更多的喷气头208。

于一些例子中，多个薄膜202中的一者可于cmp工艺中插入cmp设备100中使用。不同的薄膜可具有不同的网格尺寸。举例而言，可插入具有简单的2x2网格的薄膜。因此，有一些喷气头对应于四个网格区域中的一个。通过这样的薄膜施加额外的压力，对应于一单独的网格区域的任何数目的喷气头均可用于施加压力至适当的网格区域。

于本例子中说明了具有矩形网格的薄膜，但亦可使用其他非圆形网格。举例而言，于每一网格区域中的一网格可为三角形。于一些例子中，于每一网格区域中的一网格可为六边形或是八边形。

图3a为使用于cmp设备的一薄膜的剖视图，上述cmp设备用以选择性施加额外的压力至晶圆的不同区域。于本例子中，薄膜302并不包括沿网格线延伸的坚固部。取而代之的是，薄膜302包括单独的多孔区域308，所有的喷气头208所喷出的气体通过。根据本例子，施加额外的压力至区域306，喷气头208-5于区域306上通过单独的多孔区域308供应气体304至晶圆104的上表面211。因此，晶圆104的下表面213可经由额外的施力压至研磨垫(例如图1中的102)。因此，假使区域306被判定具有较厚的厚度，可经由喷气头208-5施加额外的压力至区域306。因此，cmp工艺可产生更为平坦的表面。

图3b为使用于cmp设备的薄膜302的俯视图，上述cmp设备用以选择性施加额外的压力至晶圆的不同区域。根据本例子，薄膜302包括环绕于薄膜302的一坚固部310。于坚固部(刚性周围)310内为单独的多孔区域308。多孔区域308可用以允许气体通过以施加压力至晶圆。

图4a为晶圆402的俯视图，显示了于实施一cmp工艺之前的晶圆402的多种轮廓。根据本例子，于实施cmp工艺之前，可测量晶圆402的轮廓。进一步来说，测量要被cmp工艺平面化的表面的轮廓。多种测量工具可用来测量轮廓。这些工具可包括，但不限制于，光学干涉显微镜。

于本例子中，有两个部分404、406被判定为其厚度大于一特定的厚度。特定的厚度可为晶圆402的平均厚度。举例而言，除了部分404、406以外，晶圆402的所有区域于特定的厚度的一些误差范围内。部分404、406因为多种原因而具有较厚的厚度。于一例子中，由于部分404、406之内具有额外的特征(additionalfeatures)，而导致了较厚的厚度。于cmp工艺之后，应使晶圆402的上表面大致平坦。换句话说，应没有部分像部分404、406一样具有较厚的厚度。若不使用此处描述的原理，cmp工艺可能无法完全地平坦化部分404、406。换句话说，于cmp工艺之后的相关轮廓可能会相似于cmp工艺之前的相关轮廓。

图4b为晶圆的俯视图，其中网格线标示了不同区域，其可选择性地施加额外的压力。于本例子中，cmp设备用以选择性地施加压力至晶圆402上的一4x4网格。进一步来说，具有16个不同的区域可供cmp设备施加额外的压力。于本例子中，额外的压力可施加于区域a2、c3、c4。通过施加额外的压力至这些区域，于cmp工艺的呈现的轮廓可大致为平坦的。

图5a为一晶圆502的俯视图，显示了于实施cmp工艺之前的晶圆502的多种轮廓。于本例子中，有两个部分504、506被判定为其厚度大于一特定的厚度。同理，于cmp工艺之后，应使晶圆502的上表面大致为平坦的。换句话说，应不具有如同部分504、506一般具有较厚的厚度的部分。若不使用于此描述的原理，cmp工艺可能无法平坦化部分504、506。换句话说，若不使用于此描述的原理，于cmp工艺之后的相关轮廓可能会相似于cmp工艺之前的相关轮廓。

图5b为晶圆的俯视图，其中网格线标示了不同区域，其可选择性地施加额外的压力。于本例子中，cmp设备用以选择性地施加压力至晶圆502上的一6x6网格。进一步来说，具有32个不同的区域可供cmp设备施加额外的压力(四个角落的区域a1、a6、f1、f6并不计算在内)。于本例子中，额外的压力可施加于区域a4、a5、b4、b5、d2。通过施加额外的压力至这些区域，于cmp工艺之后所呈现的轮廓可大致为平坦的。

图6显示了于一cmp工艺中用于选择性和非对称性地施加不同量的压力至一晶圆的cmp系统600。根据本例子，cmp系统600包括一控制模块602、一测量模块604、一测量晶圆台606、以及一cmp模块610。

控制模块602包括用以管理cmp系统600的硬件与软件。控制模块602可包括一或多个处理器与存储器。存储器可储存机械可读的指令(instruction)，其可被一个或多个处理器所执行，以使得cmp系统600实施多种工作。举例而言，控制模块602可操作多个硬件的部件以通过所描述的cmp系统600移动晶圆608。于一例子中，控制模块602控制机械手臂或是其他机构去接收一晶圆608，并放置于测量晶圆台606。

测量晶圆台606被设计为于测量模块604测量晶圆608的轮廓的地方固持晶圆608。晶圆608通过于控制模块602控制下的机械机构放置于测量晶圆台606上。

于晶圆608被适当的放置于测量晶圆台606上，测量模块604测量晶圆608的轮廓。测量模块604可包括一测量工具。于一例子中，测量模块604利用光学测量技术。举例而言，测量模块604可为一干涉显微镜。呈现晶圆608的轮廓的数据可以被提供至控制模块602。于一些例子中，控制模块602可实施分析至被测量模块604所获得的测量数据。这些分析可用以判定晶圆608的那些部分具有比晶圆608的其他部分具有较厚的厚度。

控制模块602可由cmp模块610接收数据以指示施加于晶圆608上的额外的压力的区域的数目。这些数据可包括选择性施加额外的压力的每一个别的区域的位置。如同测量数据一般使用这些数据，控制模块602可选择某些区域施加额外的压力。于一些例子中，测量模块604的测量数据可指示如图4a所示，具有大于平均厚度的部分404、406。此外，控制模块602可由cmp模块610接收关于如图4b所示的网格样式(layout)的信息。控制模块602可决定区域a2、c3、c4(例如，对应于部分404、406的区域)应施加额外的压力。再于一例子中，由测量模块604来的测量数据可指示如图5a所示的部分504、506具有大于平均厚度的厚度。此外，控制模块602可由cmp模块610接收关于如图5b所示的网格样式的信息。因此，控制模块602可决定区域a4、a5、b4、b5、d2(例如，对应于部分504、506的区域)应施加额外的压力。

于晶圆608的轮廓被测量模块604测量后，控制模块602可使晶圆608移动至cmp模块610内。举例而言，控制模块602可控制多种机械机构来移动晶圆608进入一位置，以被cmp模块610的限位环(例如图1所示的106)所固持。

cmp模块610可包括多种元件来实施cmp工艺至固定于限位环内的一晶圆608。cmp模块610可包括对应于图1a以及图1b所描述的多种特征。举例而言，cmp模块610可包括一研磨垫(例如图1a所示的102)以及一研磨头(例如图1a所示的103)。研磨头(例如图1a所示的103)包括一限位环(例如图1a所示的106)以及一组喷气头(例如图1a所示的112)。

如前所述，cmp工艺涉及到放置一cmp泥浆溶液至研磨垫上且使用研磨头将晶圆608压至研磨垫。cmp泥浆溶液中的化学品就如同将晶圆608压至研磨垫的机械力是设计来使晶圆的表面大致平坦，且移除不需要的材料。再者，如前所述，cmp模块610设计为选择性地施加额外的压力至晶圆608的不同的区域。进一步来说，cmp模块610被设计为选择性地施加额外的压力至晶圆608的不同的非对称地设定的区域。

cmp模块610可接收控制模块602传来的控制模块602的关于哪些区域需施加额外的压力的指令。cmp模块610可通过这些区域的喷气头所喷射的气体来施加额外的压力至这些区域。施加额外的压力至具有较厚的厚度的这些区域，于cmp工艺之后晶圆608的轮廓可大致上更为平坦。

图7为于一cmp工艺中，选择性和非对称地施加不同量的压力至一晶圆的用于说明的系统(illustrativesystem)的流程图。根据本例子，方法700包括一步骤702，用以测量晶圆的轮廓。如前所述，其可通过测量模块(例如，图6所示的604)来完成。通过测量晶圆的轮廓，可判定晶圆的一些区域具有大于一特定的厚度的一厚度。上述特定的厚度可为晶圆的一平均厚度。于一些例子中，特定的厚度可为一预定工艺的特定的厚度。举例而言，特定的厚度可基于形成于晶圆内的装置的设计的一特定的数值。

方法700还包括一步骤704，用以决定于一cmp工艺中针对一个或多个区域施加额外的压力。举例而言，假使晶圆的一确定的区域的厚度超过对应于特定的厚度的一误差范围的界线，然后这样的区域可被判定为于cmp工艺中需施加额外的压力的区域。

方法700还包括步骤706，用以基于一个或多个区域选择薄膜。如前所述的多种尺寸的薄膜，每一种具有不同数目的区域，其可根据于此描述的原理来使用。一般而言，需要选择具有适当尺寸的网格区域的薄膜来覆盖晶圆的具有大于平均厚度的厚度的区域，可对晶圆不需要覆盖的区域进行最小化的覆盖。换句话说，应可避免施加额外的压力至晶圆相对于特定的厚度不具有较厚的厚度的区域。

方法700还包括步骤708，用以利用薄膜于cmp工艺中来施加额外的压力至一个或多个区域。换句话说，当实施cmp工艺时，喷气头可施加额外的压力至薄膜的适当的网格区域，以使额外的压力可被施加于晶圆的适当的区域。因此，具有大于特定厚度的较厚的厚度的部分可于cmp工艺中被平整。导致于cmp工艺之后的晶圆有更平坦的表面。

根据一例子，一方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(cmp)工艺至晶圆的一第一侧，以及于cmp工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。

于一些实施例中，施加额外的压力至区域的步骤还包括通过使用放置邻近于晶圆的一薄膜来施加额外的压力。

于一些实施例中，薄膜被分隔为一非圆形网格的多个区域。

于一些实施例中，非圆形网格包括一矩形网格。

于一些实施例中，薄膜包括沿着多个网格线延伸的多个坚固部以及网格线之间于区域内的多个多孔区域。

于一些实施例中，施加额外的压力至薄膜的步骤中包括于薄膜的一特定区域供应一气体至薄膜，以使气体渗透薄膜且施加压力至晶圆。

于一些实施例中，薄膜包括跨越多个网格区域的一单独的多孔区域。

于一些实施例中，特定的厚度为晶圆的一平均厚度。

于一些实施例中，特定的厚度为一预定工艺的特定的厚度。

于一些实施例中，测量晶圆的轮廓的步骤是经由整合于实施cmp工艺的一cmp设备的一测量工具来实施。

根据一例子，一方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度，将晶圆邻近于一薄膜放置，以及当实施一化学机械研磨(cmp)工艺至晶圆的一第一侧，利用薄膜来施加一额外的压力至晶圆的一可选择的区域，可选择的区域对应于第一部分，区域对应于晶圆的一非对称部分。

于一些实施例中，薄膜为具有不同尺寸的网格的多个薄膜中的一个。

于一些实施例中，薄膜包括对应于多个网格线的多个坚固部，以及位于网格线之间的多孔区域。

于一些实施例中，利用薄膜施加额外的压力的步骤中包括通过对应于晶圆的第一部分的多孔区域中的一者供应气体至晶圆的一第二侧。

于一些实施例中，薄膜包括跨越每一多个喷气头的一单独的多孔区域，且喷气头可被实施cmp工艺的一cmp设备所选择。

于一些实施例中，区域可被一非圆形网格上的一cmp设备所选择。

于一些实施例中，非圆形网格包括一矩形网格。

根据一例子，一种用以实施一化学机械研磨(cmp)工艺的一系统包括一测量模块，用以确定的一晶圆的一轮廓以及一cmp模块，包括一研磨垫、一限位环以及一研磨头，用以施加可变的压力至被限位环固定的晶圆的不同的部分，不同的部分于一非圆形网格上为可个别选择的。上述系统还包括一控制模块，用以判定晶圆的多个部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度以及使研磨头施加额外的压力至晶圆的多个区域，其对应于具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度的晶圆的部分。

于一些实施例中，测量模块与cmp模块整合于一单一的设备。

于一些实施例中，非圆形网格包括一矩形网格。

于前述多种实施例所提出的特征，可让本领域技术人员能更加的了解本发明实施例的实施方式。本领域技术人员可了解到，他们可轻易的以本发明实施例为一基础设计或是修正其他工艺以及结构，以实现本发明实施例相同的目的及/或达到前述实施例的一些技术效果。可了解的是，本领域技术人员可以相等的组件(equivalentconstruction)针对本发明实施例进行改变、替代与修改，并不超出本发明实施例的精神和范围。

本发明实施例虽以各种实施例公开如上，然而其仅为范例参考而非用以限定本发明实施例的范围，本领域技术人员在不脱离本发明实施例的精神和范围内，可以适当做些许的变动与润饰。因此上述实施例并非用以限定本发明实施例的保护范围，本发明实施例的保护范围应当根据后附的权利要求书所界定者为准。