1.一种晶片表面加工处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
对晶片进行研磨，得到研磨片；
对所述研磨片的整面进行等离子蚀刻，得到蚀刻片；
对所述蚀刻片进行抛光。
2.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述研磨的减薄厚度为50～80μm。
3.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述研磨的时间为1～2h。
4.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述蚀刻的减薄厚度为3～6μm。
5.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述等离子蚀刻的时间为10～20min。
6.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述等离子蚀刻的蚀刻气体为氯基气体、溴基气体、或氟基气体。
7.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述抛光为化学机械抛光。
8.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述抛光的时间为2～4h。
9.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述的抛光的减薄厚度为1～2μm。
10.根据权利要求1所述的晶片表面加工处理方法，其特征在于，所述晶片为碳化硅晶片或氮化镓晶片。