用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体的制作方法

本文所用的章节标题仅出于组织目的并且不应被理解为以任何方式限制在本申请中所描述的主题。

相关申请的交互引用

本申请是在2016年2月23日提交的名称为“Self-Centering Wafer Carrier System for Chemical Vapor Deposition”的美国临时专利申请号62/298,540；在2015年10月14日提交的名称为“Self-Centering Wafer Carrier System for Chemical Vapor Deposition”的美国临时专利申请序列号No.62/241,482；以及在2015年6月22日提交的名称为“Self-Centering Wafer Carrier System for Chemical Vapor Deposition”的美国临时专利申请学序列号No.62/183,166的非临时专利申请。美国临时专利申请号62/298,540、62/241,482和62/183,166的全部内容以引用的方式并入到本文中。

背景技术：

许多材料处理系统包括用于在处理期间支承基板的基板载体。基板常常是一般称为晶片的晶体材料的圆盘。一种这种类型的材料处理系统是气相外延(VPE)系统。气相外延是涉及将包含化学物品的一种或更多种气体引到基板的表面上使得反应物品在基板的表面上反应并形成膜的一种化学气相沉积(CVD)类型。例如，可以使用VPE以在基板上生长化合物半导体材料。

一般通过将至少一种前体气体、并且在许多过程中将至少第一和第二前体气体注入包含晶体基板的处理腔室中，而使材料生长。可由通过使用氢化物前体气体和有机金属前体气体在基板上生长各种半导体材料层而形成诸如III-V半导体的化合物半导体。金属有机气相外延(MOVPE)是通常用于通过使用包含需要的化学元素的金属有机物和氢化物的表面反应而生长化合物半导体的气相沉积方法。例如，可通过引入三甲基铟和磷化氢在基板上的反应器中而生长磷化铟。

在本技术领域中使用的MOVPE的替代名称包括有机金属气相外延(OMVPE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和有机金属化学气相沉积(OMCVD)。在这些过程中，气体在诸如蓝宝石、Si、GaAs、InP、InAs或GaP基板的基板的生长表面处相互反应，以形成通式In_XGa_YAl_ZN_AAs_BP_CSb_D的III-V化合物，其中，X+Y+Z大致等于1，并且，A+B+C+D大致等于1，并且，X、Y、Ζ、A、B、C和D中的每一个可在1与0之间。在各种过程中，基板可以为金属、半导体或绝缘基板。在一些情况下，铋可用于替代其它第III族金属中的一些或全部。

也可由通过使用氢化物或卤化物前体气体过程在基板上生长各种半导体材料层而形成诸如III-V半导体的化合物半导体。在一种卤化物气相外延(HVPE)过程中，通过使热气态金属氯化物(例如，GaCl或A1C1)与氨气(NH₃)反应而形成第III族氮化物(例如，GaN、AIN)。通过使热HCl气体在热的第III族金属上通过，而产生金属氯化物。HVPE的一个特征在于，它可具有非常高的生长速率，对于一些现有过程，该生长速率高达100μm/小时。HVPE的另一特征在于，由于膜在无碳环境中生长并且由于热HCl气体提供自清洁效应，因此，可以使用它以沉积相对高品质的膜。

在这些过程中，基板在反应腔室内保持在高温下。前体气体一般与惰性载体气体混合并然后被引入反应腔室中。一般地，气体当被引入反应腔室时处于相对较低的温度。随着气体到达热的基板，它们的温度升高，并由此使得它们可用于反应的能量增加。通过基板表面处的构成化学物的最终热解，发生外延层的形成。通过基板的表面上的化学反应而不是通过物理沉积处理而形成晶体。因此，对于热力学亚稳合金，VPE是期望的生长技术。当前，VPE常用于制造激光二极管、太阳能电池和发光二极管(LED)。

非常需要CVD沉积能在整个基板上沉积非常均匀的膜。在沉积期间，在基板上不均匀温度分布的存在，导致不均匀沉积的膜。需要在沉积持续时间内改进基板上的热分布的均匀性的方法和设备来增进良品率。

技术实现要素：

一种用于化学气相沉积(CVD)反应器的自定心晶片载体系统包括晶片载体，晶片载体包括一边缘，该边缘至少部分地支承晶片以便进行CVD处理。晶片载体可以支承晶片的整个底表面，或者可以仅支承晶片的周边，在CVD处理期间，使晶片的顶表面和底表面的一部分暴露。

自定心晶片载体系统还包括：旋转管，其包括一边缘，该边缘在处理期间支承晶片载体。在某些实施例中，旋转管包括斜边缘和平坦边沿。一般而言，晶片载体的边缘几何结构和旋转管的边缘几何结构经选择在处理期间在所期望的过程温度提供晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合对准。重合对准可以在晶片上形成轴对称温度分布。在晶片载体的某些构造和操作方法中，晶片的旋转偏心度在所期望的过程温度基本上为零。

在某些实施例中，晶片载体包括边缘几何结构，边缘几何结构包括间隔件。间隔件可以机械加工到晶片载体边缘内。在某些实施例中，晶片载体的边缘几何结构包括与旋转管的边缘形成接触的至少两个间隔件。在晶片载体的边缘几何结构中的间隔件迫使晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线在所期望的过程温度对准。间隔件的尺寸可以设定为使得晶片的旋转具有所期望的偏心度。在某些实施例中，起伏结构形成于晶片载体边缘内，起伏结构转移晶片载体的质心。在一具体实施例中，起伏结构包括相对平坦的部段。起伏结构可以与间隔件相对定位。

在某些实施例中，晶片载体的边缘几何结构和旋转管边缘几何结构二者限定相匹配的斜表面。在某些具体实施例中，相匹配的斜表面是相平行的。在某些具体实施例中，晶片载体的边缘几何结构在内表面上是斜的并且旋转管的边缘几何结构在外表面上是斜的，其中内表面指面向腔室中心的表面，并且外表面指背向腔室中心的表面。在另一些实施例中，晶片载体的边缘几何结构在外表面上是斜的并且旋转管的边缘几何结构在内表面上是斜的。而且，在某些具体实施例中，斜表面在一定角度α，使得tan(α)＞f，其中f是在晶片载体与旋转管之间的摩擦系数。

在某些实施例中，晶片载体边缘和旋转管边缘定位成限定间隙。由于在形成晶片载体的材料的热膨胀系数与形成旋转管的材料的热膨胀系数之间的差异，间隙宽度在加热期间变化。在室温，间隙宽度经选择使得在处理温度存在用于晶片载体相对于旋转管膨胀的空间。在许多实施例中，间隙宽度在所期望的过程温度接近零。此外，在某些实施例中，形成晶片载体和旋转管中至少一者的材料经选择为具有在处理温度维持晶片载体相对于旋转管膨胀的空间的热膨胀系数。

加热元件靠近晶片载体定位以将晶片加热到过程温度。在某些实施例中，加热元件在晶片载体下方平行定位。加热元件可以是多区加热元件，其生成空间依赖性温度分布。

附图说明

结合附图，根据优选和示例性的实施例的本教导与其进一步的优点一起在以下的详细的说明书中被更特别地描述。本领域技术人员可以理解，以下描述的附图仅出于解释的目的。附图并非必须按比例，重点总体在于说明教导的原理。在附图中，各个图中的相同的附图标记通常指代相似特征和结构元件。附图意图不在于以任何方式限制申请人的教导的范围。

图1示出了本教导内容的单晶片CVD反应器的一实施例，单晶片CVD反应器包括晶片载体和具有加热器组件的旋转管。

图2A示出了并不使用自定心技术的CVD反应器的图。

图2B示出了利用自定心的本教导内容的CVD反应器的一实施例的图。

图3A示出了在1.33mm诱导偏心度，在CVD反应器中的旋转偏心度造成的圆形晶片上的热分布。

图3B示出了为半径函数的图3A的数据的温度梯度。

图3C示出了在0.33mm诱导偏心度，在CVD反应器中的旋转偏心度造成的圆形晶片上的热分布。

图3D示出了为半径函数的图3C的数据的温度梯度。

图3E示出了作为载体旋转偏心度函数的温度梯度的图表。

图4A示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统，自定心晶片载体CVD系统具有晶片载体，晶片载体具有一斜边缘和一边沿。

图4B示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统，其中在沉积过程开始之前，晶片载体转移到过程反应器(未图示)并且在室温定位于旋转管上。

图4C示出了在关于图4B所描述的构造但处于过程温度的本教导内容的自定心晶片载体CVD系统。

图5A至图5C示出了根据本教导内容的晶片载体和旋转管的各种构造，其包括斜界面，斜界面提供晶片载体相对于旋转管的旋转轴线的自定心。

图6A示出了处于室温的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统。

图6B示出了处于过程温度的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统。

图6C示出了处于高于过程温度的温度的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统。

图7示出了本教导内容的自定心晶片载体，其包括间隔件和起伏结构。

图8A示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括开放载体设计。

图8B示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括开放载体设计和斜边缘。

图8C示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括开放载体和正净化设计。

图8D示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括具有简单分隔件的开放载体。

图8E示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括具有位于中央的分隔件的开放载体。

图8F示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括具有静态分隔件的开放载体。

图8G示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括具有可移除石英分隔件的开放载体。

图8H示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括开放载体设计和斜边缘。

图8I示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括开放载体和正净化设计。

图8J示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括具有简单分隔件的开放载体。

图8K示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括具有位于中央的分隔件的开放载体。

图8L示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括具有静态分隔件的开放载体。

图8M示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的另一实施例，其包括具有可移除石英分隔件的开放载体。

图9A示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统，其具有无容置件的晶片载体，无容置件的晶片载体包括一带斜几何结构的边缘和一边沿。

图9B示出了处于室温的根据本教导内容的无容置件的晶片载体的自定心晶片载体CVD系统。

图10示出了在图9A和图9B中示出的柱和接触界面的各种实施例的其它细节，其包括晶片、晶片载体和晶片载体的柱界面的细节。

图11示出了在图9A和图9B中示出的柱和接触界面的各种实施例的其它细节，其包括晶片、晶片载体和晶片载体的柱界面的细节。

图12示出了在图4A，图5A至图5C和图6A中示出的缓冲器和接触界面的各种实施例的其它细节，其包括晶片、晶片载体和晶片载体的缓冲器界面的细节。

图13示出了在图4A，图5A至图5C和图6A中示出的缓冲器和接触界面的各种实施例的其它细节，其包括晶片、晶片载体和晶片载体的缓冲器界面的细节。

图14示出了晶片载体的等距视图，晶片载体具有容置件，容置件具有一个或更多个缓冲器。

图15示出了根据本教导内容的无容置件的晶片载体的平面图。

图15A是沿着线A-A所截取的图15的无容置件的晶片载体的截面图。

图15B为图15的无容置件的晶片载体的等距视图。

图16示出了根据本教导内容的另一种无容置件的晶片载体的平面图。

图16A是沿着线A-A所截取的图16的无容置件的晶片载体的截面图。

图16B为图16的无容置件的晶片载体的等距视图。

图17是根据本教导内容安装于转鼓上的晶片支承环的截面图。

图17A示出了图17的放大部分。

图18示出了晶片支承环的等距视图。

图19示出了根据本教导内容的单基板载体的展开俯视图。

图20示出了根据本教导内容的另一晶片支承环实施例的等距视图。

图20A示出了沿着线A-A所截取的图20的晶片支承环的截面图。

图21示出了根据本教导内容安装于转鼓上的图20的晶片支承环的截面图。

图21A示出了图21的放大部分。

图22示出了根据本教导内容的图21的晶片支承环和转鼓的分解图。

具体实施方式

现将参考如在附图中示出的本教导内容的示例性实施例来更详细地描述本教导内容。在整个说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的提及，表示结合该实施例所描述的特定特点、结构或特征被包括于本教导内容的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置短语“在一实施例中”的出现并非必须全都指相同实施例。

虽然结合各种实施例和示例描述了本教导内容，预期本教导内容并不限于这些实施例。相反，本教导内容涵盖将由本领域技术人员了解的各种替代、修改和等同方式。能获取本文教导内容的本领域技术人员将认识到属于如本文所描述的本公开的范围内的额外实施方式、修改和实施例以及其它使用领域。

应了解在本教导内容的教导内容的方法中使用的个别步骤可以以任何次序来执行和/或同时执行，只要本教导内容保持可操作。而且，应了解本教导内容的设备和方法可以包括任何数量或全部描述的实施例，只要教导内容保持可操作。

本教导内容涉及用于将CVD的晶片载体和其它类型的处理反应器自定心的方法和设备。结合单晶片载体描述了本教导内容的方面。然而，本领域技术人员将意识到本教导内容的许多方面并不限于单晶片载体。

图1示出了本教导内容的单晶片CVD反应器100的一实施例，单晶片CVD反应器100包括晶片载体102和旋转管104，旋转管104具有多区加热器组件106。晶片载体102在周边由旋转管104支承。多区加热组件106定位于旋转管104内侧晶片载体102下方。在此构造中，在晶片载体102与旋转管104之间设有直径间隙，直径间隙允许加载载体。这个间隙的宽度在加热期间变化，因为晶片载体102和旋转管104具有不同的热膨胀系数(CTE)，导致随着温度变化而发生不同的膨胀。

晶片载体和旋转管可以由多种材料形成，诸如碳化硅(SiC)、氮化硼(BN)、碳化硼(BC)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al₂O₃)、蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、石英、石墨、涂布了碳化硅(SiC)的石墨、其它陶瓷材料和它们的组合。此外，这些和其它材料可以具有耐火涂层，例如碳化物、氮化物或氧化物耐火涂层。而且，晶片载体和旋转管可以由耐火金属诸如钼、钨和其合金形成。这些材料中的每一种，具有或不具有涂层，将具有不同的热膨胀系数(CTE)。例如，常用于晶片载体的用SiC涂布的石墨的热膨胀系数为-5.6×10^-6℃^-1。常用作旋转管的石英的热膨胀系数为-5.5×10^-7℃^-1。CVD SiC的热膨胀系数为-4.5×10^-6℃^-1。已知这些热膨胀系数，在室温下晶片载体与旋转管之间约0.5mm的初始间隙在1100℃减小为约0.05mm。需要在高操作温度的小间隙来维持石英管的完整性。由于变化的间隙宽度，已知的晶片载体设计并不随着温度升高而绕着晶片的几何中心自旋。这导致沿着晶片载体半径的线性或不对称的温度分布。不对称的温度不均匀性造成不能由多区加热系统补偿的沉积均匀性。因此，用于CVD反应器的已知的晶片载体收到不均匀不对称温度分布的困扰，这种温度分布是由于晶片载体并不绕其几何中心旋转而造成的。

图2A示出了并不使用自定心技术的CVD反应器的图。图2A示出了：对于其中晶片载体中心轴线202并不与旋转管的旋转轴线204重合的构造而言，用于CVD反应器200的晶片载体、旋转轴线和加热器的相对位置的侧视图和平面图。出于本公开的目的，有时也被称作中心轴线的晶片载体中心轴线在本文中定义为以载体的中点为中心并且在垂直于晶片载体顶部的方向上延伸的线。在此构造中，晶片载体中心轴线202偏离于旋转管(未图示)的旋转轴线204并且晶片载体中心轴线202和旋转管的旋转轴线204二者偏离于加热器的中心206。因此，当晶片载体旋转时，点A210和点B212在不同的同心圆形路径中行进。更具体而言，点A 210从旋转管的一个远边缘移动到另一远边缘，如由点A’210’和A”210”的位置所示。更靠近旋转轴线204的点B 212从旋转管的更靠内的点移动到另一更靠内的点，如由点B’212’和B”212”的位置所示。以此方式，两个点A210和B 212在旋转时经历不同的平均温度，这导致不对称的温度分布208。不对称的温度分布208示出了在与点B 212重合的晶片的一个边缘上的温度比在与点A210重合的晶片的相对边缘上的温度更高。

因此，在图2A中示出的构造中，点A210的平均温度T_a低于点B 212的平均温度T_b，这造成倾斜的不对称的温度分布208。不对称的温度分布208示出了在晶片的边缘上的点B 212处的温度比在晶片相对边缘的点A 210处的温度更高。因此，所得到的温度分布相对于旋转轴线不对称。甚至在载体轴线与加热器轴线重合的构造中，由于载体轴线与旋转轴线之间的偏移造成的晶片运动偏心度仍导致不对称的温度不均匀性。

图2B示出了根据本教导内容具有自定心的CVD反应器的一实施例的图。图2B示出了对于其中晶片载体中心轴线252与旋转轴线254重合的构造，CVD反应器250的晶片载体、旋转轴线和加热器的相对位置的侧视图和平面图。如本文所描述的晶片载体中心轴线和旋转轴线的重合对准表示两个轴线落在一条相同直线上。晶片载体中心轴线252相对于旋转管(未图示)的旋转轴线254的位置重合，但是偏离于加热器中心256。当晶片载体中心轴线252与旋转轴线254重合时，即使它们偏离于加热器中心，晶片载体绕旋转轴线自旋，没有偏心度。这种构造导致对称的温度分布258。

更具体而言，在此构造中，当载体旋转时，点A260和点B 262从加热器经历相同的平均温度。同样，点C 264和点D 266也经历相同的平均温度。然而，在点C 264和D 266处的平均温度不同于在点A260和B 262处的平均温度。所得到的温度分布258是轴对称的，但不均匀。

可以通过适当地构造和操作靠近晶片载体定位的多区加热器而改进所沉积的膜的均匀性，由于本教导内容的自定心晶片载体，所沉积的膜具有轴对称的不均匀的温度分布258。作为适当地使用靠近晶片载体定位的多区加热器的替代或者与之组合，为了晶片温度均匀性，可以通过晶片容置件仿形而改进由于本教导内容的轴对称不均匀温度分布258导致的膜均匀性。参看例如名称为“Method for Improving Performance of a Substrate Carrier”的美国专利No.8,486,726，其转让于本实用新型的受让人。美国专利No.8,486,726的全部说明书以引用的方式并入到本文中。因此，轴对称的不均匀的温度分布比不对称的分布更合乎需要，因为已知的热管理方法和设备可以用于改进热均匀性和所造成的膜沉积均匀性。

图3A示出了在1.33mm诱导偏心度，在CVD反应器中的旋转偏心度造成的圆形晶片表面上的热分布300。图3B示出了对于如图3A示出的相同的1.33mm诱导偏心度，作为0°312和90°314的半径310的函数的温度梯度。图3B示出了沿着载体半径的较大线性温度分布。这种线性温度分布不能容易地被补偿，因为仅已知的多区加热系统并不补偿线性温度分布。线性温度分布导致低沉积均匀性。

图3C示出了在0.33mm诱导偏心度，在CVD反应器中的旋转偏心度造成的圆形晶片上的热分布320。图3D示出了对于相同的0.33mm的诱导偏心度，在0°332和90°334的半径330的函数的温度梯度。图3E示出了基于图3A至图3D的数据，作为载体旋转偏心度的函数的所得到的温度梯度340的图表。该图表表示当载体旋转偏心度小于0.33mm时梯度340减小到小于大约2℃。

因此，本教导内容的一个特征在于根据本教导内容的晶片载体可以在过程温度提供晶片载体中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合。这种重合减小了晶片的圆形旋转的偏心度，以便形成能通过适当地使用多区加热元件补偿的轴对称温度分布。

图4A示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统400，其具有晶片载体402，晶片载体402包括带斜几何结构的边缘404和平坦边沿406。晶片载体402的边缘404对应于在晶片载体的外周边处或附近的圆形区域。边缘从晶片载体的下表面突伸。晶片408在晶片载体402的上表面上定心。加热元件410定位于晶片载体402下方。定位于容置件420中的晶片408、边沿406和加热元件410全都平行定位。晶片408的边缘在接触界面421处接触容置件420的侧壁424，在下文中进一步讨论接触界面421。晶片载体402定位于旋转管412上。旋转管412包括带斜几何结构的边缘414和平坦边沿416。当晶片载体402定位于旋转管412上时，晶片载体边缘404和旋转管边缘414靠近并且平行。在某些实施例中，在旋转管412的边缘414上的斜几何结构相对于旋转管412的旋转轴线以一定角度α418形成。同样，在晶片载体402的边缘404上的斜几何结构设置为相对于载体的中心轴线成角度α418，载体的中心轴线垂直于支承晶片的晶片载体的上表面而伸展。在某些实施例中，角度α418选择为使得tan(α)＞f，其中f是在晶片载体与旋转管材料之间的摩擦系数。

图4B示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统430，其中在沉积过程开始之前，晶片载体432转移到过程反应器(未图示)并且在室温定位于旋转管434上。图4B示出了具有宽度L的间隙436和具有宽度D的旋转管直径438。本教导内容的晶片载体的一个特征在于晶片载体边缘的尺寸设定为在室温在旋转管的边缘与晶片载体的边缘之间存在间隙。在某些实施例中，晶片载体432和旋转管434的尺寸选择为使得间隙436满足以下方程式，

L＜(CTE_carrier-CTE_tube)*D*T

其中CTE_carrier是载体432的热膨胀系数，并且CTE_tube是旋转管434的热膨胀系数并且T是过程温度。根据上述方程式，间隙436将随着操作温度升高而减小，并且在就在实现了过程温度之前，间隙将基本上为零。

图4C示出了在关于图4B所描述的构造但处于过程温度的本教导内容450的自定心晶片载体CVD系统450。在晶片载体452的斜边缘与旋转管454之间的靠近接触导致载体在旋转管上定心。因此，晶片载体中心轴线和旋转轴线是重合的。

本领域技术人员应认识到许多斜几何结构可以用来形成在旋转管与晶片载体之间的界面。图5A至图5C示出了根据本教导内容的晶片载体和旋转管的各种构造，其包括在晶片载体与旋转管的各种斜几何结构边缘和所得到的晶片载体与旋转管之间的界面，这种界面提供晶片载体中心轴线和旋转管的旋转轴线的自定心。

图5A示出了晶片载体502的第一构造500，其包括定位于晶片载体502上靠近晶片载体502的外周边的第一边缘506。晶片载体502的边缘506被形成为具有斜几何结构并且绕晶片载体502的中心呈圆形伸展。边缘508定位于旋转管504上在旋转管504的外边缘附近。旋转管504的边缘508被形成为具有斜几何结构并且绕旋转管504的周长呈圆形伸展。当晶片载体502定位于旋转管504上时，晶片载体502的边缘506的斜几何结构和旋转管504的边缘508的斜几何结构靠近并且平行。在图5A中示出的实施例中，斜边缘形成于旋转管504的外周边上。在另一些实施例中，旋转管504的斜边缘形成于旋转管504的内周边上。在图5A所示的实施例中，在操作期间，晶片载体502定位于旋转管504上使得晶片载体502的边缘506的斜几何结构和旋转管504的边缘508的斜几何结构靠近接触，从而在处理期间造成晶片510的自定心，因为斜边缘506、508保持旋转管504的旋转轴线与晶片载体中心重合。

图5B示出了晶片载体532和旋转管534的第二构造530，其包括位于晶片载体532上具有斜几何结构的边缘536和定位于旋转管534上具有斜几何结构的边缘538。形成于晶片载体532上的斜边缘536和形成于旋转管534上的斜边缘538向上成角度并且远离旋转管534的内周边。两个斜边缘是平行的。在操作期间，晶片载体532定位于旋转管534上使得第一斜边缘536和第二斜边缘538靠近接触，使得在处理期间晶片540在旋转轴线上定心。斜边缘536、538保持旋转管534的旋转轴线与晶片载体中心轴线重合。

图5C示出了晶片载体552和旋转管554的第三构造550，其包括位于晶片载体552上的第一斜边缘556和定位于旋转管554上的第二斜边缘558。第一斜边缘556和第二斜边缘558向下成角度并且远离旋转管的内周边。两个斜边缘是平行的。在操作期间，晶片载体552定位于旋转管554上使得第一斜边缘556和第二斜边缘558靠近接触，在处理期间造成晶片560自定心。斜边缘556、558保持旋转管554的旋转轴线与晶片载体552中心轴线重合。

本教导内容的一个特征在于晶片载体的边缘的几何结构和旋转管的边缘的几何结构在处理期间在过程温度造成晶片特定量的偏心或接近偏心旋转。在处理期间晶片的特定量的偏心或接近偏心旋转经选择实现所期望的过程温度分布，所期望的过程温度分布导致高度均匀的膜厚度分布。

图6A示出了处于室温的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统600，示出了定位于容置件624中的晶片620。晶片620边缘在接触界面621处接触容置件624的侧壁626，在下文中讨论接触界面621。在此实施例中，晶片载体604的边缘602平行于晶片载体604的中心轴线606并且也平行于旋转管610的边缘608。晶片载体边缘602的几何结构使得间隙612存在于晶片载体604的边缘602与旋转管610的边缘608之间。间隙612允许足够的空间用于晶片载体604相对于旋转管610膨胀使得在晶片载体边缘602与旋转管边缘608之间并不发生接触。在整个过程温度循环中，并且特别地在最高过程温度，晶片载体604保持小于旋转管610。在某些实施例中，加热器614沿着旋转管610的旋转轴线616定心。

图6A示出了晶片载体604的中心轴线606并不与旋转轴线616重合。间隔件618的尺寸设定为在过程温度，晶片载体中心轴线和旋转管610的旋转轴线重合。在某些实施例中，间隔件618机械加工到晶片载体边缘602内，使得间隔件618与其结构成一体。在某些实施例中，晶片载体604是石墨，并且间隔件618直接机械加工到石墨内，并且整个晶片载体604然后被涂布不同材料诸如碳化硅(SiC)。在某些实施例中，两个或更多个间隔件用来形成与旋转管610的边缘608的稳定接触。

图6B示出了处于过程温度的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统630，示出了定位于容置件624中的晶片620。晶片620边缘在接触界面621处接触容置件624的侧壁626，在下文中进一步讨论接触界面621。图6B示出了当晶片载体632处于操作条件时晶片载体632的中心与旋转管636的旋转轴线634直接对准。因此，在处理期间在过程温度并不存在晶片的偏心旋转。

图6C示出了处于比过程温度更高的温度的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统670，示出了定位于容置件624中的晶片620。晶片620的边缘在接触界面621处接触容置件624的侧壁，在下文中进一步述及接触界面621。图6C示出了在高于过程温度的温度，晶片载体674的中心轴线672不再与旋转轴线676对准。在某些实施例中，间隔件678用来使晶片载体672中心与旋转轴线676之间的偏移造成的偏心度偏移，以在这些更高的过程温度提供对称的温度分布。

图7示出了本教导内容的自定心晶片载体700，其具有边缘几何结构，边缘几何结构包括定位于晶片载体的边缘相对应的圆形区域上的一个或更多个间隔件702和与一个或更多个间隔件702相对地定位的起伏结构704。在图7所示的实施例中，起伏结构704包括与间隔件702直径相对的一个或更多个平坦部段。起伏结构704使晶片载体700的质心转移。

在旋转期间，旋转质量的离心力帮助克服在晶片载体700的边缘与旋转管(在图7中未示出)的边缘之间的摩擦。离心力使晶片载体700在一方向上移动使得一个或更多个间隔件702保持与旋转管的边缘接触。

本教导内容的自定心晶片载体的一个特征在于晶片的两侧可以开放并且不与大量晶片载体表面接触。图8A至图8C示出了具有开放载体设计的本教导内容的自定心晶片载体CVD系统800的实施例。“开放载体设计”表示开放或者未被支承的晶片802的部分。仅绕晶片周边的一小区域与晶片载体物理接触。在某些实施例中，分隔板用来限定在旋转管内侧、晶片的背部暴露朝向的区域。

图8A示出了具有分隔板806的开放载体设计。在图8A中示出的开放载体设计的实施例中，晶片802由晶片载体804在晶片802的周边处支承，使晶片802的顶部和底部向晶片上方和下方中的腔室气氛暴露。

图8B示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统830的实施例，其具有晶片载体832，晶片载体832包括开放载体设计和具有斜边缘834的几何结构。当晶片载体832定位于旋转管838上时，晶片载体的斜边缘834搁置于旋转管838的斜边缘836上。在两个斜边缘834、836之间的界面使晶片载体832相对于旋转管838的旋转轴线定心。

图8C示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统870的实施例，其具有用于分隔板874的竖直切向锁872。在图8C中示出的实施例被设计成用于分隔板上方的空腔中的正净化876。净化气体通过管880提供到分隔板874与晶片878之间的区域内，管880穿过分隔板874。晶片878的底侧向净化气体暴露。因此，在各种实施例中，开放载体设计晶片载体利用晶片载体边缘和旋转管边缘的各种几何结构和尺寸，提供晶片载体到旋转管的旋转轴线的自定心。

图8D示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统820的实施例，其包括具有简单分隔件822的开放载体821。分隔件822防止耐火金属诸如钨沉积到晶片824的背侧上。分隔件822向晶片824提供辐射加热。在各种实施例中，分隔件822由碳化硅、石英或其它材料制成。使用碳化硅提供相对较低的温度斜坡速率，因为碳化硅具有高热导率。分隔件822可以由不透明材料形成以最小化清洁需要。而且，分隔件822可以包括斜边缘826以提供自定心。在某些实施例中，晶片载体821和分隔件822利用相应边缘的自定心几何结构和尺寸来防止沉积期间不均匀的温度分布。净化管828用来向空腔提供正压净化气体829。

图8E示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统的实施例，其包括具有位于中央的分隔件842的开放载体841。使用也充当净化管的支撑件844，分隔件842在石英缓冲器843上定心。支撑件844提供分隔件842到旋转管846的旋转轴线的自定心。晶片载体841的边缘尺寸和几何结构提供晶片载体841到旋转管846的旋转轴线的自定心。分隔件842可以由不透明材料形成以最小化清洁需要。

图8F示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统850的实施例，其包括具有静态分隔件852的开放载体851。伞形静态分隔件852具有两个边缘853、853’，这两个边缘853、853’造成分隔件852在旋转期间相对于旋转管854保持静态。换言之，静态分隔件852在操作期间并不随着旋转管854旋转。在各种实施例中，静态分隔件852的尺寸和几何结构经选择以最小化由于静态分隔件852的顶部与底部之间的温差造成的应力。在各种实施例中，静态分隔件852由碳化硅、石英或其它材料制成。使用碳化硅提供较低斜坡速率，因为碳化硅具有高热导率。静态分隔件852可以由不透明材料形成以最小化清洁要求。静态分隔件852防止耐火金属诸如钨沉积到晶片855背侧上。

图8G示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统860的实施例，其包括开放载体861和石英分隔件862。石英分隔件862可以是永久的或可移除的。石英分隔件862防止耐火金属诸如钨沉积到晶片863的背侧上。在永久石英分隔件的情况下，分隔件862可以是与旋转管864连续的石英件。这种连续件设计排除了分隔件的定心问题，因为分隔件为旋转结构的部分。不透明的碳化硅载体861阻挡杂散光。在许多实施例中，分隔件862的尺寸和几何结构选择为用以避免由于热梯度造成的应力。

图8H示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统930的实施例，其具有晶片载体932，晶片载体932包括开放载体设计和具有斜边缘934的几何结构。当晶片载体932定位于旋转管938上时，晶片载体的斜边缘934搁置于旋转管938的斜边缘936上。在两个斜边缘934、936之间的界面使晶片载体932相对于旋转管938的旋转轴线定心。

图8I示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统940的实施例，其具有用于分隔板944的竖直切向锁942。在图8I中示出的实施例被设计成用于分隔板上方的空腔中的正净化946。净化气体通过管945提供到分隔板944与晶片948之间的区域内，管880穿过分隔板944。晶片948的底侧向净化气体暴露。因此，在各种实施例中，开放载体设计晶片载体利用晶片载体边缘和旋转管边缘的各种几何结构和尺寸，提供晶片载体到旋转管的旋转轴线的自定心。

图8J示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统980的实施例，其包括具有简单分隔件982的开放载体981。分隔件982防止耐火金属诸如钨沉积到晶片984的背侧上。分隔件982向晶片984提供辐射加热。在各种实施例中，分隔件982由碳化硅、石英或其它材料制成。使用碳化硅提供相对较高温度斜坡速率，因为碳化硅具有低热导率。分隔件982可以由不透明材料形成以最小化清洁需要。而且，分隔件982可以包括斜边缘986以提供自定心。在某些实施例中，晶片载体981和分隔件982利用相应边缘的自定心几何结构和尺寸来防止沉积期间不均匀的温度分布。净化管988用来向空腔提供正压净化气体989。

图8K示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统990的实施例，其包括具有位于中央的分隔件992的开放载体991。使用也充当净化管的支撑件994，分隔件992在石英缓冲件993上定心。支撑件994提供分隔件992到旋转管996的旋转轴线的自定心。晶片载体991的边缘尺寸和几何结构提供晶片载体991到旋转管996的旋转轴线的自定心。分隔件992可以由不透明材料形成以最小化清洁需要。

图8L示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统1300的实施例，其包括具有静态分隔件1302的开放载体1301。伞形静态分隔件1302具有两个边缘1303、1303’，这两个边缘853、853’造成分隔件1302在旋转期间相对于旋转管1304保持静态。换言之，静态分隔件1302在操作期间并不随着旋转管1304旋转。在各种实施例中，静态分隔件1302的尺寸和几何结构经选择以最小化由于静态分隔件1302的顶部与底部之间的温差造成的应力。在各种实施例中，静态分隔件1302由碳化硅、石英或其它材料制成。使用碳化硅提供相对较高斜坡速率，因为碳化硅具有低热导率。静态分隔件1302可以由不透明材料形成以最小化清洁要求。静态分隔件1302防止耐火金属诸如钨沉积到晶片1305的背侧上。

图8M示出了本教导内容的自定心晶片载体CVD系统1310的实施例，其包括具开放载体1311和石英分隔件1312。石英分隔件1312可以是永久的或可移除的。石英分隔件1312防止耐火金属诸如钨沉积到晶片1313的背侧上。在永久石英分隔件的情况下，分隔件1312可以是与旋转管1314连续的石英件。这种连续件设计排除了分隔件的定心问题，因为分隔件为旋转结构的部分。不透明的碳化硅载体1311阻挡杂散光。在许多实施例中，分隔件1312的尺寸和几何结构选择为用以避免由于热梯度造成的应力。

图9A示出了本教导内容的自定心无容置件的晶片载体CVD系统900，其具有晶片载体902，晶片载体902包括一带斜几何结构的边缘904和一平坦边沿906。晶片载体902的边缘904对应于在晶片载体的外周边处或附近的圆形区域。边缘从晶片载体的下表面突伸。晶片908由柱920在晶片载体902的上表面上定心。晶片908的边缘和柱920在接触界面921处接触，在下文中进一步述及接触界面921。加热元件910定位于晶片载体902下方。晶片908、边沿906和加热元件910全都平行定位。晶片载体902定位于旋转管912上。旋转管912包括带斜几何结构的边缘914和平坦边沿916。当晶片载体902定位于旋转管912上时，晶片载体边缘904和旋转管边缘914靠近并且平行。在某些实施例中，在旋转管912的边缘914上的斜几何结构相对于旋转管912的旋转轴线以一定角度α918形成。同样，在晶片载体902的边缘904上的斜几何结构设置为相对于载体的中心轴线成角度α918，载体的中心轴线垂直于支承晶片的晶片载体的上表面伸展。在某些实施例中，角度α918选择为使得tan(α)＞f，其中f是在晶片载体与旋转管材料之间的摩擦系数。晶片载体902并不具有容置件并且可以被认为是无容置件的载体，其中柱920在操作期间保持晶片908在晶片载体904上。

图9B示出了处于室温的根据本教导内容的自定心晶片载体CVD系统950。在此实施例中，晶片载体954的边缘952平行于晶片载体954的中心轴线956并且也平行于旋转管960的边缘958。晶片载体边缘952的几何结构使得间隙968存在于晶片载体954的边缘952与旋转管960的边缘958之间。间隙968允许足够的空间用于晶片载体954相对于旋转管960膨胀使得在晶片载体边缘952与旋转管边缘958之间并不发生接触。在整个过程温度循环中，并且特别地在最高过程温度，晶片载体954保持小于旋转管960。在某些实施例中，加热器964沿着旋转管960的旋转轴线966定心。

图9B示出了并不与旋转轴线966重合的晶片载体954的中心轴线956。间隔件962的尺寸设定成使晶片载体954偏心旋转，其中晶片970在表示旋转管960的圆内。晶片970由柱972在晶片载体954上定心。晶片970的边缘与柱972在接触界面971处接触，在下文中进一步述及接触界面921。在某些实施例中，间隔件962机械加工到晶片载体边缘952内，使得间隔件618与其结构成一体。在某些实施例中，晶片载体954是石墨，并且间隔件962直接机械加工到石墨内，并且整个晶片载体954然后被涂布不同材料诸如碳化硅(SiC)。在某些实施例中，两个或更多个间隔件用来形成与旋转管960的边缘958的稳定接触。图9B中示出的系统类似于上文图6A中示出的系统，并且当图9B的系统旋转时，其将基本上遵循在上面的图6B和图6C做出的描述。晶片载体954并不具有容置件并且可以因此被认为是无容置件的载体，其中柱972在操作期间保持晶片970在晶片载体954上。

图10和图11示出了如上文的图9A和图9B中示出的柱920或972和接触界面921或971的细节。分别参看虚线圆圈F和G。在图10中，附图标记1100示出了晶片、晶片载体和上文提到的晶片载体902或954的柱界面的细节。附图标记1102是上文所提到的柱920或972。附图标记1106是上面分别搁置了晶片908或970的晶片载体902或954的一部分。附图标记1104是形成接触界面921或971的柱920或972的壁，其中晶片908或970分别接触柱920或972(类似于附图标记1102)。与晶片边缘成界面连接的附图标记1104的面可以是平坦的或弯曲的(例如，凸出)。

在图11中，表面1200示出了分别关于图9A、图9B描述的晶片、晶片载体和晶片载体902或954的柱界面的细节。表面1202是柱920或972。在此实施例中，表面1204是形成接触界面921或971的柱920或972的底切壁，分别与图9A和图9B相关。表面1206是上面分别搁置了晶片908或970的晶片载体902或954的一部分。表面1204与表面1206形成角度Θ，其可以在约80°至约95°的范围。

图12和图13示出了如关于图4A和图6A所描述的侧壁和接触界面421或621的各种实施例的细节。在图12中，表面1100示出关于图4A和图6A描述的晶片载体和晶片载体402或604的侧壁的细节。表面1902是如图4A和图6A所示的晶片载体402或604的顶面。表面1906是上面分别搁置了晶片408或620的晶片载体902或954的容置件420或624的一部分。表面1904是分别形成于晶片载体402或604的侧壁424或626中的缓冲器，当晶片408或620分别布置在容置件420或624中时，表面1904形成接触界面421或621。与晶片边缘成界面连接的附图标记1904的面可以是平坦的或弯曲的(例如，凸出)。

在图13中，附图标记1800示出了分别关于图4A和图6A描述的晶片载体和晶片载体402或604的侧壁的细节。表面1802是如上文所提到的晶片载体402或604的顶面。在此实施例中，表面1804是分别形成于晶片载体402或604的侧壁424或626中的缓冲器并且为底切使得形成接触界面421或621，分别如图4A和图6A所示。附图标记1806是上面分别搁置了晶片408或620的晶片载体402或604的容置件420或624的一部分。表面1804与表面1806形成角度Θ，其可以在约80°至约95°的范围。图4A和图6A的整个侧壁424或626并非底切。仅当缓冲器形成于相应容置件内时形成容置件420或624的底切部分。

图14示出了具有容置件1602的晶片载体1600的等距视图，容置件1602具有一个或更多个缓冲器1604，诸如关于图12和图13所描述缓冲器。容置件1602的壁1606上形成有一个或更多个缓冲器1604。

图15示出了根据本教导内容的另一无容置件的晶片载体1400的平面图。无容置件的晶片载体1400具有边沿1402和柱1404。柱1404类似于在图10和图11中所描述的那些柱。无容置件的晶片载体1400具有表面1408，晶片1406搁置于该表面1408上。

图15A示出了无容置件的晶片载体1400的截面图。无容置件的晶片载体1400包括带斜几何结构的边缘1410和边沿1402，类似于关于图4A所描述的边缘和边沿。边缘1410的斜几何结构与反应器的旋转管形成类似角度α，类似于关于图4A所描述的角度α418，无容置件的晶片载体1400用于反应器的旋转管中。旋转管类似于关于图4A所描述的旋转管412。

图15B示出了根据本教导内容的无容置件的晶片载体1400的等距视图。无容置件的晶片载体1400具有边沿1402和柱1404。柱1404类似于关于图10和图11中所描述的那些柱。无容置件的晶片载体1400具有表面1408，晶片(未图示)搁置于该表面1408上。

图16示出了根据本教导内容的无容置件的晶片载体1500的平面图。无容置件的晶片载体1500具有边沿1502和柱1504，柱1504类似于在图10和图11中所描述的柱。无容置件的晶片载体1500具有表面1508，晶片1506搁置于该表面1408上。

图16A示出了无容置件的晶片载体1500的截面图。无容置件的晶片载体1500包括带斜几何结构的边缘1510和边沿1502，类似于关于图4A所描述的边缘和边沿。边缘1510的斜几何结构与反应器的旋转管形成类似角度α，类似于关于图上面的所描述的角度α418，无容置件的晶片载体1500用于反应器的旋转管中。旋转管类似于本文所描述的旋转管，诸如旋转管412。

图16B示出了根据本教导内容的无容置件的晶片载体1600的等距视图。参看图16和图16A，无容置件的晶片载体1500、1600具有边沿1502和柱1504，柱1504类似于在图10和图11中所描述的柱。无容置件的晶片载体1500具有表面1508，晶片(未图示)搁置于该表面1408上。

图17是安装于转鼓1702上的晶片支承环1700(也被称作开放载体)的截面图。晶片支承环1700具有边缘1710并且转鼓1702具有边缘1708使得当晶片支承环1700定位于转鼓1702上时，边缘1710和1708的几何结构靠近并且平行。这种几何结构使得晶片支承环1700在所有温度随着转鼓1702同步旋转。晶片支承环1700具有顶面1709和边缘1706，晶片(未图示)的外边缘搁置于边缘1706上。晶片支承环1700还包括一个或更多个缓冲器1704，其中缓冲器具有直壁或底切并且类似于在图12和图13中所描述的那些。晶片支承环1700也可以具有下面这样的构造：顶面1709与边缘1706是共面的，形成无容置件的构造，并且使用柱，类似于1404或1504。晶片支承环1700也可以用于自定心CVD系统中，如图8A至图8G所示。当晶片支承环1700具有无容置件的构造时，接触晶片边缘的柱的面可以是平坦的或弯曲的(例如凸出)。

图17A示出了图17中的圆圈A的特写视图。

图18示出了晶片支承环1700的等距视图，晶片支承环1700具有如本文所描述的边缘1706和缓冲器1704。

如上文所述，柱，例如柱920或972形成于无容置件的载体上，如上文所描述。对于具有容置件的晶片载体而言，使用缓冲器。

柱(当用于无容置件的晶片载体上时)或者缓冲器(当用于具有容置件的晶片载体上时)通常在无容置件的晶片载体的表面上或者在晶片载体的容置件内对称地布置。一般而言，设想到六个缓冲器或柱，但也可以使用更少(例如3或4)或更多(例如9或10)的缓冲器。

如图11和图13所示的底切，当用于柱或缓冲器时，在约80度至约90度的范围。接触晶片边缘的附图标记1204和1804的表面可以是平坦的或弯曲的(例如凸出)。在另一些实施例中，柱可以是凹入的。

接触晶片边缘的缓冲器或柱(例如在图10和图12中)的表面可以是平坦的或弯曲的(例如，凸出)。在另一些实施例中，柱可以是凹入的。

用来形成缓冲器或柱的材料通常为制造晶片载体的相同材料。在另一些实施例中，缓冲器或柱可以由用来形成晶片的相同材料形成。在又一实施例中，缓冲器或柱可以由与晶片载体和晶片材料不同的材料形成。

除了缓冲器或柱之外，本实用新型的晶片载体也可以具有凸片。凸片可以形成于表面1408或1508上，例如在无容置件的晶片载体上，在靠近柱周向表面上的各个位置。凸片可以靠近柱的位置布置或者可以在周向的任何位置。当在晶片载体中存在容置件时，凸片可以位于缓冲器所在的表面1806或1906上或者在凹部中容置件外侧内的任何其它地方。

在两个实例中，凸片可以具有三角形的形状。凸片可以由吸收当基板载体抵靠基板膨胀时产生的至少某些力的材料形成。而且，随着基板载体的温度升高，凸片可以减小在基板上的机械应力。

图19示出了根据本教导内容的单基板载体1600的展开俯视图1900，其关于图4展开描述(其中并未示出图14的某些特征)。展开俯视图1900示出了用来支承基板的多个凸片1903。在处理期间，基板搁置于凸片1903上。可以使用许多类型的凸片。例如，凸片1903可以是三角形凸片1903，如图所示，但是可以设想到其它形状，其定位于沿着基板载体1600的边缘的若干位置。这是因为随着温度斜坡上升到所期望的处理温度，基板载体1600膨胀，而许多类型的基板的尺寸保持基本上相同。凸片1903尺寸设定为使得它们可以在这些过程的整个操作温度范围中支承基板。

本实用新型还提供一种用于化学气相沉积系统的单晶片基板载体，其中单晶片基板载体具有主体(晶片载体)，主体适于接纳基板(或晶片)和适于定位于旋转管顶部上的边缘几何结构，旋转管也具有边缘几何结构，其中单晶片基板载体和旋转管的边缘几何结构经选择在过程中在所期望的过程温度提供晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线的重合对准。晶片(或基板)可以使用容置件(例如如关于图4A和图6B所描述的容置件420或容置件624)或者不使用容置件(即，无容置件)通过使用如本文所述的两个或更多个缓冲器或柱而接纳于主体上。

单晶片基板载体也被称作晶片载体并且这些术语在本文中是可以互换的。

图20示出了晶片支承环(也被称作开放载体或过程托盘)2000的等距视图。晶片支承环2000具有边缘2006，晶片(未图示)的外边缘搁置于边缘1706上。晶片支承环2000还包括一个或更多个缓冲器，其中缓冲器具有直壁或底切并且类似于在图12和图13中所描述的那些。晶片支承环2000也可以具有下面这样的构造：顶面2009与边缘2006是共面的，形成无容置件的构造，并且使用柱，类似于如上文所述的1404或1504。晶片支承环2000也可以用于自定心CVD系统中，如图8A至图8G所示。当晶片支承环2000具有无容置件的构造时，接触晶片边缘的柱的面可以是平坦的或弯曲的(例如凸出)。

图20A为沿着线A-A所截取的图20的截面图。

图21示出了安装于转鼓2002上的晶片支承环2000的截面图。晶片支承环2000具有边缘2010和边缘2012。转鼓2002具有边缘2008和2014。当晶片支承环2000定位于转鼓2002上时，晶片支承环2000的边缘2010和转鼓2000的边缘2008的几何结构靠近并且平行，并且晶片支承环2000的边缘2012和转鼓的边缘2014的几何结构靠近并且平行。这种几何结构使得晶片支承环2000在所有温度与转鼓2002同步旋转。边缘2012可以沿着转鼓2002的边缘2014延伸约0.5mm至约7.5mm。

图21A示出了图21中的圆圈A的特写视图。

图22示出了晶片支承环2000和转鼓2002的分解图。

等同方式

虽然结合各种实施例描述申请人的教导，然而，申请人的教导不意图限于这些实施例。相反，申请人的教导包含可以在不背离教导的精神和范围的情况下对其提出的本领域技术人员将理解的各种替代方案、修改和等同方式。