技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双腔式等离子体沉积镀膜方法，包括如下步骤：(1)抽真空；(2)放置衬底并调整到所需的工艺位置；(3)向第一反应腔室和第二反应腔室内通入工艺气体，同时，向清洗气体进气通道内通入氮气；(4)调整两个反应腔室内的压力；(5)预热衬底，并对工艺气体进行射频处理，使工艺气体在射频的作用下形成等离子体，等离子体在衬底表面成膜，完成镀膜。本方法通过在向第一反应腔室和第二反应腔室通入工艺气体的同时，向清洗气体进气通道内通入氮气，破除了清洗气体进气通道的真空状态，平衡两端的压力，可以有效的消除两腔室间气流分配不均带来的沉积速率上的差异，从而提高晶圆间工艺的均一性。
技术研发人员：王卓;戚艳丽;姜崴
受保护的技术使用者：沈阳拓荆科技有限公司
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.07.28